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Contribution A Letude Des Proprietes Optiques Dans Linfrarouge Des Semimetaux Et Semiconducteurs A Faible Largeur De Bande Interdite
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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DANS L'INFRAROUGE DES SEMIMETAUX ET SEMICONDUCTEURS A FAIBLE LARGEUR DE BANDE INTERDITE by : F.. Raymond
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DANS L'INFRAROUGE DES SEMIMETAUX ET SEMICONDUCTEURS A FAIBLE LARGEUR DE BANDE INTERDITE written by F.. Raymond and published by . This book was released on 1974 with total page 46 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE OPTIQUE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE SEMICONDUCTEURS A BANDE INTERDITE ETROITE OU NULLE PAR UNE NOUVELLE METHODE DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE UTILISANT ESSENTIELLEMENT UNE TECHNIQUE DE THERMO-MODULATION, DES LASERS A GAZ CO ET CO::(2) ET UN DEPLACEMENT CONTINU DES ETATS ELECTRONIQUES SITUES AU VOISINAGE DE LA TRANSITION GAMMA ::(6)->GAMMA ::(8).
Book Synopsis NON-LINEARITES OPTIQUES DANS DES SEMICONDUCTEURS A FAIBLE LARGEUR DE BANDE INTERDITE by : JEROME.. JEANROT
Download or read book NON-LINEARITES OPTIQUES DANS DES SEMICONDUCTEURS A FAIBLE LARGEUR DE BANDE INTERDITE written by JEROME.. JEANROT and published by . This book was released on 1996 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES NON-LINEARITES OPTIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS A FAIBLE LARGEUR DE BANDE INTERDITE DANS LE CADRE D'UNE APPLICATION A LA LIMITATION OPTIQUE DANS L'INFRA-ROUGE. EN REGIME NANOSECONDE, LES PORTEURS LIBRES EN EXCES CREES PAR ABSORPTION A DEUX PHOTONS DANS LES MATERIAUX INSB ET HGCDTE SONT A L'ORIGINE DES PRINCIPAUX MECANISMES DE REFRACTION NON-LINEAIRE. NOUS PROPOSONS UNE ETUDE DU COMPORTEMENT DES PORTEURS LIBRES PHOTO-INDUITS PAR PHOTOCONDUCTIVITE SOUS FLUX LASER CO#2 QUI PERMET DE CONCLURE SUR LA DEPENDANCE DU NOMBRE DE PORTEURS EN FONCTION DE L'INTENSITE INCIDENTE. LES EFFETS D'AUTO-DEFOCALISATION D'ORIGINE ELECTRONIQUE SONT ETUDIES A L'AIDE D'UNE EXPERIENCE DE Z-SCAN A UN SEUL FAISCEAU. UN MODELE INCLUANT LES RESULTATS DE PHOTOCONDUCTIVITE PERMET DE RENDRE COMPTE DES EXPERIENCES ET D'EVALUER UN COEFFICIENT NON-LINEAIRE CORRESPONDANT A UNE VARIATION D'INDICE PAR PAIRE ELECTRON-TROU ET PAR UNITE DE VOLUME. LES VARIATIONS D'INDICE D'ORIGINE THERMIQUE PROVENANT DE L'ABSORPTION DU FLUX INCIDENT SONT EVALUEES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UNE EXPERIENCE DE Z-SCAN A DEUX FAISCEAUX EN CONFIGURATION POMPE-SONDE. LES EXPERIENCES ET MODELES DEVELOPPES DANS CE MEMOIRE DEMONTRENT L'EFFICACITE DES MECANISMES NON-LINEAIRES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS A FAIBLE GAP POUR LA LIMITATION OPTIQUE ET LA POSSIBILITE D'ETENDRE CETTE ETUDE A D'AUTRES MATERIAUX OU ENCORE D'AUTRES BANDES SPECTRALES
Book Synopsis LES PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS A GRANDE BANDE INTERDITE- EXPOSES ET COMMUNICATIONS DU COLLOQUE. by :
Download or read book LES PROPRIETES OPTIQUES DES SEMICONDUCTEURS A GRANDE BANDE INTERDITE- EXPOSES ET COMMUNICATIONS DU COLLOQUE. written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques by : Gwenolé Jacopin
Download or read book Nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite pour des applications optoélectroniques written by Gwenolé Jacopin and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis le début des années 2000, une vaste classe de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO peut être synthétisée avec un excellent contrôle des propriétés de dopage et de composition. La géométrie spécifique de ces nanofils permet de faire croître des hétérostructures radiales et axiales qui ont des propriétés optiques et de transport très avantageuses par rapport aux couches minces. Ces propriétés en font des candidats prometteurs pour la réalisation d'une nouvelle génération de dispositifs plus efficaces (LEDs, photodétecteurs,...). Pour cela, il est indispensable de comprendre les nouveaux effets induits par la géométrie particulière de ces nanostructures : c'est l'objet de cette thèse. Dans une première partie, je présente une étude des propriétés optiques de nanofils de semiconducteurs à grande énergie de bande interdite. J'analyse d'abord l'effet de la contrainte sur les propriétés d'émission des nanofils cœur-coquille GaN/AlGaN. En particulier, je mets en évidence le croisement des bandes de valence et son influence sur les propriétés optiques des nanofils. Ensuite, je me focalise sur l'effet du confinement quantique et les propriétés de polarisation dans les nanofils hétérostructurés de nitrures d'éléments III. Dans une seconde partie, je m'intéresse à la réalisation et à la caractérisation de dispositifs à base de nanofils de nitrures d'éléments III et de ZnO. J'expose tout d'abord la modélisation et l'étude expérimentale de photodétecteurs à ensemble de nanofils en mettant en avant l'influence des états de surface sur leur réponse. Je m'intéresse ensuite aux propriétés de transport dans des nanofils uniques de nitrures d'éléments III hétérostructurés. Je montre, en particulier, que ces hétérostructures sont le siège d'une résistance différentielle négative. Enfin, je présente la réalisation et la caractérisation de photodétecteurs et de LEDs utilisant des nanofils uniques InGaN/GaN cœur-coquille. Un modèle électrique équivalent permet de rendre compte du comportement observé.
