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Contribution A Letude Des Phenomenes De Transport Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene Elabore Par Pulverisation Cathodique
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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : Christophe Longeaud
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by Christophe Longeaud and published by . This book was released on 1982 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : JEAN-PIERRE.. PEYRE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by JEAN-PIERRE.. PEYRE and published by . This book was released on 1980 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE ET MICRO-CRISTALLIN DEPOSE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : LAURENT.. LUSSON
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE ET MICRO-CRISTALLIN DEPOSE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by LAURENT.. LUSSON and published by . This book was released on 1997 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE MONTRER QUE LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS ET LA STABILITE THERMIQUE DE L'HYDROGENE (DEUTERIUM) DANS LE SILICIUM AMORPHE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE RF DEPENDENT DES CONDITIONS DE DEPOT DE LA COUCHE ET INFLUENT SUR LA MICROCTRUCTURE DU SILICIUM MICRO-CRISTALLIN QUI EN RESULTE PAR RECUIT THERMIQUE. LES MATERIAUX AMORPHES SONT DEPOSES A PARTIR D'ARGON PUR OU D'ARGON + HYDROGENE (DEUTERIUM), AVEC UNE CATHODE SIMPLE OU UNE CATHODE MAGNETRON, EN FAISANT VARIER LA TEMPERATURE DE SUBSTRAT ET LA PUISSANCE DU PLASMA. LES ANALYSES PAR SIMS, FTIR ET EXODIFFUSION MONTRENT QUE LA CATHODE SIMPLE CONDUIT A DES COUCHES AMORPHES HYDROGENEES QUI PRESENTENT DES ZONES PEU DENSES RICHES EN DEUTERIUM PEU STABLE THERMIQUEMENT, ET DES REGIONS PLUS DENSES, OU L'HYDROGENE EST PLUS STABLE. CECI EST CONFIRME PAR L'ETUDE PAR DIFFRACTION X DE LA RELAXATION DU MATERIAU. UNE TEMPERATURE DE SUBSTRAT PLUS ELEVEE AUGMENTE LES TAUX DE LIAISONS SIMPLES SI-H ISOLEES ET DE LIAISONS THERMIQUEMENT STABLES. ON NE PEUT PAS IDENTIFIER STRICTEMENT LA LIAISON SIMPLE SI-H AVEC LA LIAISON STABLE ET LE DIHYDRIDE SI-H 2 AVEC LA LIAISON LA MOINS STABLE. LA CATHODE MAGNETRON PERMET UNE DISTRIBUTION PLUS HOMOGENE DE L'HYDROGENE DANS LA COUCHE, ACCROIT LE TAUX DE LIAISONS SIMPLES ET L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DU PLASMA AMPLIFIE CE PHENOMENE. L'ETUDE PAR MET ET DIFFRACTION X DE LA MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLISEES MONTRE QUE LA PRESENCE D'HYDROGENE DANS LA COUCHE AMORPHE CONDUIT A UNE PLUS PETITE TAILLE DE GRAIN QUE POUR LES COUCHES DEPOSEES SANS HYDROGENE. L'IMPORTANCE DES MICRO-CAVITES PRESENTES DANS LES COUCHES CRISTALLISEES EST REDUITE LORSQUE L'HYDROGENE EST DISTRIBUE DE FACON HOMOGENE DANS LE SILICIUM AMORPHE DONT ELLES SONT ISSUES. FINALEMENT, DANS LES COUCHES CRISTALLISEES ET POST-HYDROGENEES, NOUS METTONS EN EVIDENCE LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE AUX JOINTS DE GRAINS AINSI QUE SON PIEGEAGE DANS LES MICRO-CAVITES ET SUR LES DEFAUTS INTRA- ET INTER- GRANULAIRES.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis Contribution à l'étude des phénomènes électriques et photoélectriques dans le silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation cathodique by : Hassan Hamdi
Download or read book Contribution à l'étude des phénomènes électriques et photoélectriques dans le silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation cathodique written by Hassan Hamdi and published by . This book was released on 1984 with total page 444 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, RPE, PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE, PHOTOLUMINESCENCE, CONDUCTION THERMOSTIMULEE, SPECTRES RAMAN ET IR, DIFFRACTION RX. PROPOSITION D'UN MODELE STRUCTURAL BASE SUR UNE DOUBLE INHOMOGENEITE MACROSCOPIQUE ET MICROSCOPIQUE. DETERMINATION DE NIVEAUX D'ENERGIE ET DES DENSITES D'ETATS CORRESPONDANTES
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE by : D.. MENCARAGLIA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE written by D.. MENCARAGLIA and published by . This book was released on 1978 with total page 35 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Book Synopsis Contribution à l’étude des propriétés photoélectriques du silicium amorphe hydrogène préparé par pulvérisation cathodique by : Emmanuel Arene
Download or read book Contribution à l’étude des propriétés photoélectriques du silicium amorphe hydrogène préparé par pulvérisation cathodique written by Emmanuel Arene and published by . This book was released on 1983 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique by : Laurent Lusson
Download or read book Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique written by Laurent Lusson and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES by : Hassen Dahman
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by Hassen Dahman and published by . This book was released on 1986 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL
Book Synopsis ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE by : Nadjib Hassani
Download or read book ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE written by Nadjib Hassani and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA by : STEPHANE.. VIGNOLI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA written by STEPHANE.. VIGNOLI and published by . This book was released on 1995 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C
Book Synopsis Contribution à l'analyse du silicium amorphe hydrogéné par les méthodes nucléaires by : Luc Jeannerot
Download or read book Contribution à l'analyse du silicium amorphe hydrogéné par les méthodes nucléaires written by Luc Jeannerot and published by . This book was released on 1980 with total page 62 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON MONTRE QUE LA MICROANALYSE NUCLEAIRE ASSOCIANT RETRODIFFUSION ELASTIQUE DES PARTICULES CHARGEES ET REACTIONS NUCLEAIRES EST PARFAITEMENT ADAPTEE A LA DETERMINATION QUANTITATIVE ET AU TRACE DE PROFILS DE CONCENTRATION DES CONSTITUANTS MAJEURS (CARBONE, OXYGENE, ARGON, HYDROGENE) DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE OBTENUES PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. UNE METHODE DE TRAITEMENT INFORMATIQUE DES SPECTRES DE PARTICULES CHARGEES (RETRODIFFUSION ELASTIQUE PRINCIPALEMENT) EST PRESENTEE
Book Synopsis Silicium amorphe hydrogéné déposé par pulvérisation cathodique réactive by : Philippe Bouchut
Download or read book Silicium amorphe hydrogéné déposé par pulvérisation cathodique réactive written by Philippe Bouchut and published by . This book was released on 1981 with total page 100 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN OEUVRE DES TECHNIQUES DE REFLEXIONS TOTALES MULTIPLES ATTENUEES POUR L'OBSERVATION DES MODES INFRAROUGE LOCALISES DE VIBRATION DE L'HYDROGENE DANS ASIH, D'OPTIQUE GUIDEE PERMETTANT D'AVOIR ACCES AUX PARAMETRES OPTIQUES DU GUIDE D'ONDE, DE PHOTOCONDUCTIVITE PAR PROPAGATION D'ONDE GUIDEE, DE MICROSCOPIE A BALAYAGE ET DE TRANSMISSION, DE SPECTROPHOTOMETRIE DE TRANSMISSION-REFLEXION, DE REPONSE SPECTRALE DE DISPOSITIFS. MISE EN EVIDENCE DE DEUX TYPES D'HYDROGENE LIE DANS ASIH, L'UN UNIFORMEMENT REPARTI, DE CONFIGURATION =-SI-H, L'AUTRE LOCALISE SUR/OU AU VOISINAGE DE CAVITES A PAROIS PLATES EN CONCENTRATION PLUS ELEVEE. LA REPONSE SPECTRALE DE DIODE SCHOTTKY DONNE LE PRODUIT DES PORTEURS MINORITAIRES ET LA MEME REPONSE SUR DISPOSITIF A ELECTRODES COPLANAIRES DONNE LE PRODUIT DES ELECTRONS. DEPENDANCE SPECTRALE DE L'ABSORPTION DU MATERIAU
Book Synopsis Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene by : Didier Jousse
Download or read book Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné by : Adnan Mini
Download or read book Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné written by Adnan Mini and published by . This book was released on 1982 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : RACHID.. AMOKRANE
Download or read book ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by RACHID.. AMOKRANE and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CET OUVRAGE TRAITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE DIODE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H). SOUS POLARISATION INVERSE, NOUS ANALYSONS LA RELAXATION DES PORTEURS DE CHARGES A PARTIR DE L'ETUDE DE PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES A L'EXTINCTION. CETTE ETUDE CONCERNE LES CIBLES PHOTOCONDUCTRICES EN A-SI:H DES TUBES VIDICON, QUI CONVERTISSENT UNE IMAGE OPTIQUE EN UN SIGNAL ELECTRIQUE. LA RELAXATION DES PORTEURS S'Y TRADUIT EN TERME DE REMANENCE, CELLE-CI REPRESENTE LE SOUVENIR QUE CONSERVE LE DISPOSITIF D'UNE IMAGE ANTERIEURE. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EN DETERMINER LA NATURE. NOUS MONTRONS QUE POUR LES STRUCTURES ETUDIEES, ELLE PROVIENT DES INTERFACES. NOS MESURES DES GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU TRANSPORT DE CHARGES S'INTERPRETENT PAR LE MODELE DECRIVANT LE TRANSPORT DANS CE MATERIAU. NOUS OBTENONS UNE STRUCTURE DE CIBLE DETENANT UNE REMANENCE INFERIEURE A 2%. EN APPLIQUANT UNE POLARISATION DIRECTE A NOTRE DIODE N-I-P NOUS ETUDIONS LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGES. POUR DES NIVEAUX D'INJECTION ELEVES, NOUS ATTEIGNONS LE REGIME DIT DE DOUBLE INJECTION DANS LEQUEL LA RECOMBINAISON CONTROLE LE COURANT, NOUS EXPLORONS LA DUREE DE VIE SUR UN VASTE DOMAINE D'INJECTION. NOUS MESURONS DES GAINS DE DOUBLE INJECTION ET DE PHOTOCONDUCTION S'EXPRIMANT AU PREMIER ORDRE COMME LE RAPPORT DE LA DUREE DE VIE SUR LE TEMPS DE TRANSIT. NOUS MONTRONS QUE, POUR LE A-SI:H, LE GAIN DE DOUBLE INJECTION, CONTRAIREMENT AU GAIN DE PHOTOCONDUCTION, N'EST PAS UNE BONNE MESURE DE LA DUREE DE VIE. NOUS OBTENONS DES GAINS DE PHOTOCONDUCTION DE L'ORDRE DE 800. NOUS MONTRONS LE ROLE ESSENTIEL DES INTERFACES SUR LA LIMITATION DU COURANT ELECTRIQUE. NOUS ETUDIONS EGALEMENT, DANS CE REGIME, LA DEGRADATION, PAR EXPOSITION DE LUMIERE PROLONGEE, DU TRANSPORT DE CHARGES. NOUS CONSTATONS UNE DIMINUTION DU PHOTOCOURANT ET DU COURANT D'OBSCURITE COMPATIBLE AVEC UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS
Book Synopsis Etude de la permittivité complexe du silicium amorphe hydrogène en fonction de la température de la fréquence, et du champ by : Alain Cagna
Download or read book Etude de la permittivité complexe du silicium amorphe hydrogène en fonction de la température de la fréquence, et du champ written by Alain Cagna and published by . This book was released on 1981 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURES DE CONDUCTIVITE ET CONSTANTE DIELECTRIQUE EN FONCTION DU CHAMP ET DE LA FREQUENCE ET DE LA TEMPERATURE D'ECHANTILLONS PREPARES PAR PULVERISATION CATHODIQUE. COMPARAISON DES RESULTATS AUX MODELES DE MOTT ET DAVIS ET DE PIKE ET ELLIOTT. MODELES DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL A GRANDE PORTEE. INTERPRETATIONS DES RESULTATS A 4,2 K
