CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA

Download CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA PDF Online Free

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 170 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA by : STEPHANE.. VIGNOLI

Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE. MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE-HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA written by STEPHANE.. VIGNOLI and published by . This book was released on 1995 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C

METASTABILITE THERMIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE

Download METASTABILITE THERMIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE PDF Online Free

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 157 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis METASTABILITE THERMIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE by : Pablo Jensen

Download or read book METASTABILITE THERMIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE written by Pablo Jensen and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL ABORDE L'ETUDE DES PHENOMENES METASTABLES D'ORIGINE THERMIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) INTRINSEQUE. NOUS DEMONTRONS QU'IL EXISTE A CHAQUE TEMPERATURE UN ETAT D'EQUILIBRE. CET EQUILIBRE N'EST CEPENDANT PAS ATTEINT IMMEDIATEMENT: LA RELAXATION SUIT UNE EXPONENTIELLE ETIREE: EXP((T/)#) OU 0,50,8 ET 1/ EST THERMIQUEMENT ACTIVE AVEC UNE ENERGIE DE 1,5 EV ET UN PREFACTEUR DE 10#1#4S##1. NOUS MONTRONS COMMENT CET EQUILIBRE AFFECTE LA CONDUCTIVITE (MESUREE EN REGIME CONTINU OU ALTERNATIF, EN GEOMETRIE COPLANAIRE OU SANDWICH) AINSI QUE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET L'ABSORPTION OPTIQUE MESUREE PAR LA METHODE DES PHOTOCOURANTS CONSTANTS. NOUS TROUVONS NOTAMMENT QUE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS (LES LIAISONS PENDANTES) EST ACTIVEE THERMIQUEMENT AVEC UNE ENERGIE D'ENVIRON 0,13 EV. PLUSIEURS EXPERIENCES ELIMINENT LA POSSIBILITE QUE CET EQUILIBRE NE SOIT DU QU'A UNE MODIFICATION DE LA SURFACE DES ECHANTILLONS, PAR DES ADSORBATS COMME L'EAU NOTAMMENT. L'ENSEMBLE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX PEUT ETRE EXPLIQUE EN SUPPOSANT QUE LES LIAISONS PENDANTES SONT EN EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE. L'AGENT DE CET EQUILIBRE SERAI L'HYDROGENE DONT LA VITESSE DE DIFFUSION CADRE REMARQUABLEMENT AVEC NOS TEMPS DE RELAXATION. LES CHAGEMENTS DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE SONT ALORS EXPLIQUES GRACE A UN MODELE SIMPLE DE DENSITE D'ETATS. NOUS DISCUTONS ENSUITE DE L'ETENDUE DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE DANS LE A:SI:H NON DOPE. FINALEMENT NOUS SUGGERONS QUE LES "CASSURES" OBSERVEES DANS LES TRACES D'ARRHENIUS DE LA CONDUCTIVITE, JUSQU'ICI MAL EXPLIQUEES, PEUVENT AVOIR POUR SOURCE LES PHENOMENES METASTABLES

METASTABILITE DES COUCHES MINCES ET DES DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM ET DE SES ALLIAGES PREPARES PAR PECVD

Download METASTABILITE DES COUCHES MINCES ET DES DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM ET DE SES ALLIAGES PREPARES PAR PECVD PDF Online Free

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 114 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis METASTABILITE DES COUCHES MINCES ET DES DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM ET DE SES ALLIAGES PREPARES PAR PECVD by : PAVEL.. STAHEL

Download or read book METASTABILITE DES COUCHES MINCES ET DES DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM ET DE SES ALLIAGES PREPARES PAR PECVD written by PAVEL.. STAHEL and published by . This book was released on 1998 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES PROPRIETES ET DE LA METASTABILITE DE DIFFERENTS MATERIAUX EN COUCHES MINCES PREPARES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA (PECVD) A PARTIR DE SILANE ET DE MELANGES SILANE-GERMANE DANS DES CONDITIONS DE PLASMA DIFFERENTES. CES MATERIAUX PRESENTENT DES DEGRES CROISSANTS D'ORDRE STRUCTURAL, ALLANT DE L'AMORPHE (A-SI:H) AU POLYMORPHE (PM-SI:H) (AVEC UN CERTAIN ORDRE A MOYENNE DISTANCE) ET AU MICROCRISTALLIN (C-SI:H). LEURS PROPRIETES STRUCTURALES, OPTIQUES, DE TRANSPORT ET DE PHOTOTRANSPORT SONT ETUDIEES PAR PLUSIEURS TECHNIQUES COMPLEMENTAIRES. UNE ATTENTION PARTICULIERE EST ACCORDEE A LA CINETIQUE DES PROCESSUS DE DEGRADATION SE PRODUISANT SOUS ECLAIREMENT INTENSE (400 MW/CM 2) D'UNE LAMPE AU XE DE 1 KW A DIFFERENTES TEMPERATURES ENTRE 0 ET 80\C. UN DES RESULTATS LES PLUS MARQUANTS EST L'AMELIORATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT ET DE LA STABILITE DE PM-SI:H PAR RAPPORT A A-SI:H STANDARD PRIS COMME REFERENCE, QUI EST EXPLIQUEE PAR LES MODES D'INCORPORATION DE L'HYDROGENE PARTICULIERS A CE MATERIAU NANOSTRUCTURE. LES MEMES TENDANCES SONT OBSERVEES DANS LES ALLIAGES POLYMORPHES. LES VARIATIONS DE LA STABILITE DE C-SI:H AVEC LA FRACTION VOLUMIQUE DE MICROCRISTAUX SONT ANALYSEES AVEC UN MODELE A DEUX PHASES. LES MECANISMES DE DEGRADATION DES ECHANTILLONS DOPES P ET N SONT INTERPRETES EN TERMES DE CREATION ET DE DISSOCIATION DE COMPLEXES DOPANT-HYDROGENE. DES ETUDES COMPARATIVES SUR DES DISPOSITIFS P-I-N BASES SUR CES DIFFERENTS MATERIAUX CONFIRMENT L'INTERET DU SILICIUM POLYMORPHE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES.

ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA

Download ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA PDF Online Free

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 191 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA by : LAURENT.. DUBOST

Download or read book ETUDE ET MODELISATION DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE ET D'OXYDE DE SILICIUM DEPOSES PAR PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA written by LAURENT.. DUBOST and published by . This book was released on 1997 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TOPOLOGIE COMPLEXE DES CIRCUITS D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE, TELS QUE LES LIGNES METALLIQUES DE COMMANDE D'UN ECRAN PLAT DE VISUALISATION, INDUIT DES MODIFICATIONS LOCALES DES PROPRIETES DES FILMS QUI LES RECOUVRENT. CETTE ETUDE A POUR BUT, D'EVALUER ET DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE RECOUVREMENTS DE STRUCTURES, PAR DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET D'OXYDE DE SILICIUM (SIO#X). CES MATERIAUX SONT DEPOSES DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL, PAR DES PROCEDES CHIMIQUES EN PHASE VAPEUR ASSISTES PAR PLASMA. NOUS DEVELOPPONS UN MODELE DE RECOUVREMENT DE STRUCTURES FAISANT INTERVENIR DEUX TYPES DE RADICAUX. LA DIMINUTION DU TAUX DE CONFORMALITE (RECOUVREMENT) DES FILMS DE A-SI:H, EST INTERPRETEE COMME UNE AUGMENTATION DU RAPPORT DES DENSITES DES RADICAUX SIH#2 ET SIH#3, ISSUS DE LA DECOMPOSITION DES MELANGES SILANE-HYDROGENE. LES SIMULATIONS NUMERIQUES DU MODELE CONFIRMENT CE RESULTAT, ET REPRODUISENT LES PROFILS DE COUVERTURE DE TRANCHEE. LE RECOUVREMENT DE TRANCHEES S'ACCOMPAGNE DE DEFAUTS DE COALESCENCE A L'ORIGINE DE FUITES CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DANS DES FILMS DE SILICE. NOUS PRESENTONS UNE METHODE DE CARACTERISATION SIMPLE ET RAPIDE DE CES DEFAUTS. LE DEVELOPPEMENT D'UN PROCEDE A BASE D'UN MELANGE SIH#4-N#2O-H#2 PERMET D'OBTENIR UN MEILLEUR COMPORTEMENT DES DEPOTS. ENFIN, NOUS DECRIVONS ET MODELISONS LA CROISSANCE DE DEFAUTS NODULAIRES OBTENUS A PARTIR DU RECOUVREMENT DE PARTICULES PRESENTES SUR LE SUBSTRAT.