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Contribution A Letude Des Effets Delargissement De Base Dans Les Transistors Bipolaire
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Book Synopsis Contribution à l'étude des effets d'élargissement de base dans les transistors bipolaire by : Françoise Lozes-Dupuy
Download or read book Contribution à l'étude des effets d'élargissement de base dans les transistors bipolaire written by Françoise Lozes-Dupuy and published by . This book was released on 1975 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes by : Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes written by Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1979 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN RAYONNEMENT IONISANT SUR LES PROPRIETES DE BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS. LES PROBLEMES D'IRRADIATION ET DE SURFACE SONT TRES LIES DE SORTE QUE LE RAYONNEMENT CONSTITUE UN OUTIL PERMETTANT DE MIEUX CONNAITRE LES PTES DE SURFACE ET LEUR INFLUENCE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU COMPOSANT. DESCRIPTION DU PROCEDE DE FABRICATION, ET A PARTIR DE L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES EN REGIME STATIQUE ET DU BRUIT DE FOND AUX BF ET MF, IDENTIFICATION DES MECANISMES PHYSIQUES REGISSANT LE COMPORTEMENT DES ZONES SUPERFICIELLES ET ESTIMATION DES PARAMETRES SPECIFIQUES DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE L'INTERFACE. INFLUENCE DU RAYONNEMENT, ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION, ETUDE DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE SURFACE INFLUENCANT LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR ET IDENTIFICATION DES PHENOMENES PHYSIQUES. MISE EN EVIDENCE DES EFFETS DE RADIATION SUR LES SOURCES DE BRUIT. REGLES DE POLARISATION POUR MINIMISER LES EFFETS DE RAYONNEMENTS SUR LE BRUIT DE FOND
Book Synopsis Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes by : M. Roux - Nogatchewsky
Download or read book Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes written by M. Roux - Nogatchewsky and published by . This book was released on 1979 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE FINE DES DIVERS MECANISMES QUI AFFECTENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IDENTIFICATION A PARTIR D'UNE FORMULATION NOUVELLE DES EQUATIONS GENERALES DES SEMICONDUCTEURS, DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR LAMELLAIRE. INFLUENCE DES PHENOMENES DE DEGENERESCENCE SUR LE RDT D'INJECTION DU COMPOSANT. EFFETS DE HAUTE INJECTION. PHENOMENES DE CONDUCTION DANS LA BASE. COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME DYNAMIQUE.
Book Synopsis Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors bipolaires et à effet de champ à jonctions by : Joseph Borel
Download or read book Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors bipolaires et à effet de champ à jonctions written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 106 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences by : Yves Druelle
Download or read book Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences written by Yves Druelle and published by . This book was released on 1985 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur quelques fonctionnements limites du transistor bipolaire microonde. Dans une première partie, une utilisation particulière du transistor au-dessus de la fréquence de transition est envisagée. Le transistor est considéré comme un dipole à injection thermoionique et à temps de transit, entre l'émetteur et le collecteur, le circuit de base étant conçu pour annuler le courant HF de base. Il est montré, tant sur le plan théorique qu'expérimental, que ce dispositif présente une résistance négative en hyperfréquences, pouvant constituer l'élément actif d'un oscillateur. Une étude systématique des effets parasites du circuit extérieur de base et des effets parasites intrinsèques (effet Early), est effectuée et des améliorations technologiques sont proposées. Dans une deuxième partie le transistor est considéré en amplificateur de puissance en régime classe B ou C. L'influence du profil de dopage de collecteur sur le phénomène d'élargissement de la base est analysée. En particulier une comparaison est faite entre une structure à profil de collecteur "Hi-Lo" et une structure à profil de collecteur "plat" classique. Dans la troisième partie, le phénomène de défocalisation du courant en régime dynamique classe C est étudié théoriquement, pour un transistor à homojonction Silicium d'une part, et pour un transistor à hétérojonction (TBH) d'autre part. Cette étude conduit à une optimisation de la largeur du doigt d'émetteur du TBH à 3 et 5 GHZ. Enfin, on donne une tentative de vérification expérimentale sur un TBH GaAlAs/GaAs.
Book Synopsis Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors (bipolaires et à effet de champ à jonctions). by : Joseph Borel
Download or read book Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors (bipolaires et à effet de champ à jonctions). written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 108 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution a l'étude des effets de surface dur les transistors bipolaires tétrodes by : Michèle Roux-Nogatchewsky
Download or read book Contribution a l'étude des effets de surface dur les transistors bipolaires tétrodes written by Michèle Roux-Nogatchewsky and published by . This book was released on 1979 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires by : Michel Thouy
Download or read book Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires written by Michel Thouy and published by . This book was released on 1976 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence by : Antonio Muñoz Yagüe
Download or read book Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence written by Antonio Muñoz Yagüe and published by . This book was released on 1972 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'effecacité d'injection des transistors bipolaires by :
Download or read book Contribution à l'étude de l'effecacité d'injection des transistors bipolaires written by and published by . This book was released on 1976 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de structures logiques à transistors bipolaires complémentaires by : Mohamed Lakhloufi
Download or read book Contribution à l'étude de structures logiques à transistors bipolaires complémentaires written by Mohamed Lakhloufi and published by . This book was released on 1977 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author :Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).) Publisher : ISBN 13 : Total Pages :0 pages Book Rating :4.:/5 (135 download)
Book Synopsis Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium by : Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).)
Download or read book Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium written by Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).) and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est une contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium. Il présente tout d'abord deux méthodes originales permettant de réduire la Capacité extrinsèque Base-Collecteur, d'augmenter la tension de claquage Base-Collecteur, d'augmenter la tension Early VA, d'augmenter le gain en puissance maximal Gpmax et d'augmenter la fréquence de transition FT. Il présente ensuite un nouveau transistor, de structure hybride entre le NPN vertical et le NPN latéral, baptisé bipolaire-CLEV (à Collecteur Latéral-Emetteur Vertical). Ce travail est généralisable à d'autres technologies de transistors hyperfréquences telles que les transistors à substrats III-V ou les transistors à hétérojonctions.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD by : P.. CAZENAVE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD written by P.. CAZENAVE and published by . This book was released on 1973 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSIDERATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES TRANSISTORS D'ETUDE (RAPPEL DE LA TECHNOLOGIE PLANAR, DESCRIPTION DES GEOMETRIES UTILISEES, ETUDE DES PROFILS DE DIFFUSION ET DU PHENOMENE DE REPULSION DE BASE, ETUDE DES ELEMENTS PARASITES D'ACCES AU TRANSISTOR). VUE D'ENSEMBLE SUR LES MODELES MATHEMATIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELES NON LINEAIRES DU TYPE EBERS MOLL, REPARTIS, DE LINVILL, DE BEAUFOY ET SPARKES ET MODELES LINEAIRES). ELEMENTS D'ETUDE STATISTIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELE IBIS ET APPLICATION DE CE MODELE AUX TRANSISTORS D'ETUDE, CONSIDERATIONS SUR CERTAINES INSUFFISANCES DU MODELE IBIS). APPLICATION DU MODELE DYNAMIQUE BIRD AUX TRANSISTORS HYPERFREQUENCES
Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du bruit de fond des transistors bipolaires by : Gilbert Le Gac (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude du bruit de fond des transistors bipolaires written by Gilbert Le Gac (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES COMPORTANT 4 PARTIES: ETUDE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE LA DEFOCALISATION DES LIGNES DE COURANT EMETTEUR, PRISE EN COMPTE DES ZONES PASSIVES ET DES ELEMENTS PARASITES, DESCRIPTION DES TECHNIQUES D'IDENTIFICATION DES PARAMETRES DU MODELE ET DES METHODES DE MESURE DU FACTEUR DE BRUIT, CONFRONTATION DES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX.
