Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Contribution A Letude Des Depots Lpcvd De Silicium Polycristallin Par Pyrolyse De Disilane Cas Du Dopage In Situ Au Phosphore
Download Contribution A Letude Des Depots Lpcvd De Silicium Polycristallin Par Pyrolyse De Disilane Cas Du Dopage In Situ Au Phosphore full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Contribution A Letude Des Depots Lpcvd De Silicium Polycristallin Par Pyrolyse De Disilane Cas Du Dopage In Situ Au Phosphore ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore by : Jacques Simon
Download or read book Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore written by Jacques Simon and published by . This book was released on 1993 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SILICIUM POLYCRISTALLIN OU AMORPHE HYDROGENE EST UN MATERIAU TRES INTERESSANT, UTILISE EN MICRO-ELECTRONIQUE POUR LA REALISATION DE NOMBREUX DISPOSITIFS. L'ANALYSE DE LA PHASE GAZEUSE DE DECOMPOSITION A MIS EN EXERGUE L'IMPORTANCE DU ROLE DES REACTIONS CHIMIQUES EN PHASE HOMOGENE DANS LE MECANISME DE DISSOCIATION THERMIQUE DU DISILANE. L'AJOUT DE PHOSPHINE DANS LA PHASE GAZEUSE ENTRAINE DES MODIFICATIONS DE SA COMPOSITION. LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DU DISILANE EN TERMES DE TEMPERATURE D'ELABORATION ET DE VITESSE DE CROISSANCE EN PRESENCE DE PHOSPHINE SONT MIS EN EVIDENCE ET CORRELES AVEC LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET EN PARTICULIER AVEC LA QUANTITE DE RADICAUX SILYLENES PRESENTS. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES TELS QUE LA TEMPERATURE, LA PRESSION TOTALE OU LA FRACTION MOLAIRE A ETE ETUDIEE AUX TRAVERS DE DEUX PLANS D'EXPERIENCES. LA POTENTIALITE DU DISILANE EN TANT QUE NOUVEAU PRECURSEUR GAZEUX DE SILICIUM EN REMPLACEMENT DU MONOSILANE A ETE DEMONTREE. DANS LE CAS DU DOMMAGE IN-SITU, IL PERMET L'OBTENTION DE FILMS AYANT LES MEMES PROPRIETES (CONCENTRATION EN DOPANTS, RESISTIVITE) AVEC UN TAUX D'INHIBITION DE LA VITESSE DE CROISSANCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
Book Synopsis DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD by : AHMED.. LIBA
Download or read book DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD written by AHMED.. LIBA and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES
Book Synopsis SILICIUM DEPOSE PAR L.P.C.V.D. ET DOPE IN-SITU by : DAVID.. BRIAND
Download or read book SILICIUM DEPOSE PAR L.P.C.V.D. ET DOPE IN-SITU written by DAVID.. BRIAND and published by . This book was released on 1995 with total page 145 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU SILICIUM DEPOSE ET DOPE IN-SITU PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION) A BASSE TEMPERATURE ( 600C) DANS UN REACTEUR TUBULAIRE HORIZONTAL A PAROI CHAUDE. LES SYSTEMES GAZEUX EMPLOYES SONT RESPECTIVEMENT SILANE-HELIUM-PHOSPHINE POUR LE DOPAGE AU PHOSPHORE ET SILANE-HELIUM-DIBORANE POUR LE DOPAGE AU BORE. LA PREMIERE PARTIE TRAITE DU DOPAGE AU PHOSPHORE. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A UNE INCORPORATION UNIFORME DU PHOSPHORE SUR LA GAMME 3X10#1#6 - 3X10#2#0 ATOMES/CM#3 SONT ETUDIEES. LA SECONDE PARTIE TRAITE DU DOPAGE AU BORE. DES PROBLEMES D'UNIFORMITE DE L'INCORPORATION EN BORE LE LONG DU REACTEUR ATTRIBUES A LA CHIMIE DU COUPLE SILANE-DIBORANE SONT RENCONTRES. L'EMPLOI D'UNE CANNE D'INJECTION PERMET DE RETABLIR L'UNIFORMITE DU DEPOT. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE SONT ETUDIEES EN FONCTION DE LA CONCENTRATION EN ATOMES DOPANTS ET DE LA PRESSION DE DEPOT, MONTRANT QU'UNE PRESSION DE DEPOT ELEVEE CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. LES RESULTATS ACQUIS ONT PERMI DE REALISER DES STRUCTURES DE TYPE PIN SUR SUBSTRATS D'ITO (INDIUM TIN OXYDE) DESTINEES A LA FABRICATION D'UNE MATRICE DE CONTACTS REDRESSEURS
Book Synopsis ETUDE DU DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RT-LPCVD by : MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE
Download or read book ETUDE DU DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RT-LPCVD written by MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE and published by . This book was released on 1994 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, ON S'EST INTERESSE AU DEPOT EN PHASE VAPEUR ET SOUS BASSE PRESSION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLYSILICIUM) PAR LA TECHNIQUE RT-LPCVD (RAPID THERMAL LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DANS UN REACTEUR A LAMPES HALOGENE ET A FROIDES. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES PAR DECOMPOSITION DE SILANE DILUE (SIH#4/AR: 10%) A PRESSION (1 A 5 MBAR) ET TEMPERATURES (600-850 C) VARIABLES. CES CONDITIONS ONT ETE CHOISIES POUR REPONDRE AUX IMPERATIFS DE RENDEMENT DE PRODUCTION IMPOSES PAR LE PROCEDE DE TRAITEMENT PAR PLAQUE (SW: SINGLE WAFER). L'ETUDE DES CINETIQUES DE DEPOT SUR ECHANTILLONS DE DIFFERENTES DIMENSIONS A REVELE UN PHENOMENE DE DEPLETION RADIALE DU GAZ REACTIF INHERENT A LA GEOMETRIE D'INJECTION ET D'EXTRACTION DES GAZ DU REACTEUR UTILISE. L'ANALYSE SIMS A REVELE LA PRESENCE DE CONTAMINANTS (O, C) DANS LES COUCHES QUE NOUS ATTRIBUONS AU DEGAZAGE DES PAROIS INTERNES DU REACTEUR EN COURS DE DEPOT. NEANMOINS, L'ABAISSEMENT DE LA PRESSION ET L'INTRODUCTION PREALABLE D'UN CYCLE THERMIQUE DE DEGAZAGE PERMET DE REDUIRE SENSIBLEMENT CETTE CONTAMINATION. LES ANALYSES PAR DIFFRACTION AUX RAYONS-X RASANTS, ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, AINSI QUE LES MESURES DE RESISTANCE CARREE ONT MONTRE QUE LES PROPRIETES STRUCTURALES (RUGOSITE, TEXTURE, TAILLE DES GRAINS), MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES), ET ELECTRIQUES DES COUCHES DEPENDENT DES PARAMETRES DE DEPOT ET SONT FORTEMENT CORRELEES AU NIVEAU DE CONTAMINATION. PAR AILLEURS, LE DOPAGE EX-SITU AU PHOSPHORE (POCL#3) MONTRE QUE LES COUCHES OBTENUES ONT UNE RESISTIVITE ELECTRIQUE COMPARABLE AUX COUCHES DE POLYSILICIUM LPCVD (1 MOHM CM)
Book Synopsis Dépôts de silicium pur ou dopé in situ au phosphore by : Mohamed Adnen Tounsi
Download or read book Dépôts de silicium pur ou dopé in situ au phosphore written by Mohamed Adnen Tounsi and published by . This book was released on 1994 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) PRESENTE UNE GRANDE IMPORTANCE DANS DE NOMBREUX SECTEURS INDUSTRIELS ET, EN PARTICULIER, POUR LA MICROELECTRONIQUE. LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT D'ETABLIR UN MODELE DE SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT CINETIQUE DES REACTEURS DE DEPOT LPCVD DE SILICIUM PUR ET DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PUIS DE RECHERCHER LES CORRELATIONS QUI EXISTENT ENTRE LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DES FILMS MINCES ET LES CONDITIONS DE LEUR ELABORATION. POUR CE QUI CONCERNE L'ANALYSE CINETIQUE, NOUS AVONS PERFECTIONNE PUIS UTILISE SYSTEMATIQUEMENT LE LOGICIEL CVD 2, PRECEDEMMENT ELABORE PAR DES CHERCHEURS DE NOTRE LABORATOIRE. IL S'AGIT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL D'ETUDE LOCALE QUI INTEGRE LES EQUATIONS DE NAVIER-STOKES ET DE TRANSFERT DE MATIERE, COUPLEE AUX LOIS CINETIQUES DES REACTIONS CHIMIQUES MISES EN JEU. POUR CE QUI CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE ET DES PROPRIETES DES COUCHES, NOUS AVONS UTILISE DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ET, TOUT PARTICULIEREMENT, L'ELLIPSOMETRIE; CETTE PARTIE DE NOTRE TRAVAIL A ETE EFFECTUEE EN ETROITE COLLABORATION AVEC LE LAAS DU CNRS. DU POINT DE VUE DE LA NATURE DES DEPOTS, ENFIN, NOTRE EFFORT A ETE ORGANISE AUTOUR DE TROIS AXES, L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DE LA LONGUEUR DE LA ZONE D'ENTREE DANS LE REACTEUR, L'EXAMEN DETAILLE DE L'INFLUENCE DE LA CONCENTRATION DE PHOSPHINE, GAZ QUI DEPOSE LES ATOMES DE PHOSPHORE QUI DOPENT LE SILICIUM ET, ENFIN, PLUS BRIEVEMENT, L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'ADDITION DE FAIBLES FRACTIONS DE DISILANE AU MONOSILANE QUI CONSTITUE LA SOURCE DE SILICIUM
Book Synopsis Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin by : Meriem Zaghdoudi
Download or read book Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin written by Meriem Zaghdoudi and published by . This book was released on 2009 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est consacré à la fabrication de transistors en couches minces (TCM) de silicium polycristallin (Si-poly), déposé amorphe par LPCVD à 550° C et cristallisé en phase solide à 600° C sous la couche active qui est traditionnellement du Si-poly non-dopé. La première partie est réservée à l'étude des propriétés physiques, optiques et électriques du Si-poly très faiblement dopé en phosphore ou en bore, in-situ pendant le dépôt. L'ensemble des caractérisations physiques (Microscope Eléctronique à Balayage), optiques (transmission optique, photodéflexion thermique (PDS), photluminescence à très basse température) et électriques (conductivité, effet Hall) montrent une amélioration des propriétés du matériau avec le dopage jusqu'à un optimum au delà duquel les propriétés se détériorent de nouveau. La deuxième partie traite de la réalisation de TCMs à couche active faiblement dopée et à canal N et P. Les transistors de type N dont le rapport W/L = 80μm/40m présentent une mobilité d'effet de champ de 160 cm2/V.s et une tension de seuil 1,2 V pour une épaisseur d'oxyde de grille de 70 nm. Une dispersion de moins de 6% sur la valeur de la mobilité est obtenue sur une surface de 5 cm x 5 cm. Ces valeurs présentent une grande stabilité sous l'effet de l'application d'un stress de tension de grille positif ou négatif.
Book Synopsis Redistribution de dopants dans le silicium polycristallin by : Roberto Simola
Download or read book Redistribution de dopants dans le silicium polycristallin written by Roberto Simola and published by . This book was released on 2007 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La redistribution du bore (implantation après dépôt) et du phosphore (dopage in situ pendant le dépôt) a été étudiée lors de la cristallisation d'une couche submicronique de silicium amorphe déposée par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Déposition). Les traitements thermiques de cristallisation ont été effectués sous vide et dans une gamme de température allant de 450 à 800°C. La cinétique de cristallisation est accélérée en présence de bore (B) et de phosphore (P). Pendant les traitements thermiques, le B est redistribué dans la couche de manière significative, avant et après cristallisation totale. La présence de P ralentit la cinétique de redistribution du B quelle que soit la température du recuit. Pour les traitements thermiques à haute température, bien que la distribution initiale du P avant recuit soit homogène dans toute la couche, le P migre vers les zones fortement concentrées en B. Le matériau étudié constitue la grille flottante d'une mémoire non volatile de type EEPROM.
Book Synopsis Etude du recouvrement de marché lors de dépôts lpcvd dans des tranchées submicroniques by : Hervé Gris
Download or read book Etude du recouvrement de marché lors de dépôts lpcvd dans des tranchées submicroniques written by Hervé Gris and published by . This book was released on 1999 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ELABORATION DE CERTAINS COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES NECESSITE NOTAMMENT UNE ETAPE DE REMPLISSAGE PAR DEPOTS LPCVD (POUR LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DE TRANCHEES SUBMICRONIQUES. LES PROGRES SPECTACULAIRES ENREGISTRES DEPUIS QUELQUES ANNEES DANS CE SECTEUR D'ACTIVITE FONT QUE CES GRAVURES SONT DE PLUS EN PLUS FINES ET PROFONDES. DANS CE CONTEXTE, L'ETUDE DU RECOUVREMENT DE MARCHE PAR LES DEPOTS LPCVD D'USAGE INDUSTRIEL EST AUJOURD'HUI DE PREMIERE IMPORTANCE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, PORTE SUR LA PRESENTATION D'EXPERIENCES DE DEPOTS LPCVD DANS DES TRANCHEES SUBMICRONIQUES DE DIFFERENTS RAPPORTS GEOMETRIQUES. IL S'AGIT DE DEPOTS DE SILICIUM PUR, A PARTIR DE SILANE OU DE DISILANE, DE SILICIUM DOPE IN SITU, SOIT AU BORE SOIT AU PHOSPHORE, ET DE SILICIUM PARTIELLEMENT OXYDE (SIPOS). LES RESULTATS OBTENUS PERMETTENT DE CORRELER LA QUALITE DU RECOUVREMENT DE MARCHE EN FONCTION DU DEPOT EMPLOYE. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS DECRIVONS LES MODELES NUMERIQUES ET ANALYTIQUES QUE NOUS AVONS CONCUS ET POUR LESQUELS NOUS PRECISONS LES HYPOTHESES, LES EQUATIONS DE BASE ET LES METHODES DE RESOLUTION. PUIS, NOUS PROPOSONS UNE ETUDE THEORIQUE PORTANT SUR DEUX CAS SIMPLES DE DEPOT, L'UN DU A UNE ESPECE CHIMIQUE PEU REACTIVE EN SURFACE ET L'AUTRE DU A UNE ESPECE EXTREMEMENT REACTIVE. POUR TERMINER, NOUS COMPARONS QUELQUES SIMULATIONS, REALISEES DANS DES TRANCHEES RECTANGULAIRES, A DES RESULTATS EXPERIMENTAUX. ENFIN, DANS LE PROCHE FUTUR, LES PROCEDES DE DEPOTS CVD, SEMBLENT S'ORIENTER VERS DES PRESSIONS OPERATOIRES PLUS ELEVEES QU'ACTUELLEMENT, CE QUI POURRAIT ENGENDRER L'APPARITION DE POUDRES, GENEREES IN SITU PAR LE DEPOT. UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE A ETE MENEE DANS CE DOMAINE, QUI S'EST CONCRETISEE PAR LA MISE AU POINT DE REDUCTEURS DE VOLUME, A L'INTERIEUR DU REACTEUR TUBULAIRE HORIZONTAL, PERMETTANT DE REPOUSSER LA PRESSION DITE DE POUDRAGE.
