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Author : Alain Lucchese
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 176 pages
Book Rating : 4.:/5 (251 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance written by Alain Lucchese and published by . This book was released on 1977 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Michel Bousquet
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 153 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance written by Michel Bousquet and published by . This book was released on 1974 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Claude Cavalier
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 169 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance written by Claude Cavalier and published by . This book was released on 1974 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Alain Lucchese (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 178 pages
Book Rating : 4.:/5 (464 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance written by Alain Lucchese (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRESENTATION D'UN MODELE COMPLET, A LA FOIS STATIQUE ET DYNAMIQUE, DE TRANSISTORS DE PUISSANCE. DEVELOPPEMENT, A PARTIR DU MODELE, D'UN OUTIL NUMERIQUE DE SIMULATION DU COMPORTEMENT DYNAMIQUE "PETITS SIGNAUX". SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT TRANSITOIRE LARGES SIGNAUX DES TRANSISTORS DE PUISSANCE (ORGANISATION D'UN PROGRAMME DE CALCUL INTEGRANT LE TRAITEMENT DE TOUS LES ELEMENTS, STATIQUE ET DYNAMIQUE, DU MODELE, MISE AU POINT DU PROGRAMME)
Author : Abassia Naimi
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 192 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.
Author : Hélène Beckrich-Ros
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 188 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors bipolaires de puissance intégrés dans une filière BiCMOS submicronique written by Hélène Beckrich-Ros and published by . This book was released on 2006 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.
Author : Amina Tachafine
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 278 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Author : Bertrand Ardouin
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe written by Bertrand Ardouin and published by . This book was released on 2001 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jean-Claude Giraudon
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 215 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book APPLICATION DU FORMALISME DE LA FONCTION DE DESCRIPTION A LA MODELISATION NON-LINEAIRE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE MICROONDE DE PUISSANCE written by Jean-Claude Giraudon and published by . This book was released on 1986 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL DANS CETTE ETUDE CONSISTE EN LA MISE EN PLACE DES OUTILS NECESSAIRES A L'OPTIMISATION ET A LA MESURE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES A TRANSISTORS BIPOLAIRES. A PARTIR DU MODELE TEMPOREL THEORIQUE DE TRANSISTOR, ON A DETERMINE SON MODELE FREQUENTIEL, QUE NOUS AVONS UTILISE POUR CALCULER SES IMPEDANCES APPARENTES OPTIMALES DE CHARGES, DANS SON FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR CLASSE C. D'AUTRE PART ON A PREPARE LES MESURES NECESSAIRES A LA MODELISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE
Author : Hassène Mnif
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 199 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température written by Hassène Mnif and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élevation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
Author : Louay Degachi
Publisher :
ISBN 13 : 9780494355107
Total Pages : 242 pages
Book Rating : 4.3/5 (551 download)
Download or read book Modélisation et caractérisation des transistors bipolaires de puissance à hétérojonction written by Louay Degachi and published by . This book was released on 2007 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Sébastien Frégonèse
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 185 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Contribution à la modélisation électrique sous l'aspect du dimensionnement des transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe written by Sébastien Frégonèse and published by . This book was released on 2005 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte de ces composants. Pour répondre à ces contraintes de nouveaux modèles complexes sont apparus (MEXTRAM et HICUM L2). La complexité de ces modèles a limité leur exploitation à cause de la difficulté d'extraction et de leur vitesse de convergence. Pour contourner ces problèmes, une hiérarchie de modèle a été créée avec le modèle HICUM L0, qui améliore fortement la précision comparée au modèle Gummel-Poon et améliore le temps de convergence par rapport aux modèles plus complexes. Sur les bases de ce modèle, des équations dépendantes de la géométrie ont été dérivées. Puis, des méthodes d'extraction mono-géométries puis, multi-géométries spécifiques à ce nouveau modèle sont développées. L'apparition des TBH SiGe sur couche mince de SOI a fortement modifié la structure du transistor avec notamment la disparition de la couche enterrée. Ces modifications structurelles se sont reportées sur les caractéristiques électriques. Ainsi, un nouveau modèle prenant en compte les spécificités de ces composants a été développé sur les bases du modèle HICUM L0. Ce modèle a été validé sur deux dispositifs.
Author : Jean-Philippe Fraysse
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 274 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction written by Jean-Philippe Fraysse and published by . This book was released on 1999 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA MODELISATION NON-LINEAIRE DU TBH, APPLIQUEE A L'ETUDE ET A L'OPTIMISATION DU MONTAGE CASCODE POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE LARGE BANDE. LE PREMIER CHAPITRE DEBUTE PAR UNE PRESENTATION RAPIDE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET IDENTIFIE LES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DES DIFFERENTES FILIERES DE CE TRANSISTOR. CECI EST POURSUIVI PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PORTANT SUR LES TRANSISTORS ET LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE DE LA BANDE L A LA BANDE KA, AFIN DE CONFIRMER LES POTENTIALITES DU TBH GAAS VIS A VIS DES AUTRES FILIERES DE TRANSISTORS POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LE SECOND CHAPITRE EST ALORS CONSACRE A LA PRESENTATION D'UN MODELE NON LINEAIRE, NON-QUASI-STATIQUE ET ELECTRO-THERMIQUE DU TBH GAAS. LES DIFFERENTES ETAPES PERMETTANT DE L'OBTENIR, AINSI QUE SA VALIDATION A TRAVERS DIFFERENTES MESURES EN PUISSANCE SONT PRESENTEES. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA MISE EN EVIDENCE DE CORRELATIONS EXISTANTES ENTRE LES PERFORMANCES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE ET CELLES DES CELLULES ELEMENTAIRES QUI LES COMPOSENT, CONDUISENT A METTRE EN AVANT LES AVANTAGES DU MONTAGE CASCODE POUR CE TYPE D'APPLICATION. L'OPTIMISATION DE CE MONTAGE, ABOUTIT ALORS A LA PRESENTATION DES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION ET DES PREMIERES MESURES DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC. LE PREMIER SIMULE DANS LA BANDE 4.5-18GHZ, MONTRE L'INTERET D'UTILISER LE MONTAGE CASCODE POUR DISPOSER D'UN GAIN SUFFISANT A 18GHZ, LORS DE LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A BASE DE TBH. LES PREMIERES MESURES EN IMPULSION DU DEUXIEME AMPLIFICATEUR, CONFIRMENT POUR LEUR PART, LES DIFFERENTS ARGUMENTS PLAIDANT EN FAVEUR DU MONTAGE CASCODE POUR LES APPLICATIONS LARGES BANDES DE FORTE PUISSANCE. LA PUISSANCE DE SORTIE MESUREE SUR LA BANDE 2-8GHZ EST EN EFFET PROCHE DE 2W, AVEC UN GAIN ASSOCIE MOYEN DE 8DB ET UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MOYEN DE 24%.
Author : Abdelkrim Ramsi
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Modelisation des transistors bipolaires silicium de puissance dans les bandes L et S written by Abdelkrim Ramsi and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Khadidja Benchaib
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance written by Khadidja Benchaib and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE. UN NOUVEAU MODELE UNIDIMENSIONNEL ET A CONSTANTE LOCALISEE DE TYPE COMPACT EST PROPOSE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE. CE MODELE EST A LA FOIS SIMPLE ET FACILE A METTRE EN UVRE PAR UN CONCEPTEUR DE CIRCUIT. SON UTILISATION EST TRES AVANTAGEUSE, CAR IL NE FAIT INTERVENIR QUE PEU DE PARAMETRES QUI PEUVENT, AVEC DES MOYENS INFORMTIQUES LEGERS, FACILEMENT ETRE IDENTIFIES A PARTIR DES FEUILLES DE SPECIFICATION DES FABRICANTS DE COMPOSANTS. LE DIMENSIONNEMENT DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT SIMPLIFIE STATIQUE EST REALISE A PARTIR DE L'EXPRESSION DU GAIN EN COURANT COLLECTEUR. EN FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE, LE MODELE EST COMPLETE PAR UNE CAPACITE BASE-EMETTEUR EQUIVALENTE, REPRESENTANT LA CHARGE STOCKEE DANS LA BASE ELECTRIQUE. LE MODELE FINAL, EST ALORS BIEN ADAPTE A L'ETUDE ET A LA CARACTERISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE ET PERMET D'EN SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION. LA BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COMPORTEMENTS MESURES ET SIMULES DES ECHANTILLONS TESTES, JUSTIFIE L'APPROCHE CHOISIE
Author : Miloud Abboun
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 287 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Author : Mohammed Ramdani
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Etude physique et simulation du comportement à l'ouverture des transistors bipolaires de puissance written by Mohammed Ramdani and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
