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Conception De Transistors Haute Tension Complementaires En Technologie 65nm Sur Substrat Silicium Sur Isolant Fin Pour Applications Rf Et Conversion De Puissance
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Book Synopsis Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance by : Olivier Bon
Download or read book Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance written by Olivier Bon and published by . This book was released on 2008 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le marché croissant des télécommunications est demandeur de circuits à la fois très performants (vitesse de commutation, haut débit, etc.) mais aussi à faible consommation, surtout dans le cas de systèmes portables. Le SOI-CMOS a déjà démontré son potentiel pour réduire la consommation à même vitesse de commutation par rapport au CMOS sur matériau silicium massif, à condition que le film de SOI soit suffisamment mince (inférieur ou égal à la profondeur de jonction source/drain). Plus récemment, la caractérisation de fonctions RF dans ce type de technologie a montré que le SOI pouvait être un bon candidat pour mixer des fonctions RF et digitales. Cependant, ce type d'intégrations dites " System On Chip " ne peut être complet sans une intégration des fonctions de puissances associées. La faisabilité d'intégrer en technologie CMOS sur SOI mince (
Book Synopsis Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements by : Blend Mohamad
Download or read book Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements written by Blend Mohamad and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les technologies de films minces sur isolant apparaissent comme des solutions fiables pour la nano électronique. Elles permettent de dépasser les limites des technologies sur substrat silicium massif, en autorisant de faibles tensions d'utilisation et un gain en énergie significatif. En effet, les transistors à semi-conducteurs à grille métallique (MOSFET) avec un substrat totalement déplété (FDSOI) conduisent à des courants de fuites faible et améliorent la variabilité ce qui permet de diminuer les tensions d'alimentation en particulier pour les applications SRAM. A partir du nœud 14 nm, les transistors peuvent intégrer un canal SiGe, le diélectrique high-k et la grille métallique. Tous ces nouveaux modules de procédés technologiques rendent l'analyse électrique des transistors MOS ainsi que sa corrélation avec la technologie plus compliquées. Ce travail de thèse propose plusieurs nouvelles méthodologies d'extraction automatique et statistique de paramètres pour les empilements MOS FDSOI avancées. Ces méthodologies sont toutes basées sur des mesures de capacité par rapport à la tension (C-V) rendant compte du couplage capacitif entre grille métallique, canal et substrat face arrière. Avec de telles caractéristiques C-V, des méthodologies fiables sont proposées pour l'épaisseur d'oxyde de grille équivalente (EOT), le travail effectif de la grille métallique FDSOI (WFeff), ainsi que d'autres paramètres comme les épaisseurs du canal (tch) et de l'oxyde enterré (tbox) ainsi que l'affinité électronique efficace (Xeff) du substrat face arrière qui inclut les différents effets électrostatique à l'œuvre dans l'oxyde enterré et à ses interfaces. Ces différentes méthodologies ont été validées par des simulations quantiques. La force de l'analyse expérimentale a été de contrôler la cohérence des extractions obtenues sur tout un ensemble de transistors MOS obtenus à partir de variation sur les différentes briques de base et de contrôler la cohérence des paramètres extraits.
Book Synopsis Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) by : Antoine Litty
Download or read book Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) written by Antoine Litty and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A l'heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) s'impose comme une alternative pour l'industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l'utilisation d'un substrat SOI ultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. Afin de lui intégrer de nouvelles fonctionnalités, il devient nécessaire de développer des applications dites « haute tension » comme les convertisseurs DC/DC, les régulateurs de tension ou encore les amplificateurs de puissance. Cependant les composants standards de la technologie CMOS ne sont pas capables de fonctionner sous les hautes tensions requises. Pour répondre à cette limitation, ces travaux portent sur le développement et l'étude de transistors MOS haute tension en technologie FDSOI. Plusieurs solutions sont étudiées à l'aide de simulations numériques et de caractérisations électriques : l'hybridation du substrat (gravure localisée de l'oxyde enterré) et la transposition sur le film mince. Une architecture innovante sur SOI, le Dual Gound Plane EDMOS, est alors proposée, caractérisée et modélisée. Cette architecture repose sur la polarisation d'une seconde grille arrière pour offrir un compromis RON.S/BV prometteur pour les applications visées.
Book Synopsis Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance by : Gaëtan Toulon
Download or read book Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance written by Gaëtan Toulon and published by . This book was released on 2010 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors DMOS. La demande pour des applications de plus en plus complexes nécessite l'utilisation de lithographies plus fines pour augmenter la densité de composants CMOS. L'évolution des technologies CMOS oblige à développer des composants DMOS compatibles dans les circuits intégrés de puissance. Le travail de cette thèse se concentre sur la conception de transistors LDMOS haute tension (120 V) compatibles avec un procédé CMOS 0,18 μm sur substrat « silicium sur isolant » (SOI). Différentes architectures de transistors LDMOS à canal N et P ont été proposées et optimisées en termes de compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique » à partir de simulations TCAD à éléments finis. Les performances de ces structures ont été comparées en termes de facteur de mérite Ron×Qg qui est le produit entre charge de grille et résistance passante spécifique, mais aussi en termes d'aire de sécurité. Les meilleurs transistors STI-LDMOS et SJ-LDMOS (à canal N) et R-PLDMOS (à canal P) affichent des performances statiques et dynamiques comparables voire parfois supérieures à celles des composants de puissance de la littérature. Différentes mesures effectuées sur les transistors LDMOS réalisés par ATMEL et comparées aux simulations ont permis de valider les simulations effectuées dans cette thèse.
Book Synopsis Emerging Non-Volatile Memories by : Seungbum Hong
Download or read book Emerging Non-Volatile Memories written by Seungbum Hong and published by Springer. This book was released on 2014-11-18 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory. This book also: Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others. Provides an overview of non-volatile memory fundamentals. Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.
Book Synopsis TOF Range-Imaging Cameras by : Fabio Remondino
Download or read book TOF Range-Imaging Cameras written by Fabio Remondino and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-04-09 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Today the cost of solid-state two-dimensional imagers has dramatically dropped, introducing low cost systems on the market suitable for a variety of applications, including both industrial and consumer products. However, these systems can capture only a two-dimensional projection (2D), or intensity map, of the scene under observation, losing a variable of paramount importance, i.e., the arrival time of the impinging photons. Time-Of-Flight (TOF) Range-Imaging (TOF) is an emerging sensor technology able to deliver, at the same time, depth and intensity maps of the scene under observation. Featuring different sensor resolutions, RIM cameras serve a wide community with a lot of applications like monitoring, architecture, life sciences, robotics, etc. This book will bring together experts from the sensor and metrology side in order to collect the state-of-art researchers in these fields working with RIM cameras. All the aspects in the acquisition and processing chain will be addressed, from recent updates concerning the photo-detectors, to the analysis of the calibration techniques, giving also a perspective onto new applications domains.
Book Synopsis Advances in Photodiodes by : Gian-Franco Dalla Betta
Download or read book Advances in Photodiodes written by Gian-Franco Dalla Betta and published by BoD – Books on Demand. This book was released on 2011-03-22 with total page 482 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Photodiodes, the simplest but most versatile optoelectronic devices, are currently used in a variety of applications, including vision systems, optical interconnects, optical storage systems, photometry, particle physics, medical imaging, etc. Advances in Photodiodes addresses the state-of-the-art, latest developments and new trends in the field, covering theoretical aspects, design and simulation issues, processing techniques, experimental results, and applications. Written by internationally renowned experts, with contributions from universities, research institutes and industries, the book is a valuable reference tool for students, scientists, engineers, and researchers.
Book Synopsis Single-Photon Generation and Detection by :
Download or read book Single-Photon Generation and Detection written by and published by Academic Press. This book was released on 2013-11-29 with total page 593 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Single-photon generation and detection is at the forefront of modern optical physics research. This book is intended to provide a comprehensive overview of the current status of single-photon techniques and research methods in the spectral region from the visible to the infrared. The use of single photons, produced on demand with well-defined quantum properties, offers an unprecedented set of capabilities that are central to the new area of quantum information and are of revolutionary importance in areas that range from the traditional, such as high sensitivity detection for astronomy, remote sensing, and medical diagnostics, to the exotic, such as secretive surveillance and very long communication links for data transmission on interplanetary missions. The goal of this volume is to provide researchers with a comprehensive overview of the technology and techniques that are available to enable them to better design an experimental plan for its intended purpose. The book will be broken into chapters focused specifically on the development and capabilities of the available detectors and sources to allow a comparative understanding to be developed by the reader along with and idea of how the field is progressing and what can be expected in the near future. Along with this technology, we will include chapters devoted to the applications of this technology, which is in fact much of the driver for its development. This is set to become the go-to reference for this field. Covers all the basic aspects needed to perform single-photon experiments and serves as the first reference to any newcomer who would like to produce an experimental design that incorporates the latest techniques Provides a comprehensive overview of the current status of single-photon techniques and research methods in the spectral region from the visible to the infrared, thus giving broad background that should enable newcomers to the field to make rapid progress in gaining proficiency Written by leading experts in the field, among which, the leading Editor is recognized as having laid down the roadmap, thus providing the reader with an authenticated and reliable source
