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Caracterisation Et Simulation Du Fonctionnement Et De La Fiabilite De Cellules Elementaires De Memoires Eeprom A Haute Densite Dintegration
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Book Synopsis Caractérisation et simulation du fonctionnement et de la fiabilité de cellules élémentaires de mémoires EEPROM à haute densité d'intégration by : Sophie Renard
Download or read book Caractérisation et simulation du fonctionnement et de la fiabilité de cellules élémentaires de mémoires EEPROM à haute densité d'intégration written by Sophie Renard and published by . This book was released on 2003 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse traite du fonctionnement et de la fiabilité des mémoires EEPROM à travers plusieurs axes d'étude. Le premier concerne les oxydes. Une étude particulière a été menée sur l'amélioration de l'uniformité de l'épaisseur dans les fours horizontaux en analysant l'influence des gaz et du positionnement des plaquettes. Afin de mieux contrôler la qualité des oxydes, nous avons développé un véhicule de test contenant un grand nombre de structures capacitives permettant d'étudier l'impact des étapes technologiques du procédé sur la qualité des oxydes. Au cours de ce travail, nous avons également mis en place une nouvelle technique de caractérisation électrique permettant d'étudier la perte de charges à travers un oxyde mince, dans une configuration flottante. Cette méthode de test a été industrialisée afin d'acquérir une information statistique sur la qualité d'oxyde en termes de tenue en rétention, à l'instar d'un test de charge au claquage, le plus fréquemment utilisé à l'heure actuelle, et qui apporte une indication sur la tenue en cyclage de l'oxyde. L'étude de l'influence des paramètres technologiques sur le comportement électrique des dispositifs passe par l'utilisation des outils de simulation TCAD. Nous avons donc créé un programme complet décrivant la simulation du procédé de fabrication de la cellule mémoire, associé au fonctionnement électrique. Enfin, des études relatives à la réduction des dimensions ont permis de mettre en évidence la sensibilité croissante des cellules de taille réduite aux problèmes d'alignement des masques, notamment avec l'apparition d'un courant de fuite dû à l'effet tunnel bande-à-bande. Plusieurs types de variations dimensionnelles ont été analysés, et une étude plus complète sur le fonctionnement et la rétention de cellules réduites de 15% et 20% a mis en évidence un mécanisme de perte de charges dépendant de la taille de la cellule et de la nature de la charge stockée.
Book Synopsis Contribution a l'amelioration de la fiabilite des memoires non volatiles de type flash EEPROM by : Philippe Candelier
Download or read book Contribution a l'amelioration de la fiabilite des memoires non volatiles de type flash EEPROM written by Philippe Candelier and published by . This book was released on 1997 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'AUGMENTATION CONTINUE DE LA DENSITE D'INTEGRATION DES MEMOIRES NON-VOLATILES DE TYPE FLASH EEPROM PASSE PAR LA COMPREHENSION DES MECANISMES DE DEGRADATION INTERVENANT DANS LE CADRE DU FONCTIONNEMENT DE CES MEMOIRES. NOUS AVONS PU CORRELER LES DEGRADATIONS OBSERVEES SUR DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES (TRANSISTORS ET CAPACITES) AUX DERIVES DES CARACTERISTIQUES DE LA CELLULE FLASH. CETTE ETUDE DEMONTRE QUE DE NOUVEAUX MODES DE FONCTIONNEMENT DEVRONT ETRE ENVISAGES. LE MODE D'EFFACEMENT PAR LA SOURCE, HABITUELLEMENT UTILISE, POSE DES PROBLEMES D'OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE POUR LES CELLULES DE FAIBLE LONGUEUR DE GRILLE (GENERATION DE TROUS CHAUDS DIFFICILE A CONTROLER). IL DEVRA VRAISEMBLABLEMENT ETRE REMPLACE PAR L'EFFACEMENT FN QUI EST PLUS FIABLE POUR LES CRITERES D'ENDURANCE ET DE RETENTION APRES ENDURANCE. PARMI LES DEGRADATIONS OBSERVEES, LE PROBLEME PRINCIPAL EST L'AUGMENTATION DE LA PERTE DE CHARGE AVEC L'AMINCISSEMENT DES DIELECTRIQUES ET AVEC LA DEGRADATION DE L'OXYDE DE GRILLE LORS DES CYCLES ECRITURE/EFFACEMENT. FACE AU PREMIER PROBLEME, LA MISE EN PLACE D'UNE FONCTION DE RAFRAICHISSEMENT PERIODIQUE SEMBLE NECESSAIRE. FACE AU SECOND PROBLEME, L'EFFACEMENT FN A ETE OPTIMISE EN MINIMISANT LE CHAMP ELECTRIQUE DANS L'OXYDE DE GRILLE PAR L'UTILISATION D'IMPULSIONS TRAPEZOIDALES. DES PROGRES TECHNOLOGIQUES IMPORTANTS (DIELECTRIQUES INTERPOLYSILICIUM DEPOSES, ISOLATION LATERALE DE TYPE BOX) ONT ENSUITE ETE INTRODUITS DANS LE PROCEDE DE FABRICATION AFIN PERMETTRE UNE INTEGRATION PLUS POUSSEE. LA VALIDATION DE CES EVOLUTIONS TECHNOLOGIQUES OUVRE LES PORTES DE LA GENERATION DE CELLULES FLASH 0.25 M. FINALEMENT, FACE AU PROBLEME D'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION, LA PROGRAMMATION MULTI-NIVEAUX EST UNE SOLUTION SIMPLE DONT LA FIABILITE A ETE AMELIOREE GRACE A LA REALISATION D'UN SYSTEME DE PROGRAMMATION CONVERGENTE. LA FAISABILITE D'UN DOUBLEMENT DE CAPACITE MEMOIRE A ALORS ETE DEMONTREE.
Book Synopsis MODELISATION ET CARACTERISATION DE LA CELLULE MEMOIRE DE TYPE EEPROM POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES by : Walid Benzarti
Download or read book MODELISATION ET CARACTERISATION DE LA CELLULE MEMOIRE DE TYPE EEPROM POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES written by Walid Benzarti and published by . This book was released on 1999 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ACTUELLEMENT, LE MARCHE DES MEMOIRES ATTEINT LA QUASI MOITIE DE LA PRODUCTION DES CIRCUITS INTEGRES. CETTE EVOLUTION EST PRINCIPALEMENT DUE A L'AMELIORATION DE LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES MEMOIRES. DANS CE SENS, L'ESSOR IMPORTANT QUE CONNAISSENT LES APPLICATIONS RFID (RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION), NECESSITANT UNE SAUVEGARDE PERMANENTE DE L'INFORMATION, A PERMIS DE FOCALISER UNE ATTENTION PARTICULIERE DANS L'ETUDE ET L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DES MEMOIRES NON VOLATILES. LA SELECTIVITE DU BIT PROGRAMME PERMISE PAR LA CELLULE EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY) AINSI QU'UNE DEGRADATION MOINDRE PAR RAPPORT A D'AUTRES TYPES DE CELLULES MEMOIRES DONNE UNE IMPORTANCE PARTICULIERE A L'EMPLOI DES EEPROM'S DANS LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES. AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES DE CES CIRCUITS ET D'EXPLORER DE NOUVELLES APPLICATIONS, NOUS NOUS SOMMES PROPOSES DE MODELISER ET DE CARACTERISER LA CELLULE EEPROM. POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES, CE MODELE DOIT ALLIER SIMPLICITE ET PRECISION. UN CONTRAT LIANT LA SOCIETE ST-MICROELECTRONICS ET L'ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DES TELECOMMUNICATIONS A AUTORISE LA VALIDATION DU MODELE DEVELOPPE SUR LA CELLULE EEPROM 0.8M EN TECHNOLOGIE SIMPLE POLYSILICIUM. UNE ETUDE STATISTIQUE A PERMIS D'EVALUER LA SENSIBILITE DES CARACTERISTIQUES DE LA CELLULE EEPROM FACE A LA VARIATION DE SES PRINCIPAUX PARAMETRES TECHNOLOGIQUES. UNE DEUXIEME COLLABORATION AVEC LA SOCIETE INSIDE TECHNOLOGIES ETAIT A L'ORIGINE D'UNE ETUDE SIMILAIRE SUR LA CELLULE EEPROM 0.8M EN TECHNOLOGIE DOUBLE POLYSILICIUM. LE MODELE DEVELOPPE RECURRENT A ETE UTILISE POUR SIMULER LE BLOC ANALOGIQUE DE LA CARTE A PUCE. LES RESULTATS OBTENUS ONT MONTRE UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE MESURES ET SIMULATIONS. PLUS ENCORE, CE MODELE A PERMIS D'EVALUER L'EVOLUTION DE CERTAINES VARIABLES IMPORTANTES INEXPLORABLES PAR L'UTILISATION D'UN MODELE GENERIQUE DE LA CELLULE EEPROM. ENFIN, LA POSSIBILITE DE PROGRAMMATION DE LA TENSION DE SEUIL DE CE TYPE DE CELLULES MEMOIRE ETAIT A L'ORIGINE DE LA CONCEPTION D'UN CIRCUIT DE CALIBRAGE POUR AMELIORER L'APPARIEMENT DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. LES RESULTATS DE SIMULATION ONT MONTRE UNE REDUCTION DE L'OFFSET DE L'AOP DE 10MV A UNE VALEUR DE 280V.
Book Synopsis ETUDE DE LA FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES FLOTOX EEPROM by : CONSTANTINOS.. PAPADAS
Download or read book ETUDE DE LA FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES FLOTOX EEPROM written by CONSTANTINOS.. PAPADAS and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET LES ASPECTS DE FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES FLOTOX EEPROM SONT PASSES EN REVUE. LES RELATIONS INTRINSEQUES ENTRE LA FIABILITE DES CELLULES ET LES PROPRIETES DE DEGRADATION DES OXYDES SONT DEMONTREES. DE NOUVEAUX OUTILS DE SUIVI DE LA FIABILITE QUI PERMETTENT D'EXTRAIRE LES DOMMAGES SUBIS PAR LES STRUCTURES MOS APRES DEGRADATION SONT PROPOSES. L'UTILISATION DE CES TECHNIQUES A PERMIS LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX MODELES ANALYTIQUES QUI CORRELENT LA DEGRADATION DES CELLULES AUX PROPRIETES DE PIEGEAGE DES OXYDES. CES MODELES ANALYTIQUES ONT ETE UTILISES POUR LA MISE AU POINT DE SIMULATEURS ORIGINAUX DE LA FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES. CES PROGRAMMES ONT AUSSI PERMIS L'OPTIMISATION DES CELLULES DU POINT DE VUE DE LA FIABILITE AU NIVEAU CAO AVANT L'ETAPE DE FABRICATION. DE PLUS, DE NOUVEAUX MODELES ANALYTIQUES DES CELLULES MEMOIRES ONT ETE PRESENTES RENDANT POSSIBLE L'EXTRACTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DE FONCTIONNEMENT DES CELLULES.
Book Synopsis Etude de la Fiabilité Des Cellules Mémoires FLOTOX EEPROM by : CONSTANTINOS.. PAPADAS
Download or read book Etude de la Fiabilité Des Cellules Mémoires FLOTOX EEPROM written by CONSTANTINOS.. PAPADAS and published by . This book was released on 1993 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET LES ASPECTS DE FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES FLOTOX EEPROM SONT PASSES EN REVUE. LES RELATIONS INTRINSEQUES ENTRE LA FIABILITE DES CELLULES ET LES PROPRIETES DE DEGRADATION DES OXYDES SONT DEMONTREES. DE NOUVEAUX OUTILS DE SUIVI DE LA FIABILITE QUI PERMETTENT D'EXTRAIRE LES DOMMAGES SUBIS PAR LES STRUCTURES MOS APRES DEGRADATION SONT PROPOSES. L'UTILISATION DE CES TECHNIQUES A PERMIS LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX MODELES ANALYTIQUES QUI CORRELENT LA DEGRADATION DES CELLULES AUX PROPRIETES DE PIEGEAGE DES OXYDES. CES MODELES ANALYTIQUES ONT ETE UTILISES POUR LA MISE AU POINT DE SIMULATEURS ORIGINAUX DE LA FIABILITE DES CELLULES MEMOIRES. CES PROGRAMMES ONT AUSSI PERMIS L'OPTIMISATION DES CELLULES DU POINT DE VUE DE LA FIABILITE AU NIVEAU CAO AVANT L'ETAPE DE FABRICATION. DE PLUS, DE NOUVEAUX MODELES ANALYTIQUES DES CELLULES MEMOIRES ONT ETE PRESENTES RENDANT POSSIBLE L'EXTRACTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DE FONCTIONNEMENT DES CELLULES
Book Synopsis Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T by : Francois Tcheme wakam
Download or read book Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T written by Francois Tcheme wakam and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec la croissance de transfert de données, principalement à cause des applications de type internet des objets, il y a un besoin accru de système de stockage (mémoires). L'idéale est d'avoir une mémoire spécifique qui sera facilement intégrée dans ces applications. Cette mémoire doit respecter des exigences spécifiques telles que : une simplicité du mode de fonctionnement, une grande densité d'intégration, une faible consommation électrique, et bas coût de fabrication. Une mémoire capable de répondre à toutes ces exigences n'existe pas, mais une architecture mémoire qui se rapproche des ces critères est la cellule mémoire dynamique (DRAM) intégrée (eDRAM). La DRAM a été proposée pour la première fois en 1968 dans son architecture traditionnelle 1T/1C-DRAM où le transistor sert de point d'accès et la capacité est le point de stockage à l'information. Mais le principal problème de cette architecture est sa faible densité d'intégration causée par la limitation de la miniaturisation de sa capacité de stockage. Une solution pour contourner cette limitation serait l'utilisation d'architectures DRAM sans capacité de stockage : on parle de 1T-DRAM. Ici, le transistor est utilisé pour stocker et lire l'information. On trouve dans la littérature de nombreuses architectures DRAM 1T, mais le but de cette thèse est d'étudier l'A2RAM, afin de voir si elle peut être utilisée en tant que DRAM intégrée.
Book Synopsis Estimation du noyau de la résolvante près des seuils pour opérateur S-\nablaS où SbS est une matrice by : Anton Monsef (Jorgen, Adel, Youssef)
Download or read book Estimation du noyau de la résolvante près des seuils pour opérateur S-\nablaS où SbS est une matrice written by Anton Monsef (Jorgen, Adel, Youssef) and published by . This book was released on 2004 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les mémoires non volatiles de type EEPROM sont de plus en plus sujettes à des problèmes de fiabilité dus essentiellement à la réduction des dimensions de la cellule mémoire. Cette réduction est imposée par un accroissement de la densité d'intégration au niveau de la matrice de cellules du plan mémoire. Il devient donc nécessaire de disposer d'outils permettant un diagnostic fiable et rapide des défauts affectant ces dispositifs. Dans ce contexte, l'objectif de cette thèse est de proposer une méthodologie de test, orientée diagnostic, de défauts spécifiques aux mémoires EEPROM. Cette méthodologie cible tout d'abord la cellule mémoire EEPROM isolée. L'approche utilisée se base sur l'obtention d'une équation mathématique qui permet d'évaluer l'impact des variations d'un ou de plusieurs des paramètres géométriques du transistor mémoire sur les signatures électriques de la cellule (tensions de seuil). Dans un deuxième temps, la mise en place d'une méthodologie de diagnostic qui vise la matrice de cellules mémoires EEPROM a pour objectif d'établir une corrélation entre des signatures électriques représentatives de défauts simulés et les signatures électriques obtenues sur silicium après la phase de test. Cette étude passe par une connaissance précise du processus de fabrication dans le but d'extraire une bibliothèque de fautes réalistes, basée sur étude du dessin de masques du circuit. Ces défauts sont modélisés puis pris en compte dans le circuit de simulation qui décrit un composant mémoire EEPROM élémentaire. Les résultats des deux études précédentes ont montré la nécessité de disposer de signatures électriques analogiques (tensions ou courants de seuil) représentatives de chaque cellule du plan mémoire. L'obtention de ces signatures électriques passe par l'intégration, au niveau du circuit mémoire, de structures embarquées qui permettent l'extraction des valeurs de seuil. Cela entraîne une modification du flot de test standard des mémoires EEPROM. Il en résulte une analyse plus efficace du comportement analogique de chaque cellule du plan mémoire (" bitmap analogique " et distributions en courant), permettant d'améliorer le processus de diagnostic de défauts. Ainsi, grâce à l'utilisation de ces dispositifs, il est possible de remonter rapidement à l'origine d'une défaillance responsable d'une baisse de rendement.
Book Synopsis Dépôt et caractérisation de GaAs(x)S(y) et étude des dispositifs mémoires EEPROM by : Pierre Canet
Download or read book Dépôt et caractérisation de GaAs(x)S(y) et étude des dispositifs mémoires EEPROM written by Pierre Canet and published by . This book was released on 2003 with total page 33 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le dépôt en couches minces de quelques microns du composé ternaire poly-cristallin GaAsxSy est réalisé par pulvérisation cathodique radio-fréquence sur substrat de molybdène. Ce composé présente des propriétés électriques et photoélectriques intéressantes qui changent avec la concentration de soufre. Suite à une reconversion thématique, mon travail concerne l'analyse des performances des dispositifs mémoires, et particulièrement, l'impact des signaux de programmation des cellules EEPROM en terme de fiabilité et de rapidité de programmation. Le second volet de ce travail est consacré à l'étude du dessin des masques des cellules EEPROM permettant le dimensionnement des cellules pour des technologies nouvelles. Enfin, l'analyse du fonctionnement de la " Page Erasable Flash " amène à considérer la cellule dans le plan mémoire, et notamment le comportement des cellules non programmées, soumises aux perturbations des programmations des cellules voisines.
Author :Jean Goubault-Larrecq Publisher :Springer Science & Business Media ISBN 13 :9781402003684 Total Pages :448 pages Book Rating :4.0/5 (36 download)
Book Synopsis Proof Theory and Automated Deduction by : Jean Goubault-Larrecq
Download or read book Proof Theory and Automated Deduction written by Jean Goubault-Larrecq and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2001-11-30 with total page 448 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Interest in computer applications has led to a new attitude to applied logic in which researchers tailor a logic in the same way they define a computer language. In response to this attitude, this text for undergraduate and graduate students discusses major algorithmic methodologies, and tableaux and resolution methods. The authors focus on first-order logic, the use of proof theory, and the computer application of automated searches for proofs of mathematical propositions. Annotation copyrighted by Book News, Inc., Portland, OR
Book Synopsis Global Warming and Climate Change by : Emma Carlson Berne
Download or read book Global Warming and Climate Change written by Emma Carlson Berne and published by Referencepoint Press. This book was released on 2008 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Throughout the world, the cause and impact of global warming and climate change is being passionately debated. While many claim that a climate crisis is imminent if greenhouse gases are not curbed, others argue that the effects have been overblown. Through objective overviews, primary sources, and full-color illustrations, this title will examine What Is Global Warming and Climate Change? What Are the Consequences of Global Warming? What Are the Controversies Surrounding Global Warming? What Are the Solutions for Global Warming?
Book Synopsis Logic for Computer Science by : Jean H. Gallier
Download or read book Logic for Computer Science written by Jean H. Gallier and published by Courier Dover Publications. This book was released on 2015-06-18 with total page 532 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This advanced text for undergraduate and graduate students introduces mathematical logic with an emphasis on proof theory and procedures for algorithmic construction of formal proofs. The self-contained treatment is also useful for computer scientists and mathematically inclined readers interested in the formalization of proofs and basics of automatic theorem proving. Topics include propositional logic and its resolution, first-order logic, Gentzen's cut elimination theorem and applications, and Gentzen's sharpened Hauptsatz and Herbrand's theorem. Additional subjects include resolution in first-order logic; SLD-resolution, logic programming, and the foundations of PROLOG; and many-sorted first-order logic. Numerous problems appear throughout the book, and two Appendixes provide practical background information.
