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Caracterisation Et Analyse De La Degradation Induite Par Porteurs Chauds Dans Les Transistors Mos Submicroniques Et Mesoscopiques
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Book Synopsis Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques by : Nathalie Revil
Download or read book Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques written by Nathalie Revil and published by . This book was released on 1993 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A L'ANALYSE DE LA DEGRADATION ENGENDREE PAR LES INJECTIONS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ET MESOSCOPIQUES. LE PREMIER CHAPITRE DECRIT LES PRINCIPES DE BASE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN INSISTANT SUR LES EFFETS DE CANAUX COURTS ET, PLUS PARTICULIEREMENT, SUR LES PHENOMENES DE GENERATION ET INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION DE LA DEGRADATION INDUITE SONT ENSUITE RESUMEES ET COMPAREES DANS UN DEUXIEME CHAPITRE, CECI TOUT EN SOULIGNANT LE CARACTERE INHOMOGENE DE LA ZONE DE DEFAUTS. LE TROISIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DE TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ISSUS DE FILIERES CMOS AVANCEES. L'ETUDE MENEE SUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL (0,4 M A 2 M) A PERMIS DE REVELER DE NOUVEAUX MODES DE DEFAILLANCE QUI SE MANIFESTENT AVEC LA REDUCTION DES DIMENSIONS ET, PAR SUITE, DE PREDIRE A CHAQUE INSTANT LE PARAMETRE LE PLUS SENSIBLE AU VIEILLISSEMENT. LA COMPARAISON DES DEGRADATIONS INDUITES DANS LES TRANSISTORS N- ET P-MOS PAR DES CONTRAINTES STATIQUES, ALTERNEES ET DYNAMIQUES, A CONFIRME LES DIFFERENTS MECANISMES DE DEFAILLANCE ET PERMIS DE DEFINIR UNE PROCEDURE POUR LA QUALIFICATION EN PORTEURS CHAUDS DES FILIERES CMOS. LE DERNIER CHAPITRE REPOSE SUR L'ANALYSE DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS N-MOS ULTRA-COURTS (L=0,1 M). DE NOUVEAUX PHENOMENES DE TRANSPORT ONT ETE MIS EN EVIDENCE AINSI QU'UNE ZONE DE DEFAUTS UNIFORME APRES INJECTION DE PORTEURS CHAUDS. ENFIN, NOS RESULTATS MONTRENT POUR CES DISPOSITIFS UNE DUREE DE VIE SUPERIEURE A 10 ANS, CE QUI PERMET D'ETRE TOUT A FAIT OPTIMISTE POUR UNE UTILISATION FUTURE
Book Synopsis Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm by : Bertrand Marchand
Download or read book Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm written by Bertrand Marchand and published by . This book was released on 1999 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS POUVANT INDUIRE UNE DEGRADATION ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE POUR LES COMPOSANTS AVANCES. DANS LES TRANSISTORS FORTEMENT SUBMICRONIQUES, LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION A TEMPERATURE AMBIANTE ET A BASSES TEMPERATURES DE L'IONISATION SECONDAIRE PAR IMPACT ET DU COURANT DE GRILLE QUI EN RESULTE, COMPLETEE PAR L'ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE LIEE A CE MECANISME, ONT ETE MENEES A BIEN, APPORTANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS DONT L'ENERGIE EST RESPONSABLE DE LA CREATION D'ETATS D'INTERFACE ET DE LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. TIRANT PROFIT DE L'ACCELERATION DU VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE PAR L'INTENSIFICATION DE L'IONISATION SECONDAIRE, UNE NOUVELLE METHODE DE PREDICTION DE LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS DANS LEURS CONDITIONS NOMINALES DE POLARISATION EST PROPOSEE. ENFIN, L'IMPACT DU TYPE DE CONTRAINTE ELECTRIQUE ET DE L'ARCHITECTURE TECHNOLOGIQUE SUR LA FIABILITE DES COMPOSANTS SONT ETUDIES.
Book Synopsis Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0.5 μm sub-0.1 μm) by : Shing-Hwa Renn
Download or read book Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0.5 μm sub-0.1 μm) written by Shing-Hwa Renn and published by . This book was released on 1998 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MINIMALISATION ARCHITECTURALE DES DISPOSITIFS ENTRAINE UNE AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES TRANSISTORS, QUI EST A L'ORIGINE DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS REDUISANT LA FIABILITE DES COMPOSANTS. L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ANALYSER LES PHENOMENES ET LES MECANISMES PHYSIQUES DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS RELATIFS AUX TRANSISTORS MOS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) ULTRACOURTS. LA STRUCTURE ET LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS/SOI SONT D'ABORD DECRITS EN DETAIL. PUIS, DIFFERENTES TECHNOLOGIES POUR LA REALISATION DU MATERIAU SOI ET L'INTERET DE TELS COMPOSANTS SONT RAPPELES. LE DEUXIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES COMPOSANTS SOI FORTEMENT SUBMICRONIQUES. CES RESULTATS ETUDIES PAR DIFFERENTES METHODES ET DANS UNE LARGE GAMME DE POLARISATION PERMETTENT D'INDIQUER AVEC PRECISION LE PIRE CAS DE DEGRADATION ET SOULIGNER L'IMPORTANCE DE L'ACTION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE (TBP). AFIN DE DETERMINER PRECISEMENT LA TENSION D'ALIMENTATION MAXIMALE, UNE TECHNIQUE D'EXTRAPOLATION DE LA DUREE DE VIE DES DISPOSITIFS TENANT COMPTE DE LA DEGRADATION EN DEUX ETAPES EST PROPOSEE DANS LE CHAPITRE III. LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DEGRADATION INDUITE PAR L'ACTION DU TBP A L'ETAT OFF, L'INFLUENCE DE CET EFFET INDESIRABLE SUR LE VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS ETANT IDENTIFIEE. LE BUT DU DERNIER CHAPITRE EST DE COMPARER DE MANIERE APPROFONDIE LA FIABILITE DES NMOS/SOI ET PMOS/SOI AVEC DIFFERENTES EPAISSEURS DU FILM DE SILICIUM ET FABRIQUES SUR DIVERS MATERIAUX SOI (SIMOX ET UNIBOND). ENFIN, D'AUTRE ASPECTS TELS QUE LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS A BASSE TEMPERATURE ONT EGALEMENT ETE ETUDIES AU COURS DE CE TRAVAIL.
Book Synopsis Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma by : Hazri Bakhtiar
Download or read book Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma written by Hazri Bakhtiar and published by . This book was released on 1999 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les innovations technologiques récentes ont permis le développement de transistor MOS de faibles dimensions, ayant des longueurs de canal et des largeurs de grille inférieures au micromètre. Cela permet de réaliser des circuits à forte densité d'intégration pour des applications à l'électronique. Cependant, la réduction des dimensions fait apparaître toute une gamme d'effets parasites et modifie ainsi les mécanismes de conduction avec l'apparition de nouveaux phénomènes ou des phénomènes qui n'étaient pas dominants dans des structures plus larges. Ceci entraîne un changement du fonctionnement du transistor ainsi que de leurs paramètres électriques. La réduction des dimensions, et en particulier de la longueur de grille des transistors MOS donne naissance à un problème de fiabilité qui était inconnu lors de l'utilisation de transistors à canal long. Les phénomènes de dégradation provenant des forts champs électriques deviennent importants avec la réduction des dimensions engendrant des défauts notamment aux interfaces oxyde-semiconducteur (SiO2-Si) ainsi que dans l'oxyde de grille, ce qui provoquent un vieillissement plus rapide de ces composants. Nous présentons dans ce contexte, une étude réalisée sur des transistors nLDD-MOSFETs submicroniques issus de technologie 0,6[masse volumique]m de MATRA-MHS-TEMIC, s'appuyant sur quatre objectifs principaux : détermination des paramètres de conduction, analyse des caractéristiques I-V sur la jonction drain-substrat, étude du comportement du transistor bipolaire dans les transistors MOS (source = collecteur, substrat = base, drain = émetteur) et étude du comportement des transistors MOS suite à une irradiation ionisante Co-60, afin d'évaluer leur dégradation
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES by : DAVID.. DORVAL
Download or read book CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES written by DAVID.. DORVAL and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE QUALIFIER LA FIABILITE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES, NOUS AVONS ETUDIE LA TENUE AU VIEILLISSEMENT DE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES SENSEES LIMITER LES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS. L'ANALYSE DES DEGRADATIONS INDUITES PAR LES PORTEURS CHAUDS NOUS A PERMIS DE MODELISER LES DEGRADATIONS DES PRINCIPAUX PARAMETRES ELECTRIQUES BAS-NIVEAU DU TRANSISTOR. CES DEGRADATIONS SONT ESSENTIELLEMENT RELIEES A LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE SOUS LA GRILLE DU TRANSISTOR DONT LA DENSITE PEUT ETRE REVELEE PAR LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES. LA SENSIBILITE DE CETTE TECHNIQUE ASSOCIEE A LA MODELISATION DES DEGRADATIONS PERMET DE DETERMINER LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS POUR DES POLARISATIONS DE STRESS PROCHES DES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT. LA DUREE DE VIE DES DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT EST ALORS DETERMINEE PAR INTERPOLATION ENTRE LES MESURES A FORTES ET FAIBLES TENSIONS. CETTE INTERPOLATION PERMET DE S'AFFRANCHIR PARTIELLEMENT DES INCERTITUDES INHERENTES A L'EXTRAPOLATION QUI EST UTILISEE LORSQUE SEULS LES POINTS DE MESURE A TENSIONS ELEVEES SONT PRIS EN COMPTE
Book Synopsis Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température by : Chiên Nguyen-Duc
Download or read book Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température written by Chiên Nguyen-Duc and published by . This book was released on 1988 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR CETTE ETUDE, EN PREMIERE PARTIE, DEUX MODELES SONT PROPOSES POUR PRENDRE EN COMPTE LES ASPECTS PARTICULIERS AUX DISPOSITIFS A CANAL TRES COURT (SUBMICRON). ON PROPOSE AUSSI UNE METHODE POUR DETERMINER LA LONGUEUR ELECTRIQUE DES TMOS. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION PAR LES PORTEURS CHAUDS ET DU VIEILLISSEMENT A 77K DE TRANSISTOR MOS FABRIQUES PAR DIFFERENTES TECHNOLOGIES. ON MONTRE QUE LE PIEGEAGE DES ELECTRONS ET LA GENERATION DES ETATS D'INTERFACE VARIENT SELON LES CONDITIONS DE CONTRAINTE, LA TEMPERATURE ET LA LONGUEUR DES TRANSISTORS
Book Synopsis Etudes phénomènes de dégradation des transistos MOS de type porteurs chauds et Negative Bias Temperature Instability (NBTI) by : Christelle Bénard
Download or read book Etudes phénomènes de dégradation des transistos MOS de type porteurs chauds et Negative Bias Temperature Instability (NBTI) written by Christelle Bénard and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse traite des différents phénomènes de dégradation que peut subir un transistor MOSFET. Les deux modes de dégradation étudiés sont la dégradation par porteurs chauds, HC, et la dégradation NBTI. Dans une première partie, nous étudions de façon détaillée les phénomènes de relaxation caractéristiques des défauts générés par NBTI, afin de mieux comprendre les instabilités qui rendent si complexe la caractérisation de la fiabilité NBTI. Nous examinons, dans une seconde partie, les différentes méthodes de caractérisation du NBTI existantes à ce jour. Il en ressort que la seule technique aujourd'hui valable est la mesure ultra rapide de la tension de seuil évitant les phénomènes de relaxation. Ces études nous ont permis de mieux appréhender les dégradations NBTI en elles-mêmes. Nous avons pu décrire un modèle physique de dégradation NBTI, approuvé sur une vaste gamme de transistors (Tox=23Å jusque Tox=200Å). D'après ce modèle, un double phénomène de génération de défauts est à l'origine de la dérive des paramètres : la rupture d'une liaison Si-H qui génère un état d'interface et un piège à trous dans l'oxyde et le piégeage sur des défauts préexistants (important dans les oxydes fins Tox
Book Synopsis Performances et fiabilité des transistors MOS SUB-0.1[mu]m by : Bogdan Mihail Cretu
Download or read book Performances et fiabilité des transistors MOS SUB-0.1[mu]m written by Bogdan Mihail Cretu and published by . This book was released on 2003 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l'évolution de la fiabilité et des effets de canal court compte tenu de l'avancée des technologies induite par la miniaturisation, particulièrement pour des transistors MOS de longueur de grille inférieure à 0.1æm. Nous présentons une approche simple des équations qui modélisent le fonctionnement du transistor MOS et nous introduisons les effets liés à la réduction des dimensions. Les effets de canaux court ont été étudiés en fonction de la température. Une méthode originale d'extraction des paramètres qui prend en compte le deuxième facteur d'atténuation de la mobilité et une nouvelle méthode dite "ratio" pour l'extraction de la longueur effective du canal et de la tension de seuil sont proposées. Les effets des porteurs chauds ont été également analysés en fonction de la température. Les mécanismes et les modèles d'ionisation par impact sont présentés afin de mieux comprendre les processus de génération des porteurs chauds. La dégradation induite par injection de porteurs chauds a été mise en évidence pour chaque technologie disponible. A cet égard, l'impact du type de contrainte électrique et de l'architecture technologique sur la fiabilité des composants a été étudié. Une méthode originale d'évaluation de la contribution du canal et des extensions source-drain sur la dégradation totale est présentée. La durée de vie des dispositifs a été extrapolée afin de déterminer une tension de drain maximale pour laquelle les composants peuvent fonctionner durant une période raisonnablement longue.
Book Synopsis Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique by : Béatrice Cabon
Download or read book Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique written by Béatrice Cabon and published by . This book was released on 1986 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DEGRADATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES DE TRANSISTOR MOS SBMICRONIQUES EST ETUDIEE APRES UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE DU TRANSISTOR POLARISE EN SATURATION. DE NOUVELLES METHODES DE CARACTERISATION DU TRANSISTOR SONT PROPOSEES. UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DE DEGRADATION DES PRINCIPAUX PARAMETRES EST PRESENTE, ET PERMET DE CORRELER CES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEGRADATION
Book Synopsis Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques by : Bertrand Szelag
Download or read book Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques written by Bertrand Szelag and published by . This book was released on 1999 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.
Book Synopsis MODELISATION DU VIEILLISSEMENT DU TRANSISTOR MOS by : ISABELLE.. LIMBOURG
Download or read book MODELISATION DU VIEILLISSEMENT DU TRANSISTOR MOS written by ISABELLE.. LIMBOURG and published by . This book was released on 1996 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DES TRANSISTORS NMOS DU A UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS EST UN PROBLEME IMPORTANT, CAR ON SAIT MAINTENANT QUE LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS CREES PAR CE TYPE DE DEGRADATION SONT LA CAUSE D'UNE DIMINUTION DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS VLSI. DANS CE CONTEXTE, L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST DE MODELISER ET DE CARACTERISER LES EFFETS DU VIEILLISSEMENT PAR INJECTION DE PORTEURS CHAUDS SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR NMOS. POUR CELA, ON A DEVELOPPE UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DANS LEQUEL LE CANAL EST DIVISE EN CELLULES ET QUI PEUT PRENDRE EN COMPTE UNE DISTRIBUTION DE DEFAUTS LE LONG DE CE CANAL. LES ECHANTILLONS UTILISES ONT ETE DEGRADES PAR PHOTOINJECTION HOMOGENE D'ELECTRONS DANS L'OXYDE DE GRILLE ; LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE ET LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES DANS L'OXYDE ONT ETE EXTRAITES RESPECTIVEMENT PAR LA METHODE DE POMPAGE DE CHARGES ET PAR LA METHODE DE MC WHORTER ET WINOKUR. CE MODELE A ENSUITE ETE INTRODUIT DANS LE SIMULATEUR DE CIRCUITS SABER, LA CARACTERISATION ET L'OPTIMISATION DE TOUS LES PARAMETRES DU MODELE ONT ETE REALISES A L'AIDE DU LOGICIEL IC-CAP. CE MODELE A ETE VALIDE EN REGIME STATIQUE POUR UNE DEGRADATION HOMOGENE, POUR DEUX TYPES DE TRANSISTORS NMOS, DE GEOMETRIES DIFFERENTES ET DE COMPORTEMENT INEGAL VIS-A-VIS DE LA DEGRADATION
Book Synopsis Optimisation de structures et de technologies pour la realisation de drain-source de transistors MOS submicroniques by : Jean-Luc Ogier
Download or read book Optimisation de structures et de technologies pour la realisation de drain-source de transistors MOS submicroniques written by Jean-Luc Ogier and published by . This book was released on 1993 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE REDUIRE LES EFFETS DE CANAUX COURTS ET DE PORTEURS CHAUDS, NOUS AVONS ETUDIE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES CONCERNANT LES DRAIN/SOURCE DE TRANSISTORS METAL OXYDE SILICIUM (MOS) SUBMICRONIQUES. CETTE ETUDE A ETE REALISEE DANS LE CADRE DE FILIERES CMOS (MOS COMPLEMENTAIRES) SUBMICRONIQUES (0.7-0.5-0.35 MICRON). CONCERNANT LE TRANSISTOR NMOS, NOTRE ETUDE VISE A REDUIRE LES PHENOMENES DE DEGRADATIONS PAR PORTEURS CHAUDS QUI AFFECTENT LA FIABILITE DU DISPOSITIF. NOUS NOUS INTERESSONS UNIQUEMENT A LA PARTIE FAIBLEMENT DOPEE DU DRAIN (LDD). NOUS PRESENTONS DANS UN PREMIER TEMPS LES RESULTATS CONCERNANT LA COMPARAISON LDD ARSENIC/PHOSPHORE POUR UNE TECHNOLOGIE 0.5 MICRON. NOUS ABORDONS ENSUITE L'ETUDE D'UNE STRUCTURE LDD IMPLANTEE AVEC UN FORT ANGLE DE TILT DANS LE CADRE D'UN PROCEDE 0.35 MICRON. POUR LE TRANSISTOR PMOS, NOUS PRESENTONS DIFFERENTS ESSAIS VISANT A REDUIRE LA PROFONDEUR DES JONCTIONS DE DRAIN/SOURCE ET NOUS TRAITONS L'ASPECT DEGRADATION PAR PORTEURS CHAUDS AVEC L'ETUDE DE LA STRUCTURE LDD PMOS. CETTE ETUDE S'EST CONCRETISEE PAR L'ADOPTION DE CHOIX TECHNOLOGIQUES SUR LES FILIERES DU CNET ET DE SES PARTENAIRES (MATRA-MHS, CENTRE COMMUN CNET-ST)
Book Synopsis Etude des fluctuations locales des transistors MOS destinés aux applications analogiques by : Yohan Joly
Download or read book Etude des fluctuations locales des transistors MOS destinés aux applications analogiques written by Yohan Joly and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les fluctuations électriques des composants sont une limitation à la miniaturisation des circuits. Malgré des procédés de fabrications en continuelle évolution, les variations des caractéristiques électriques dues au désappariement entre deux dispositifs limitent les performances des circuits. Concernant les applications à faible consommation, ces fluctuations locales peuvent devenir très critiques. Dans le contexte du développement d'une technologie CMOS 90nm avec mémoire Flash embarquée pour des applications basse consommation, l'appariement de transistors MOS est étudié. Une analyse de l'impact du dopage de grille des transistors NMOS est menée. L'étude se focalise sur l'appariement en tension des paires différentielles polarisées dans la zone de fonctionnement sous le seuil. Il est démontré que cet appariement peut être dégradé à cause de l'effet « hump », c'est-à-dire la présence de transistors parasites en bord d'active. Un macro-modèle permettant aux concepteurs de modéliser cet effet est présenté. Il est étudié au niveau composant, au niveau circuit et en température. Enfin, une étude de la dégradation de l'appariement des transistors MOS sous stress porteurs chauds est réalisée, validant un modèle de dégradation. Des transistors octogonaux sont proposés pour supprimer l'effet « hump » et donnent d'excellents résultats en termes d'appariement ainsi qu'en fiabilité.
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS by : Yazid Derouiche
Download or read book Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS written by Yazid Derouiche and published by Editions Universitaires Europeennes. This book was released on 2019-01-21 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Book Synopsis Etude de la dégradation par porteurs chauds des technologies CMOS avancées en fonctionnement statique et dynamique by : Chloé Guérin
Download or read book Etude de la dégradation par porteurs chauds des technologies CMOS avancées en fonctionnement statique et dynamique written by Chloé Guérin and published by . This book was released on 2008 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La miniaturisation des dernières technologies s'est effectuée à tension d'alimentation quasi constante. Cela se traduit par une augmentation du champ latéral du transistor MOSFET. Un risque important réapparaît en terme de fiabilité : la dégradation par porteurs chauds (HC). Pour garantir le meilleur compromis entre fiabilité et performance, il est important de comprendre toutes les causes physiques de la dégradation par porteurs chauds. Grâce à une étude menée pour des conditions de polarisation et de température variées, sur différentes épaisseurs d'oxyde et longueurs de canal, nous avons mis en place un formalisme physique s'appuyant à la fois sur l'énergie et le nombre de porteurs. Cette double dépendance se traduit par une compétition entre trois modes de dégradations, dominant chacun à leur tour en fonction de la gamme d'énergie des porteurs. A forte énergie, la dégradation s'explique par l'interaction d'un seul porteur avec une liaison Si-H (mode 1). Mais quand l'énergie des porteurs diminue, leur nombre est prépondérant tout d'abord pour l'interaction entre porteurs EES (mode 2) et surtout à très basse énergie, où nous avons montré que la dégradation peut être importante à cause d'interactions multiples entre les "porteurs froids" du canal et les liaisons d'interface (mode 3). On parle alors d'excitation multivibrationnelle des liaisons. Ce nouveau modèle assure une meilleure extrapolation de la durée de vie dans les conditions nominales. Appliqué à la dégradation sous signaux digitaux, il permet une estimation rigoureuse du rapport entre les dégradations en courant alternatif et continu (AC-DC) ainsi que l'élaboration de nouvelles consignes concernant les effets de fréquence, de charge et de temps de montée des signaux. Enfin, intégré au simulateur de Design-in Reliability, il autorise une simulation précise de la dégradation par porteurs chauds de blocs de circuits.
Book Synopsis CARACTERISATION ET MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA-SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR FILMS SIMOX TRES MINCES by : OLIVIER.. FAYNOT
Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA-SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR FILMS SIMOX TRES MINCES written by OLIVIER.. FAYNOT and published by . This book was released on 1995 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR DES FILMS SIMOX TRES MINCES. DANS LE PREMIER CHAPITRE, OUTRE L'ORIENTATION DE LA MICROELECTRONIQUE, NOUS DETAILLONS L'INTERET POTENTIEL QUE PEUT SUSCITER LA TECHNOLOGIE SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. ENSUITE, NOUS ANALYSONS LES PHENOMENES DE COUPLAGE D'INTERFACES APPARAISSANT DANS DEUX TYPES DE CONDUCTION DE TRANSISTORS TOTALEMENT DESERTES: LA CONDUCTION PAR CANAL D'INVERSION ET LA CONDUCTION PAR CANAL D'ACCUMULATION. PUIS, LES EFFETS DE CANAUX COURTS SONT ETUDIES DANS L'OBJECTIF D'OPTIMISER L'ARCHITECTURE DES TRANSISTORS SOI ULTRA-SUBMICRONIQUES. LES PHENOMENES LIES A L'IONISATION PAR IMPACT SONT ENSUITE PRESENTES POUR LES DEUX TYPES DE CONDUCTION. UN PROCEDE SIMPLE DE FABRICATION EST ALORS DECRIT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DES TRANSISTORS ET DES CIRCUITS METTENT EN AVANT LES AVANTAGES DU SOI POUR LES APPLICATIONS BASSE-TENSION. LE DERNIER CHAPITRE EST DEDIE A LA CARACTERISATION DES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS DES TRANSISTORS SOI COMPLETEMENT DESERTES
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