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Optimisation Et Modelisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction Gainp Gaas Application Aux Amplificateurs Monolithiques De Puissance Bande X
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Book Synopsis OPTIMISATION ET MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS. APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE, BANDE X by : Didier Floriot
Download or read book OPTIMISATION ET MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS. APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE, BANDE X written by Didier Floriot and published by . This book was released on 1995 with total page 311 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE A HAUT RENDEMENT, EN BANDE X, A BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HBT) GAINP/GAAS. CE MEMOIRE EST DIVISE EN DEUX PARTIES: LA PREMIERE DEBUTE PAR L'ETUDE DU TRANSISTOR OU DOIGT ELEMENTAIRE PERMETTANT UN FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN BANDE X ET ABOUTIT A L'OPTIMISATION DU TRANSISTOR MULTI-DOIGTS DE PUISSANCE. LA SECONDE PRESENTE DIFFERENTS AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE (MMIC) OU UNE NOUVELLE TOPOLOGIE DE COMBINAISON EST MISE EN UVRE. L'INTERET DE L'INTERFACE GAINP/GAAS POUR L'APPLICATION TRANSISTOR DE PUISSANCE EST DANS UN PREMIER TEMPS TRAITE. LE CHOIX D'UNE EPITAXIE EST DISCUTE A PARTIR DES PRINCIPAUX PARAMETRES STATIQUES ET DYNAMIQUES (EFFET KIRK), PUIS UNE TOPOLOGIE DE DOIGT D'EMETTEUR EST PROPOSEE. IL EST NOTAMMENT MONTRE L'ASPECT 3D DU COUPLAGE ELECTRO-THERMIQUE. LA TOPOLOGIE DU TBH MULTI-DOIGTS EST OPTIMISEE D'UN POINT DE VUE THERMIQUE ET ELECTRIQUE. DES EFFETS DISTRIBUES SONT MIS EN EVIDENCE DANS LA STRUCTURE, ENTRAINANT UN FONCTIONNEMENT NON-HOMOGENE DES DOIGTS AINSI QU'UN COUPLAGE ELECTRO-THERMIQUE DE DOIGT A DOIGT. DES PUISSANCES DE 0.4 A 1W SONT OBTENUES AVEC DES RPA DE 40 A 55%. DES AMPLIFICATEURS TBH DE PUISSANCE MMIC SONT EXPOSES ET CONDUISENT A DIFFERENTS RESULTATS. UNE NOUVELLE TOPOLOGIE D'INTEGRATION EST EXPOSEE. CELLE-CI PERMET DE REDUIRE LA SURFACE DE GAAS OCCUPEE ET AMELIORE CONSIDERABLEMENT LE BILAN THERMIQUE DE LA STRUCTURE. DES PUISSANCES DE 1,2.5 ET 5.3W SONT OBTENUS EN BANDE X (10GHZ) ET KU AVEC DES RPA ASSOCIES DE 30 A 35%. CES RESULTATS SE CLASSENT PARMI LES MEILLEURS OBTENUS A L'AIDE DE LA TECHNOLOGIE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE, ET DEMONTRE L'INTERET DE L'HETEROJONCTION GAINP/GAAS
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction by : Jean-Philippe Fraysse
Download or read book Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction written by Jean-Philippe Fraysse and published by . This book was released on 1999 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA MODELISATION NON-LINEAIRE DU TBH, APPLIQUEE A L'ETUDE ET A L'OPTIMISATION DU MONTAGE CASCODE POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE LARGE BANDE. LE PREMIER CHAPITRE DEBUTE PAR UNE PRESENTATION RAPIDE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET IDENTIFIE LES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DES DIFFERENTES FILIERES DE CE TRANSISTOR. CECI EST POURSUIVI PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PORTANT SUR LES TRANSISTORS ET LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE DE LA BANDE L A LA BANDE KA, AFIN DE CONFIRMER LES POTENTIALITES DU TBH GAAS VIS A VIS DES AUTRES FILIERES DE TRANSISTORS POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LE SECOND CHAPITRE EST ALORS CONSACRE A LA PRESENTATION D'UN MODELE NON LINEAIRE, NON-QUASI-STATIQUE ET ELECTRO-THERMIQUE DU TBH GAAS. LES DIFFERENTES ETAPES PERMETTANT DE L'OBTENIR, AINSI QUE SA VALIDATION A TRAVERS DIFFERENTES MESURES EN PUISSANCE SONT PRESENTEES. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA MISE EN EVIDENCE DE CORRELATIONS EXISTANTES ENTRE LES PERFORMANCES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE ET CELLES DES CELLULES ELEMENTAIRES QUI LES COMPOSENT, CONDUISENT A METTRE EN AVANT LES AVANTAGES DU MONTAGE CASCODE POUR CE TYPE D'APPLICATION. L'OPTIMISATION DE CE MONTAGE, ABOUTIT ALORS A LA PRESENTATION DES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION ET DES PREMIERES MESURES DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC. LE PREMIER SIMULE DANS LA BANDE 4.5-18GHZ, MONTRE L'INTERET D'UTILISER LE MONTAGE CASCODE POUR DISPOSER D'UN GAIN SUFFISANT A 18GHZ, LORS DE LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A BASE DE TBH. LES PREMIERES MESURES EN IMPULSION DU DEUXIEME AMPLIFICATEUR, CONFIRMENT POUR LEUR PART, LES DIFFERENTS ARGUMENTS PLAIDANT EN FAVEUR DU MONTAGE CASCODE POUR LES APPLICATIONS LARGES BANDES DE FORTE PUISSANCE. LA PUISSANCE DE SORTIE MESUREE SUR LA BANDE 2-8GHZ EST EN EFFET PROCHE DE 2W, AVEC UN GAIN ASSOCIE MOYEN DE 8DB ET UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MOYEN DE 24%.
Book Synopsis CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS by : MOHAMAD SALEH.. FALEH
Download or read book CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS written by MOHAMAD SALEH.. FALEH and published by . This book was released on 1998 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET LA COMPARAISON AVEC LES TBHS GAALAS/GAAS. LE PREMIER CHAPITRE PRESENTE D'ABORD UN RAPPEL DES PRINCIPALES PROPRIETES DES MATERIAUX GAINP ET GAAS UTILISES DANS LA FABRICATION DES TBH ETUDIES. IL EXAMINE ENSUITE LES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES QUI INFLUENT SUR LES PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES. UN MODELE ELECTRIQUE PETIT SIGNAL PERMETTANT LA DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EST PRESENTE. L'INFLUENCE DES EFFETS THERMIQUES QUI CONSTITUENT LA PRINCIPALE LIMITATION DES TBHS DE PUISSANCE SUR ARSENIURE DE GALLIUM EST ENFIN ANALYSEE. LA TECHNOLOGIE MISE EN OEUVRE POUR REALISER LES TBHS GAINP/GAAS EST DECRITE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. DEUX FAMILLES DE DISPOSITIFS PRESENTANT UNE SURFACE D'EMETTEUR ELEMENTAIRE DE 10X200 M#2 ET 6X60 M#2 SONT REALISEES DANS DES TECHNOLOGIES TRIPLE MESA CLASSIQUE OU AUTOALIGNEE, AVEC UNE PRISE DU CONTACT D'EMETTEUR UTILISANT UN PONT A AIR. LE TROISIEME CHAPITRE RAPPORTE LES RESULTATS DES CARACTERISATIONS STATIQUE ET DYNAMIQUE AINSI QUE LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS REALISES. L'ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE COURANT PRINCIPAL D'ELECTRONS DANS LA STRUCTURE PERMET DE PROPOSER UNE NOUVELLE CARACTERISATION DE LA DISCONTINUITE DE LA BANDE DE CONDUCTION E#C=17016 MEV DANS L'HETEROJONCTION GA#0#.#5IN#0#.#5P/GAAS. LA CARACTERISATION DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE, AVEC NOTAMMENT L'IDENTIFICATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE ET L'ETUDE DU GAIN EN COURANT QUI DEPEND DU NIVEAU D'INJECTION, A PERMIS D'INTERPRETER UN COMPORTEMENT SPECIFIQUE DE NOS TRANSISTORS. LES PERFORMANCES OBTENUES POUR LES TRANSISTORS CLASSIQUES SONT F#T=18 GHZ, F#M#A#X=20 GHZ, ET LA REDUCTION DE LA RESISTANCE DE BASE PAR AUTOALIGNEMENT DU CONTACT DE BASE SUR L'EMETTEUR A CONDUIT AU DOUBLEMENT DE LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION (F#M#A#X=42GHZ). POUR L'APPLICATION A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE, IL A ETE RELEVE A UNE FREQUENCE DE 1GHZ UNE PUISSANCE R.F DE SORTIE DE L'ORDRE DE 1W AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 49% ET A 10GHZ, UNE PUISSANCE ET UN RENDEMENT DE 170MW ET 29% RESPECTIVEMENT.
Book Synopsis Conception, réalisation et caractérisation d'amplificateurs a faible distorsion non-linéaire a base de transistors bipolaires à hétérojonction pour communications spatiales by : Mohammed Tsouli
Download or read book Conception, réalisation et caractérisation d'amplificateurs a faible distorsion non-linéaire a base de transistors bipolaires à hétérojonction pour communications spatiales written by Mohammed Tsouli and published by . This book was released on 1994 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS POUR COMMUNICATIONS SPATIALES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ANALYSE DES BESOINS EN COMPOSANTS POUR LES COMMUNICATIONS SPATIALES. LA COMPARAISON, DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS AVEC CELLES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS EST PRESENTEE. PAR LA SUITE, UN MODELE ELECTRIQUE NON LINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH EST ETABLI, EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE. LES PROBLEMES DE STABILISATION DU TBH EN TEMPERATURE ONT ETE TRAITES ET LES VALEURS DES RESISTANCES DE STABILISATION ONT ETE OPTIMISEES, EN UTILISANT UNE ANALYSE TRIDIMENSIONNELLE COMPLETE, COUPLEE AVEC LE MODELE THERMOELECTRIQUE TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH. UNE ETUDE DE STABILITE UTILISANT DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SANS PERTES A ETE MENEE. UNE CONTRE REACTION SERIE CAPACITIVE A PERMIS D'OBTENIR UNE STABILITE INCONDITIONNELLE, DANS TOUTE LA BANDE DE FREQUENCE, POUR UN TRANSISTOR DE MOYENNE PUISSANCE MONTE EN BASE COMMUNE. DE MEME, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE CONTRE REACTION PARALLELE UTILISANT UN QUADRIPOLE SANS PERTES, PERMETTANT DE STABILISER UN TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUN, TOUT EN AMELIORANT SON GAIN DANS LA BANDE D'UTILISATION. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION SUR LE COMPOSANT ONT ETE CONCRETISES PAR LA CONCEPTION DE DEUX AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN BANDE C POUR ANTENNE ACTIVE: UN AMPLIFICATEUR HYBRIDE DE MOYENNE PUISSANCE ET UN AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE DE PUISSANCE A TROIS ETAGES. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE L'AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE COMPORTE 128 DOIGTS D'EMETTEUR AVEC UNE LONGUEUR TOTALE D'EMETTEUR DE 2.56 MM. L'ESPACEMENT ENTRE LES DOIGTS D'EMETTEUR ET LA RESISTANCE DE STABILISATION SUR CHAQUE DOIGT ONT ETE OPTIMISES DANS LE BUT D'UNIFORMISER LA DISTRIBUTION DE LA TEMPERATURE
Book Synopsis CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS by : RAPHAEL.. MEZUI-MINTSA
Download or read book CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS written by RAPHAEL.. MEZUI-MINTSA and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS (TBH). LES TRAVAUX DEBUTENT PAR LA COMPARAISON DU TBH HAAS AVEC LE TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS, POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LES PROBLEMES DE STABILISATION EN TEMPERATURE, DE CLAQUAGE PAR AVALANCHE ET DE L'ADAPTATION DIFFICILE DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE, ONT ETE ECLAIRCIS ET OPTIMISES EN TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH ET DES POSSIBILITES TECHNOLOGIQUES DU LABORATOIRE DE BAGNEUX. PAR LA SUITE, DES MODELES ELECTRIQUES NONLINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH ONT ETE DEVELOPPES EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATIONS STATIQUES ET DYNAMIQUES PETIT SIGNAL, AINSI QUE LES BANCS DE MESURE FORT SIGNAL DU TYPE LOAD-PULL. PAR AILLEURS, L'OBTENTION D'UNE PUISSANCE ELEVEE ET D'UN HAUT RENDEMENT DEPEND NON SEULEMENT DU COMPOSANT UTILISE, MAIS AUSSI DU CHOIX D'UNE STRUCTURE D'AMPLIFICATEUR APPROPRIEE. UNE ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTES CLASSES D'AMPLIFICATEURS D'UNE PART ET L'ANALYSE DES DIFFERENTES POSSIBILITES D'ADAPTATION DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE D'AUTRE PART ONT PERMIS DE DEGAGER DES ARCHITECTURES MIEUX ADAPTEES AU CAS DES TBH. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION COMPLET DU COMPOSANT SE CONCRETISENT PAR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS POUR DES APPLICATIONS EN TELECOMMUNICATIONS: UN AMPLIFICATEUR A HAUT RENDEMENT POUR LES RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES EN BANDE L, ET UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MONOLITHIQUE
Book Synopsis CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS A FAIBLE DISTORSION NON-LINEAIRE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES AHETEROJONCTION POUR COMMUNICATIONS SPATIALES by : MOHAMMED.. TSOULI
Download or read book CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS A FAIBLE DISTORSION NON-LINEAIRE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES AHETEROJONCTION POUR COMMUNICATIONS SPATIALES written by MOHAMMED.. TSOULI and published by . This book was released on 1994 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS POUR COMMUNICATIONS SPATIALES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ANALYSE DES BESOINS EN COMPOSANTS POUR LES COMMUNICATIONS SPATIALES. LA COMPARAISON, DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS AVEC CELLES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS EST PRESENTEE. PAR LA SUITE, UN MODELE ELECTRIQUE NON LINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH EST ETABLI, EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE. LES PROBLEMES DE STABILISATION DU TBH EN TEMPERATURE ONT ETE TRAITES ET LES VALEURS DES RESISTANCES DE STABILISATION ONT ETE OPTIMISEES, EN UTILISANT UNE ANALYSE TRIDIMENSIONNELLE COMPLETE, COUPLEE AVEC LE MODELE THERMOELECTRIQUE TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH. UNE ETUDE DE STABILITE UTILISANT DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SANS PERTES A ETE MENEE. UNE CONTRE REACTION SERIE CAPACITIVE A PERMIS D'OBTENIR UNE STABILITE INCONDITIONNELLE, DANS TOUTE LA BANDE DE FREQUENCE, POUR UN TRANSISTOR DE MOYENNE PUISSANCE MONTE EN BASE COMMUNE. DE MEME, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE CONTRE REACTION PARALLELE UTILISANT UN QUADRIPOLE SANS PERTES, PERMETTANT DE STABILISER UN TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUN, TOUT EN AMELIORANT SON GAIN DANS LA BANDE D'UTILISATION. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION SUR LE COMPOSANT ONT ETE CONCRETISES PAR LA CONCEPTION DE DEUX AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN BANDE C POUR ANTENNE ACTIVE: UN AMPLIFICATEUR HYBRIDE DE MOYENNE PUISSANCE ET UN AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE DE PUISSANCE A TROIS ETAGES. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE L'AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE COMPORTE 128 DOIGTS D'EMETTEUR AVEC UNE LONGUEUR TOTALE D'EMETTEUR DE 2.56 MM. L'ESPACEMENT ENTRE LES DOIGTS D'EMETTEUR ET LA RESISTANCE DE STABILISATION SUR CHAQUE DOIGT ONT ETE OPTIMISES DANS LE BUT D'UNIFORMISER LA DISTRIBUTION DE LA TEMPERATURE.
Book Synopsis Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction by : Thierry Peyretaillade
Download or read book Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.
Book Synopsis Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction by : Marie Anne Pérez
Download or read book Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.
Book Synopsis Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement by : Alain Mallet
Download or read book Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement written by Alain Mallet and published by . This book was released on 1996 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs by : Hugues Granier
Download or read book Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs written by Hugues Granier and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X by : François Dhondt
Download or read book Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X written by François Dhondt and published by . This book was released on 1997 with total page 400 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De part leur forte densité de puissance potentielle (10 w/mm contre 1 à 2w/mm pour les HEMT), les transistors bipolaires a hétérojonction (TBH) sont des composants de choix pour les applications monolithiques de forte puissance et à haut rendement. Cependant leur loi d'injection spécifique et la mauvaise conductivité thermique de l'AsGa les prédispose à des phénomènes d'emballement thermiques nuisibles pour leur fiabilité et leur niveau de performances. Les solutions mises en oeuvre pour stabiliser thermiquement les TBH (drain thermique, résistance de ballast) induisent des éléments parasites néfastes au comportement hyperfréquence du transistor. Notre travail a donc consisté dans le développement d'un modèle global de TBH multidoigts permettant une approche autocohérente des phénomènes électriques et thermiques. Pour cela, partant de modèle physiques non-stationnaires 1d et 2d de TBH nous extrayons les modèles électriques intrinsèques de transistor monodoigt paramètres en température pour chaque point de fonctionnement. Les éléments extrinsèques et les liaisons électriques entre les différents doigts sont caractérisés par des simulations électromagnétiques 3d. Enfin, une solution numérique non-linéaire de l'équation de la chaleur (3d régime établi, 2d en régime transitoire) couplée de façon autocoherente aux modèles électriques par une procédure d'équilibrage thermique permet une détermination réaliste des performances hyperfréquences de TBH multidoigts avec prise en compte des effets thermiques doigt a doigt.
Book Synopsis Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance by : Arnaud Girardot
Download or read book Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance written by Arnaud Girardot and published by . This book was released on 2001 with total page 19 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : Mohamed Jalal Termanini
Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA
Book Synopsis OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS by : HUGUES.. GRANIER
Download or read book OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS written by HUGUES.. GRANIER and published by . This book was released on 1995 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis Modelisation electrothermique des transistors bipolaires a heterojonction (TBH) pour les applications de puissance a haut rendement en bande X by : François Dhondt
Download or read book Modelisation electrothermique des transistors bipolaires a heterojonction (TBH) pour les applications de puissance a haut rendement en bande X written by François Dhondt and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
