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Modelisation Du Transistor Bipolaire A Heterojonction Pour Le Regime Transitoire Grand Signal
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Book Synopsis Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal by : Madjid Medjnoun
Download or read book Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal written by Madjid Medjnoun and published by . This book was released on 2000 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal by : Madjid Medjnoun
Download or read book Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal written by Madjid Medjnoun and published by . This book was released on 2000 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis MODELISATION ET SIMULATION PAR EQUILIBRAGE SPECTRAL DE CIRCUITS MELANGEURS SIMPLE ET EQUILIBRE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : CHRISTINE.. PALLIER
Download or read book MODELISATION ET SIMULATION PAR EQUILIBRAGE SPECTRAL DE CIRCUITS MELANGEURS SIMPLE ET EQUILIBRE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by CHRISTINE.. PALLIER and published by . This book was released on 1995 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UN CALCUL ANALYTIQUE DU GAIN DE CONVERSION DE MELANGEURS REALISES A PARTIR DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. LES AVANTAGES QUE PRESENTE LE TBH POUR LA REALISATION DE CIRCUITS HYPERFREQUENCE RESSORTENT D'UNE ETUDE DES DIVERSES PROPRIETES DU MATERIAU ET DU COMPOSANT, AINSI QUE D'UNE COMPARAISON DE SES PERFORMANCES PAR RAPPORT A SES CONCURRENTS (MESFET GAAS, DIODE SCHOTTKY, TBH SIGE). SON INTERET DANS LA REALISATION DE CIRCUITS NON-LINEAIRES EST PLUS PARTICULIEREMENT PRECISE. LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS POSSIBLES DE MELANGEURS SONT ANALYSEES ET COMPAREES ENTRE ELLES. DEUX STRUCTURES SONT RETENUES: UNE STRUCTURE SIMPLE ET UNE STRUCTURE DOUBLE EQUILIBREE (CELLULE DE GILBERT). UN RAPPEL DES PRINCIPAUX MODELES ELECTRIQUES (PETIT SIGNAL ET GRAND SIGNAL) AYANT ETE DEVELOPPES POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE, ET DES METHODES D'ANALYSE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES, EST EFFECTUE. NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXHAUSTIVE DU GAIN DE CONVERSION D'UN MELANGEUR UNITAIRE A BASE DE TBH. CETTE ETUDE A PERMIS DE DEDUIRE UNE EXPRESSION ANALYTIQUE DU GAIN DE CONVERSION DU MELANGEUR EN FONCTION DE LA FREQUENCE DU SIGNAL D'ENTREE ET DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR. L'INFLUENCE DES DIFFERENTES NON-LINEARITES DU TRANSISTOR A ETE ETUDIEE. CE CALCUL A MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE FREQUENCE DE COUPURE POUR LE GAIN, INTRODUITE PAR LES CAPACITES INTRINSEQUES DU TRANSISTOR. NOUS AVONS EGALEMENT CARACTERISE LE GAIN DE CONVERSION D'UN MELANGEUR EN CELLULE DE GILBERT REALISE A BASE DE TBH. PLUSIEURS FREQUENCES CARACTERISTIQUES ONT ETE EXTRAITES DE L'EXPRESSION LITTERALE DU GAIN DE CONVERSION. CES FREQUENCES PERMETTENT DE CONNAITRE LES PRINCIPAUX PARAMETRES DU TRANSISTOR A OPTIMISER POUR UN MEILLEUR FONCTIONNEMENT DU MELANGEUR A HAUTE FREQUENCE
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE by : AHMED.. BIRAFANE
Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE by : NOUREDDINE.. CHENNAFI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE written by NOUREDDINE.. CHENNAFI and published by . This book was released on 1999 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION PHYSIQUE ET ELECTRIQUE DU PHOTOTRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HPT) UTILISE COMME PHOTODETECTEUR D'UN FAISCEAU LUMINEUX MODULE PAR UNE FREQUENCE MICRO-ONDE. CE MEMOIRE EST CONSTITUE DE TROIS PARTIES ; LA PREMIERE DEBUTE PAR LA PRESENTATION DES DIFFERENTS MODELES PHYSIQUES UTILISES DANS LES SIMULATIONS SUIVIE PAR UNE VALIDATION DU LOGICIEL DE SIMULATION NUMERIQUE BIDIMENSIONNEL PAR L'ETUDE D'UNE STRUCTURE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HBT) INGAP/GAAS. LE MODELE DE CONSERVATION D'ENERGIE ASSOCIE AVEC LA RESOLUTION DE L'EQUATION DE LA CHALEUR SONT UTILISES AFIN D'ETUDIER LES EFFETS ELECTROTHERMIQUES DANS LA STRUCTURE DU HBT. LES PERFORMANCES OPTOELECTRONIQUES DE CETTE STRUCTURE SONT ENSUITE ETUDIEES. LES FREQUENCES DE COUPURE ELECTRIQUES ET OPTOELECTRONIQUES SONT CALCULEES EN FONCTION DE LA DIMENSION DE LA FENETRE D'ECLAIREMENT SITUEE ENTRE LES ELECTRODES DE BASE ET D'EMETTEUR. LA SECONDE PARTIE PRESENTE LES RESULTATS DES CALCULS EFFECTUES SUR UN PHOTOTRANSISTOR A HETEROJONCTION (HPT) INP/INGAAS DEVELOPPE AU CNET DE BAGNEUX. DIFFERENTES CONFIGURATIONS D'ECLAIREMENT SONT ETUDIEES AFIN DE METTRE EN EVIDENCE LES PHENOMENES PHYSIQUES ENTRANT DANS LE PROCESSUS DE LA PHOTODETECTION DANS LE HPT. LA DERNIERE PARTIE PRESENTE LE MODELE ELECTRIQUE GRAND SIGNAL DU PHOTOTRANSISTOR INP/INGAAS DEVELOPPE A PARTIR DES RESULTATS DES SIMULATIONS PHYSIQUES. IL EST ENSUITE OPTIMISE AFIN DE COLLER AUX COURBES DE MESURES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU PHOTOTRANSISTOR.
Book Synopsis Contribution à l'étude PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE by : Noureddine Chennafi
Download or read book Contribution à l'étude PHYSIQUE ET A L'OPTIMISATION DES PHOTOTRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A L'AIDE D'OUTILS DE SIMULATION NUMERIQUE written by Noureddine Chennafi and published by . This book was released on 1999 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objet du travail presente dans ce memoire concerne la modelisation physique et electrique du phototransistor bipolaire a heterojonction (hpt) utilise comme photodetecteur d'un faisceau lumineux module par une frequence micro-onde. Ce memoire est constitue de trois parties ; la premiere debute par la presentation des differents modeles physiques utilises dans les simulations suivie par une validation du logiciel de simulation numerique bidimensionnel par l'etude d'une structure du transistor bipolaire a heterojonction (hbt) ingap/gaas. Le modele de conservation d'energie associe avec la resolution de l'equation de la chaleur sont utilises afin d'etudier les effets electrothermiques dans la structure du hbt. Les performances optoelectroniques de cette structure sont ensuite etudiees. Les frequences de coupure electriques et optoelectroniques sont calculees en fonction de la dimension de la fenetre d'eclairement situee entre les electrodes de base et d'emetteur. La seconde partie presente les resultats des calculs effectues sur un phototransistor a heterojonction (hpt) inp/ingaas developpe au cnet de bagneux. Differentes configurations d'eclairement sont etudiees afin de mettre en evidence les phenomenes physiques entrant dans le processus de la photodetection dans le hpt. La derniere partie presente le modele electrique grand signal du phototransistor inp/ingaas developpe a partir des resultats des simulations physiques. Il est ensuite optimise afin de coller aux courbes de mesures statiques et dynamiques du phototransistor
Book Synopsis LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS by : Jean-Luc Pelouard
Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Modélisation grand-signal des transistors bipolaires à hétérojonction aux ondes centimétriques et millimétriques by : Rached Hajji
Download or read book Modélisation grand-signal des transistors bipolaires à hétérojonction aux ondes centimétriques et millimétriques written by Rached Hajji and published by . This book was released on 1995 with total page 348 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension by : Jean-Marc Diénot
Download or read book Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension written by Jean-Marc Diénot and published by . This book was released on 1994 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION FORT SIGNAL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TBH GAALAS/GAAS), COMPOSANT POTENTIEL POUR LES APPLICATIONS MICROONDES ACTUELLES ET FUTURES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES DIFFERENTS MODELES ELECTRIQUES NON-LINEAIRES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE, CE QUI NOUS PERMET DE PROPOSER UN MODELE SIMILAIRE POUR LE TBH, BASE SUR UNE ANALYSE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SPECIFIQUES AU TBH DANS LES DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. NOUS AVONS ETE AMENES A DEVELOPPER UNE CARACTERISATION EN REGIME IMPULSIONNEL POUR S'AFFRANCHIR DES EFFETS THERMIQUES, QUI SONT CRITIQUES DANS CES STRUCTURES A BASE DE GAAS. LA MISE EN UVRE D'UN BANC AUTOMATISE REALISANT CETTE OPERATION AUTORISE UNE CARACTERISATION NON LINEAIRE APPROPRIEE DU TBH. ASSOCIEE A UNE METHODOLOGIE D'EXTRACTION DES PARAMETRES, ELLE PERMET D'ABOUTIR A UN MODELE PRECIS DE CE COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE PERMET DE VALIDER L'ENSEMBLE DE LA PROCEDURE MODELISATION-CARACTERISATION PAR UNE COMPARAISON SIMULATIONS-MESURES DU TBH EN REGIME FAIBLE ET FORT NIVEAUX. CE MODELE EST ALORS UTILISE LORS DE LA CONCEPTION D'UN OSCILLATEUR ACCORDABLE ELECTRONIQUEMENT (VCO) A LA FREQUENCE DE 1.8 GHZ, ET PERMET DE PRESENTER LES PERFORMANCES OBTENUES EN SIMULATION A PARTIR DE CE CIRCUIT
Book Synopsis Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X by : François Dhondt
Download or read book Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X written by François Dhondt and published by . This book was released on 1997 with total page 400 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De part leur forte densité de puissance potentielle (10 w/mm contre 1 à 2w/mm pour les HEMT), les transistors bipolaires a hétérojonction (TBH) sont des composants de choix pour les applications monolithiques de forte puissance et à haut rendement. Cependant leur loi d'injection spécifique et la mauvaise conductivité thermique de l'AsGa les prédispose à des phénomènes d'emballement thermiques nuisibles pour leur fiabilité et leur niveau de performances. Les solutions mises en oeuvre pour stabiliser thermiquement les TBH (drain thermique, résistance de ballast) induisent des éléments parasites néfastes au comportement hyperfréquence du transistor. Notre travail a donc consisté dans le développement d'un modèle global de TBH multidoigts permettant une approche autocohérente des phénomènes électriques et thermiques. Pour cela, partant de modèle physiques non-stationnaires 1d et 2d de TBH nous extrayons les modèles électriques intrinsèques de transistor monodoigt paramètres en température pour chaque point de fonctionnement. Les éléments extrinsèques et les liaisons électriques entre les différents doigts sont caractérisés par des simulations électromagnétiques 3d. Enfin, une solution numérique non-linéaire de l'équation de la chaleur (3d régime établi, 2d en régime transitoire) couplée de façon autocoherente aux modèles électriques par une procédure d'équilibrage thermique permet une détermination réaliste des performances hyperfréquences de TBH multidoigts avec prise en compte des effets thermiques doigt a doigt.
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes by : Raphael Sommet
Download or read book Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes written by Raphael Sommet and published by . This book was released on 1996 with total page 257 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LE COUPLAGE ENTRE UN SIMULATEUR PHYSIQUE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION HETSI ET UN SIMULATEUR DE CIRCUIT EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE LISA. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: LA PREMIERE EST ESSENTIELLEMENT AXEE SUR LA PHYSIQUE DES COMPOSANTS. ELLE ETABLIT LES EQUATIONS GENERALES DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LES SEMI-CONDUCTEURS ET SUIVANT LES HYPOTHESES CHOISIES, LES EQUATIONS DE DERIVE DIFFUSION ET DE TRANSPORT D'ENERGIE SONT DONNEES. COMPTE TENU DES IMPERATIFS D'UN COUPLAGE DE CES EQUATIONS A UN SIMULATEUR DE CIRCUITS, UNE DISCRETISATION ET UNE RESOLUTION IMPLICITE DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS SONT DEVELOPPEES. DES RESULTATS CONCERNANT L'ETUDE D'UNE STRUCTURE DE HBT AVEC UN MODELE UNIDIMENSIONNEL SONT EXAMINES. LA SECONDE PARTIE EST DEDIEE QUANT A ELLE AUX METHODES UTILISABLES POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES. LES METHODES TEMPORELLES SONT ETUDIEES ET COMPAREES A LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE. IL RESSORT UN BESOIN REEL D'UTILISER LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES EN REGIME PERIODIQUE ET EN ETAT ETABLI. LA TROISIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE L'INTEGRATION DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DANS UN SIMULATEUR PHYSIQUE EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE. LA CONSTRUCTION SOUS FORME MODULAIRE DES DEUX SIMULATEURS EST DECRITE AINSI QU'UNE METHODE ORIGINALE DU CALCUL DU JACOBIEN IMPLICITE EXACT DU SYSTEME. DES RESULTATS EN CLASSE A, B A 1.8 GHZ VALIDENT LE COUPLAGE. IL EST DESORMAIS POSSIBLE A L'AIDE DE CE NOUVEL OUTIL D'ENVISAGER DE CONCEVOIR ENSEMBLE LA PARTIE PASSIVE ET ACTIVE D'UN CIRCUIT MMIC
Author :Rim Barrak Publisher :National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada ISBN 13 : Total Pages :104 pages Book Rating :4.:/5 (527 download)
Book Synopsis Modélisation empirique grand-signal et implantation logiciel des transistors bipolaires à hétérojonction incluant les effets Kirk et auto-échauffement [microforme] by : Rim Barrak
Download or read book Modélisation empirique grand-signal et implantation logiciel des transistors bipolaires à hétérojonction incluant les effets Kirk et auto-échauffement [microforme] written by Rim Barrak and published by National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 2002 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction by : Marie Anne Pérez
Download or read book Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.
Book Synopsis Transistor bipolaire Si/SiGe:C en nœud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques by : Thomas Lacave
Download or read book Transistor bipolaire Si/SiGe:C en nœud CMOS avancé pour applications (sub)-millimétriques written by Thomas Lacave and published by . This book was released on 2011 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe offerts dans les technologie BiCMOS actuellement en production atteignent des fréquences maximales d’oscillation fMAX proches de 300 GHz. Il est ainsi possible d’adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu’à 100 GHz, telles que les radars anticollision pour automobiles (77 GHz), les communications optiques (100 Gb/s) et sans fil haut débit (60 GHz) avec ces technologies BiCMOS. L’objectif des travaux présentés dans ce manuscrit était d’améliorer les performances en fréquences des TBH Si/SiGe, et plus particulièrement fMAX, afin de préparer la prochaine génération de technologie BiCMOS. Tout d’abord, les principes de fonctionnement du transistor bipolaire sont rappelés et l’architecture du composant étudié est présentée. Les différents paramètres définissant le profil de dopage sont étudiés et leurs influences sur les performances fréquentielles du transistor et notamment sur le compromis entre la fréquence de transition du gain en courant fT et fMAX. sont détaillées. La réduction des dimensions latérales du transistor dont le but est de diminuer les résistances et capacités parasites a fait l’objet d’une étude dont les résultats ont montré les bénéfices, mais également les limitations, quant à l’augmentation de fMAX. Ces études ont permis de démontrer la faisabilité d’intégrer un TBH de fT ~ 300 GHz et fMAX ~ 400 GHz dans un nœud CMOS 55 nm. Enfin, les différentes générations de composant mis au point pendant ces travaux, pour lesquelles des valeurs de fT entre 250 GHz et 320 GHz, et des valeurs de fMAX entre 330 GHz et 420 GHz, sont comparées entre elles ainsi qu’à la technologie BiCMOS9MW (fT = 220 GHz, fMAX = 280 GHz) actuellement en production. Cette comparaison concerne les performances en bruit et en puissance (grand signal) aux fréquences millimétriques. Les bénéfices de nos travaux ont également été démontrés à travers les résultats de circuits réalisés par des partenaires universitaires. Un de ces circuits a notamment été utilisé pour la fabrication d’un démonstrateur d’imagerie active à 160 GHz.
Book Synopsis Modélisation petit-signal des transistors bipolaires à hétérojonction by : David Dousset
Download or read book Modélisation petit-signal des transistors bipolaires à hétérojonction written by David Dousset and published by . This book was released on 2003 with total page 358 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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