Modelisation De La Mobilite Des Electrons Dans Les Semiconducteurs

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Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs

Author : COLLECTIF.
Publisher : Omniscriptum
ISBN 13 : 9786131551390
Total Pages : 88 pages
Book Rating : 4.5/5 (513 download)

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Book Synopsis Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs by : COLLECTIF.

Download or read book Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs written by COLLECTIF. and published by Omniscriptum. This book was released on 2010-11 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent ètre utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection

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Author : Sorin Cristoloveanu
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 162 pages
Book Rating : 4.:/5 (464 download)

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Book Synopsis Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection by : Sorin Cristoloveanu

Download or read book Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection written by Sorin Cristoloveanu and published by . This book was released on 1981 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DU COMPORTEMENT MAGNETOELECTRIQUE DES COUCHES MINCES: EXPRESSION DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT, MODELISATION DE LA MOBILITE DES ELECTRONS DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR SAPHYR: INTERPRETATION DE LA BANDE DE CONDUCTION DE SI SUR SAPHYR. ETUDE DU COMPORTEMENT DES SEMICONDUCTEURS SOUMIS A DES CHAMPS ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE CROISES. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE DETERMINATION DES CONCENTRATIONS ET DE MOBILITES DES ELECTRONS ET DES TROUS. ETUDE DE L'EFFET DE MAGNETOCONCENTRATION. PRESENTATION D'UNE THEORIE GENERALE DECRIVANT LES DIFFERENTS REGIMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE EN PRESENCE DE L'EFFET MAGNETODIODE, DANS LES STRUCTURES P**(+)NN**(+) ET P**(+)N

Advanced Physics of Electron Transport in Semiconductors and Nanostructures

Author : Massimo V. Fischetti
Publisher : Springer
ISBN 13 : 3319011014
Total Pages : 481 pages
Book Rating : 4.3/5 (19 download)

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Book Synopsis Advanced Physics of Electron Transport in Semiconductors and Nanostructures by : Massimo V. Fischetti

Download or read book Advanced Physics of Electron Transport in Semiconductors and Nanostructures written by Massimo V. Fischetti and published by Springer. This book was released on 2016-05-20 with total page 481 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This textbook is aimed at second-year graduate students in Physics, Electrical Engineering, or Materials Science. It presents a rigorous introduction to electronic transport in solids, especially at the nanometer scale.Understanding electronic transport in solids requires some basic knowledge of Hamiltonian Classical Mechanics, Quantum Mechanics, Condensed Matter Theory, and Statistical Mechanics. Hence, this book discusses those sub-topics which are required to deal with electronic transport in a single, self-contained course. This will be useful for students who intend to work in academia or the nano/ micro-electronics industry.Further topics covered include: the theory of energy bands in crystals, of second quantization and elementary excitations in solids, of the dielectric properties of semiconductors with an emphasis on dielectric screening and coupled interfacial modes, of electron scattering with phonons, plasmons, electrons and photons, of the derivation of transport equations in semiconductors and semiconductor nanostructures somewhat at the quantum level, but mainly at the semi-classical level. The text presents examples relevant to current research, thus not only about Si, but also about III-V compound semiconductors, nanowires, graphene and graphene nanoribbons. In particular, the text gives major emphasis to plane-wave methods applied to the electronic structure of solids, both DFT and empirical pseudopotentials, always paying attention to their effects on electronic transport and its numerical treatment. The core of the text is electronic transport, with ample discussions of the transport equations derived both in the quantum picture (the Liouville-von Neumann equation) and semi-classically (the Boltzmann transport equation, BTE). An advanced chapter, Chapter 18, is strictly related to the ‘tricky’ transition from the time-reversible Liouville-von Neumann equation to the time-irreversible Green’s functions, to the density-matrix formalism and, classically, to the Boltzmann transport equation. Finally, several methods for solving the BTE are also reviewed, including the method of moments, iterative methods, direct matrix inversion, Cellular Automata and Monte Carlo. Four appendices complete the text.

Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V

Author : Catherine Bru-Chevallier
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 240 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

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Book Synopsis Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V by : Catherine Bru-Chevallier

Download or read book Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V written by Catherine Bru-Chevallier and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DANS LE CAS DES COMPOSES GAAS, INP, GAINAS ET D'UNE HETEROJONCTION GAAS/GAALAS PAR MESURE DE PHOTOCOURANT DANS DES ECHANTILLONS DE DIMENSIONS SUBMICRONIQUES. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EXPLOITES PAR SIMULATION NUMERIQUE PAR UN PROGRAMME MONTE CARLO. ON DECRIT LES PROPRIETES DE LA STRUCTURE DE BANDE, LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE STATIONNAIRE ET HORS D'EQUILIBRE

Characterization and Modeling of the Inversion Layer Mobility of Electrons and Holes Over an Extended Temperature Range

Author : Jon Sweat Duster
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 512 pages
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Book Synopsis Characterization and Modeling of the Inversion Layer Mobility of Electrons and Holes Over an Extended Temperature Range by : Jon Sweat Duster

Download or read book Characterization and Modeling of the Inversion Layer Mobility of Electrons and Holes Over an Extended Temperature Range written by Jon Sweat Duster and published by . This book was released on 1996 with total page 512 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Modélisation du transport de phonons dans les semi-conducteurs nanostructurés

Author : Valentin Jean
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
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Book Synopsis Modélisation du transport de phonons dans les semi-conducteurs nanostructurés by : Valentin Jean

Download or read book Modélisation du transport de phonons dans les semi-conducteurs nanostructurés written by Valentin Jean and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La maîtrise des techniques de fabrication de matériaux nanostructurés a fait émerger ces dernières années de nouvelles problématiques relatives aux transferts thermiques à très courtes échelles d'espace et de temps. L'étude thermique s'effectue alors à partir de l'équation de transport de Boltzmann (ETB) pour les phonons qui sont les principaux porteurs de chaleur dans les semi-conducteurs. Ce travail résout l'ETB par une méthode statistique de type Monte Carlo en suivant le déplacement des phonons dans une nanostructure cristalline (de type nanofilm ou nanofil). On s'intéresse en particulier aux structures poreuses homogènes et avec gradient de porosité, ainsi qu'aux nanofils modulés en diamètre qui offrent des perspectives intéressantes en terme de réduction de conductivité

Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection

Author : Sorin Christoloveanu
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
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Book Synopsis Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection by : Sorin Christoloveanu

Download or read book Transport magnétoélectrique dans les semiconducteurs en présence d'inhomogénéités naturelles ou induites par effets de récombinaison et d'injection written by Sorin Christoloveanu and published by . This book was released on 1981 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DU COMPORTEMENT MAGNETOELECTRIQUE DES COUCHES MINCES: EXPRESSION DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT, MODELISATION DE LA MOBILITE DES ELECTRONS DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR SAPHYR: INTERPRETATION DE LA BANDE DE CONDUCTION DE SI SUR SAPHYR. ETUDE DU COMPORTEMENT DES SEMICONDUCTEURS SOUMIS A DES CHAMPS ELECTRIQUE ET MAGNETIQUE CROISES. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE DETERMINATION DES CONCENTRATIONS ET DE MOBILITES DES ELECTRONS ET DES TROUS. ETUDE DE L'EFFET DE MAGNETOCONCENTRATION. PRESENTATION D'UNE THEORIE GENERALE DECRIVANT LES DIFFERENTS REGIMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE EN PRESENCE DE L'EFFET MAGNETODIODE, DANS LES STRUCTURES P**(+)NN**(+) ET P**(+)N.

MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSANTS HYPERFREQUENCES SUBMICRONIQUES. APPLICATION A L'ANALYSE DES RESULTATS DE MESURES DE COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS LES DIODES HYPERFREQUENCES

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Author : LALEH.. PEYMAYECHE
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 206 pages
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Book Synopsis MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSANTS HYPERFREQUENCES SUBMICRONIQUES. APPLICATION A L'ANALYSE DES RESULTATS DE MESURES DE COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS LES DIODES HYPERFREQUENCES by : LALEH.. PEYMAYECHE

Download or read book MODELISATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES COMPOSANTS HYPERFREQUENCES SUBMICRONIQUES. APPLICATION A L'ANALYSE DES RESULTATS DE MESURES DE COURANTS INDUITS PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS LES DIODES HYPERFREQUENCES written by LALEH.. PEYMAYECHE and published by . This book was released on 1998 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE ABORDE DIFFERENTS ASPECTS DE LA MODELISATION NUMERIQUE DES SEMICONDUCTEURS. DANS UN PREMIER TEMPS, UNE ETUDE DU MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE EST EFFECTUEE EN UTILISANT LES ELEMENTS FINIS NODAUX. CE MODELE EST DERIVE DU MODELE HYDRODYNAMIQUE DE TRANSPORT. IL EST FONDE SUR LE CALCUL DES MOMENTS D'ORDRE 0 A 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN, SOUS CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CES EQUATIONS REPRESENTENT LA CONSERVATION DE CHARGES, DE LA QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE L'ENERGIE DES PORTEURS. NOTRE MODELE UTILISE DE NOUVELLES VARIABLES QUASI-ENTROPIQUES PAR ANALOGIE AVEC LES MODELES DE FLUIDES. CES VARIABLES PERMETTENT DE SYMETRISER LE SYSTEME D'EQUATIONS DIFFERENTIELLES FORME PAR LES MOMENTS D'ORDRE 1 ET 2 DE L'EQUATION DE BOLTZMANN. CE MODELE EST VALIDE SUR LES COMPOSANTS A EFFET DE CHAMP, AVEC OU SANS HETEROJONCTIONS, SUR SUBSTRAT GAAS ET DE LONGUEUR DE GRILLE SUBMICRONIQUE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS MODELISE UN SYSTEME EXPERIMENTAL, LE SCANNING TRANSMISSION ELECTRON BEAM INDUCED CURRENT (STEBIC), A L'AIDE D'UN MODELE DE TRANSPORT DE TYPE DERIVE-DIFFUSION. LE PRINCIPE DU STEBIC REPOSE SUR LA MESURE DU COURANT INDUIT PAR UN FAISCEAU ELECTRONIQUE DANS UNE SECTION TRANSVERSE D'UNE DIODE (PAR EXEMPLE) TRANSPARENTE AUX ELECTRONS. CETTE METHODE DE MICROSCOPIE PAR TRANSMISSION PERMET DE LOCALISER LA POSITION DE LA JONCTION P/N DE LA DIODE AVEC UNE RESOLUTION DE 13 NM QUI EST DE L'ORDRE DE GRANDEUR DU DIAMETRE DU FAISCEAU ELECTRONIQUE. LA MODELISATION A PERMIS VALIDER LES MODELES DE PARAMETRES PHYSIQUES TELS QUE LA MOBILITE DES PORTEURS, LES TAUX DE RECOMBINAISON ET DE GENERATION DE PAIRES ELECTRONS-TROUS. LA MODELISATION EST VALIDEE PAR LA SIMULATION DE DIODES IMPATT.

MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE POUR LES SEMI-CONDUCTEURS

Author : STEPHANE.. GENIEYS
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 241 pages
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Book Synopsis MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE POUR LES SEMI-CONDUCTEURS by : STEPHANE.. GENIEYS

Download or read book MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE POUR LES SEMI-CONDUCTEURS written by STEPHANE.. GENIEYS and published by . This book was released on 1997 with total page 241 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE POUR LES SEMI-CONDUCTEURS EST DERIVE A PARTIR DE L'EQUATION DE BOLTZMANN. ON SUPPOSE POUR CELA QUE L'ENERGIE PERDUE OU GAGNEE PAR LES ELECTRONS LORS DE L'EMISSION OU DE L'ABSORPTION DE PHONONS EST PETITE, ET ON RETIENT A L'ORDRE PRINCIPAL LES COLLISIONS ELECTRONS-ELECTRONS, LES COLLISIONS ELECTRONS-IMPURETES ET LA PARTIE ELASTIQUE DES COLLISIONS ELECTRONS-PHONONS. UN DEVELOPPEMENT DE HILBERT PERMETTANT D'OBTENIR LE MODELE DE TRANSPORT D'ENERGIE EST JUSTIFIE, TOUT D'HABORD POUR UN SEMI-CONDUCTEUR DEGENERE AVEC DIAGRAMME DE BANDE QUELCONQUE PUIS POUR UN SEMI-CONDUCTEUR NON-DEGENERE AVEC BANDE PARABOLIQUE. DANS LE CAS NON-DEGENERE AVEC BANDE PARABOLIQUE, ON MONTRE LA CONVERGENCE DU DEVELOPPEMENT DE HILBERT, POUR L'EQUATION DE BOLTZMANN LINEARISEE AUTOUR D'UN EQUILIBRE GLOBAL. ON MONTRE ENSUITE LA CONVERGENCE DE LA SOLUTION DE L'EQUATION DE BOLTZMANN NON LINEAIRE POUR UN SEMI-CONDUCTEUR DEGENERE AVEC DIAGRAMME DE BANDE QUELCONQUE, VERS UNE FONCTION DE FERMI-DIRAC DONT LES MOMENTS D'ORDRE ZERO ET DEUX SONT SOLUTION DU SYSTEME DE TRANSPORT D'ENERGIE. ON UTILISE POUR CELA UNE ESTIMATION D'ENTROPIE ET UN RESULTAT DE COMPACITE EN MOYENNE. LA STRUCTURE ENTROPIQUE ET LA FORMULATION SYMETRIQUE DU SYSTEME DE TRANSPORT D'ENERGIE SONT MISES EN EVIDENCE. CETTE STRUCTURE EST UTILISEE POUR ETUDIER L'EXISTENCE ET L'UNICITE DE SOLUTIONS DANS LE CAS STATIONNAIRE PUIS L'EXISTENCE ET LE COMPORTEMENT EN TEMPS LONG DES SOLUTIONS DANS LE CAS TRANSITOIRE. LA FORMULATION SYMETRIQUE EST AUSSI UTILISEE POUR ETABLIR UN SCHEMA DE DISCRETISATION DU MODELE. L'ETUDE NUMERIQUE DE PLUSIEURS MODELES DE RELAXATION THERMOCHIMIQUE A DEUX TEMPERATURES EST INCLUSE EN APPENDICE.

Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation

Author : Réza Ardebili
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 303 pages
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Book Synopsis Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation by : Réza Ardebili

Download or read book Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation written by Réza Ardebili and published by . This book was released on 1992 with total page 303 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EQUATIONS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUE (L'EQUATION DE POISSON ET LES DEUX EQUATIONS DE CONSERVATION DES PARTICULES ELECTRONS ET TROUS PLUS DEUX EQUATIONS DEFINISSANT LES CINETIQUES D'ECHANGE DE DEUX CENTRES PROFONDS DANS LA BANDE INTERDITE) SONT RESOLUES DANS LE CAS D'UN MECANISME DE CONDUCTION AMBIPOLAIRE EN PRESENCE DE PIEGES ET DANS LE CAS DES TRES FAIBLES DUREES DE VIE. LA METHODE DE RESOLUTION CONSISTE EN UNE LINEARISATION DES EQUATIONS DE TRANSPORT PAR LA METHODE DES DIFFERENCES FINIES. LE SYSTEME EST ENSUITE RESOLU PAR UN ALGORITHME COUPLE DU TYPE NEWTON. LES RESULTATS SONT OBTENUS, EN REGIME STATIONNAIRE, POUR DEUX STRUCTURES DU TYPE P-V ET P-V-N, EN FAISANT VARIER LA DUREE DE VIE AMBIPOLAIRE DE FACON A PASSER D'UN SEMICONDUCTEUR DU TYPE A RELAXATION A UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE. LA SIMULATION, EN REGIME STATIONNAIRE DES STRUCTURES: DIODES P-I-N, SCHOTTKY ET MESFET, PERMET D'ILLUSTRER L'INFLUENCE DE LA PRESENCE DE CENTRES PROFONDS SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES COMPOSANTS. ENFIN, UNE ETUDE DU COMPORTEMENT, EN REGIME TRANSITOIRE, PAR SIMULATION NUMERIQUE, (EXPERIENCE DE HAYNES-SHOCKLEY) MET EN EVIDENCE UN COMPORTEMENT TOTALEMENT DIFFERENT ENTRE UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE ET UN SEMICONDUCTEUR A RELAXATION

Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs

Author : Audrey Valentin
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 233 pages
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Book Synopsis Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs by : Audrey Valentin

Download or read book Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs written by Audrey Valentin and published by . This book was released on 2008 with total page 233 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le cadre d’une étude sur les dispositifs à nanocristaux (NC) de silicium, tels que les mémoires flash à nanocristaux et le transistor à un électron, ce travail de thèse a pour objectif de modéliser avec précision le transport d’électrons par effet tunnel entre deux nanocristaux ; cela impose de tenir compte de l’élargissement des niveaux d’énergie électronique dans les NC induit par le couplage entre les électrons et les phonons. Les modes de vibration des NC de silicium de tailles variables ont dans un premier temps été calculés en utilisant l’Adiabatic Bond Charge Model (ABCM). Les résultats obtenus présentent une très bonne concordance avec les spectres Raman expérimentaux. Les densités d’états (DOS) des nanocristaux de grande taille ont été comparées avec la DOS du silicium massif. Il apparaît que les DOS sont globalement très proches, excepté dans des gammes de fréquences spécifiques où des modes de surface, inexistants dans le cristal massif, ont été identifiés. L’interaction électron-phonon a alors été prise en compte par un calcul de fonctions spectrales. Les fréquences d’interaction électron-phonon obtenues sont très grandes par rapport aux fréquences de transfert tunnel : l’interaction avec les phonons suffit donc à garantir un transport séquentiel. Le transfert tunnel d’un nanocristal à l’autre a été modélisé grâce à ces fonctions spectrales. Le courant à travers un dispositif comprenant deux nanocristaux a été calculé. L’étude de l’influence des différents paramètres sur ce courant à travers le dispositif montre une évolution conforme aux résultats attendus.

Simulation et optimisation du transport automatise dans la fabrication de semi-conducteurs

Author : Téwendé Jean-Etienne Arthur Kiba
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
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Book Synopsis Simulation et optimisation du transport automatise dans la fabrication de semi-conducteurs by : Téwendé Jean-Etienne Arthur Kiba

Download or read book Simulation et optimisation du transport automatise dans la fabrication de semi-conducteurs written by Téwendé Jean-Etienne Arthur Kiba and published by . This book was released on 2010 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Composants essentiels de tout ordinateur, les semi-conducteurs sont utilisés dans de nombreux secteurs. Les percées technologiques dans ce domaine imposent un rythme vertigineux aux industriels. Tous les deux ans environ, la capacité des puces est doublée et leur prix est divisé par deux. Le diamètre des plaquettes de silicium augmente et, regroupées en lots, les plaquettes sont plus lourdes à transporter. Les systèmes automatiques de transport (AMHS) se présentent comme une excellente alternative. Le prix très élevé des équipements de production fait que l'objectif est de saturer les capacités de production. Pour y parvenir, il est important que le système de transport et de stockage garantisse que les machines n'attendent pas des lots disponibles, et aussi que les lots n'attendent pas une machine disponible.Dans la littérature, la complexité du problème (jusqu'à 700 étapes de fabrication, flux réentrants, etc.) fait que les études de modélisation du transport se font avec de fortes hypothèses sur la production ou inversement. Pourtant, le transport est un service pour la production. Cette thèse propose une approche de modélisation permettant d'intégrer le plus fidèlement possible les contraintes de transport, production et stockage, afin d'améliorer les indicateurs clés de la production. Une analyse détaillée du système a permis de construire un modèle de simulation à événements discrets. Enfin, après une validation industrielle, l'étude complète du modèle a permis d'analyser les paramètres critiques de gestion du transport. Les résultats permettent une meilleure compréhension du système et mettent en exergue d'intéressantes perspectives de recherche.

ANALYSE MATHEMATIQUE ET NUMERIQUE DE QUELQUES MODELES DU TRANSPORT DE CHARGES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

Author : FREDERIQUE.. FUCHS
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 93 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

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Book Synopsis ANALYSE MATHEMATIQUE ET NUMERIQUE DE QUELQUES MODELES DU TRANSPORT DE CHARGES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS by : FREDERIQUE.. FUCHS

Download or read book ANALYSE MATHEMATIQUE ET NUMERIQUE DE QUELQUES MODELES DU TRANSPORT DE CHARGES DANS LES SEMI-CONDUCTEURS written by FREDERIQUE.. FUCHS and published by . This book was released on 1995 with total page 93 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE SIMULER LES PHENOMENES DE TRANSPORT DES ELECTRONS DANS LES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS, ON EST AMENE A RESOUDRE NOTAMMENT DES EQUATIONS CINETIQUES (EQUATIONS DE BOLTZMANN) OU DES EQUATIONS FLUIDES (EQUATIONS DE DERIVE-DIFFUSION). LES EQUATIONS DE DERIVE-DIFFUSION PROVIENNENT DE L'ANALYSE ASYMPTOTIQUE DES EQUATIONS DE BOLTZMANN LORSQUE LE LIBRE PARCOURS MOYEN DE L'ELECTRON TEND VERS ZERO. PARMI CES MODELES, ON DISTINGUE LES EQUATIONS NON LINEAIRES DITES DEGENEREES ET LES EQUATIONS LINEAIRES DITES NON DEGENEREES. POUR COMPARER LES MODELES DEGENERES ET NON DEGENERES TANT AU NIVEAU FLUIDE QU'AU NIVEAU CINETIQUE, NOUS SUPPOSONS QUE LA CONCENTRATION DES ELECTRONS EST FAIBLE. NOUS MONTRONS ALORS QUE LES EQUATIONS NON DEGENEREES PROVIENNENT DE L'ANALYSE ASYMPTOTIQUE DES EQUATIONS DEGENEREES LORSQU'UN PARAMETRE LIE A UNE CONCENTRATION MOYENNE DES ELECTRONS TEND VERS ZERO. SUR LE PLAN NUMERIQUE, LE SCHEMA DE SCHARFETTER-GUMMEL EST UTILISE CLASSIQUEMENT POUR DISCRETISER L'EQUATION DE DERIVE-DIFFUSION NON DEGENEREE (OU EQUATION DE SCHOCKLEY). NOUS PROPOSONS DE DISCRETISER L'EQUATION DE DERIVE-DIFFUSION DEGENEREE, DUE A F. POUPAUD ET C. SCHMEISER, AVEC UN SCHEMA DE SCHARFETTER-GUMMEL MODIFIE. ON S'INTERESSE EGALEMENT AU COMPORTEMENT EN TEMPS GRAND DES SOLUTIONS DU SYSTEME D'EQUATIONS COUPLEES BOLTZMANN-POISSON QUI PREND EN COMPTE LE CHAMP ELECTRIQUE, ACCELERATEUR DE LA VITESSE DES ELECTRONS. DANS UN CADRE FONCTIONNEL PEU REGULIER, ON MONTRE QUE LA DISTRIBUTION DES ELECTRONS TEND VERS L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE ET ON DONNE L'EQUATION QUE RESOUT LE POTENTIEL LIMITE. ENFIN, EN SE BASANT SUR DES TRAVAUX DE A. MAJORANA NOUS MONTRONS QUE, DANS LE CAS DES INTERACTIONS ELECTRONS-PHONONS ACOUSTIQUES, L'OPERATEUR DE COLLISION LINEAIRE THERMALISE VERS LA DISTRIBUTION DE MAXWELL CONTRAIREMENT AU CAS DES PHONONS OPTIQUES. CECI NOUS PERMET DE PREDIRE DES APPROXIMATIONS FLUIDES STANDARDS DES EQUATIONS DE BOLTZMANN (CF. LES MODELES DE DERIVE-DIFFUSION DEJA CITES)

Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

Author : Serge Oktyabrsky
Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 1441915478
Total Pages : 451 pages
Book Rating : 4.4/5 (419 download)

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Book Synopsis Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs by : Serge Oktyabrsky

Download or read book Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs written by Serge Oktyabrsky and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2010-03-16 with total page 451 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits. The material covered begins with a review of specific properties of III-V semiconductors and available technologies making them attractive to MOSFET technology, such as band-engineered heterostructures, effect of strain, nanoscale control during epitaxial growth. Due to the lack of thermodynamically stable native oxides on III-V's (such as SiO2 on Si), high-k oxides are the natural choice of dielectrics for III-V MOSFETs. The key challenge of the III-V MOSFET technology is a high-quality, thermodynamically stable gate dielectric that passivates the interface states, similar to SiO2 on Si. Several chapters give a detailed description of materials science and electronic behavior of various dielectrics and related interfaces, as well as physics of fabricated devices and MOSFET fabrication technologies. Topics also include recent progress and understanding of various materials systems; specific issues for electrical measurement of gate stacks and FETs with low and wide bandgap channels and high interface trap density; possible paths of integration of different semiconductor materials on Si platform.

Canadian Journal of Physics

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 1044 pages
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Book Synopsis Canadian Journal of Physics by :

Download or read book Canadian Journal of Physics written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1044 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

MODELES DE TRANSPORT D'ENERGIE DES SEMI-CONDUCTEURS, ETUDES ASYMPTOTIQUES ET RESOLUTION PAR DES ELEMENTS FINIS MIXTES

Author : PHILIPPE.. MONTARNAL
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 165 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

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Book Synopsis MODELES DE TRANSPORT D'ENERGIE DES SEMI-CONDUCTEURS, ETUDES ASYMPTOTIQUES ET RESOLUTION PAR DES ELEMENTS FINIS MIXTES by : PHILIPPE.. MONTARNAL

Download or read book MODELES DE TRANSPORT D'ENERGIE DES SEMI-CONDUCTEURS, ETUDES ASYMPTOTIQUES ET RESOLUTION PAR DES ELEMENTS FINIS MIXTES written by PHILIPPE.. MONTARNAL and published by . This book was released on 1997 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS INTERESSONS DANS CE TRAVAIL A L'ETUDE MATHEMATIQUE ET A LA SIMULATION DES MODELES DE SEMI-CONDUCTEURS INCLUANT UNE EQUATION D'ENERGIE. CE TRAVAIL SE DECOMPOSE EN TROIS PARTIES PRINCIPALES. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ANALYSE ASYMPTOTIQUE DE L'EQUATION DE DERIVE-DIFFUSION DANS LE CAS OU LE TERME DE DIFFUSION DEVIENT NEGLIGEABLE. NOUS MONTRONS QUE LE PROBLEME LIMITE S'EXPRIME SOUS LA FORME D'UN SYSTEME COUPLE EQUATION DE HAMILTON-JACOBI - INEQUATIONS VARIATIONNELLES. DANS LE CAS UNIDIMENSIONNEL NOUS PROUVONS L'UNICITE DE CE PROBLEME LIMITE. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DERIVONS UN MODELE HYDRODYNAMIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS A PARTIR D'UNE EQUATION DE TRANSPORT DE BOLTZMANN CONTENANT DIFFERENTES ECHELLES DE COLLISION. CETTE FORMULATION GENERALISE LES DEUX APPROCHES ACTUELLES (HYDRODYNAMIQUE CLASSIQUE ET TRANSPORT D'ENERGIE). DE PLUS, LE MODELE PROPOSE ADMET UNE FONCTION D'ENTROPIE GLOBALE ET UNE FORME SYMETRIQUE. ENFIN, LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA SIMULATION BIDIMENSIONNELLE DE MODELES HYDRODYNAMIQUE SIMPLIFIE ET DE TRANSPORT D'ENERGIE POUR DES SEMI-CONDUCTEURS A HETEROJONCTIONS. LES METHODES NUMERIQUES UTILISEES COMBINENT DES TECHNIQUES DE TRANSITOIRE ARTIFICIEL, DE RELAXATION PAR BLOCS, DES SCHEMAS DE TYPE ELEMENTS FINIS MIXTES, DES ALGORITHMES DE NEWTON-RAPHSON ET DE GMRES. NOUS PRESENTONS DIFFERENTS RESULTATS DE SIMULATION SUR DES DISPOSITIFS REELS (TRANSISTORS JFET ET HEMT).

Analysis and Simulation of Semiconductor Devices

Author : S. Selberherr
Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 3709187524
Total Pages : 308 pages
Book Rating : 4.7/5 (91 download)

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Book Synopsis Analysis and Simulation of Semiconductor Devices by : S. Selberherr

Download or read book Analysis and Simulation of Semiconductor Devices written by S. Selberherr and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 308 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The invention of semiconductor devices is a fairly recent one, considering classical time scales in human life. The bipolar transistor was announced in 1947, and the MOS transistor, in a practically usable manner, was demonstrated in 1960. From these beginnings the semiconductor device field has grown rapidly. The first integrated circuits, which contained just a few devices, became commercially available in the early 1960s. Immediately thereafter an evolution has taken place so that today, less than 25 years later, the manufacture of integrated circuits with over 400.000 devices per single chip is possible. Coincident with the growth in semiconductor device development, the literature concerning semiconductor device and technology issues has literally exploded. In the last decade about 50.000 papers have been published on these subjects. The advent of so called Very-Large-Scale-Integration (VLSI) has certainly revealed the need for a better understanding of basic device behavior. The miniaturization of the single transistor, which is the major prerequisite for VLSI, nearly led to a breakdown of the classical models of semiconductor devices.