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Etude Des Phenomenes De Transport Dans Les Materiaux Semiconducteurs Par Les Methodes De Monte Carlo
Download Etude Des Phenomenes De Transport Dans Les Materiaux Semiconducteurs Par Les Methodes De Monte Carlo full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Etude Des Phenomenes De Transport Dans Les Materiaux Semiconducteurs Par Les Methodes De Monte Carlo ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation by : Carlo Jacoboni
Download or read book The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation written by Carlo Jacoboni and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1989-10-30 with total page 382 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This volume presents the application of the Monte Carlo method to the simulation of semiconductor devices, reviewing the physics of transport in semiconductors, followed by an introduction to the physics of semiconductor devices.
Book Synopsis Etude des phénomènes de transport dans les matériaux semiconducteurs par les méthodes de Monte Carlo by : Anne Kaszynski
Download or read book Etude des phénomènes de transport dans les matériaux semiconducteurs par les méthodes de Monte Carlo written by Anne Kaszynski and published by . This book was released on 1979 with total page 102 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo by : Jacques Zimmermann (docteur en science physique.)
Download or read book Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo written by Jacques Zimmermann (docteur en science physique.) and published by . This book was released on 1980 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Monte Carlo Device Simulation by : Karl Hess
Download or read book Monte Carlo Device Simulation written by Karl Hess and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 317 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the material properties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such as reliabil ity related hot-electron effects in MOSFETs cannot be understood satisfac torily without using full band Monte Carlo. The IBM simulator DAMOCLES, therefore, represents a landmark of great significance. DAMOCLES sums up the total of Monte Carlo device modeling experience of the past, and reaches with its capabilities and opportunities into the distant future. This book, therefore, begins with a description of the IBM simulator. The second chapter gives an advanced introduction to the physical basis for Monte Carlo simulations and an outlook on why complex effects such as collisional broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro the book. The third chapter ductory material can be found throughout describes a typical relationship of Monte Carlo simulations to experimental data and indicates a major difficulty, the vast number of deformation poten tials required to simulate transport throughout the entire Brillouin zone. The fourth chapter addresses possible further extensions of the Monte Carlo approach and subtleties of the electron-electron interaction.
Book Synopsis Simulation Monte Carlo du transport électronique et des phénomènes de diffusion dans les systèmes à base de semi-conducteurs III-V by : Jean-Luc Thobel
Download or read book Simulation Monte Carlo du transport électronique et des phénomènes de diffusion dans les systèmes à base de semi-conducteurs III-V written by Jean-Luc Thobel and published by . This book was released on 2000 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides by : Eric Tea
Download or read book Résolution de l'equation de transport de boltzmann par une approche Monte Carlo (full-band), application aux cellules solaires à porteurs chauds et aux composants ultra-rapides written by Eric Tea and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est consacrée à l'étude de la dynamique des porteurs de charges sous forte concentration. La méthode Monte Carlo « Full-Band » a été utilisée pour la modélisation du transport et la relaxtion des porteurs de charge dans les semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, GaSb, In0.53Ga0.47As et GaAs0.50Sb0.50). Les structures électroniques ont été calculées par la Méthode des Pseudo-potentiels Non-Locaux Empiriques, ce qui a notamment permis de traiter le cas de l'alliage ternaire GaAs0.50Sb0.50 dans une approche de type Cristal Virtuel, matériau qui souffre d'un manque de caractérisations expérimentales. Dans ces semi-conducteurs polaires fortement dopés, le couplage entre phonons optiques polaires et plasmons a été pris en compte via le calcul de la fonction diélectrique totale incluant les termes associés à l'amortissement dans le système phonon-plasmon auto-cohérents. Ce phénomène de couplage phonon-plasmon, est apparu primordial pour l'analyse de la mobilité des électrons dans GaAs, In0.53Ga0.47As et GaAs0.50Sb0.50 en fonction de la concentration en accepteurs. Dans des semi-conducteurs fortement photo-excités, la relaxation des électrons et des trous a été étudiée en tenant compte du chauffage de la population de phonon (qui ralentit la relaxation des porteurs) avec un modèle Monte Carlo dédié à la dynamique des phonons (Thèse de H. Hamzeh). L'étude a montré que le ralentissement de la relaxation dépend fortement des concentrations de porteurs photo-excités à cause du couplage phonon-plasmon dans ces matériaux. Les processus de génération et recombinaison de porteurs tels que l'absorption optique, la recombinaison radiative, l'ionisation par choc et les recombinaisons Auger, ont été implémentés. Les taux de génération et recombinaison associés sont calculés directement sur les distributions de porteurs modélisées, sans supposer des distributions à l'équilibre. Ces processus sont cruciaux pour l'optimisation de Cellules Solaires à Porteurs Chauds. Le photo-courant de ce type de cellule théorique à haut rendement de 3ème génération avec un absorbeur en In0.53Ga0.47As a été étudié.
Book Synopsis Physics of Submicron Devices by : David K. Ferry
Download or read book Physics of Submicron Devices written by David K. Ferry and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 409 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The purposes of this book are many. First, we must point out that it is not a device book, as a proper treatment of the range of important devices would require a much larger volume even without treating the important physics for submicron devices. Rather, the book is written principally to pull together and present in a single place, and in a (hopefully) uniform treatment, much of the understanding on relevant physics for submicron devices. Indeed, the understand ing that we are trying to convey through this work has existed in the literature for quite some time, but has not been brought to the full attention of those whose business is the making of submicron devices. It should be remarked that much of the important physics that is discussed here may not be found readily in devices at the 1.0-JLm level, but will be found to be dominant at the O.I-JLm level. The range between these two is rapidly being covered as technology moves from the 256K RAM to the 16M RAM chips.
Book Synopsis Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation by : Réza Ardebili
Download or read book Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation written by Réza Ardebili and published by . This book was released on 1992 with total page 303 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EQUATIONS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUE (L'EQUATION DE POISSON ET LES DEUX EQUATIONS DE CONSERVATION DES PARTICULES ELECTRONS ET TROUS PLUS DEUX EQUATIONS DEFINISSANT LES CINETIQUES D'ECHANGE DE DEUX CENTRES PROFONDS DANS LA BANDE INTERDITE) SONT RESOLUES DANS LE CAS D'UN MECANISME DE CONDUCTION AMBIPOLAIRE EN PRESENCE DE PIEGES ET DANS LE CAS DES TRES FAIBLES DUREES DE VIE. LA METHODE DE RESOLUTION CONSISTE EN UNE LINEARISATION DES EQUATIONS DE TRANSPORT PAR LA METHODE DES DIFFERENCES FINIES. LE SYSTEME EST ENSUITE RESOLU PAR UN ALGORITHME COUPLE DU TYPE NEWTON. LES RESULTATS SONT OBTENUS, EN REGIME STATIONNAIRE, POUR DEUX STRUCTURES DU TYPE P-V ET P-V-N, EN FAISANT VARIER LA DUREE DE VIE AMBIPOLAIRE DE FACON A PASSER D'UN SEMICONDUCTEUR DU TYPE A RELAXATION A UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE. LA SIMULATION, EN REGIME STATIONNAIRE DES STRUCTURES: DIODES P-I-N, SCHOTTKY ET MESFET, PERMET D'ILLUSTRER L'INFLUENCE DE LA PRESENCE DE CENTRES PROFONDS SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES COMPOSANTS. ENFIN, UNE ETUDE DU COMPORTEMENT, EN REGIME TRANSITOIRE, PAR SIMULATION NUMERIQUE, (EXPERIENCE DE HAYNES-SHOCKLEY) MET EN EVIDENCE UN COMPORTEMENT TOTALEMENT DIFFERENT ENTRE UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE ET UN SEMICONDUCTEUR A RELAXATION
Book Synopsis Étude des phénomènes de transport dans les gaz d'électrons à deux dimensions dans les hétérojonctions par la méthode de Monte-Carlo by : Yen Wu
Download or read book Étude des phénomènes de transport dans les gaz d'électrons à deux dimensions dans les hétérojonctions par la méthode de Monte-Carlo written by Yen Wu and published by . This book was released on 1988 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: On présente la simulation mise en oeuvre dans ce travail. On décrit les structures de bandes et la méthode de résolution auto-consistante de l'équation de Schrödinger. On étudie les différents types de collisions mis en jeu dans la simulation. On reporte les résultats relatifs à la mobilité et à la vitesse de dérive. On résume, pour finir, les divers aspects de la diffusion, mise en évidence par la simulation.
Book Synopsis Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V by : Catherine Bru-Chevallier
Download or read book Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V written by Catherine Bru-Chevallier and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DANS LE CAS DES COMPOSES GAAS, INP, GAINAS ET D'UNE HETEROJONCTION GAAS/GAALAS PAR MESURE DE PHOTOCOURANT DANS DES ECHANTILLONS DE DIMENSIONS SUBMICRONIQUES. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EXPLOITES PAR SIMULATION NUMERIQUE PAR UN PROGRAMME MONTE CARLO. ON DECRIT LES PROPRIETES DE LA STRUCTURE DE BANDE, LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE STATIONNAIRE ET HORS D'EQUILIBRE
Book Synopsis Etude du transport dans un composant unidimensionnel par la méthode des paquets répartis by : Patrice Houlet
Download or read book Etude du transport dans un composant unidimensionnel par la méthode des paquets répartis written by Patrice Houlet and published by . This book was released on 1995 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EVOLUTION DE LA MICROELECTRONIQUE MODERNE VERS UNE LARGE INTEGRATION (DIMENSIONS ULTRA-SUBMICRONIQUES) ET VERS DES FREQUENCES D'UTILISATION ELEVEES (TERAHERTZ) NECESSITE UNE COMPREHENSION DE PLUS EN PLUS APPROFONDIE DES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT SUR CES ECHELLES DE TEMPS ET DE DISTANCE. LES METHODES DE SIMULATION DU TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS EXISTANTES (MONTE CARLO, RESOLUTION DIRECTE DE L'EQUATION DE BOLTZMANN (EB), ETC.) ONT DES AVANTAGES MAIS AUSSI DES INCONVENIENTS. L'EQUIPE AU SEIN DE LAQUELLE J'AI EFFECTUE CETTE THESE A DEVELOPPE UNE NOUVELLE METHODE DETERMINISTE DE RESOLUTION DE L'EB (METHODE DES PAQUETS REPARTIS) PERMETTANT DE SURMONTER PLUSIEURS DE CES OBSTACLES DANS LE MATERIAU. L'OBJET DE CETTE THESE A ETE DE DEVELOPPER CETTE METHODE, QUI SIMULE LES TRAJECTOIRES DES PARTICULES CHARGEES SOUS L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE ET DES COLLISIONS, DANS LES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS SUBMICRONIQUES UNIDIMENSIONNELS ET DE L'APPLIQUER A L'ETUDE DU REGIME PETIT-SIGNAL DANS LES COMPOSANTS SILICIUM DE TYPE P+PP+. NOUS AVONS DONNE UNE FORMULATION LOCALE DE L'EB PERMETTANT DE SIMPLIFIER LE CALCUL ET L'UTILISATION DES OPERATEURS DU MOUVEMENT DANS L'ESPACE DES PHASES. LES RESULTATS ONT MONTRE UNE BONNE PRECISION SUR LES FONCTIONS DE DISTRIBUTION DES PORTEURS ET SUR LES PARAMETRES DE TRANSPORT EN REGIME TRANSITOIRE, DUS A LA NATURE DETERMINISTE DE LA METHODE. UNE ETUDE PARTICULIERE A ETE CONSACREE AUX MODELES DE CONTACTS. L'ALGORITHME DE LA METHODE A ENSUITE ETE ADAPTE POUR LE CALCUL DES COEFFICIENTS PETITS-SIGNAUX. NOUS AVONS PRESENTE DEUX METHODES DE REPONSE LINEAIRE POUR LE CALCUL DE LA MOBILITE DIFFERENTIELLE DANS LE MATERIAU. DANS LE COMPOSANT, NOUS AVONS MIS AU POINT ET VALIDE PLUSIEURS TECHNIQUES DE REPONSE A TENSION OU COURANT CONSTANT PERMETTANT LE CALCUL DU CHAMP D'IMPEDANCE DIFFERENTIEL ET LE SPECTRE DE L'IMPEDANCE DIFFERENTIELLE. NOUS AVONS DONNE UNE TECHNIQUE DE CALCUL DE L'INFLUENCE D'UNE PERTURBATION LOCALE SUR LES ELECTRODES DU COMPOSANT. CETTE METHODE, BASEE SUR LE PRINCIPE DE LA REPONSE IMPULSIONNELLE, PERMET LE CALCUL DU CHAMP D'IMPEDANCE
Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES DE TRANSPORT DE QUELQUES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS PAR LA METHODE DU TEMPS DE VOL by : R.. STUCK
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DE TRANSPORT DE QUELQUES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS PAR LA METHODE DU TEMPS DE VOL written by R.. STUCK and published by . This book was released on 1976 with total page 72 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON A DETERMINE LES PARAMETRES DES PORTEURS LIBRES DANS DIFFERENTS DETECTEURS DE RAYONNEMENTS GAMMA : GE COMPENSE AU LI, GE ULTRA PUR, TELLURURE DE CADMIUM ET IODURE DE MERCURE. ON DONNE LE RAPPEL DES DIFFERENTS PHENOMENES DE TRANSPORT DE CHARGES DANS LA ZONE DESERTEE D'UNE JONCTION.
Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.
Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 1996 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE
Book Synopsis Modulation-doped Field-effect Transistors by : Heinrich Daembkes
Download or read book Modulation-doped Field-effect Transistors written by Heinrich Daembkes and published by Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE). This book was released on 1991 with total page 544 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Neural Networks written by Gérard Dreyfus and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2005-11-25 with total page 509 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Neural networks represent a powerful data processing technique that has reached maturity and broad application. When clearly understood and appropriately used, they are a mandatory component in the toolbox of any engineer who wants make the best use of the available data, in order to build models, make predictions, mine data, recognize shapes or signals, etc. Ranging from theoretical foundations to real-life applications, this book is intended to provide engineers and researchers with clear methodologies for taking advantage of neural networks in industrial, financial or banking applications, many instances of which are presented in the book. For the benefit of readers wishing to gain deeper knowledge of the topics, the book features appendices that provide theoretical details for greater insight, and algorithmic details for efficient programming and implementation. The chapters have been written by experts and edited to present a coherent and comprehensive, yet not redundant, practically oriented introduction.
Book Synopsis Innovate Bristol by : Sven Boermeester
Download or read book Innovate Bristol written by Sven Boermeester and published by . This book was released on 2019-12 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Innovate Bristol highlights and celebrates those companies and individuals that are actively working at building a better tomorrow for all. Innovation Ecosystems thrive through the involvement and support of companies and individuals from all industries, which is why the Innovate series not only focuses on the innovators but also those people whom the Innovation Ecosystem, would not be able to thrive without.
