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Etude De La Densite Des Etats Localises Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene Intrinseque Ou Dope A Partir De La Mesure Dadmittance De Diodes Schottky En Regime Quasi Stationnaire
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Book Synopsis ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE by : Nadjib Hassani
Download or read book ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE written by Nadjib Hassani and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Book Synopsis Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné by : Jean Dijon
Download or read book Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Book Synopsis Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné by : Didier Jousse
Download or read book Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE