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Etude De Defauts De Structure Apparaissant Dans Le Silicium Apres Recuit Et Lies A La Presence Doxygene
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Book Synopsis Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène by : Colonel Chomard (manager des Forbans).)
Download or read book Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène written by Colonel Chomard (manager des Forbans).) and published by . This book was released on 1976 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène by : Colonel Chomard
Download or read book Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène written by Colonel Chomard and published by . This book was released on 1975 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium by : Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
Download or read book Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium written by Philippe Vendange (auteur en microélectronique).) and published by . This book was released on 1987 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat
Book Synopsis Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium by : Philippe Vendange
Download or read book Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium written by Philippe Vendange and published by . This book was released on 1987 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT
Book Synopsis Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin by : MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD
Download or read book Défauts liés à l'implantation d'hydrogène dans le silicium monocristallin written by MARIE-FRANCE.. BEAUFORT RICHARD and published by . This book was released on 1990 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR DE GRANDES PROFONDEURS DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. TROIS TYPES D'ECHANTILLONS ONT ETE ANALYSES. LE PREMIER ET LE SECOND AYANT RESPECTIVEMENT COMME PLAN DE SURFACE (111) ET (001), PRESENTENT UNE COUCHE IMPLANTEE SITUEE ENTRE 20 M ET 50 M DE LA SURFACE. LE TROISIEME, DE PLAN DE SURFACE (111) EST IMPLANTE DEPUIS LA SURFACE JUSQU'A 50 M. CES DIFFERENTS ECHANTILLONS ONT ETE ETUDIES A LA SUITE DE RECUITS THERMIQUES DANS UNE GAMME DE TEMPERATURE ALLANT DE L'AMBIANTE JUSQU'A 1100#OC. PAR DIFFUSION DIFFUSE DES RX, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LA PRESENCE D'AMAS DE DEFAUTS PONCTUELS (BOUCLES D'INTERSTITIELS 15 ATOMES) DONT LA TAILLE RESTE CONSTANTE JUSQU'A 400#OC DANS LA REGION 0-20 M DES ECHANTILLONS 1 ET 3, MONTRANT AINSI QUE L'HYDROGENE NE PERTURBE PAS LA CINETIQUE DE MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS. L'ETUDE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE COUPES PERPENDICULAIRES A LA SURFACE MET EN EVIDENCE DEUX NOUVEAUX TYPES DE DEFAUTS (A ET B) LIES A L'HYDROGENE, REPARTIS DE MANIERE DIFFERENTE SELON L'ECHANTILLON (1, 2 OU 3) POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES OU EGALES A 300#OC. UNE ETUDE APPROFONDIE DE LA STRUCTURE DE CES DEFAUTS NOUS A CONDUIT A MODELISER LEUR FORMATION ET LEUR CROISSANCE DE MANIERE A RENDRE COMPTE DE LEUR MORPHOLOGIE PARTICULIERE
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE DEFAUTS DANS DES COUCHES EPITAXIALES DE SILICIUM by : REMI.. FERTALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE DEFAUTS DANS DES COUCHES EPITAXIALES DE SILICIUM written by REMI.. FERTALA and published by . This book was released on 1982 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN RAPPEL DE DONNEES SUR SI ET LES PRINCIPAUX DEFAUTS QU'IL PEUT CONTENIR, IL EST MONTRE QUE LA FORMATION DE DEFAUTS DANS LA COUCHE EPITAXIQUE LORS D'UN RECUIT EST LIEE A L'EXISTENCE DE POLLUTIONS DES ECHANTILLONS PAR DES ATOMES METALLIQUES EN FAIBLE CONCENTRATION. LES DEFAUTS REVELES PAR ATTAQUE CHIMIQUE SONT DES DEFAUTS PONCTUELS ET DES DEFAUTS PLANS. ETUDE DETAILLEE DE CES DEFAUTS PLANS PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DU MECANISME D'ACTION DES TRAITEMENTS GETTER
Book Synopsis Etude des défauts induits par recuit laser excimère dans le silicium by : Richard Monflier
Download or read book Etude des défauts induits par recuit laser excimère dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.
Book Synopsis ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM by : DANIEL.. BERTRAND
Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
Book Synopsis IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION by : Dirk Christoph Schmidt
Download or read book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION written by Dirk Christoph Schmidt and published by . This book was released on 1998 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.
Book Synopsis ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM by : OLUSEYI.. ADEKOYA
Download or read book ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM written by OLUSEYI.. ADEKOYA and published by . This book was released on 1987 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE
Book Synopsis ETUDE THEORIQUE DES DEFAUTS DEFICIENTS EN OXYGENE DANS LA SILICE PURE OU DOPEE by : JEROME.. GARAPON
Download or read book ETUDE THEORIQUE DES DEFAUTS DEFICIENTS EN OXYGENE DANS LA SILICE PURE OU DOPEE written by JEROME.. GARAPON and published by . This book was released on 2001 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE DES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS A L'AIDE DE METHODES AB INITIO OU BASEES SUR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE LA DENSITE (DFT) SUR DES DEFAUTS DE NON-STOECHIOMETRIE DANS LES VERRES DE SILICE PURE OU DOPEE GE. LES DEFAUTS CONSIDERES SONT UNE LACUNE NEUTRE D'OXYGENE (V O) ET UN ATOME SI OU GE EN COORDINENCE 2 (SI 0 2, GE 0 2), CARACTERISES EXPERIMENTALEMENT PAR LEUR BANDE D'ABSORPTION A 163 NM ET A 245 NM, RESPECTIVEMENT. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPAUX RESULTATS EXPERIMENTAUX ET THEORIQUES OBTENUS CES CINQUANTE DERNIERES ANNEES. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES, DANS LE DEUXIEME CHAPITRE, A LA FORMATION DE LACUNE DANS GEO 2. EN CALCULANT L'ENERGIE DE TRANSITION SINGULET-TRIPLET D'UNE LIAISON GEGE, NOUS MONTRONS QUE V O(GEGE) PARTICIPE EGALEMENT A LA BANDE D'ABSORPTION A 245 NM. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, NOUS ETUDIONS L'IONISATION DES DEFAUTS SI ET GE EN COORDINENCE 2. NOUS OBSERVONS, LORSQUE L'ENVIRONNEMENT DU DEFAUT EST PRIS EN COMPTE, QUE LA PERTE D'UN ELECTRON ENTRAINE DES MODIFICATIONS STRUCTURALES TRES IMPORTANTES. LES DEFAUTS SI + 2 ET GE + 2 SONT INSTABLES ET RELAXENT DE MANIERE A FORMER UNE NOUVELLE LIAISON AVEC UN OXYGENE PRESENT DANS LE VOISINAGE. APRES UNE ETUDE COMPLETE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES CES NOUVEAUX DEFAUTS AINSI QUE DES STRUCTURES HYPERFINES DES SPECTRES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, NOUS ASSOCIONS CES NOUVEAUX DEFAUTS AUX CENTRES SIE ET GEE. ENFIN, NOUS PROPOSONS DANS LE QUATRIEME CHAPITRE UNE INTERPRETATION DU SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE UV-VISIBLE DES VERRES DE SILICE PURE OU DOPEE. NOUS AVONS EXPLIQUE PAR QUEL MECANISME LES BANDES DE PHOTOLUMINESCENCE DU DEFAUT ODC(II) (SI 0 2) SONT DETECTEES APRES EXCITATION DE ODC(I) (V O). NOUS MONTRONS QU'IL EXISTE UN CHEMIN REACTIONNEL, DANS L'ETAT FONDAMENTAL ET DANS UN ETAT EXCITE TRIPLET, PERMETTANT DE TRANSFORMER UNE LACUNE NEUTRE EN DEFAUT EN COORDINENCE 2.
Book Synopsis ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM by : Mohamed Remram
Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM written by Mohamed Remram and published by . This book was released on 1987 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C
Book Synopsis Etude des défauts électriques dans le silicium recuit par laser by : Mohamed Kechouane
Download or read book Etude des défauts électriques dans le silicium recuit par laser written by Mohamed Kechouane and published by . This book was released on 1983 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE SILICIUM VIERGE ET IMPLANTE-RECUIT PAR LASER CONTINU, PAR DLTS. DANS SI VIERGE, LE RECUIT CREE DEUX CENTRES PROFONDS E(0,45) ET E(0,22) ASSOCIES RESPECTIVEMENT AU COMPLEXE LACUNE-PHOSPHORE ET AU CHROME INTERSTITIEL. L'ETUDE DES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES PAR LASER CONTINU, REVELE LA PRESENCE DE DEUX DEFAUTS PRINCIPAUX H(0,1) ET H(0,44) ATTRIBUES RESPECTIVEMENT AU FER INTERSTITIEL ET AUX PAIRES D'IONS FE::(1)**(+)-B::(5)**(-). L'ETUDE DE SI DE TYPE P RECUIT PAR LASER MONTRE QUE LES DEFAUTS RESIDUELS DANS LES JONCTIONS IMPLANTEES RECUITES SONT CEUX QUI SONT INTRODUITS PAR LE LASER
Book Synopsis ETUDE DES FACES VICINALES DU SILICIUM (100) ET DE LEUR OXYDATION by : Yassine Bensalah
Download or read book ETUDE DES FACES VICINALES DU SILICIUM (100) ET DE LEUR OXYDATION written by Yassine Bensalah and published by . This book was released on 1988 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES FACES VICINALES DE SI(100) DESORIENTEES DANS LA DIRECTION 011 POUR LES ANGLES COMPRIS ENTRE 0 ET 14 NON=, DE LEUR OXYDATION ET DE LA NATURE DES INTERFACES SIO::(2)/SI. CARACTERISATION DES SURFACES PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. COMPARAISON ENTRE L'OXYDATION THERMIQUE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE, L'OXYDATION SOUS FAIBLE PRESSION D'OXYGENE ET L'OXYDATION ASSISTEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE. CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE SIO::(2)/SI MEME DANS LE CAS DES SURFACES VICINALES
Book Synopsis Etude de défauts perturbant la résistivité du silicium monocristallin après recuit sous atmosphère inerte by : Patrick Zunino
Download or read book Etude de défauts perturbant la résistivité du silicium monocristallin après recuit sous atmosphère inerte written by Patrick Zunino and published by . This book was released on 1980 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU BORE DANS LE SILICIUM by : MOURAD.. OMRI
Download or read book DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU BORE DANS LE SILICIUM written by MOURAD.. OMRI and published by . This book was released on 1999 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REALISATION DES JONCTIONS P#+N DE PROFONDEURS INFERIEURES A 100 NM, COMPATIBLES AVEC L'ARCHITECTURE 0,18 M DES COMPOSANTS CMOS, NECESSITE UNE IMPLANTATION DE DOPANT, LE BORE, A DES ENERGIES DE QUELQUES KEV DANS UN SUBSTRAT PREALABLEMENT AMORPHISE, SUIVIE D'UNE ETAPE DE RECUIT THERMIQUE RAPIDE. PENDANT CE PROCEDE, DE NOMBREUX EFFETS TYPIQUES DE SITUATIONS HORS-EQUILIBRE APPARAISSENT TELS LA FORMATION DE DEFAUTS DITS END-OF-RANGE (EOR) ET LA DIFFUSION ACCELEREE ET TRANSITOIRE DU DOPANT, QUI DOIT ETRE COMPRISE AFIN DE SIMULER CORRECTEMENT L'EVOLUTION, AU COURS DES RECUITS, D'ACTIVATION DES PROFILS DE DOPANTS. OR, CES DEUX EFFETS SONT LES RESULTATS D'UNE MEME CAUSE, L'EVOLUTION AU COURS DU RECUIT D'UNE SURSATURATION DE DEFAUTS PONCTUELS : LES ATOMES DE SILICIUM INTERSTITIELS. LA SIMULATION DE LA DIFFUSION ANORMALE DU DOPANT NECESSITE DONC LA CONNAISSANCE DE L'EVOLUTION SPATIO-TEMPORELLE DE CETTE SURSATURATION. CETTE EVOLUTION DEPEND DU TYPE DE DEFAUTS QUI SE FORMENT A L'INTERFACE AMORPHE/CRISTAL ET DE L'EFFICACITE DE LA SURFACE DE LA PLAQUETTE A PIEGER LES INTERSTITIELS. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CONSACRE UNE PREMIERE PARTIE A EVALUER L'EFFICACITE DE PIEGEAGE DE LA SURFACE AU COURS D'UN RECUIT SOUS ATMOSPHERE NEUTRE (ARGON) ET REDUCTRICE (AZOTE), ET, CE, EN ETUDIANT L'EVOLUTION DES BOUCLES DE DISLOCATIONS QUI PRESENTE UN COMPORTEMENT DIFFERENT SELON L'ATMOSPHERE DU RECUIT. UNE ETUDE QUANTITATIVE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION MONTRE QUE, APRES RECUIT SOUS AZOTE, LE NOMBRE D'ATOMES PRIS DANS LES BOUCLES DEPEND DE LA DISTANCE BOUCLES/SURFACE. LES CINETIQUES DE DISSOLUTION DE CES DEFAUTS ONT ETE ETUDIEES ET MODELISEES EN DECRIVANT MATHEMATIQUEMENT UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE TYPE OSTWALD RIPENING NON-CONSERVATIF. NOUS AVONS PU MONTRER QUE LA SURFACE EST UN PIEGE PARFAIT LORS D'UN RECUIT SOUS AZOTE. CEPENDANT, LORS D'UN RECUIT SOUS ARGON, L'EFFICACITE DE RECOMBINAISON EST LARGEMENT REDUITE. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS AVONS ETUDIE LE TYPE ET LA STABILITE DES DEFAUTS EOR POUR DES FAIBLES BILANS THERMIQUES. IL RESSORT DE CETTE ETUDE QU'IL EXISTE PLUSIEURS TYPES DE DEFAUTS QUI EVOLUENT EN PRESENCE D'UNE SURSATURATION PLUS FORTE QUE LEURS SURSATURATIONS D'EQUILIBRE. ENFIN, DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS PROPOSONS LE PRINCIPE D'UN NOUVEAU MODELE CAPABLE DE SIMULER LA DIFFUSION ANORMALE DU BORE DANS LE SILICIUM PREAMORPHISE.
Book Synopsis ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM RECUIT PAR FAISCEAUX D'ELECTRONS PULSES by : Mohammed-Salah Doghmane
Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM RECUIT PAR FAISCEAUX D'ELECTRONS PULSES written by Mohammed-Salah Doghmane and published by . This book was released on 1984 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE
