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Dopage Du Carbure De Silicium Par Implantation Ionique
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Book Synopsis Dopage du carbure de silicium par implantation ionique by : Jocelyn Gimbert
Download or read book Dopage du carbure de silicium par implantation ionique written by Jocelyn Gimbert and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE DOPAGE DU CARBURE DE SILICIUM SIC-6H ET SIC-4H PAR IMPLANTATION IONIQUE, A LA FOIS DES POINTS DE VUE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE. L'OBTENTION DE DOPAGES CONTROLES DE TYPE N ET P EST NECESSAIRE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE HAUTE PUISSANCE ET/OU DE HAUTES FREQUENCES, TELS QUE LES MESFETS OU LES DIODES SCHOTTKY. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHYSIQUES PARTICULIERES DU CARBURE DE SILICIUM ET NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET DE DEVELOPPER UNE TECHNOLOGIE SUR CE MATERIAU. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DE L'IMPLANTATION, ET EN PARTICULIER CELLE DES DOPANTS CLASSIQUES QUE SONT L'AZOTE, POUR LE DOPAGE DE TYPE N, ET L'ALUMINIUM ET LE BORE, POUR LE DOPAGE DE TYPE P. LES RESULTATS OBTENUS AVEC CES DOPANTS SONT DECRITS ET ANALYSES. NOUS EN DEDUISONS LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT UNE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET UN ETAT DE SURFACE ACCEPTABLE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS. NOUS DETAILLONS EGALEMENT, DANS UNE TROISIEME PARTIE, LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES DEUX POLYTYPES SIC-4H ET SIC-6H. NOUS ABORDONS LE PROBLEME DE GEL DES PORTEURS ET CELUI DES DIFFERENTS MODES DE DIFFUSION DES PORTEURS. LES MESURES ELECTRIQUES SONT FAITES ESSENTIELLEMENT PAR EFFET HALL SUR MOTIF DE VAN DER PAUW ET PAR MESURE DE RESISTIVITE AVEC LA METHODE DES 4 POINTES. CELLES-CI NOUS PERMETTENT D'EN DEDUIRE LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UNE COUCHE CONDUCTRICE DOPEE : LE TYPE DU MATERIAU, LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES, LA RESISTIVITE ET LA MOBILITE. LES RESULTATS DES EXPERIENCES REALISEES SONT COMMENTES ET COMPARES A L'ANALYSE THEORIQUE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LA CONDUCTION ELECTRIQUE EST ETUDIEE AFIN D'ENVISAGER LA FABRICATION DE DISPOSITIFS IMPLANTES SUR CARBURE DE SILICIUM.
Book Synopsis Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance by : Mihai Bogdan Lazar
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Book Synopsis Contribution a l'étude de couches minces obtenues par implantation ionique, diffusion en phase solide et pulvérisation cathodique réactive by : André Guivarc'h
Download or read book Contribution a l'étude de couches minces obtenues par implantation ionique, diffusion en phase solide et pulvérisation cathodique réactive written by André Guivarc'h and published by . This book was released on 1980 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans une première partie, étude des processus induits par implantation ionique utilisée en tant que méthode de dopage du silicium et méthode de formation de couches isolantes. La seconde partie traite du problème des interfaces métal-silicium qui occupent une position centrale dans la technologie des circuits intègres: l'étude, axée sur l'aspect métallurgique du problème, est limitée au cas du platine, du molybdène et du chrome, métaux susceptibles de former avec le silicium des composes définis. Enfin, la dernière partie est consacrée a l'élaboration et a la caractérisation d'un matériau nouveau, le carbure de silicium hydrogène dépose en couches minces par pulvérisation cathodique réactive.
Book Synopsis DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D'IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE by : Jean-Claude Müller
Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D'IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES
Book Synopsis Réalisation de jonctions pn dans le SiC-6H par implantation ionique d'aluminium by : Laurent Ottaviani
Download or read book Réalisation de jonctions pn dans le SiC-6H par implantation ionique d'aluminium written by Laurent Ottaviani and published by . This book was released on 1999 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'implantation ionique est la seule technique de dopage local maîtrisable avec le carbure de silicium, la diffusion thermique nécessitant des températures trop élevées pour une industrialisation du procédé. Les principaux atomes dopants utilisés sont l'aluminium et le bore pour le type p, et l'azote pour le type n. Un problème important lié à cette technique réside dans l'activation électrique de l'espèce implantée. La création de l'émetteur de la diode bipolaire p+ nn+ étudiée exige cinq implantations successives d'aluminium, dont les énergies sont échelonnées entre 25 et 300 keV, afin d'obtenir un profil rectangulaire à concentration constante sur une distance précise ( 4.1019 cm•3 sur 0,5 μn). Ce dopage volumique est un dopage visé, c'est-à-dire qu'il est donné dans le cas où l'ionisation est complète. Or, les doses et énergies d'implantation utilisées conduisent à l'endommagement du cristal, et même à son amorphisation sur une certaine profondeur. il est donc nécessaire de pratiquer un recuit du matériau après l'implantation, d'une part pour recristalliser les zones endommagées, et d'autre part pour que les ions implantés diffusent localement sur des sites substitutionnels afin d'être électriquement actifs. Une étude complète visant à l'optimisation de la jonction électrique a été menée. Les paramètres spécifiquement liés à l'implantation ionique, tels que la valeur des angles d'implantations, la température et l'ordre énergétique, ont permis de contrôler la forme du profil de la jonction ainsi que l'endommagement du matériau. L'influence du recuit sur la stoechiométrie de surface, la cristallinité et l'activation électrique a également été dégagée, afin de choisir la meilleure configuration du four à induction, conduisant à un taux de mise en substitution des dopants proche de l'unité. Enfin, l'ensemble du procédé a été validé par la conception et la caractérisation de diodes bipolaires et Schottky.
Book Synopsis Activation des dopants implantés dans le carbure de silicium (3C-SiC et 4H-SiC) by : Song, Xi
Download or read book Activation des dopants implantés dans le carbure de silicium (3C-SiC et 4H-SiC) written by Song, Xi and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse sont consacrés à l'étude de l'activation des dopants implantés dans le carbure de silicium. L'objectif est de proposer des conditions d'implantation optimisées pour réaliser le dopage de type n dans le 3C-SiC et de type p dans le 4H-SiC.Nous avons tout d'abord étudié les implantations de type n dans le 3C-SiC. Pour cela, des implantations de N, de P et une co-implantation N&P avec les recuits d'activation associés ont été étudiés. L'implantation d'azote suivie d'un recuit à 1400°C-30min a permis une activation proche de 100% tout en conservant une bonne qualité cristalline. Une étude sur les propriétés électriques des défauts étendus dans le 3C-SiC a également été réalisée. A l'aide de mesures SSRM, nous avons mis en évidence l'activité électrique de ces défauts, ce qui rend difficile la réalisation de composants électroniques sur le 3C-SiC.Nous avons ensuite réalisé une étude du dopage de type p par implantation d'Al dans le 4H-SiC, en fonction de la température d'implantation et du recuit d'activation. Nous avons pu montrer qu'une implantation à 200°C suivie d'un recuit à 1850°C-30min donne les meilleures résultats en termes de propriétés physiques et électriques.
Book Synopsis Formation et caractérisation de jonctions PN dans du SiC-4H par implantation ionique et recuit laser by : Christian Dutto
Download or read book Formation et caractérisation de jonctions PN dans du SiC-4H par implantation ionique et recuit laser written by Christian Dutto and published by . This book was released on 2003 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le dopage du carbure de silicium SiC-4H par implantation ionique et recuit laser. L'élaboration de diodes Schottky de type n, très adaptée au SiC, et l'amélioration de leur tenue en tension requièrent de fabriquer de façon reproductible un anneau de garde périphérique de type p autour de la zone active.Dans un premier chapitre, les atouts, propriétés et applications usuelles du SiC sont introduites. Dans une deuxième partie nous décrivons les mécanismes physiques de l'implantation et de l'analyse RBS. Les seuils d'amorphisation et énergies de déplacement effectives du 4H suite à une implantation d'aluminium à 300 K sont présentés. L'activation des dopants et du gel des porteurs ainsi qu'un bilan des résultats obtenus par recuit conventionnel sont abordés. L'interaction laser-matière et le modèle thermique font l'objet d'un troisième chapitre. La modélisation numérique de l'échauffement laser du SiC amorphe et cristallin et les résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales publiées sur le sujet. Enfin, les propriétés physiques (qualité cristalline, rugosité et stoechiométrie de surface) et électriques (résistivités) des couches irradiées sont détaillées. L'analyse des résultats nous ont permis d'étudier un lot électrique SiC mettant en jeu le procédé laser. Les caractéristiques I-V-T et les tenues en tension de diodes bipolaires MESA sont présentées. L'influence des paramètres technologiques et les perspectives d'optimisation du procédé de dopage laser sont discutées.
Book Synopsis L'étude du dopage de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur by : Denis David
Download or read book L'étude du dopage de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur written by Denis David and published by . This book was released on 1995 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Silicon written by Paul Siffert and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-03-09 with total page 552 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: With topics ranging from epitaxy through lattice defects and doping to quantum computation, this book provides a personalized survey of the development and use of silicon, the basis for the revolutionary changes in our lives sometimes called "The Silicon Age." Beginning with the very first developments more than 50 years ago, this reports on all aspects of silicon and silicon technology up to its use in exciting new technologies, including a glance at possible future developments.
Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1976 with total page 380 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Physics Briefs written by and published by . This book was released on 1983 with total page 746 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Book Synopsis Power Electronics Semiconductor Devices by : Robert Perret
Download or read book Power Electronics Semiconductor Devices written by Robert Perret and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-01 with total page 381 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
Book Synopsis Ceramic Materials by : Philippe Boch
Download or read book Ceramic Materials written by Philippe Boch and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2010-01-05 with total page 593 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is primarily an introduction to the vast family of ceramic materials. The first part is devoted to the basics of ceramics and processes: raw materials, powders synthesis, shaping and sintering. It discusses traditional ceramics as well as “technical” ceramics – both oxide and non-oxide – which have multiple developments. The second part focuses on properties and applications, and discusses both structural and functional ceramics, including bioceramics. The fields of abrasion, cutting and tribology illustrate the importance of mechanical properties. It also deals with the questions/answers of a ceramicist regarding electronuclear technology. As chemistry is an essential discipline for ceramicists, the book shows, in particular, what soft chemistry can contribute as a result of sol-gel methods.
Book Synopsis Graphite and Precursors by : Pierre Delhaes
Download or read book Graphite and Precursors written by Pierre Delhaes and published by CRC Press. This book was released on 2000-12-21 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Humans first used carbon as chars from firewood in ritual paintings and primitive metallurgical processes. Natural forms of carbon have been known since antiquity, yet the knowledge of the carbon element in chemistry and its technical applications on a larger scale are a relatively recent development. The industrial revolution in Europe two centuries ago led the way to the numerous applications of these graphitic forms that are still used today. Graphite and Precursors features short tutorial articles on different topics related to the science and technology of carbons intended for engineers, students of Materials Science and scientists who are seeking a fundamental understanding without "reinventing the wheel." This first volume of the World of Carbon book series focuses on graphite and its precursors, including its origin and various implications. The basic properties of hexagonal graphite are developed, and several theoretical and experimental approaches explain why this crystalline solid is fascinating in solid state physics. Also featured are the numerous applications connected to thermal, mechanical and chemical graphites, as well as their various industrial uses in polycrystalline form. Finally, carbon precursors are introduced.
Book Synopsis Theory of Defects in Solids by : A. M. Stoneham
Download or read book Theory of Defects in Solids written by A. M. Stoneham and published by Oxford University Press. This book was released on 2001 with total page 982 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book surveys the theory of defects in solids, concentrating on the electronic structure of point defects in insulators and semiconductors. The relations between different approaches are described, and the predictions of the theory compared critically with experiment. The physical assumptions and approximations are emphasized. The book begins with the perfect solid, then reviews the main methods of calculating defect energy levels and wave functions. The calculation and observable defect properties is discussed, and finally, the theory is applied to a range of defects that are very different in nature. This book is intended for research workers and graduate students interested in solid-state physics. From reviews of the hardback: 'It is unique and of great value to all interested in the basic aspects of defects in solids.' Physics Today 'This is a particularly worthy book, one which has long been needed by the theoretician and experimentalist alike.' Nature
Book Synopsis Flexoelectricity in Liquid Crystals by : Agnes Buka
Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
