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Croissance Metamorphique Par Epitaxie Par Jets Moleculaires Et Caracterisations Physiques Pour Transistor Bipolaire A Heterojonction Inp Ingaas Sur Gaas
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Book Synopsis Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs by : Éric Lefebvre
Download or read book Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs written by Éric Lefebvre and published by . This book was released on 2005 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction fonctionnent à hautes fréquences sous des tensions d'environ 5V, en particulier dans le système de matériaux InP/InGaAs. Il est souhaitable d'obtenir ces performances non pas sur InP mais sur GaAs, substrat plus robuste, disponible en taille supérieure et préféré en industrie. Un buffer métamorphique GaAs → InP est alors requis pour relaxer la contrainte due au désaccord de paramètre de maille. Cette thèse porte sur la croissance par Epitaxle par Jets Moléculaires pour de tels buffers et pour des TBH InP/lnGaAs à base fortement dopée au béryllium. Les buffers sont évalués via un protocole expérimental dédié au TBH, associant des caractérisations "matériaux" (photoluminescence, Double Diffraction des rayons X, microscopies optique et à force atomique AFM) et électriques (diodes métamorphiques). Nous comparons ainsi les deux processus de relaxation possibles: avec introduction progressive de la contrainte sur buffer graduel In(Ga)AIAs, abrupte sur buffer uniforme InP. Le rôle de la cinétique des adatomes III en front de croissance sur le processus graduel est démontré. Les performances des TBH métamorphiques InP/InGaAs épitaxiés sur GaAs via un buffer graduel InGaAIAs sont au final proches de celles des TBH de référence sur InP.
Book Synopsis CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET CARACTERISATION DU SYSTEME ALGAINAS SUR INP ET APPLICATION AUX TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS by : Jean-Pierre Praseuth
Download or read book CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET CARACTERISATION DU SYSTEME ALGAINAS SUR INP ET APPLICATION AUX TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS written by Jean-Pierre Praseuth and published by . This book was released on 1987 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEVELOPPEMENT D'UNE METHODE ORIGINALE DE CROISSANCE. L'UTILISATION DE DEUX CELLULES DE IN PERMET LA CROISSANCE SUPERPOSEE DE AL::(0,48)IN::(0,52)AS ET DE GA::(0,47)IN::(0,53)AS. L'AJUSTEMENT DE LA VITESSE DE CROISSANCE RESPECTIVE DES DEUX TERNAIRES PERMET D'OBTENIR (AL::(0,48)IN::(0,52)AS)::(Z) (GA::(0,47)IN::(0,53)AS)::(1-Z) POUR TOUTES LES COMPOSITIONS DESIREES (0
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés by : Sébastien Dhellemmes
Download or read book Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés written by Sébastien Dhellemmes and published by . This book was released on 2006 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La montée en fréquence des composants renforce l'intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d'envisager des perspectives industrielles pour l'Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C'est l'objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l'IEMN, au sein duquel s'est déroulée cette thèse. Plusieurs aspects de l'EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ont été caractérisées au moyen d'une structure HEMT sensible à la qualité de l'interface. Les propriétés électriques de ces structures sont comparables à celles mesurées sur des couches élaborées dans un bâti d'EJM de recherche. L'effet mémoire du bâti est faible, et des interfaces de bonne qualité peuvent être obtenues pour des arrêts de croissance courts voire nuls. Le fort dopage « p » de l'InGaAs, point important de la réalisation des transistors bipolaires à hétérojonction, a été réalisé au moyen d'une source de CBr4. La diffusion des dopants est faible et la jonction p-n obtenue est proche de l'idéalité. Les flux de cellules d'EJM ont été modélisés par la méthode de Monte Carlo. Les cellules coniques permettent d'obtenir une bonne uniformité avec des variations inférieures à +/- 1 % sur l'ensemble du plateau porte-substrats mais souffrent d'une chute rapide du flux lorsque le remplissage diminue. Les cellules cylindriques munies d'un insert permettent d'atteindre une bonne stabilité du flux en intensité mais le flux devient plus directif à mesure que le niveau baisse.
Book Synopsis Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT by : Bouchta Layati
Download or read book Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP à dopage planaire pour application aux transistors HEMT written by Bouchta Layati and published by . This book was released on 1996 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Grâce à l'optimisation des paramètres de croissance, les performances des hétérostructures épitaxiées sont d'un niveau élevé (ns de 3 10#1#2 cm-2 et une mobilité de 42000 cm2/vs dans le gaz pour une structure comprenant un dopage planaire avant de 5 10#1#2 cm-2 et une couche active contrainte à 75% d'indium). L'association des deux types d'interface au niveau de la même couche active de GaInAs permet d'augmenter de manière importante la densité d'électrons transférée dans le gaz en gardant une mobilité électronique élevée (ns de 6 10#1#2 cm-2 et de 31000 cm2/vs avec un dopage arrière de 3 10#1#2 cm-2, un dopage avant de 5 10#1#2 cm-2 et une couche active contrainte à 70%). Enfin des transistors HEMT à grille submicronique réalisés à partir des couches épitaxiées ont été caractérisés en statique et dans le domaine des hyperfréquences. Les très bonnes performances obtenues (courant drain de 1 a/mm, fmax de 300 GHz, facteur de bruit inférieur à 0.8db) confirment le choix des conditions de croissance
Book Synopsis Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences by : Olivier Schuler
Download or read book Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux AlGaInP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences written by Olivier Schuler and published by . This book was released on 1998 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les applications actuelles de la micro-electronique requierent des composants de plus en plus rapides. Dans cette perspective, nous avons mis en evidence les potentialites des materiaux phosphores (alga)inp sur gaas elabores par epitaxie par jets moleculaires a sources gazeuses. Nous avons, tout d'abord, effectue des calculs afin d'extraire les principales caracteristiques physiques des alliages relaxes et contraints. Nous avons optimise les conditions de croissance des alliages (al#xga#1##x)#0#,#5#0in#0#,#5#0p en accord de maille et determine experimentalement la transition gap direct - gap indirect. Le dopage volumique et par plans a revele la presence de pieges pour des alliages riches en aluminium. La relaxation des alliages gainp contraints en tension et en compression a ete observee par diffraction d'electrons ; nous montrons que les alliages contraints en tension peuvent etre le siege d'une decomposition spinodale. Si la croissance des materiaux massifs n'a pas pose de problemes, il n'en a pas ete de meme lors de la realisation des premieres heterostructures. Des mesures de photoluminescence ont revele des interfaces arseniures-phosphures diffuses. Le profil de composition en elements v aux interfaces a ete determine par xps et nous avons montre que le caractere diffus des interfaces est cause par des effets extrinseques lies au dispositif experimental. Nous avons propose une methode originale d'habillage de l'interface par alinp, pour obtenir de bonnes caracteristiques de transfert des electrons dans les simples et doubles heterojonctions.
Book Synopsis Croissance par epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP a dopage planaire pour application aux transistors HEMT by : Bouchta Layati
Download or read book Croissance par epitaxie par jets moleculaires d'heterostructures AlInAs/Ga1-xInxAs/InP a dopage planaire pour application aux transistors HEMT written by Bouchta Layati and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET ETUDE OPTIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES TRES CONTRAINTES INAS/GAAS by : JEAN-MICHEL.. GERARD
Download or read book CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET ETUDE OPTIQUE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES HETEROSTRUCTURES TRES CONTRAINTES INAS/GAAS written by JEAN-MICHEL.. GERARD and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS QUELQUES PROPRIETES DES STRUCTURES SEMICONDUCTRICES TRES CONTRAINTES INAS/GAAS. DE PAR LE FORT DESACCORD RELATIF DE PARAMETRE DE MAILLE CRISTALLINE ENTRE INAS ET GAAS (7%) CES STRUCTURES TENDENT NATURELLEMENT A ADOPTER UN MODE DE CROISSANCE TRIDIMENSIONNEL DANS DES CONDITIONS USUELLES DE CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRE. LA DEPOSITION ALTERNEE DES COUCHES ATOMIQUES DES ELEMENTS III ET DE L'ARSENIC A BASSE TEMPERATURE (350C) FORCE UN MODE DE CROISSANCE BIDIMENSIONNEL DE CES COUCHES CONTRAINTES. CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES MODULES PERMET AINSI D'OBTENIR DES SUPER-RESEAUX INAS/AS STABLES ET DE BONNE QUALITE STRUCTURALE ET OPTIQUE. UNE ETUDE OPTIQUE (LUMINESCENCE, SPECTROSCOPIE D'EXCITATION, ABSORPTION) DE PUITS MINCES D'INAS DANS GAAS, ET DE SUPERRESEAUX DE COURTE PERIODE INAS/GAAS APPROXIMATIVEMENT ACCORDES A INP NOUS PERMET DE DETERMINER LA CONFIGURATION DE BANDES A L'INTERFACE INAS/GAAS POUR CES DEUX ETATS DE CONTRAINTE, ET L'AMPLITUDE DE L'EFFET DE SEGREGATION D'INDIUM EN SURFACE, RESPONSABLE D'ECARTS AUX PROFILS DE COMPOSITION NOMINAUX. NOUS MONTRONS AUSSI QUE L'ALLIAGE ORDONNE (INAS)#2(GAAS)#2 ET L'ALLIAGE (INGA)AS DE MEME COMPOSITION MOYENNE ONT DES STRUCTURES DE BANDES TRES SIMILAIRES AU VOISINAGE DU CENTRE DE ZONE DE BRILLOUIN DANS LA DIRECTION DE CROISSANCE. L'ANALYSE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX S'APPUIE SUR UN MODELE DE FONCTIONS ENVELOPPES ORIGINAL PRENANT CORRECTEMENT EN COMPTE LE FORT COUPLAGE ENTRE BANDES LEGERES DE VALENCE DU AUX CONTRAINTES INTERNES. LA SUBSTITUTION ISOELECTRONIQUE D'UNE COUCHE MINCE ET L'ETUDE OPTIQUE DE L'EFFET DE CETTE PERTURBATION LOCALISEE PERMETTENT D'ETUDIER LES PROPRIETES ELECTRONIQUES D'UNE HETEROSTRUCTURE SOUS UN ANGLE LOCAL: LA DEPENDANCE SPATIALE DES DENSITES DE PROBABILITE DES ETATS ELECTRONIQUES CONFINES ET CELLE DE LA DENSITE DE CENTRES RECOMBINANTS NON RADIATIFS SONT ETUDIEES POUR UN PUITS QUANTIQUE GAAS/GAALAS. CETTE TECHNIQUE PERMET EGALEMENT UNE IDENTIFICATION DIRECTE ET SURE DE LA CONFIGURATION DE BANDES DES SUPERRESEAUX
Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES D'HETEROSTRUCTURES INP/GA#0#.#4#7IN#0#.#5#3AS by : LALLA FATIHA.. ALOUI
Download or read book EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES D'HETEROSTRUCTURES INP/GA#0#.#4#7IN#0#.#5#3AS written by LALLA FATIHA.. ALOUI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC), NOUVELLE METHODE DE CROISSANCE, COMBINE LA MAJORITE DES AVANTAGES DES DEUX TECHNIQUES MERES. L'EPITAXIE PAR ORGANOMETALLIQUES (EOM) ET L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT DECRIT ET DEMONTRE EXPERIMENTALEMENT CERTAINS AVANTAGES OFFERTS PAR CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE. DE PLUS, CETTE ETUDE CONSTITUE UNE PREMIERE VALIDATION DE CETTE METHODE DE CROISSANCE PAR L'OBTENTION, DANS LE SYSTEME DE SEMICONDUCTEURS INP/GAINAS, DE COUCHES PURES, DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET DE COMPOSANTS D'EMISSION LASER. L'EQUIPEMENT EXPERIMENTAL MIS AU POINT ET SON OPTIMISATION, NOTAMMENT DE LA PARTIE D'INTRODUCTION DES SOURCES GAZEUSES, SONT D'ABORD PRESENTES. L'ETUDE PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE DES COMPOSES GAAS, GAINAS ET INP, POUR SURTOUT MINIMISER L'INCORPORATION DU CARBONE QUI APPARAIT ETRE L'IMPURETE RESIDUELLE MAJORITAIRE. DES COUCHES INP AVEC UN DOPAGE INTRINSEQUE AUSSI FAIBLE QUE 2 10#1#4 CM##3 ET UNE MOBILITE DE 112000 A 77 K ONT AUSSI ETE OBTENUES. UN MODELE POUR EXPLIQUER L'INCORPORATION OBSERVE AU CARBONE ET SON ACTIVITE ELECTRIQUE DANS CES DIFFERENTS SEMICONDUCTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE ET DU RAPPORT V/III EST AUSSI DISCUTE. L'INCORPORATION VOLONTAIRE D'IMPURETES DOPANTES DE TYPE N (SI) ET P (BE) EVAPORES A PARTIR DE SOURCES SOLIDES EST AUSSI ETUDIE. LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SONT ENFIN DEMONTREES PAR L'EPITAXIE SANS INTERRUPTION DE CROISSANCE AUX HETERO-INTERFACES DE STRUCTURES INP/GAINAS AUSSI MINCES QUE 12 A ET CELLE DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER AVEC UN COURANT DE SEUIL DE 1,3 KA/CM#2
Book Synopsis OPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE by : RAMZI.. BOURGUIGA
Download or read book OPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE written by RAMZI.. BOURGUIGA and published by . This book was released on 1994 with total page 297 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS A FORT DOPAGE DE BASE, AFIN DE DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT ET AMELIORER AINSI LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ETUDE ET LA QUALIFICATION D'UNE STRUCTURE TBH GAINP/GAAS REALISEE EN EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE AVEC UNE BASE FORTEMENT DOPEE AU CARBONE. L'UTILISATION DU MATERIAU GAINP PERMET DE DISPOSER D'UNE GRAVURE SELECTIVE DU MESA D'EMETTEUR ET DE DIMINUER LE COURANT DE RECOMBINAISON DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE. UNE NOUVELLE STRUCTURE TBH AVEC UNE FINE COUCHE DE GAINP INSEREE ENTRE L'EMETTEUR EN GAALAS ET LA BASE EN GAAS A ETE ETUDIEE ET QUALIFIEE. L'EPAISSEUR DE LA COUCHE GAINP A ETE OPTIMISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE TOUT EN CONSERVANT UNE FAIBLE RESISTIVITE DU CONTACT DE TYPE P DEPOSE DIRECTEMENT SUR LA COUCHE DE GAINP DE TYPE N. CETTE COUCHE DE GAINP RECOUVRE LA BASE EXTRINSEQUE ET PERMET D'ELIMINER LES COURANTS DE RECOMBINAISON DE SURFACE. DANS LA PARTIE SUIVANTE, L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DYNAMIQUES SUR LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TBH A ETE ANALYSEE. NOUS AVONS DEMONTREE QUE LE TEMPS DE TRANSIT INTRINSEQUE JOUE UN ROLE PREPONDERANT. POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE, NOUS AVONS OPTIMISE UNE STRUCTURE QUI COMPORTE UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE BASE GRADUELLE EN COMPOSITION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE DES STRUCTURES POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR. L'ANALYSE DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE BASE-COLLECTEUR MONTRE L'INFLUENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR LE TEMPS DE TRANSIT DANS CETTE ZONE. L'UTILISATION D'UN COLLECTEUR DE TYPE P OU DE TYPE P-N PERMET DE CONSERVER LES ELECTRONS EN REGIME DE SURVITESSE SUR UNE DISTANCE PLUS GRANDE DANS LE COLLECTEUR, CE QUI REDUIT LE TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS. POUR VALIDER CETTE ETUDE, NOUS AVONS SPECIFIE DES STRUCTURES EPITAXIALES ET REALISE DES TBH DE PETITE DIMENSION EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA. NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODOLOGIE POUR EXTRAIRE DES MESURES DYNAMIQUES LES DIFFERENTS PARAMETRES. NOUS AVONS DEMONTRE QUE LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE POUR UNE STRUCTURE TBH PRESENTANT UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE GRADUALITE DE COMPOSITION DANS LA BASE EST TRES FAIBLE, DE L'ORDRE DE 0,5 PS. CETTE VALEUR EST 60% PLUS FAIBLE QUE CELLE OBTENUE DANS UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE DE MEME EPAISSEUR (1,3 PS). NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UNE FORTE REDUCTION DU TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR POUR UNE STRUCTURE A COLLECTEUR P-N, 1,5 PS CONTRE 2,6PS POUR UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE, CE QUI CORRESPOND A UNE REDUCTION DE 40%
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA by : BAMUENI.. BIMUALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
