Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires by : Michel Thouy

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Contribution à l'étude de l'effecacité d'injection des transistors bipolaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude de l'effecacité d'injection des transistors bipolaires by :

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Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x

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Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine

Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v

Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.)

Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE FINE DES DIVERS MECANISMES QUI AFFECTENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IDENTIFICATION A PARTIR D'UNE FORMULATION NOUVELLE DES EQUATIONS GENERALES DES SEMICONDUCTEURS, DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR LAMELLAIRE. INFLUENCE DES PHENOMENES DE DEGENERESCENCE SUR LE RDT D'INJECTION DU COMPOSANT. EFFETS DE HAUTE INJECTION. PHENOMENES DE CONDUCTION DANS LA BASE. COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME DYNAMIQUE.

Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors (bipolaires et à effet de champ à jonctions).

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Book Synopsis Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors (bipolaires et à effet de champ à jonctions). by : Joseph Borel

Download or read book Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors (bipolaires et à effet de champ à jonctions). written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 108 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors bipolaires et à effet de champ à jonctions

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Book Synopsis Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors bipolaires et à effet de champ à jonctions by : Joseph Borel

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Contribution à l'étude de structures logiques à transistors bipolaires complémentaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude de structures logiques à transistors bipolaires complémentaires by : Mohamed Lakhloufi

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Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé

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Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence

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Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence by : Antonio Muñoz Yagüe

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CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET TECHNOLOGIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL ; APPLICABILITE A LA REALISATION DE FORTES LOGIQUES BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES

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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET TECHNOLOGIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL ; APPLICABILITE A LA REALISATION DE FORTES LOGIQUES BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES by : Mohamed Lakhloufi

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Contribution a l'etude de l'emetteur polycristallin du transistor bipolaire dans un procede Bicmos haute frequence

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Book Synopsis Contribution a l'etude de l'emetteur polycristallin du transistor bipolaire dans un procede Bicmos haute frequence by : Alain Moretto

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CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD

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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD by : P.. CAZENAVE

Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD written by P.. CAZENAVE and published by . This book was released on 1973 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSIDERATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES TRANSISTORS D'ETUDE (RAPPEL DE LA TECHNOLOGIE PLANAR, DESCRIPTION DES GEOMETRIES UTILISEES, ETUDE DES PROFILS DE DIFFUSION ET DU PHENOMENE DE REPULSION DE BASE, ETUDE DES ELEMENTS PARASITES D'ACCES AU TRANSISTOR). VUE D'ENSEMBLE SUR LES MODELES MATHEMATIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELES NON LINEAIRES DU TYPE EBERS MOLL, REPARTIS, DE LINVILL, DE BEAUFOY ET SPARKES ET MODELES LINEAIRES). ELEMENTS D'ETUDE STATISTIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELE IBIS ET APPLICATION DE CE MODELE AUX TRANSISTORS D'ETUDE, CONSIDERATIONS SUR CERTAINES INSUFFISANCES DU MODELE IBIS). APPLICATION DU MODELE DYNAMIQUE BIRD AUX TRANSISTORS HYPERFREQUENCES

Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium

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Book Synopsis Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium by : Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).)

Download or read book Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium written by Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).) and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est une contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium. Il présente tout d'abord deux méthodes originales permettant de réduire la Capacité extrinsèque Base-Collecteur, d'augmenter la tension de claquage Base-Collecteur, d'augmenter la tension Early VA, d'augmenter le gain en puissance maximal Gpmax et d'augmenter la fréquence de transition FT. Il présente ensuite un nouveau transistor, de structure hybride entre le NPN vertical et le NPN latéral, baptisé bipolaire-CLEV (à Collecteur Latéral-Emetteur Vertical). Ce travail est généralisable à d'autres technologies de transistors hyperfréquences telles que les transistors à substrats III-V ou les transistors à hétérojonctions.

Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes

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Book Synopsis Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes by : Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.)

Download or read book Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes written by Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1979 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN RAYONNEMENT IONISANT SUR LES PROPRIETES DE BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS. LES PROBLEMES D'IRRADIATION ET DE SURFACE SONT TRES LIES DE SORTE QUE LE RAYONNEMENT CONSTITUE UN OUTIL PERMETTANT DE MIEUX CONNAITRE LES PTES DE SURFACE ET LEUR INFLUENCE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU COMPOSANT. DESCRIPTION DU PROCEDE DE FABRICATION, ET A PARTIR DE L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES EN REGIME STATIQUE ET DU BRUIT DE FOND AUX BF ET MF, IDENTIFICATION DES MECANISMES PHYSIQUES REGISSANT LE COMPORTEMENT DES ZONES SUPERFICIELLES ET ESTIMATION DES PARAMETRES SPECIFIQUES DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE L'INTERFACE. INFLUENCE DU RAYONNEMENT, ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION, ETUDE DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE SURFACE INFLUENCANT LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR ET IDENTIFICATION DES PHENOMENES PHYSIQUES. MISE EN EVIDENCE DES EFFETS DE RADIATION SUR LES SOURCES DE BRUIT. REGLES DE POLARISATION POUR MINIMISER LES EFFETS DE RAYONNEMENTS SUR LE BRUIT DE FOND

Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes

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Book Synopsis Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes by : M. Roux - Nogatchewsky

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Contribution à l'étude des effets d'élargissement de base dans les transistors bipolaire

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Book Synopsis Contribution à l'étude des effets d'élargissement de base dans les transistors bipolaire by : Françoise Lozes-Dupuy

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Contribution à l'étude du comportement thermique et des dispersions de fabrication des transistors bipolaires

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Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement thermique et des dispersions de fabrication des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Daubonne

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