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Contribution A La Modelisation Des Transistors Mos Silicium Sur Isolant
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Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant by : Eric Mazaleyrat
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant written by Eric Mazaleyrat and published by . This book was released on 1988 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Book Synopsis Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant by : Hachemi Serghir
Download or read book Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant written by Hachemi Serghir and published by . This book was released on 1995 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES MATERIAUX ET DES DISPOSITIFS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI). DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS PRESENTONS LES DIFFERENTES TECHNOLOGIES DES SUBSTRATS SOI ET LEUR INTERET POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS RAPPELONS ENSUITE LES PHENOMENES SPECIFIQUES DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR CES SUBSTRATS. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE A LA MODELISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN PSEUDO-TRANSISTOR MOS REALISE SUR UN SUBSTRAT SIMOX. LE GRAND NOMBRE DE PARAMETRES ELECTRIQUES ET TECHNOLOGIQUES DETERMINE EST SUFFISANT POUR L'OPTIMISATION DU MATERIAU SOI ET POUR AVOIR UNE IDEE PREALABLE SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS A REALISER SUR CES SUBSTRATS. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA TECHNIQUE DU COURANT DE POMPAGE DE CHARGE ET LA MESURE DU COURANT DE FUITE SONT UTILISEES POUR MODELISER ET CARACTERISER LA DIODE CONTROLEE PAR GRILLE. LA MESURE DE CES DEUX COURANTS ELECTRIQUES PERMET LA DETERMINATION DES DEFAUTS EN VOLUME DE LA COUCHE DE SI ET AUX DEUX INTERFACES SI/SIO2. LE PHENOMENE DE COUPLAGE D'INTERFACES EST ILLUSTRE SUR PLUSIEURS CARACTERISTIQUES DES DEUX COURANTS. LE DERNIER CHAPITRE TRAITE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI. NOUS MONTRONS QUE LES CARACTERISTIQUES DE CES TRANSISTORS ET EN PARTICULIER LES TMOS TOTALEMENT DESERTES SONT MOINS DEGRADES AVEC LA TEMPERATURE QUE CELLES DES TRANSISTORS SUR SUBSTRATS MASSIFS. NOUS PROPOSONS DES RELATIONS EMPIRIQUES GOUVERNANT LA VARIATION DE CERTAINS PARAMETRES DU TRANSISTOR AVEC LA TEMPERATURE
Book Synopsis Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière by : Francis Balestra
Download or read book Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière written by Francis Balestra and published by . This book was released on 1985 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-ISOLANT. REALISATION D'UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE, BASE SUR UNE METHODE AUX DIFFERENCES FINIES, QUI PERMET DE CONNAITRE LA REPARTITION DE POTENTIEL DANS DE TELLES STRUCTURES CONTROLEES PAR DEUX GRILLES. CE PROGRAMME EST APPLIQUEE AU CAS DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-SAPHIR (SOS), DONT LE SAPHIR A ETE AMINCI PAR USINAGE ULTRASONORE POUR FACILITER LES MESURES A L'AIDE D'UNE GRILLE ARRIERE. DANS BEAUCOUP DE CAS, LA SIMULATION NUMERIQUE EST INDISPENSABLE POUR INTERPRETER CONVENABLEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DE TELS DISPOSITIFS. ON A PU, PAR AILLEURS, CONNAITRE PRECISEMENT L'EFFET DE CHAQUE PARAMETRE DE CES STRUCTURES (DOPAGE DU SILICIUM, EPAISSEURS DES DIFFERENTES COUCHES, CHARGES AUX INTERFACES...) SUR LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EN OUTRE, IL A ETE EXAMINE, A L'AIDE DU PROGRAMME, LES DOMAINES DE VALIDITE ET LES LIMITES DES MODELES ANALYTIQUES EXISTANT DANS LA LITTERATURE
Book Synopsis Simulation numérique et modélisation des transistors MOS sur silicium sur isolant à inversion volumique by : Mohcine Benachir
Download or read book Simulation numérique et modélisation des transistors MOS sur silicium sur isolant à inversion volumique written by Mohcine Benachir and published by . This book was released on 1989 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODE DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT, QUI CONSISTE DANS L'INVERSION FORTE ET TOTALE DU FILM DE SILICIUM. NOUS PRESENTONS ENSUITE LES AVANTAGES INDUITS PAR CE NOUVEAU MODE DE FONCTIONNEMENT. NOUS MONTRONS AUSSI QU'IL EST POSSIBLE D'ETABLIR, DANS LES DEUX CAS EXTREMES DE TRANSISTORS A FILM DE SILICIUM RESPECTIVEMENT TRES MINCE ET TRES EPAIS, DES MODELES ANALYTIQUES SIMPLES QUI DECRIVENT ADEQUATEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TMOS A VOLUME INVERSE (TMOS-VI) EN REGIME OHMIQUE. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A LA PRESENTATION DES DIVERSES TECHNIQUES NUMERIQUES ET EQUATIONS PHYSIQUES QUE NOUS AVONS RETENUES POUR LA REALISATION DU SIMULATEUR ELECTRIQUE BIDIMENSIONNEL DES STRUCTURES TMOS-SSI: ISIS II. L'OBJET DE LA TROISIEME PARTIE EST D'ILLUSTRER LES POSSIBILITES D'ETUDES PAR LA SIMULATION ELECTRIQUE DES DISPOSITIFS SSI, OFFERTES PAR ISIS II
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors organiques by : Amina Belkhir
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors organiques written by Amina Belkhir and published by . This book was released on 2009 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l’étude de la modélisation du transistor organique ainsi que son implémentation numérique. L’objectif est la prise en compte des spécificités des matériaux organiques dans le calcul des caractéristiques courant-tension du transistor, de manière à permettre une analyse physique du comportement des transistors, et par suite de pouvoir agir sur les paramètres technologiques de fabrication, et améliorer les performances des composants et des circuits. Dans un premier temps, un modèle semi-analytique 1D a été développé, sur la base du modèle du transistor MOS silicium en prenant en compte un certain nombre d’effets parasites (résistances ohmiques des contacts, injection non linéaire au contact source). L’impact des phénomènes d’injection sur l’extraction des paramètres essentiels du transistor (mobilité effective et tension de seuil) ont pu être clairement soulignés. De plus, l’existence de champs électriques très élevés au contact injectant a été mise en évidence. Ensuite, il est apparu utile de développer un modèle numérique du calcul du courant drain pour prendre en compte d’avantage de spécificités des matériaux organiques (densités d’états, autres modèles d’injection, profils de mobilités, etc.). Ce modèle est basé sur le calcul distribué du potentiel dans le canal. Dans un premier temps, la résolution numérique de l’équation de Poisson a été implémentée pour calculer la charge accumulée. Cela a également permis de souligner clairement les différences entre la tension de seuil effective UT-eff et la tension UONSET. Ce travail préliminaire pose les bases nécessaires à la poursuite de l’analyse physique de la caractéristique courant-tension
Book Synopsis Etude Des Transistors MOS Silicium-sur-isolant À Grilles Multiples Tenant en Compte de L'ingénierie de la Bande Interdite Et Des Effets D'auto-échauffement by : Marco Braccioli
Download or read book Etude Des Transistors MOS Silicium-sur-isolant À Grilles Multiples Tenant en Compte de L'ingénierie de la Bande Interdite Et Des Effets D'auto-échauffement written by Marco Braccioli and published by . This book was released on 2009 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This work focuses on the simulation of differents SOI structures. The first part manuscript is about the Monte Carlo simulation of double-gate SOI transistors featuring heterojunctions between the source/drain and the channel. The simulations pointed out a compromise between the gain in terms of provided current obtained by a larger carrier injection velocity, and the detrimental impact due to a bad electrostatic control. The second part concerns the self-heating effects of transistors fabricated in SOI technology, by simulations performed with a commercial tool. Electro-thermal simulations pointed out that self-heating originates by different ways between the different considered structures, because heat generated in the active region can be dissipated both through the contacts, the vertical direction and between adjacent devices. This paths are different for single - or double - gate transistors, of FinFETs. Then, attention has been focused on simulations of FinFET devices, featuring a gate length equal to 30 nm. Self-heating has been studied as a function of different technological parameters : source and drain extension length, buried oxied thickness, distance between adjacent fins, fin height.
Book Synopsis ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT by : GUENTER.. REICHERT
Download or read book ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT written by GUENTER.. REICHERT and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.
Book Synopsis Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube by : Johnny Goguet
Download or read book Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube written by Johnny Goguet and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.
Book Synopsis Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille by : Birahim Diagne
Download or read book Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille written by Birahim Diagne and published by . This book was released on 2020-06-28 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant by : Olivier Rozeau
Download or read book Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant written by Olivier Rozeau and published by . This book was released on 2000 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE THESE, NOUS MONTRONS EN QUOI LES TECHNOLOGIES SILICIUM-SUR-ISOLANT (SOI) SONT INTERESSANTES POUR LES APPLICATIONS RADIOFREQUENCES, NOTAMMENT GRACE A DES RESULTATS DE CARACTERISATION DE COMPOSANTS PASSIFS, COMME LES LIGNES DE TRANSMISSION ET LES INDUCTANCES INTEGREES, MAIS AUSSI GRACE A DES ETUDES APPROFONDIES SUR LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI. DANS UNE PREMIERE PARTIE, LES PROPRIETES EN HAUTE FREQUENCE DES SUBSTRATS SOI SONT DISCUTEES EN METTANT EN EVIDENCE L'AVANTAGE DES SUBSTRATS FORTEMENT RESISTIFS ET SEMI-ISOLANTS. POUR CELA, UN MODELE ANALYTIQUE DE LIGNE DE TRANSMISSION COPLANAIRE A ETE DEVELOPPE AVEC LEQUEL NOUS AVONS PU EVALUER L'IMPACT DE LA RESISTIVITE DU SUBSTRAT SUR LES PERTES DE CE TYPE DE LIGNE. DE PLUS, GRACE A UNE COMPARAISON D'INDUCTANCES INTEGREES SUR SUBSTRATS SOI STANDARD ET DE FORTE RESISTIVITE, CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES. DANS UNE SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL, UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DE SCHEMA EQUIVALENT DE MOSFET SUR SOI, VALABLE POUR DES FREQUENCES ALLANT DE 0,1 A 18 GHZ, EST PRESENTEE. CETTE NOUVELLE METHODE, NOUS A PERMIS D'ANALYSER LES PROPRIETES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI DE LONGUEUR DE GRILLE DE 0,25 M DONT LES FREQUENCES DE COUPURES SONT GENERALEMENT SUPERIEURES A 40 GHZ. FINALEMENT, L'IMPACT DE L'AUTO-ECHAUFFEMENT ET DES EFFETS DE SUBSTRAT FLOTTANT SUR LES PERFORMANCES EN RADIOFREQUENCE, TELS QUE L'EFFET KINK ET LE TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE, BIEN CONNUS DES TECHNOLOGIES SOI, SONT DISCUTES.
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) by : EMMANUEL.. AUGENDRE
Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) written by EMMANUEL.. AUGENDRE and published by . This book was released on 1999 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES A DES TEMPERATURES ALLANT DE 125 A 350 DEGRES CELSIUS EST DE PLUS EN PLUS SOUHAITEE DANS DES DOMAINES COMME L'AUTOMOBILE, L'AVIONIQUE ET LA RECHERCHE PETROLIERE. DANS LA FAMILLE SILICIUM, LES COMPOSANTS CMOS REALISES EN SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) SONT LES PLUS APTES A REPONDRE A CES BESOINS. LA THESE CONTRIBUE A LA DISPONIBILITE D'OUTILS DE SIMULATION DE CIRCUITS A HAUTE TEMPERATURE. ELLE DONNE D'ABORD UNE SYNTHESE DES PROPRIETES DU SILICIUM ET DE LEUR VARIATION EN TEMPERATURE. EST ENSUITE PROPOSEE L'ADAPTATION D'UN MODELE COMPACT DE TRANSISTOR MOS A LA GAMME 20-350 DEGRES CELSIUS. LA SIMULATION D'OSCILLATEURS EN ANNEAU VALIDE CE MODELE. LES DEUX DERNIERS CHAPITRES SONT CONSACRES A LA MODELISATION DES PHENOMENES PROPRES AU SOI (SUBSTRAT FLOTTANT, REGIMES TRANSITOIRES, TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE ET AUTO-ECHAUFFEMENT).
Book Synopsis Modelisation analytique globale et cellulaire du transistor bipolaire et des structures MOS (Metal-Oxyde-Semiconducteur) et SOI (Silicium sur Isolant) by : Mohamed Ali Nehme
Download or read book Modelisation analytique globale et cellulaire du transistor bipolaire et des structures MOS (Metal-Oxyde-Semiconducteur) et SOI (Silicium sur Isolant) written by Mohamed Ali Nehme and published by . This book was released on 1995 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Simulation et conception des transistors M.O.S. de puissance by : Bilal Beydoun
Download or read book Simulation et conception des transistors M.O.S. de puissance written by Bilal Beydoun and published by . This book was released on 1994 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE TRAITE DE LA SIMULATION ET DE LA CONCEPTION DU TRANSISTOR VDMOS DE PUISSANCE. ON PROPOSE UN OUTIL DE CONCEPTION DE MODELES POUR CE TRANSISTOR, QUI EST BASE D'UNE PART SUR L'ANALYSE DES MECANISMES DONT LA STRUCTURE EST LE SIEGE, D'AUTRE PART SUR LA GEOMETRIE (LAYOUT) ET LA TECHNOLOGIE, ET ENFIN SUR LA PRISE EN COMPTE DE LA TOPOLOGIE D'UN SCHEMA EQUIVALENT ETABLI ANTERIEUREMENT AU LABORATOIRE. PLUS PRECISEMENT, ON EFFECTUE TOUT D'ABORD UNE ETUDE DES MECANISMES-CONDUCTION, TENUE EN TENSION, ETUDE DYNAMIQUE-INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DE LA STRUCTURE DU COMPOSANT. EN SE BASANT SUR LES ASPECTS DE MODELISATION ANTERIEUREMENT DEVELOPPES AU LAAS, NOUS PROPOSONS ENSUITE UNE NOUVELLE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES MODELES VDMOS. CELLE-CI PREND EN COMPTE LES EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT, LE DESSIN DES MASQUES, LA TECHNOLOGIE ET LES LOIS DE DEPENDANCE ENTRE LES PARAMETRES. POUR CE FAIRE, NOUS DEVELOPPONS UN LOGICIEL NOMME POWER MOSFET'S DESIGNER QUI PERMET A PARTIR DES DONNEES DE LA PHYSIQUE, DE LA GEOMETRIE ET DE LA TECHNOLOGIE DE LA STRUCTURE, DE GENERER LE MODELE VDMOS ET DE CONNAITRE LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU DISPOSITIF DANS UNE APPLICATION DE CIRCUIT SPECIFIEE A PRIORI. ON PROCEDE ENSUITE A LA VALIDATION DE CE LOGICIEL SUR DES COMPOSANTS INDUSTRIELS. ON L'APPLIQUE A L'ETUDE DE NOUVELLES GENERATIONS DE STRUCTURES VDMOS TELLES QUE LE TRANSISTOR VDMOS A DOUBLE NIVEAU D'OXYDE DE GRILLE INTERCELLULAIRE. UN EXEMPLE D'ANALYSE SPECULATIVE DU TRANSISTOR VDMOS ELABORE SUR UN AUTRE MATERIAU QUE LE SILICIUM EST ENFIN PROPOSE: ON ETUDIE LE CAS OU LE SUBSTRAT EST EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)
Book Synopsis Etude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille dédié à la conception by : Birahim Diagne
Download or read book Etude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille dédié à la conception written by Birahim Diagne and published by . This book was released on 2007 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous proposons un modèle compact du transistor MOS double-grille silicium sur isolant (SOI) en mode de fonctionnement symétrique. Le modèle est basé sur le formalisme EKV et offre les caractéristiques suivantes : une expression analytique simple décrivant le comportement statique et dynamique du dispositif, des relations "directes" entre charges-tensions et tensions-courant, une méthode de calcul numérique robuste et rapide, une implémentation aisée du modèle dans un langage de haut niveau tel que VHDL-AMS permettant ainsi une simulation rapide et précise des caractéristiques électriques. Le modèle prend en compte non seulement les effets de petites géométries tels que l'abaissement de la barrière de potentiel induit par le drain; le partage de charge, la dégradation de la pente sous le seuil ainsi que la réduction de la mobilité des porteurs, mais également les effets dynamiques extrinsèques. Il a été validé pour des dispositifs de longueur de canal de 60nm. Savalidation a été effectuée par comparaison de ses résultats avec ceux obtenus sur le simulateur de composants Atlas/SILVACO.
Book Synopsis Contribution à l'étude et à la mise au point d'une technologie pour le transistor DMOS canal N sur silicium sur corindon by : Agustin Monroy-Aguirre
Download or read book Contribution à l'étude et à la mise au point d'une technologie pour le transistor DMOS canal N sur silicium sur corindon written by Agustin Monroy-Aguirre and published by . This book was released on 1980 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ADAPTATION DU TRANSISTOR DMOS A UN NOUVEAU SUBSTRAT: LE SILICIUM SUR ISOLANT, ET ETUDE DES CONSEQUENCES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES. ANALYSE DU TRANSISTOR DMOS AFIN DE METTRE EN EVIDENCE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES INHERENTES A SA STRUCTURE. MISE AU POINT D'UNE TECHNOLOGIE POUR LA FABRICATION DES TRANSISTORS DMOS A CANAUX TRES COURTS (0,6 MU M) SUR SILICIUM SUR CORINDON. CARACTERISATION ELECTRIQUE DU DMOS ET DES DISPOSITIFS DE TEST. MODELISATION DU TRANSISTOR DMOS. DETERMINATION DE LA VITESSE LIMITE DES PORTEURS DANS LE CANAL DU DMOS
Book Synopsis Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés by : Fayçal Rahmoune
Download or read book Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés written by Fayçal Rahmoune and published by . This book was released on 2004 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE MEMOIRE EST L'ETUDE DES DEFAUTS (ETATS RAPIDES ET ETATS LENTS) DE L'INTERFACE SILICIUM/ISOLANT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST LA SUITE D'UN TRAVAIL DE THESE SUR L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-SIO2 PAR LA TECHNIQUE DU POMPAGE DE CHARGES. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROFIL DE PIEGES OBTENU PAR CETTE TECHNIQUE EST DU A UNE DISTRIBUTION DE CONSTANTES DE TEMPS DE CAPTURE ET NON A UNE DISTRIBUTION EN ENERGIE DES VALEURS DE SECTION DE CAPTURE. NOUS AVONS TROUVE AUSSI QUE LES FLUCTUATIONS DE POTENTIEL DE SURFACE CONTRIBUENT A L'ELARGISSEMENT DU PIC DU PROFIL BRUT SIMULE CE QUI EST EN TRES BON ACCORD AVEC LE PROFIL BRUT MESURE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS COMPARE LES DEUX MODELES DE CAPTURE PAR EFFET TUNNEL PUR ET DE CAPTURE ACTIVEE THERMIQUEMENT. LE PREMIER EST PLUS FAVORABLE POUR EXPLIQUER LA PARTIE DU PLATEAU TANDIS QUE LE SECOND EST PLUS ADAPTE POUR LA PARTIE EXPONENTIELLE DU PROFIL. ENFIN NOUS AVONS COMPARE LES PROFILS MESURES PAR POMPAGE DE CHARGES AVEC CEUX OBTENUS PAR LA TECHNIQUE DE TANNER ET AL. DANS LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PRESENTE DEUX TECHNIQUES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-SIO2 DANS LES MOSFET'S A OXYDE ULTRA MINCE. L'UNE EST BASEE SUR L'APPROCHE SILC, L'AUTRE SUR LE POMPAGE DE CHARGES. CES DEUX TECHNIQUES ONT ETE UTILISEES POUR ETUDIER L'EVOLUTION DE LA DENSITE DE DEFAUTS AVEC LE STRESS ELECTRIQUE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CINETIQUE DE GENERATION DE DEFAUTS OBTENUE PAR POMPAGE DE CHARGES EST INFERIEURE A CELLE OBTENUE PAR L'APPROCHE SILC POUR DES EPAISSEURS D'OXYDE ENTRE 1.2 NM ET 2.3 NM.
