Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

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Book Synopsis Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") by : Saâdia Hniki

Download or read book Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") written by Saâdia Hniki and published by . This book was released on 2010 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours des dernières décennies, les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très importante. Aujourd'hui la régulation et distribution d'énergie électrique jouent un rôle crucial. La réduction constante des dimensions ainsi que le besoin en densité de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus performantes. La technologie “smart power” a été développée pour satisfaire ces demandes. Cette technologie utilise les dispositifs DMOS, offrant de nouvelles solutions grâce à ses caractéristiques uniques forte tension et fort courant. Le fonctionnement de ces dispositifs est accompagné par l’apparition de nombreux phénomènes. Une bonne modélisation permet de rendre compte de ces phénomènes et prédire le comportement physique du transistor avant sa production. L'objectif de cette thèse était donc d'améliorer la modélisation et de mettre en place une méthode d'extraction de certains paramètres physiques liés au fonctionnement du MOS HV (High Voltage). Cette thèse a été principalement dédiée à la modélisation du phénomène de l'auto-échauffement et à la définition d'une méthode d'extraction des parasites RF dans les transistors MOS et, enfin, à la comparaison du macro-modèle utilisé par STMicroelectronics avec le modèle compact HiSIM-HV dédié au MOS HV. Pour cela, il était essentiel de mettre en place des nouvelles procédures de modélisation et d'extraction et de dessiner des structures de test spécifiques. Les résultats présentés dans cette thèse ont été validés par différentes comparaisons avec les mesures en technologies sur SOI et sur substrat massif.

Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffement

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Book Synopsis Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffement by : Anna Canepari

Download or read book Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffement written by Anna Canepari and published by . This book was released on 2006 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'industrie de la microélectronique est aujourd'hui une industrie prospère investie dans les secteurs économiques à bon potentiel de croissance (informatique, télécommunications...). Parmi tous les composants produits en microélectronique, les dispositifs MOS de puissance occupent une place fondamentale. Il s'agit de composants à semiconducteur utilisés principalement dans deux domaines. Ils servent pour contrôler le niveau de courant dans les moteurs électriques, les équipements électroniques et les voitures. D'autre part, ils régulent et stockent de la puissance dans les équipements électroniques portables. Depuis leur apparition dans les années 1970, les dispositifs MOS de puissance ont été intégrés avec des fonctions de plus en plus complexes. Cela a conduit au début des années 1990 à l'idée de la technologie "smart power". Cette technologie a été crée pour fournir l'interface entre le contrôle logique digital et la charge de puissance. Elle intègre les dispositifs de puissance avec des fonctions de contrôle, protection et logique intégrée. Le but est de produire des composants de puissance de plus en plus petits, à basse consommation et à bas coût. Ces dispositifs innovants, qui sont un sujet de recherche porteur dans l'industrie de la microélectronique, doivent être modélisé en SPICE. La modélisation est essentielle afin de pouvoir simuler le comportement des circuits intégrés avant de les dessiner et de les intégrer. Cette thèse a été réalisée au sein de l'équipe de modélisation des dispositifs MOS haute tension (MOS HV) de STMicroelectronics à Crolles. Cette équipe a pour mission de fournir des modèles SPICE pour les dispositifs HV aux concepteurs. Les modèles électriques doivent être capables de reproduire avec précision le comportement des dispositifs dans les régimes DC, AC et grand signal pour des températures comprises entre -40 °C et jusqu'à 200 °C pour certaines applications. Tous les dispositifs MOS HV dissipent une forte puissance. Si cette puissance ne peut être évacuée efficacement, une élévation de la température de fonctionnement du dispositif va se produire. Ce phénomène d'auto-échauffement est d'autant plus important que la puissance dissipée est élevée. Ce phénomène est par exemple bien connu dans les technologies MOS sur substrat SOI. Dans ce cas en effet l'oxyde enterré fonctionne comme un très bon isolant thermique. En ce qui concerne les MOS HV, des élévations de température de 100 °C sont courantes pour des applications de téléphonie. L'impact sur les caractéristiques éléctriques n'est donc pas négligeable. L'objectif de cette thèse est d'améliorer la prise en compte du phénomène d'auto-échauffement dans le modèles des MOS HV. Cela implique d'une part d'évaluer les méthodes de modélisation publiées dans la littérature et de proposer des améliorations. D'autre part, afin de déterminer le plus finement possible les paramètres relatifs à l'auto-échauffement du modèle, il est essentiel d'évaluer aussi les méthodes d'extraction de ces paramètres. Ces études supposent évidemment une bonne compréhension de la modélisation du MOS HV standard, c'est à dire sans prise en compte de l'auto-échauffement

CONTRIBUTION A LA MODELISATION ET A L'EXTRACTION DES PARAMETRES DE TENSION DE SEUIL, DE RESISTANCE SERIE ET DE REDUCTION DE LONGUEUR DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES

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Book Synopsis CONTRIBUTION A LA MODELISATION ET A L'EXTRACTION DES PARAMETRES DE TENSION DE SEUIL, DE RESISTANCE SERIE ET DE REDUCTION DE LONGUEUR DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES by : HUGUES.. BRUT

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Novel load-based control strategies for power system primary frequency regulation

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Book Synopsis Novel load-based control strategies for power system primary frequency regulation by : Atieh Delavari

Download or read book Novel load-based control strategies for power system primary frequency regulation written by Atieh Delavari and published by . This book was released on 2018 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Toute déséquilibre entre génération de puissance et consommation de charge doit être corrigée rapidement afin d'éviter une déviation de fréquence qui risquerait de menacer la stabilité et la sécurité du réseau électrique. La génération est typiquement centralisée à quelques endroits sur le réseau électrique, par contre la charge est fortement distribuée partout sur le réseau. Comparés à la plupart des générateurs conventionnels, les dispositifs de commutation toutou- rien installés du côté de la demande permettent aux charges de réagir plus rapidement aux perturbations du système. Cette caractéristique, associée aux nouvelles technologies de mesures, de télécommunication, et de calcul à haute performance, permettent d'agir efficacement sur les dispositifs du côté de la demande et font de ces dispositifs des candidats idéaux pour la régulation des fréquences primaires. Cette thèse propose trois solutions permettant de pallier aux limites de performance des approches de contrôle de charge décentralisées utilisées à ce jour dans les réseaux électriques comportant des ressources distribuées du côté de la charge : *Contrôle de charge optimal amélioré (IOLC) : Nous introduisons une approche améliorée du contrôle de charge optimal (IOLC) en appliquant une méthode systématique de réglage du gain à l'OLC conventionnel. l'Algorithme génétique NSGA-II (Non-dominated Sorting Genetic Algorithm II) avec Algorithme de Sélection de logique flou (Fuzzy Selection Algorithm) est employé comme procédure d'ajustement de gain multi-objectif dans l'approche IOLC. Nous montrons par simulation que l'IOLC peut atteindre une meilleure performance générale par rapport à l'OLC, que la boucle d'asservissement turbine-régulateur de vitesse (TG) soit activée ou désactivée. *Contrôle direct de la charge avec une architecture hiérarchique, clairsemée et résiliente : Nous concevons et développons une stratégie hiérarchique de modulation de charge et d'élagage des capteurs pour l'amélioration de la réponse en fréquence primaire et l'amortissement des oscillations inter-zones. La structure de commande de charge hiérarchique coordonnée que nous proposons, utilise à la fois la commande locale et la commande globale, avec des contrôleurs utilisant des mesures à distance et des signaux de commande dans une structure distribué sur une grande surface, de façon éparse et optimale. La couche locale de bas niveau traite avec précision la réponse à la demande et la régulation de fréquence, tandis que la couche de supervision agencée de manière creuse avec un nombre minimal de paires (mesure-contrôle) améliore les performances et les marges de stabilité du système, tout en réduisant le coût du transfert des données, les liaisons de communication et la complexité du réseau. *Contrôle de charge basé sur l'inertie virtuelle : Compte tenu des charges agrégées intégrées au stockage, nous étendons le contrôle de charge conventionnel pour habiliter l'inertie virtuelle dans les réseaux électriques à faible inertie. Le signal de contrôle de charge basé sur l'inertie virtuelle minimise donc le taux de variation de fréquence ainsi que l'erreur de fréquence afin de rétablir plus promptement l'équilibre production-demande souhaité sur le réseau. Nous montrons par simulation que l'inertie virtuelle basée sur la charge permet une meilleure régulation de la fréquence du système avec une performance transitoire remarquablement améliorée, une un nadir (creux) de fréquence et une erreur en régime permanent en supprimant approximativement des charges égales ou même avec moins de charges contrôlables par rapport au contrôle de charges conventionnel. En outre, nous développons deux systèmes de références à l'aide du logiciel de simulation Simscape Power Systems (SPS) couramment utilisés pour l'éducation et la recherche dans le domaine des réseaux électriques dans le monde entier. Nous présentons également un bloc de mesure de fréquence, qui a été ajouté à la bibliothèque de modèles de la dernière version commerciale de SPS (R2018a), permettant de mesurer la fréquence dans un modèle simulé en mode phaseur.

COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION

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Book Synopsis COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION by : AZZOUZ.. NEZAR

Download or read book COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION written by AZZOUZ.. NEZAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE DES SOLUTIONS PROMETTEUSES POUR LA REALISATION DES INTERRUPTEURS DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE EST LE TRANSISTOR LATERAL DOUBLE-DIFFUSE MOS (L.DMOS) UTILISANT LA TECHNIQUE RESURF. LES AVANTAGES DE CE DERNIER SONT: A) SA SIMPLICITE, B) SA TENUE EN TENSION, C) SON ISOLATION ET D) SA COMPTABILITE AVEC LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS BASSE TENSION (CMOS OU BIPOLAIRE OU ENCORE BICMOS). POUR QUE CELLE-CI SOIT EFFICACE IL EST NECESSAIRE DE COMPRENDRE INTUITIVEMENT LES MECANISMES DE CLAQUAGE DANS LE COMPOSANT DE PUISSANCE. LES REGLES DE CONCEPTION ET D'ISOLATION DE CES TRANSISTORS EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES GEOMETRIQUES (DISTANCE CANAL-DRAIN, EPAISSEUR DE LA COUCHE D'EPITAXIE ETC...) ET PHYSIQUES (VALEUR DU DOPAGE) ONT ETE ETUDIEES A L'AIDE D'APPROCHES ANALYTIQUES SIMPLIFIEES ET NUMERIQUES BIDIMENSIONNELLES. CES REGLES ONT ETE APPLIQUEES A LA REALISATION DE TRANSISTORS L.DMOS RESURF MOYENNE TENSION (400 VOLTS). AFIN DE VALIDER CES REGLES, DES DIODES ET DES TRANSISTORS RESURF ONT ETE REALISES ET ONT CONFIRME L'EXACTITUDE DES APPROCHES

Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés

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Book Synopsis Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés by : Ali Alaeldine

Download or read book Contribution à l'étude des méthodes de modélisation de l'immunité électromagnétique des circuits intégrés written by Ali Alaeldine and published by . This book was released on 2004 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, le développement rapide des systèmes électroniques complexes multiplie les sources de perturbations électromagnétiques, auxquelles un nombre de circuits actuels deviennent de plus en plus susceptibles. Il devient donc indispensable de prédire les comportements des circuits intégrés vis-à-vis de ces perturbations, qu'elles soient conduites ou rayonnées. Cette thèse propose donc une méthodologie de simulation de l'immunité conduite et rayonnée des circuits intégrés dans leur environnement. Les travaux ont été menés sur un circuit intégré multi-cœur précédemment utilisé pour l'étude des techniques de réduction des émissions parasites. Celui-ci a permis, en sus de la méthodologie déjà citée, d'identifier quelques règles de conception en vue d'une meilleure immunité électromagnétique. Le premier chapitre est consacré à l'étude des origines des perturbations électromagnétiques et de leurs influences sur le comportement des circuits intégrés, ainsi que des méthodes de mesure de la susceptibilité en modes conduit et rayonné, en harmonique et en transitoire. Les chapitres 2 et 3 présentent des modèles électriques complets pour la simulation de l'immunité en mode conduit d'un circuit intégré, respectivement en harmonique (DPI - Direct Power Injection) et en transitoire (VF-TLP - Very Fast Transmission Line Pulsing). Les pertes en puissance ainsi que le substrat du circuit intégré ont également été modélisés. Dans le chapitre 4, un modèle de simulation d'injection en champ proche (en mode rayonné) est introduit et validé par des mesures de susceptibilité effectuées sur des circuits en boîtier avec et sans couvercle. Enfin, l'utilisation de diverses techniques de réduction de l'émission parasite des circuits intégrés pour la diminution conjointe de leur susceptibilité en modes conduit et rayonné est étudiée et discutée dans le chapitre 5. Les perspectives de cette thèse couvrent la prédiction avant fonderie de l'immunité des circuits intégrés aux agressions externes ainsi que la fourniture de leurs modèles pour la simulation d'immunité au niveau carte et au niveau système

Conception et optimisation des composants DMOS latéraux haute tension en technologie RESURF

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Book Synopsis Conception et optimisation des composants DMOS latéraux haute tension en technologie RESURF by : Mohamed El Amine Bouanane

Download or read book Conception et optimisation des composants DMOS latéraux haute tension en technologie RESURF written by Mohamed El Amine Bouanane and published by . This book was released on 1992 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE DES SOLUTIONS PROMETTEUSES POUR LA REALISATION DES INTERRUPTEURS DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE EST LE TRANSISTOR LATERAL DOUBLE DIFFUSE MOS UTILISANT LA TECHNIQUE RESURF (REDUCED SURFACE FIELD). LES AVANTAGES DE CE DERNIER SONT: (A) SIMPLICITE DE MISE EN OEUVRE, (B) EXCELLENTE TENUE EN TENSION, (C) AUTO-ISOLATION, (D) SA COMPATIBILITE AVEC LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS BASSES TENSIONS (CMOS, BIPOLAIRE OU BICMOS). CEPENDANT DEUX PROBLEMES MAJEURS INTERVIENNENT DANS L'OPTIMISATION DE CE DISPOSITIF: (A) LA RESISTANCE A L'ETAT PASSANT RON TROP ELEVEE, (B) SENSIBILITE IMPORTANTE DE LA TENUE EN TENSION VIS-A-VIS DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES. POUR PALLIER A CES INCONVENIENTS NOUS PROPOSONS D'UTILISER: (A) UN SURDOPAGE EN SURFACE DE LA STRUCTURE, (B) UNE PASSIVATION PAR UNE COUCHE SEMI-RESISTIVE TEL QUE LE SIPOS. LES SIMULATIONS NUMERIQUES BIDIMENSIONNELLES MONTRENT QUE L'UTILISATION CONJOINTE DE CES DEUX TECHNIQUES PERMET D'OBTENIR UNE AMELIORATION DE LA RESISTANCE RON QUI S'EVALUE ENTRE 40 ET 60% AINSI QU'UNE DESENSIBILISATION IMPORTANTE AU REGARD DES TOLERANCES TECHNOLOGIQUES. LES PARAMETRES GEOMETRIQUES (DISTANCE CANAL-DRAIN, EPAISSEUR DE L'EPITAXIE ET EPAISSEUR DE L'OXYDE) ET PHYSIQUES (DOPAGE DE L'EPITAXIE, CONCENTRATION ET PROFONDEUR DU SURDOPAGE) SONT OPTIMISES AFIN D'OBTENIR LA TENUE EN TENSION OPTIMALE DE 400 VOLTS. LES REGLES DE CONCEPTION AINSI DEFINIES ONT PERMIS LA REALISATION DES DIODES AINSI QUE DES TRANSISTORS LDMOS RESURF UTILISANT LE SURDOPAGE EN SURFACE ET LA PASSIVATION PAR DU SIPOS

UNE NOUVELLE STRUCTURE D'INTERRUPTEURS POUR CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE

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Book Synopsis UNE NOUVELLE STRUCTURE D'INTERRUPTEURS POUR CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE by : MOANISS.. ZITOUNI

Download or read book UNE NOUVELLE STRUCTURE D'INTERRUPTEURS POUR CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE written by MOANISS.. ZITOUNI and published by . This book was released on 1999 with total page 151 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DOMAINE AUTOMOBILE EST UN DES MARCHES PORTEURS DES CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE INTELLIGENTE, APPELES AUSSI SMART POWER. CES CIRCUITS DE MOYENNE PUISSANCE COMBINENT SUR UNE MEME PUCE DES COMPOSANTS ANALOGIQUES BIPOLAIRES, DES COMPOSANTS LOGIQUES CMOS ET UN OU PLUSIEURS INTERRUPTEURS MOS DE PUISSANCE LATERAUX OU VERTICAUX. EN BASSE TENSION (

Modeling Techniques for Smart-power MOS Technologies

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Book Synopsis Modeling Techniques for Smart-power MOS Technologies by : Alberto Roncaglia (omonimi non identificati)

Download or read book Modeling Techniques for Smart-power MOS Technologies written by Alberto Roncaglia (omonimi non identificati) and published by . This book was released on 2001 with total page 93 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Contribution à la modélisation et à la simulation des circuits intégrés analogiques

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Book Synopsis Contribution à la modélisation et à la simulation des circuits intégrés analogiques by : Djilali Belkadi

Download or read book Contribution à la modélisation et à la simulation des circuits intégrés analogiques written by Djilali Belkadi and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

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Book Synopsis Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance by : Gaëtan Toulon

Download or read book Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance written by Gaëtan Toulon and published by . This book was released on 2010 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors DMOS. La demande pour des applications de plus en plus complexes nécessite l'utilisation de lithographies plus fines pour augmenter la densité de composants CMOS. L'évolution des technologies CMOS oblige à développer des composants DMOS compatibles dans les circuits intégrés de puissance. Le travail de cette thèse se concentre sur la conception de transistors LDMOS haute tension (120 V) compatibles avec un procédé CMOS 0,18 μm sur substrat « silicium sur isolant » (SOI). Différentes architectures de transistors LDMOS à canal N et P ont été proposées et optimisées en termes de compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique » à partir de simulations TCAD à éléments finis. Les performances de ces structures ont été comparées en termes de facteur de mérite Ron×Qg qui est le produit entre charge de grille et résistance passante spécifique, mais aussi en termes d'aire de sécurité. Les meilleurs transistors STI-LDMOS et SJ-LDMOS (à canal N) et R-PLDMOS (à canal P) affichent des performances statiques et dynamiques comparables voire parfois supérieures à celles des composants de puissance de la littérature. Différentes mesures effectuées sur les transistors LDMOS réalisés par ATMEL et comparées aux simulations ont permis de valider les simulations effectuées dans cette thèse.

Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes

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Book Synopsis Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes by : Gilles Montoriol

Download or read book Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes written by Gilles Montoriol and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice

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Total Pages : 192 pages
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Book Synopsis Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice by : Abassia Naimi

Download or read book Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.

From the City to the Desert

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Publisher : Logos Verlag Berlin GmbH
ISBN 13 : 383254951X
Total Pages : 335 pages
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Book Synopsis From the City to the Desert by : Raffael Beier

Download or read book From the City to the Desert written by Raffael Beier and published by Logos Verlag Berlin GmbH. This book was released on 2019-08-23 with total page 335 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In recent years, large-scale housing and resettlement projects have experienced a renaissance in many developing countries and are increasingly shaping new urban peripheries. One prominent example is Morocco's Villes Sans Bidonville (cities without shantytowns) programme that aims at eradicating all shantytowns in Morocco by resettling its population to apartment blocks at the urban peripheries. Analysing the specific resettlement project of Karyan Central, a 90-year-old shantytown in Casablanca, this book sheds light on both process and outcome of resettlement from the perspective of affected people. It draws on rich empirical data from a structure household survey (n=871), qualitative interviews with different stakeholder, document analysis, and non-participant observation gathered during four months of field research. The author emphasises that the VSB programme, although formally part of anti-poverty and urban inclusion policies, puts primary focus on the clearance of the shantytown. Largely based on ill-informed policy assumptions, stigmatisation, rent-seeking, and opaque implementation practices, the VSB programme interpreted adequate housing in a narrow sense. By showing how social interactions, employment patterns, and access to urban functions have changed because of resettlement, the book provides sound empirical evidence that housing means more than four walls and a roof.

Law, Public Policies and Complex Systems: Networks in Action

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Publisher : Springer
ISBN 13 : 3030115062
Total Pages : 280 pages
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Book Synopsis Law, Public Policies and Complex Systems: Networks in Action by : Romain Boulet

Download or read book Law, Public Policies and Complex Systems: Networks in Action written by Romain Boulet and published by Springer. This book was released on 2019-05-07 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book investigates how various scientific communities – e.g. legal scientists, political scientists, sociologists, mathematicians, and computer scientists – study law and public policies, which are portrayed here as complex systems. Today, research on law and public policies is rapidly developing at the international level, relying heavily on modeling that employs innovative methods for concrete implementation. Among the subject matter discussed, law as a network of evolving and interactive norms is now a prominent sphere of study. Similarly, public policies are now a topic in their own right, as policy can no longer be examined as a linear process; rather, its study should reflect the complexity of the networks of actors, norms and resources involved, as well as the uncertainty or weak predictability of their direct or indirect impacts. The book is divided into three maain parts: complexity faced by jurists, complexity in action and public policies, and complexity and networks. The main themes examined concern codification, governance, climate change, normative networks, health, water management, use-related conflicts, legal regime conflicts, and the use of indicators.

Emerging Non-Volatile Memories

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Publisher : Springer
ISBN 13 : 1489975373
Total Pages : 280 pages
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Book Synopsis Emerging Non-Volatile Memories by : Seungbum Hong

Download or read book Emerging Non-Volatile Memories written by Seungbum Hong and published by Springer. This book was released on 2014-11-18 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book is an introduction to the fundamentals of emerging non-volatile memories and provides an overview of future trends in the field. Readers will find coverage of seven important memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), Multiferroic RAM (MFRAM), Phase-Change Memories (PCM), Oxide-based Resistive RAM (RRAM), Probe Storage, and Polymer Memories. Chapters are structured to reflect diffusions and clashes between different topics. Emerging Non-Volatile Memories is an ideal book for graduate students, faculty, and professionals working in the area of non-volatile memory. This book also: Covers key memory technologies, including Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM), Ferromagnetic RAM (FMRAM), and Multiferroic RAM (MFRAM), among others. Provides an overview of non-volatile memory fundamentals. Broadens readers’ understanding of future trends in non-volatile memories.

Introduction to ISDN

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Publisher : Wiley-Blackwell
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Total Pages : 100 pages
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Book Synopsis Introduction to ISDN by :

Download or read book Introduction to ISDN written by and published by Wiley-Blackwell. This book was released on 1987 with total page 100 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: