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Contribution A La Conception Des Oscillateurs Micro Ondes A Haute Purete Spectrale A Base De Transistors Bipolaires Silicium Et Silicium Germanium
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Book Synopsis CONTRIBUTION A LA CONCEPTION DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM by : MYRIANNE.. REGIS
Download or read book CONTRIBUTION A LA CONCEPTION DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM written by MYRIANNE.. REGIS and published by . This book was released on 1999 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE PORTE SUR LA MODELISATION, LA CONCEPTION ET LA CARACTERISATION D'OSCILLATEURS A RESONATEUR DIELECTRIQUE (ORDS) A HAUTE PURETE SPECTRALE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM ET SILICIUM-GERMANIUM EN BANDES C ET X. DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS PRESENTONS LES GENERALITES ET LA METROLOGIE EN BRUIT DES OSCILLATEURS MICRO-ONDES. L'ESSENTIEL DES NOTIONS IMPORTANTES SUR LES OSCILLATEURS MICRO-ONDES EST RAPPELE ET DIFFERENTES TECHNIQUES DE MESURES SONT PRESENTEES, EN PARTICULIER LA TECHNIQUE PASSIVE A DISCRIMINATEUR DE FREQUENCE ET LA TECHNIQUE ACTIVE A VERROUILLAGE PAR INJECTION QUI SONT DEVELOPPEES AU SEIN DU LABORATOIRE. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HOMOJONCTION SUR SUBSTRAT SILICIUM (BJT-SILICIUM). NOUS INSISTONS SUR LA PARTICULARITE DE LA MODELISATION EN BRUIT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SUR L'INTERET D'ETUDIER LES CARACTERISTIQUES EN BRUIT BASSE FREQUENCE DANS L'ETAT DE FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT LORSQU'IL SE TROUVE DANS LE CIRCUIT OSCILLATEUR ET SOUMIS AU SIGNAL MICRO-ONDE. LA METHODE DE SIMULATION DU BRUIT DE PHASE DES OSCILLATEURS EST PRESENTEE ET EST ENSUITE APPLIQUEE A L'OPTIMISATION D'ORDS A BASE DE BJT-SILICIUM EN BANDE C. DIFFERENTES TOPOLOGIES D'OSCILLATEURS SONT OPTIMISEES ET COMPAREES EN SIMULATION ET EN MESURE. LA DERNIERE PARTIE DE NOTRE MEMOIRE EST CONSACREE A LA CONCEPTION D'OSCILLATEURS FAIBLE BRUIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION SIGE. TOUT D'ABORD NOUS RAPPELONS LES EXCELLENTES PERFORMANCES EN GAIN ET EN BRUIT DU TRANSISTOR UTILISE POUR LES REALISATIONS. LES DIFFERENTES ETAPES DE L'ELABORATION DU MODELE NON-LINEAIRE DE CE COMPOSANT SONT ENSUITE PRESENTEES. ENFIN, NOUS PROPOSONS, LA VALIDATION DU MODELE FORT SIGNAL PAR LA SIMULATION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE DIFFERENTS OSCILLATEURS A HAUTE PURETE SPECTRALE EN BANDES C ET X.
Book Synopsis Etude des phénomènes de bruit électrique dans les transistors bipolaires micro-ondes à hétérojonction Si/SiGe/Si by : Bart Van Haaren
Download or read book Etude des phénomènes de bruit électrique dans les transistors bipolaires micro-ondes à hétérojonction Si/SiGe/Si written by Bart Van Haaren and published by . This book was released on 1998 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et modélisation des transistors à effet de champ micro-ondes à basse température by : Jacques Verdier
Download or read book Etude et modélisation des transistors à effet de champ micro-ondes à basse température written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe by : Jérémy Raoult
Download or read book Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe written by Jérémy Raoult and published by . This book was released on 2003 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.
Book Synopsis Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale by : Jacques Verdier
Download or read book Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC.
Book Synopsis Conception et réalisation d'oscillateurs intégrés monolithiques micro-ondes à base de transistors sur arséniure de gallium by : Philippe André
Download or read book Conception et réalisation d'oscillateurs intégrés monolithiques micro-ondes à base de transistors sur arséniure de gallium written by Philippe André and published by . This book was released on 1995 with total page 330 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A LA CONCEPTION ET A LA REALISATION D'OSCILLATEURS INTEGRES MONOLITHIQUES MICRO-ONDES (MMIC) A BASE DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE SCHOTTKY (MESFET) GAAS OU DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS.
Book Synopsis Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale by : Jacques Verdier
Download or read book Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 1997 with total page 310 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC
Book Synopsis Contribution à l'analyse d'amplificateurs microondes à très faible bruit de phase by : Gilles Cibiel
Download or read book Contribution à l'analyse d'amplificateurs microondes à très faible bruit de phase written by Gilles Cibiel and published by . This book was released on 2003 with total page 356 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réalisation d'une source hyperfréquence à très haute pureté spectrale, aussi bien près de la porteuse que loin de la porteuse, présente un véritable enjeu. C'est dans cette optique que s'inscrivent les travaux présentés dans ce manuscrit. Dans un oscillateur, les origines des fluctuations de phase sont diverses, cependant le bruit généré par le composant actif utilisé pour l'amplification est souvent majoritaire et constitue le principal problème à résoudre pour améliorer les performances du dispositif. L'étude des amplificateurs microonde dédiés aux applications à faible bruit de phase constitue par conséquent la problématique essentielle de ce manuscrit. Pour effectuer une telle analyse, nous avons fais le choix d'une approche en boucle ouverte pour la caractérisation et pour la simulation. Par conséquent, il est nécessaire de disposer d'une métrologie du bruit de phase appliquée à cette approche et de mettre en oeuvre des moyens pour atteindre de faibles niveaux de plancher de bruit de phase. Un oscillateur à très faible bruit de phase ne peut être obtenu qu'après une sélection minutieuse du transistor ainsi que l'optimisation des conditions d'utilisation de celui-ci. Cela implique, notamment, la connaissance des mécanismes responsables de la génération de bruit de phase du transistor. En effet, outre le bruit basse fréquence converti, le bruit haute fréquence constitue une des causes de ce bruit. Ce dernier est prédominant dans le spectre de bruit de phase loin de la porteuse pour les transistors à faible bruit en 1/f. Or cette zone de bruit de phase est de première importance pour la performance de la plupart des oscillateurs (DRO, VCO, ...). La corrélation entre ce bruit et le bruit de phase a été justifiée à travers une étude expérimentale détaillée comprenant notamment la mesure du facteur de bruit en régime non-linéaire de plusieurs transistors bipolaires. La performance en bruit de phase résiduel ne constitue pas le seul critère pour la réalisation d'un tel oscillateur. En effet, il est nécessaire aussi de considérer la performance en gain du transistor. Afin de tenir compte de ces deux critères, un facteur de sélection a été établi dans ce mémoire.
