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Caracterisation Et Modelisation De Dispositifs De La Filiere Nitrure Pour La Conception De Circuits Integres De Puissance Hyperfrequences
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Book Synopsis Caractérisation et modélisation de dispositifs de la filière nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences by : Nicolas Defrance
Download or read book Caractérisation et modélisation de dispositifs de la filière nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences written by Nicolas Defrance and published by . This book was released on 2007 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Basés sur l'hétérostructure AIGaN/GaN, les composants étudiés dans ce mémoire se voient dotés de propriétés physiques extrêmement attractives: tensions de claquage élevées, densités de puissance importantes ... L'étude de ces dispositifs particuliers apparaît comme déterminante dans un contexte réclamant des montées en puissance et en fréquence perpétuelles. De même, la conception de systèmes complexes à base de transistors HEMTs AlGaN/GaN implique nécessairement la mise en œuvre de modèles non linéaires suffisamment représentatifs et cohérents. Le premier chapitre décrit les principales propriétés physiques et électriques du semiconducteur GaN. Un bref rappel concernant la caractérisation des transistors, en régimes de fonctionnement petit et grand signal, conclura cette première partie. Le deuxième chapitre se consacre à l'étude des caractéristiques propres aux HEMTs AIGaN/GaN. L'influence de différents types de passivations et traitements de surface sera ainsi exposée. Le développement d'un banc de mesure DC-pulsé permettra, par ailleurs, de déterminer la température de fonctionnement et la résistance thermique des composants testés. Le troisième chapitre expose la procédure suivie en vue d'extraire un modèle non linéaire de transistor, implantable en environnement de CAO. Des comparaisons entre modélisations et expérimentations permettront de valider en tout point les formes analytiques proposées. Le quatrième et dernier chapitre s'argumente autour de la caractérisation d'une nouvelle génération de substrats dits « reportés» tels que le SopSiC ou le SiCopSiC ; nous présentons ainsi diverses méthodologies en vue de la détermination de leurs propriétés électriques.
Book Synopsis Embedded Mechatronic Systems 2 by : Abdelkhalak El Hami
Download or read book Embedded Mechatronic Systems 2 written by Abdelkhalak El Hami and published by ISTE Press - Elsevier. This book was released on 2020-03-17 with total page 298 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Embedded Mechatronic Systems 2: Analysis of Failures, Modeling, Simulation and Optimization presents advances in research within the field of mechatronic systems, which integrates reliability into the design process. Providing many detailed examples, this book develops a characterization methodology for faults in mechatronic systems. It analyzes the multi-physical modeling of faults, revealing weaknesses in design and failure mechanisms. This development of meta-models enables us to simulate effects on the reliability of conditions of use and manufacture. Provides many detailed examples Develops a characterization methodology for faults in mechatronic systems Analyzes the multi-physical modeling of faults, revealing weaknesses in design and failure mechanisms
Book Synopsis Embedded Mechatronic Systems, Volume 2 by : Abdelkhalak El Hami
Download or read book Embedded Mechatronic Systems, Volume 2 written by Abdelkhalak El Hami and published by Elsevier. This book was released on 2015-07-16 with total page 273 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In operation, mechatronics embedded systems are stressed by loads of different causes: climate (temperature, humidity), vibration, electrical and electromagnetic. These stresses in components induce failure mechanisms should be identified and modeled for better control. AUDACE is a collaborative project of the cluster Mov'eo that address issues specific to mechatronic reliability embedded systems. AUDACE means analyzing the causes of failure of components of mechatronic systems onboard. The goal of the project is to optimize the design of mechatronic devices by reliability. The project brings together public sector laboratories that have expertise in analysis and modeling of failure, major groups of mechatronics (Valeo and Thales) in the automotive and aerospace and small and medium enterprises that have skills in characterization and validation tests. Find and develop ways to characterize and validate the design robustness and reliability of complex mechatronic devices Develop ways to characterize physical and chemical phenomena, Identify mechanisms of failure of components of these devices, Analyze the physical and / or chemical mechanisms of failure, in order of importance To model failure mechanisms and design optimization.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence by : Adrien Cutivet
Download or read book Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence written by Adrien Cutivet and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Parmi les technologies du 21e siècle en pleine expansion, la télécommunication sans-fil constitue une dimension fondamentale pour les réseaux mobiles, l'aéronautique, les applications spatiales et les systèmes de positionnement par satellites. Dans ce sens, l'alternative de l'exploitation de bande de plus haute fréquence et la multiplication des canaux de transmission sont activement visées par les travaux de recherches actuels. Les technologies à l'étude reposent sur l'utilisation de systèmes intégrés pour répondre aux considérations de coûts de production et d'encombrement des dispositifs. L'élément de base de ces systèmes, le transistor, établit largement la performance du dispositif final en termes de montée en fréquence, de fiabilité et de consommation. Afin de répondre aux défis présents et futurs, des alternatives à la filière silicium sont clairement envisagées. À ce jour, la filière nitrure de gallium est présentée comme la plus prometteuse pour l'amplification de puissance en bande Ka et W au vue de ses caractéristiques physiques et électriques, des performances atteintes par les prototypes réalisées et des premiers produits commerciaux disponibles.L'exploitation de cette technologie à son plein potentiel s'appuie sur la maîtrise des étapes de fabrication, de caractérisation et de modélisation du transistor. Ce travail de thèse a pour objectif le développement d'une modélisation de transistors fabriqués expérimentalement à l'état de l'art. Une partie conséquente de ce travail sera portée sur la caractérisation thermique du dispositif ainsi que sur la modélisation d'éléments passifs pour la conception d'un circuit hyperfréquence de puissance.
Book Synopsis Caractérisation Et Modélisation de Dispositifs GaN Pour la Conception de Circuits de Puissance Hyperfréquence by : Cutivet Adrien
Download or read book Caractérisation Et Modélisation de Dispositifs GaN Pour la Conception de Circuits de Puissance Hyperfréquence written by Cutivet Adrien and published by . This book was released on 2015 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence by : Philippe Altuntas
Download or read book Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence written by Philippe Altuntas and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) à base de nitrure de gallium constituent une filière prometteuse pour l'amplification de puissance hyperfréquence pour les applications en bande millimétrique. Les propriétés remarquables du GaN, tels que le champ de claquage , la vitesse de saturation et la densité des électrons élevés sont à l'origine des performances exceptionnelles obtenues avec les dispositifs à base de GaN. Les travaux de thèse ont été réalisés au sein du groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à l'IEMN. Ce travail relate la fabrication et la caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence. La première partie de ce travail expose les phénomènes physiques mis en jeu dans les hétérostructures à base de GaN. La suite porte sur l'optimisation des procédés technologiques ayant comme point de mire la montée en fréquence ainsi qu'en puissance hyperfréquence. Un travail a été mené en vue de la réduction de la longueur du pied de grille permettant d'atteindre des longueurs minimales de l'ordre de 60nm. De plus, des analyses sont effectuées afin d'étudier les principales limitations inhérentes aux composants HEMTs. Le dernier chapitre présente l'ensemble des caractérisations en régimes statique et hyperfréquence sur des structures HEMTs fabriquées dans le cadre de ce travail. Il en ressort notamment un résultat en terme de densité de puissance à 40GHz, à ce jour à l'état de l'art, relatif à un HEMT de topologie 2x50x0.075μm2. Celui-ci ayant permis d'obtenir une densité de puissance de 2.7W/mm associée à un gain linéaire de 6.5dB et un rendement en puissance ajoutée de 12.5%.
Book Synopsis Contribution à la modélisation non-linéaire de HEMTs de puissance by : Laurent Rullier
Download or read book Contribution à la modélisation non-linéaire de HEMTs de puissance written by Laurent Rullier and published by . This book was released on 1997 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse a pour objet l'amplification de puissance classe b en bande ka. La conception des circuits hyperfréquences demande des outils de caractérisation et des techniques de modélisation des transistors de plus en plus pointus suivant que la fréquence d'utilisation augmente. En bande ka, notamment, la modélisation des composants doit prendre en compte beaucoup plus d'aspects qu'a plus basse fréquence. Mais les critères de temps et de coût des milieux industriels ne sont pas toujours en adéquation avec les techniques sophistiquées déployées pour obtenir ces modèles. Ces préoccupations ont constitue la base essentielle de nos motivations pour ce travail et nous ont guide dans son déroulement. Le fonctionnement en classe b permet de diminuer la consommation des circuits ce qui est primordial pour les dispositifs embarques. La difficulté majeure de la conception de tels circuits est la modélisation précise des transistors. Les principales non-linéarités du schéma équivalent peuvent être obtenues soit par une représentation a l'aide des équations analytiques soit sous forme de tables de données. A cette fin, en ce qui concerne les éléments passifs du schéma équivalent, nous avons développe le logiciel extract d'analyse et d'aide a la modélisation. Celui-ci nous a permis d'accélérer notablement la mise en oeuvre de la technique de modélisation par tables de mesures. Des comparaisons satisfaisantes entre simulations non-linéaires et mesures de puissance ont prouve l'efficacité de la méthodologie que nous avons développée. Par ailleurs, pour les sources convectives de courant, nous avons mis au point un banc automatique de mesures pulsées des transistors a effet de champ. Enfin, ces outils et ces techniques ont été appliques a l'étude d'étages simples et d'étages push-pull de puissance a 28 GHz en classe b.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis Développement de méthodes de modélisation et de caractérisation hyperfréquences des réseaux d’interconnexions de circuits intégrés sub-CMOS 65 nm by : Benjamin Blampey
Download or read book Développement de méthodes de modélisation et de caractérisation hyperfréquences des réseaux d’interconnexions de circuits intégrés sub-CMOS 65 nm written by Benjamin Blampey and published by . This book was released on 2007 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration toujours plus poussée, alliée a l'augmentation des fréquences d'horloges, les réseaux d'interconnexions contribuent aujourd'hui a plus de 50% des temps de fonctionnement des circuits numériques. La prédiction rigoureuse des temps de retard et des amplitudes des signaux nécessite une analyse sur un large spectre (DC-400Hz). La caractérisation des interconnexions «on-chip» isolées ainsi que les vias nous a permis d' établir et de valider des modèles pour prédire les performances électriques pour les générations futures. 'Une méthode expérimentale de caractérisation originale d'interconnexions couplées nous a permis d'étudier les phénomènes de diaphonie. Enfin la caractérisation et la modélisation de l'impact des dummies sur les performances des interconnexions a été grandement développée. Une procédure d'analyse dans Ie domaine temporel nous permet ensuite de quantifier l'impact des architectures du réseau d'interconnexions et des matériaux sur les performances électriques de ces interconnexions en termes de retards et de couplages inter et intra-niveaux. Ainsi, nous avons pu analyser et déterminer l'impact des nouvelles filières technologiques (CMOS 65nm a CMOS 32 nm) sur les performances électriques des interconnexions, en particulier les technologies les plus avancées tel que les intégrations de diélectriques très faibles permittivités (ultra-low-k), ou des architectures air-gap et les barrières auto-positionnées. En vue de l'amélioration des performances des réseaux d'interconnexions nous offrons aux technologues et aux designers de circuit des outils d'expertise. Les travaux présentés ont été réalisés en collaboration avec STMicroelectronics
Book Synopsis Étude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap by : Mohamed Boucherit
Download or read book Étude et réalisation de dispositifs hyperfréquences sur matériaux grand gap written by Mohamed Boucherit and published by . This book was released on 2012 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux décrits dans cette thèse permettent d’apporter une contribution à quelques dispositifs existants à base de matériaux semiconducteurs à large bande interdite. Le premier concerne les oscillateurs de puissance HF et le second les amplificateurs de puissance en hyperfréquence. Les composants retenus pour réaliser ces deux dispositifs sont les diodes à effets tunnel résonant et les transistors à haute mobilité électronique. Ce travail de thèse est donc scindé en deux parties distinctes : - Les diodes à effet tunnel résonant AlGaN/GaN: les outils de simulations rigoureux du transport électronique vertical dans les hétérostructures de nitrures n’existent pas ou ne sont pas accessibles en Europe. Ceci a nécessité la conception d’un nouvel outil de simulation pour analyser et optimiser les dispositifs et aider à la conception. Le modèle développé dans ce manuscrit de thèse est basée sur la résolution auto-cohérente des équations de Schrödinger-Poisson dans l’approche des fonctions de Green hors équilibre. Coté technologique, la stratégie employée pour obtenir un certain nombre d’hétérostructures libres de dislocations reposait sur la réalisation de nano-diodes en suivant les deux approches suivantes. La première dite « ascendante » met en œuvre la technique d’épitaxie sélective sur des ouvertures de masque diélectrique et sur des piliers GaN avec des diamètres compris entre 100 nm et 5 μm. La seconde approche dite « descendante » repose sur la réduction de taille des dispositifs et par voie de conséquence du nombre de dislocations présentes en leur sein. Les caractéristiques électriques de ces nano-diodes ont pu être mesurées sous micro-pointes au FIB, au nano-probe et analyseur de réseau. Le phénomène de NDR est étudié en fonction du sens de la polarisation, du traitement électrique, de la température et du taux d’aluminium dans les couches barrières AlGaN. - Les transistors à haute mobilité mobilité AlGaN/GaN: la première étape de cette seconde partie a consisté à réaliser une structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN à l’état de l’art. La seconde étape a porté sur l’amélioration de la résistivité de la couche buffer GaN soit en y incorporant de l’aluminium ou du bore. Plusieurs épaisseurs et positions de la couche BGaN dans la structure HEMT conventionnelle AlGaN/GaN ont été testées en vue de déterminer la structure optimale. Les études comparatives entre les structures HEMT AlGaN/GaN avec et sans couche BGaN, ont permis de montrer que l’utilisation de cette dernière comme couche contre-barrière permettait d’améliorer drastiquement le confinement des porteurs dans le canal 2DEG et de réduire nettement le dopage résiduel de la zone active.
Book Synopsis Conception et réalisation technologique de transistors de la filière HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour l'amplification de puissance hyperfréquence by : Jean-Claude Gerbedoen
Download or read book Conception et réalisation technologique de transistors de la filière HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour l'amplification de puissance hyperfréquence written by Jean-Claude Gerbedoen and published by . This book was released on 2009 with total page 301 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les semiconducteurs basés sur les nitrures III - N à large bande interdite présentent un intérêt croissant pour la recherche et le monde industriel. Parmi eux, les composants de puissance à base de nitrure de gallium constituent un domaine de recherche majeur de l'électronique à l'état solide pour les applications hyperfréquences. Les travaux décrits dans cette thèse correspondent à la conception et à la réalisation de transistors de puissance à haute mobilité pour l'amplification en bandes X et Ku (8-18 GHz). L'évolution continue des hétérostructures demande de constantes rétroactions avec le procédé technologique. Dans ce but, l'approche utilisée a consisté au développement et à l'optimisation des briques technologiques de base, associée à l'analyse physique indispensable à l'optimisation des choix technologiques. Une étude fine des contacts ohmique et Schottky a été entreprise. Une optimisation des conditions de réalisation des fossés de grille, du contact ohmique, des métallisations, du prétraitement de surface et de la nature du diélectrique de passivation a été nécessaire. L'ajout d'une électrode de champ a été étudiée afin d'améliorer davantage la tenue en tension des composants et minimiser l'impact des pièges de surface. Dans ce cadre, nous avons conçu et développé différentes topologies de plaque de champ. Plusieurs diélectriques innovants comme le nitrure de bore ont été testés afin d'établir les potentialités de ces transistors HEMTs à grille isolée. L'ensemble de cette technologie optimisée a été appliquée sur une couche HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si (001) et a permis d'établir un état de l'art en puissance à 10GHz pour cette nouvelle filière bas coût.
Book Synopsis Modélisation du comportement non-linéaire de transistors hyperfréquences avec polynômes multivariés optimisés par essaimsparticulaires by : Natalie Boudreau
Download or read book Modélisation du comportement non-linéaire de transistors hyperfréquences avec polynômes multivariés optimisés par essaimsparticulaires written by Natalie Boudreau and published by . This book was released on 2019 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: "Considérant les coûts élevés des processus de fabrication modernes, la simulation est une étape indispensable à la conception de circuits intégrés à base de semi-conducteurs. L'exactitude des résultats de simulation dépend directement de l'exactitude des modèles mathématiques de chaque élément du circuit, incluant les éléments de base tel le transistor. Quoique le transistor représente la base des circuits intégrés, son comportement n'a rien de simple. Dû à la complexité du mouvement des charges à l'intérieur d'un transistor, il existe un grand nombre de différents modèles mathématiques pour cet élément dans la littérature. Ces modèles sont souvent limités à des zones de fonctionnement locaux, et ils peuvent être très complexes. Les nouvelles technologies de fabrication des transistors ont aussi fait apparaître des comportements beaucoup plus non-linéaires au niveau du fonctionnement des transistors. Les modèles classiques ne s'adaptent pas très bien à ces non-linéarités puisqu'ils ont été construits à partir de mesures linéaires. De plus, des avancements technologiques récents en instrumentation hyperfréquences ont rendu possible la mesure du comportement non-linéaire des transistors. Cette thèse propose donc une nouvelle approche de modélisation basée sur le comportement non-linéaire du transistor hyperfréquences dans le domaine du temps. En utilisant l'optimisation par essaims particulaires, une technique d'optimisation stochastique qui a récemment pris de l'ampleur dans la communauté de recherche, et en l'appliquant à un système dynamique sous forme d'approximation polynômiale, il est possible de modéliser la dynamique non-linéaire d'un système. Un transistor hyperfréquences de type pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) en GaAs a été modélisé avec cette nouvelle approche. Les résultats obtenus montrent que le modèle a bien appris la dynamique du système et est capable de modéliser le comportement non-linéaire. Des difficultés se sont présentées au niveau de la représentation du fonctionnement à courant-continu dutransistor."--Sommaire.
Book Synopsis Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V by : Stéphane Piotrowicz
Download or read book Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V written by Stéphane Piotrowicz and published by . This book was released on 1999 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l'intégration monolithique de HEMT's sur substrat de phosphure d'indium en vue de l'amplification de puissance en bande V. Cette étude constitue un des axes majeur de la recherche au laboratoire, qui porte sur les potentialités des transistors de la filière GaInAs. La première partie de ce mémoire replace l'étude dans son contexte international, et donne un état de l'art des composants de puissance et des circuits intégrés (MMIC) à la fréquence de 60 GHz. La deuxième partie expose la réalisation, les mesures et la modélisation d'éléments passifs nécessaires à la conception de circuits. La mesure de structures telles que des lignes de transmissions, des résistances, des capacités, ou encore des trous métallisés puis leur rétro-simulation sur le logiciel commercial MDS ont permis d'élaborer une bibliothèque d'éléments passifs fiables jusque 60 GHz propre à la technologie développée au laboratoire. La troisième partie est consacrée aux éléments actifs. Elle porte tout d'abord sur la caractérisation et la modélisation de transistors destines à la mise au point d'une épitaxie et du processus de fabrication adaptés à l'amplification de puissance microonde. L'élaboration d'un schéma équivalent petit signal pour le transistor, valable jusqu'a 60 GHz, fait l'objet d'une attention toute particulière. Puis, les résultats des mesures de composants multi-doigts de grille en guide microruban seront présentés. La dernière partie relie les deux précédentes en décrivant la conception du démonstrateur. Les différentes étapes de celle-ci seront abordées en tenant compte des contraintes imposées sur les modèles des éléments passifs décrits dans la deuxième partie. Une méthodologie de conception progressive est adoptée afin de s'attacher à distinguer le rôle tenu par les principaux éléments des circuits d'adaptation et de stabilisation.
Book Synopsis Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF by : Pierre Saguet
Download or read book Modélisation, caractérisation et mesures de circuits intégrés passifs RF written by Pierre Saguet and published by . This book was released on 2006 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance by : Frédéric Morancho
Download or read book Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance written by Frédéric Morancho and published by . This book was released on 2007 with total page 370 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis DESCRIPTION STRUCTURELLE ET SIMULATION DE CIRCUITS INTEGRES by : BERTRAND.. SERLET
Download or read book DESCRIPTION STRUCTURELLE ET SIMULATION DE CIRCUITS INTEGRES written by BERTRAND.. SERLET and published by . This book was released on 1984 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CONCEPTION DES CIRCUITS VLSI, INTEGRANT PLUSIEURS CENTAINES DE MILLIERS DE TRANSISTORS (PORTE DE DECISION ELEMENTAIRE) ET ULSI, A PLUSIEURS MILLIONS DE TRANSISTORS, POUR ORDINATEURS, NECESSITE L'UTILISATION DE SYSTEMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR. ON ASSISTE DONC A UNE EVOLUTION DE CES SYSTEMES PARALLELE A CELLE DES CIRCUITS EUX-MEMES. PRESENTATION D'UN LANGAGE DE DESCRIPTION STRUCTURELLE, LE LANGAGE HELL DE DESCRIPTION HIERARCHIQUE DE CONNEXIONS DES STRUCTURES, BASE SUR CEYX, SUR-ENSEMBLE DE LE-LISP, ET UN SIMULATEUR MULTIMODES. DEFINITION, SYNTAXE ET SEMANTIQUE. APERCU DES DIFFERENTES METHODES DE SIMULATION. LE LANGAGE HELL, EN TANT QUE LANGAGE STRUCTUREL, INDEPENDAMMENT DE TOUTE SEMANTIQUE PARTICULIERE, PERMET L'UNICITE DE LA DESCRIPTION A TOUT NIVEAU DE SPECIFICATION PAR TOUT PROCESSEUR. LES ASPECTS ALGORITHMIQUES (COMPROMIS ESPACE-TEMPS) SONT ABORDES AVEC SOIN . BIBLIOTHEQUE HELL EN ANNEXE
Book Synopsis Développement d'outils de caractérisation et d'optimisation des performances électriques des réseaux d'interconnexions de circuits intégrés rapides sub-CMOS 65 nm et nouveaux concepts d'interconnexions fonctionnelles by : Sebastien de Rivaz
Download or read book Développement d'outils de caractérisation et d'optimisation des performances électriques des réseaux d'interconnexions de circuits intégrés rapides sub-CMOS 65 nm et nouveaux concepts d'interconnexions fonctionnelles written by Sebastien de Rivaz and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les objectifs de ces travaux de recherche portent sur le développement d'outils d'évaluation des performances électriques des interconnexions de circuits intégrés des générations sub-CMOS 65 nm et sur la proposition de solutions d'optimisation de ces performances, permettant à la fois de maximiser la rapidité des circuits et de minimiser les niveaux de diaphonie. Cette optimisation est obtenue en jouant sur les largeurs et les espacements des interconnexions mais aussi sur le nombre et de taille des répéteurs placés à leurs interfaces. Une attention toute particulière a également été portée sur la réduction de la complexité de ces réseaux d'interconnexions. Pour ce faire, un simulateur basé sur des modèles de propagation des signaux a été construit. Pour les composants passifs les données d'entrée du simulateur sont issues de modélisations fréquentielles électromagnétiques précises ou de résultats de caractérisation hyperfréquences et, pour les composants actifs que sont les répéteurs, de modèles électriques fournis par des partenaires spécialistes des technologies MOS. Le travail de modélisation s'est focalisé tout particulièrement sur cinq points : la modélisation de réseaux couplés complexes, le passage dans le domaine temporel à partir de mesures fréquentielles discrètes limitées, la vérification de la causalité des signaux temporels obtenus, la modélisation de l'environnent diélectrique incluant notamment les pertes et la présence éventuelles de conducteurs flottants et enfin l'intégration de la connaissance des charges aux interfaces des interconnexions. La problématique de la mesure a elle même été adressée puisqu'une procédure dite de « de-embedding » est proposée, spécifiquement dédiée à la caractérisation aux hautes fréquences de dispositifs passifs enfouis dans le BEOL. Sont investiguées enfin des solutions de fonctionnalisation alternatives des interconnexions tirant bénéfice des couplages très forts existant dans le BEOL des technologies sub-CMOS 65 nm. Les résultats de simulations ont souligné un certain nombre de difficultés potentielles notamment le fait que les performances des technologies CMOS sur la voie « more Moore » allait requérir plus que jamais depuis la génération 45 nm une approche globalisée et rationnelle de la réalisation des circuits.
