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Application Du Formalisme De La Fonction De Description A La Modelisation Non Lineaire Dun Transistor Bipolaire Microonde De Puissance
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Book Synopsis APPLICATION DU FORMALISME DE LA FONCTION DE DESCRIPTION A LA MODELISATION NON-LINEAIRE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE MICROONDE DE PUISSANCE by : Jean-Claude Giraudon
Download or read book APPLICATION DU FORMALISME DE LA FONCTION DE DESCRIPTION A LA MODELISATION NON-LINEAIRE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE MICROONDE DE PUISSANCE written by Jean-Claude Giraudon and published by . This book was released on 1986 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL DANS CETTE ETUDE CONSISTE EN LA MISE EN PLACE DES OUTILS NECESSAIRES A L'OPTIMISATION ET A LA MESURE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES A TRANSISTORS BIPOLAIRES. A PARTIR DU MODELE TEMPOREL THEORIQUE DE TRANSISTOR, ON A DETERMINE SON MODELE FREQUENTIEL, QUE NOUS AVONS UTILISE POUR CALCULER SES IMPEDANCES APPARENTES OPTIMALES DE CHARGES, DANS SON FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR CLASSE C. D'AUTRE PART ON A PREPARE LES MESURES NECESSAIRES A LA MODELISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE
Book Synopsis Modélisation non-linéaire de transistors microondes by : Jean-Pierre Viaud
Download or read book Modélisation non-linéaire de transistors microondes written by Jean-Pierre Viaud and published by . This book was released on 1996 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MICROONDES, APPLIQUEE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. APRES UN RAPIDE TOUR D'HORIZON DES TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISABLES AUX FREQUENCES MICROONDES, NOUS PRESENTONS UN EQUIPEMENT DE TEST, BASE SUR LA TECHNIQUE DE MESURES EN IMPULSIONS. CETTE METHODE DE CARACTERISATION PERMET D'OBTENIR AVEC PRECISION LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MICROONDES. ENSUITE, LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION EST TRAITEE D'UNE MANIERE DETAILLEE DANS CE MEMOIRE. NOUS TROUVERONS ENTRE AUTRES, UNE ETUDE DES NON LINEARITES DES TRANSISTORS EN FONCTION DES COMMANDES APPLIQUEES, AINSI QUE DIFFERENTES METHODES POUR LA RECHERCHE ET L'OBTENTION DES PARAMETRES D'UN MODELE, APPLIQUEES A CHAQUE TYPE DE TRANSISTOR. LES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DISTRIBUE LARGE BANDE A TBH SONT PRESENTEES. CET AMPLIFICATEUR A ETE OPTIMISE EN PUISSANCE DANS LA BANDE DE FREQUENCE 2-8 GHZ, A PARTIR DES MODELES NON LINEAIRES MIS AU POINT DANS CE MEMOIRE, ET A FOURNI UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 27.5 DBM
Book Synopsis MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE by : AHMED.. BIRAFANE
Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde by : Christophe Charbonniaud
Download or read book Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde written by Christophe Charbonniaud and published by . This book was released on 2005 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de cette étude est d’évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l’amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l’aide d’un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement implémentable dans les logiciels de C.A.O. des circuits. Après un passage en revue des différentes technologies disponibles sur le marché pour l’amplification de puissance, les transistors HEMTs grand gap à base de Nitrures de Gallium apparaissent comme des candidats naturels pour ces applications (Figures de mérites de Johnson, ...). Cependant, ces transistors plus que prometteurs ne sont pas exempts de défauts. En effet, plusieurs phénomènes limitatifs inhérents à la technologie GaN, à savoir l’auto-échauffement et les effets des pièges, doivent être pris en compte lors de la conception des circuits micro-ondes. Une étude de ces différents effets limitatifs en terme de puissance est effectuée. Enfin, un modèle non-linéaire électrothermique d’un transistor HEMT 8x125 μm est présenté, et validé à l’aide de deux banc de mesures fonctionnelles (banc Load-Pull et banc LSNA).
Book Synopsis Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction by : Fabrice Arlot
Download or read book Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction written by Fabrice Arlot and published by . This book was released on 2002 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à la modélisation non-linéaire du TBH, appliquée à la réalisation d'un oscillateur en bande X à faible bruit de phase dans le cadre du projet PHARAO. Ce travail permet de dégager les paramètres influant sur le bruit de phase et établit une méthode de conception permettant d'obtenir le minimum de bruit de phase dans les oscillateurs. Le premier chapitre donne un descriptif du fonctionnement du transistor bipolaire et identifie les avantages et inconvénients des différentes familles de TBH par rapport aux transistors à effet de champ afin de confirmer les potentialités du TBH pour les applications microondes. Le second chapitre est alors consacré à la présentation d'un modèle non-linéaire, non-quasi-statique et électro-thermique du TBH. Les différentes étapes permettant de l'obtenir, ainsi que sa validation à travers plusieurs mesures sont présentées. Dans le troisième chapitre, nous présentons la méthodologie de conception d'un oscillateur TBH à faible bruit de phase. La réalisation d'une maquette d'oscillateur sur table, fonctionnant à 9.2 GHz et s'inscrivant dans le cadre du projet PHARAO financé par le CNES constitue l'aboutissement de ce travail.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension by : Jean-Marc Diénot
Download or read book Caractérisation et modélisation électrique non-linéaire du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs. Application à la conception d'un oscillateur microondes contrôlé en tension written by Jean-Marc Diénot and published by . This book was released on 1994 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION FORT SIGNAL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM (TBH GAALAS/GAAS), COMPOSANT POTENTIEL POUR LES APPLICATIONS MICROONDES ACTUELLES ET FUTURES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES DIFFERENTS MODELES ELECTRIQUES NON-LINEAIRES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE, CE QUI NOUS PERMET DE PROPOSER UN MODELE SIMILAIRE POUR LE TBH, BASE SUR UNE ANALYSE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SPECIFIQUES AU TBH DANS LES DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. NOUS AVONS ETE AMENES A DEVELOPPER UNE CARACTERISATION EN REGIME IMPULSIONNEL POUR S'AFFRANCHIR DES EFFETS THERMIQUES, QUI SONT CRITIQUES DANS CES STRUCTURES A BASE DE GAAS. LA MISE EN UVRE D'UN BANC AUTOMATISE REALISANT CETTE OPERATION AUTORISE UNE CARACTERISATION NON LINEAIRE APPROPRIEE DU TBH. ASSOCIEE A UNE METHODOLOGIE D'EXTRACTION DES PARAMETRES, ELLE PERMET D'ABOUTIR A UN MODELE PRECIS DE CE COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE PERMET DE VALIDER L'ENSEMBLE DE LA PROCEDURE MODELISATION-CARACTERISATION PAR UNE COMPARAISON SIMULATIONS-MESURES DU TBH EN REGIME FAIBLE ET FORT NIVEAUX. CE MODELE EST ALORS UTILISE LORS DE LA CONCEPTION D'UN OSCILLATEUR ACCORDABLE ELECTRONIQUEMENT (VCO) A LA FREQUENCE DE 1.8 GHZ, ET PERMET DE PRESENTER LES PERFORMANCES OBTENUES EN SIMULATION A PARTIR DE CE CIRCUIT
Book Synopsis Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction by : Thierry Peyretaillade
Download or read book Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.
Book Synopsis Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction by : Marie Anne Pérez
Download or read book Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.
Book Synopsis Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes by : Raphael Sommet
Download or read book Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes written by Raphael Sommet and published by . This book was released on 1996 with total page 257 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LE COUPLAGE ENTRE UN SIMULATEUR PHYSIQUE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION HETSI ET UN SIMULATEUR DE CIRCUIT EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE LISA. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: LA PREMIERE EST ESSENTIELLEMENT AXEE SUR LA PHYSIQUE DES COMPOSANTS. ELLE ETABLIT LES EQUATIONS GENERALES DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LES SEMI-CONDUCTEURS ET SUIVANT LES HYPOTHESES CHOISIES, LES EQUATIONS DE DERIVE DIFFUSION ET DE TRANSPORT D'ENERGIE SONT DONNEES. COMPTE TENU DES IMPERATIFS D'UN COUPLAGE DE CES EQUATIONS A UN SIMULATEUR DE CIRCUITS, UNE DISCRETISATION ET UNE RESOLUTION IMPLICITE DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS SONT DEVELOPPEES. DES RESULTATS CONCERNANT L'ETUDE D'UNE STRUCTURE DE HBT AVEC UN MODELE UNIDIMENSIONNEL SONT EXAMINES. LA SECONDE PARTIE EST DEDIEE QUANT A ELLE AUX METHODES UTILISABLES POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES. LES METHODES TEMPORELLES SONT ETUDIEES ET COMPAREES A LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE. IL RESSORT UN BESOIN REEL D'UTILISER LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES EN REGIME PERIODIQUE ET EN ETAT ETABLI. LA TROISIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE L'INTEGRATION DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DANS UN SIMULATEUR PHYSIQUE EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE. LA CONSTRUCTION SOUS FORME MODULAIRE DES DEUX SIMULATEURS EST DECRITE AINSI QU'UNE METHODE ORIGINALE DU CALCUL DU JACOBIEN IMPLICITE EXACT DU SYSTEME. DES RESULTATS EN CLASSE A, B A 1.8 GHZ VALIDENT LE COUPLAGE. IL EST DESORMAIS POSSIBLE A L'AIDE DE CE NOUVEL OUTIL D'ENVISAGER DE CONCEVOIR ENSEMBLE LA PARTIE PASSIVE ET ACTIVE D'UN CIRCUIT MMIC
Book Synopsis Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO by : Tony Gasseling
Download or read book Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO written by Tony Gasseling and published by . This book was released on 2003 with total page 229 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal
Book Synopsis Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences by : Dominique Berger
Download or read book Etude et validation d'un modèle de transistor bipolaire dédié aux applications hautes fréquences written by Dominique Berger and published by . This book was released on 2004 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé Lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisations. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix de l'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors a hétérojonctions SiGe les plus rapides.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation des transistors microondes, application à l'étude de la linéarité des amplificateurs à fort rendement by : Stéphane Augaudy
Download or read book Caractérisation et modélisation des transistors microondes, application à l'étude de la linéarité des amplificateurs à fort rendement written by Stéphane Augaudy and published by . This book was released on 2002 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors hyperfréquences à effet de champ ou bipolaires sont les composants essentiels des circuits de télécommunication. Leur comportement est fondamentalement non-linéaire, de nombreux phénomènes régissent leur fonctionnement. Après une déscription de différents effets les caractérisant, notamment les effets à dynamique lente de la température et des pièges, nous proposons un ensemble de moyens de mesure et d'outils de modélisation pour concevoir des représentations mathématiques des transistors intégrant différents effets non-linéaires. Nous utilisons ces modèles de transistors dans la CAO des circuits microondes. Les signaux porteurs d'informations des systèmes de télécommunications résultent de modulations complexes; nous simulons la réponse des non-linéarités des transistors intégrés dans les amplificateurs microondes soumis à ces signaux. Les différentes constantes de temps des non-linéarités rapides et lentes des transistors et les réponses basse fréquence des circuits de polarisation interagissent dynamiquement et génèrent des signaux de mélanges et d'intermodulations. Les résultats des simulations sont confirmés par différentes mesures de linéarité: C/I, ACLR. Dans le cadre de la téléphonie mobile de 3ème génération, nous analysons les compromis pour concilier la linéarité et le rendement de l'amplificateur microonde de puissance. L'impact du choix des signaux de test est analysé, certains choix favorisent ou masquent particulièrement un effet non-linéaire. Nous quantifions un à un les effets de différents phénomènes non-linéaires ou réglages du circuit sur les paramètres finaux de rendement et de linéarité de l'amplificateur. Les interactions non-linéaires dynamiques entre différents phénomènes sont ainsi mises en évidence.
Book Synopsis Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement by : Alain Mallet
Download or read book Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement written by Alain Mallet and published by . This book was released on 1996 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Book Synopsis SIMULATION "GRAND SIGNAL" D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE FONCTIONNANT DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES by : P.. DUFOND
Download or read book SIMULATION "GRAND SIGNAL" D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE FONCTIONNANT DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES written by P.. DUFOND and published by . This book was released on 1972 with total page 20 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EQUATIONS REGISSANT LE FONCTIONNEMENT STATISTIQUE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE. ETUDE D'UN MODELE DYNAMIQUE DE DIODE P**(+) NN**(+). MODELE DYNAMIQUE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE. CALCUL DU MODELE PAR IMAG II
Book Synopsis Analyse et modélisation non linéaire du Mestec by : Monique Lajugie
Download or read book Analyse et modélisation non linéaire du Mestec written by Monique Lajugie and published by . This book was released on 1988 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente une bibliographie des méthodes d'analyse non linéaire utilisables pour la simulation de circuits microondes. Nous développons ensuite un modèle non linéaire de MESTEC, basé sur une description analytique de son comportement électrique. Les mesures électriques nécessaires à la caractérisation des paramètres du modèle sont décrites. L'intégration du modèle dans un logiciel d'analyse temporelle est effectuée. Le modèle implanté est validé en régime fort signal par une comparaison avec des résultats expérimentaux (mesures de "load-pull"). Les caractéristiques de sortie du MESTEC nécessaires à la conception d'amplificateurs de puissance sont alors déterminées par le calcul. Nous décrivons une méthode conduisant à la réalisation de deux amplificateurs : un amplificateur 0,4 W dans la bande 4,5 - 18 GHz; un amplificateur 1 W dans la bande 4-18 GHz.
Book Synopsis Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ by : Alban Laloue
Download or read book Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ written by Alban Laloue and published by . This book was released on 2001 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.
Book Synopsis Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice by : Abassia Naimi
Download or read book Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.
