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Analyse Des Caracteristiques De Transfert De Transistors En Couches Minces Fonctionnant En Mode Daccumulation En Relation Avec Les Proprietes Electriques Et La Structure Granulaire De Leur Couche Active De Silicium Polycristallin
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Book Synopsis ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES FONCTIONNANT EN MODE D'ACCUMULATION EN RELATION AVEC LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET LA STRUCTURE GRANULAIRE DE LEUR COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : HAFIDA.. SEHIL
Download or read book ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES FONCTIONNANT EN MODE D'ACCUMULATION EN RELATION AVEC LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET LA STRUCTURE GRANULAIRE DE LEUR COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by HAFIDA.. SEHIL and published by . This book was released on 1991 with total page 402 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN FILMS MINCES A COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, DESTINES A FONCTIONNER EN REGIME D'ACCUMULATION, ONT ETE REALISES EN VUE D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA STRUCTURE GRANULAIRE ET L'EPAISSEUR DE CETTE COUCHE ET LES PARTICULARITES DE LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. L'ETUDE DE LA CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT A FAIBLE POLARISATION DRAIN-SOURCE A MONTRE QUE LE COURANT DE DRAIN, MESURE EN FONCTION DE LA TENSION DE GRILLE, RESULTE DE LA SUPERPOSITION AU COURANT PARCOURANT LE FILM ACTIF ENTRE SOURCE ET DRAIN, A POLARISATION DE DRAIN DONNEE: 1) D'UN COURANT DE CANAL, EN REGIME D'ACCUMULATION; 2) D'UN COURANT DE GENERATION ASSISTEE PAR LE CHAMP ELECTRIQUE, EN REGIME D'APPAUVRISSEMENT. ON MONTRE QUE CES TROIS COMPOSANTES DU COURANT SONT ETROITEMENT DEPENDANTES DE LA STRUCTURE GRANULAIRE ET DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. UNE MODELISATION SIMPLE DU TRANSISTOR, BASEE SUR LE RESULTAT D'OBSERVATION AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE, ET L'UTILISATION D'UN PROGRAMME DE RESOLUTION NUMERIQUE DE L'EQUATION DE POISSON A DEUX DIMENSIONS PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE SUR L'INTENSITE DU COURANT DU COUPLAGE ELECTROSTATIQUE SOIT ENTRE LES INTERFACES-AVANT ET -ARRIERE DE LA COUCHE, SOIT ENTRE L'INTERFACE-AVANT ET LE PREMIER JOINT DE GRAIN PARALLELE A CELLE-CI. DES SIMULATIONS NUMERIQUES MONTRENT L'ADEQUATION AU MOINS QUALITATIVE DE CE MODELE SIMPLE AUX PHENOMENES OBSERVES
Book Synopsis REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : ABDALLAH.. SAKRI
Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN by : FRANCIS.. PETINOT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by FRANCIS.. PETINOT and published by . This book was released on 1998 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONTRIBUE A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT) EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN VUE DE LEUR INTEGRATION DANS UNE MATRICE ACTIVE D'ECRAN LCD. DEUX POINTS SONT PARTICULIEREMENT ETUDIES : L'HYDROGENATION DES TFTS ET LES MECANISMES DE DEGRADATION DE CE COMPOSANT. APRES AVOIR EXPOSE LE CONTEXTE INDUSTRIEL DE L'ETUDE, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DU TFT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SONT PRESENTEES. L'INFLUENCE DE LA DENSITE D'ETATS DE VOLUME DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR Y EST ETUDIEE. ON DEVELOPPE ENSUITE L'ETAPE DE POST-HYDROGENATION DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN. APRES UNE OPTIMISATION DE CETTE ETAPE PAR PLASMA (RADIOFREQUENCE OU MICROONDE) ET DES RAPPELS SUR L'INTERACTION DE L'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS DANS LE SILICIUM, LE MECANISME DE DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LA STRUCTURE DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN EST DEVELOPPE EN CORRELANT DES ANALYSES SIMS ET DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS DE GEOMETRIES ET DE NATURES DIFFERENTES. L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN REGIME SATURE, EST INTRODUITE PAR UNE ANALOGIE COMPORTEMENTALE AVEC LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN. APRES AVOIR PRESENTE DEUX MODELES RELATIFS A LA DEGRADATION DANS LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN ET A L'EFFET KINK DANS LES STRUCTURES MOS SUR ISOLANT, L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES DU TRANSISTOR (HYDROGENATION, LONGUEUR DE GRILLE, TYPE DU TRANSISTOR, PRESENCE DE LDD ET CRISTALLINITE DE LA COUCHE ACTIVE) SUR SA STABILITE ELECTRIQUE Y EST DEVELOPPEE. LES CONDITIONS DE POLARISATION DES TFTS POUR OBTENIR UN FONCTIONNEMENT STABLE SONT PRESENTEES POUR LES DIFFERENTS TYPES DE TFT.
Book Synopsis REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE ( 600 \C) SANS ETAPE D'HYDROGENATION by : KARINE.. MOURGUES
Download or read book REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE ( 600 \C) SANS ETAPE D'HYDROGENATION written by KARINE.. MOURGUES and published by . This book was released on 1999 with total page 43 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'AMELIORATION D'UN PROCEDE TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TCM) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE ( 600 \C). LE BUT VISE EST D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES COMPATIBLES AVEC DES APPLICATIONS EN VISUALISATION SANS AVOIR RECOURS A UNE ETAPE D'HYDROGENATION. UNE PREMIERE PARTIE TRAITE DE LA REALISATION DE TCM CRISTALLISES EN PHASE SOLIDE. CES TRANSISTORS SONT OBTENUS A PARTIR DE DEUX COUCHES DE SILICIUM, L'UNE NON DOPEE SERVANT DE COUCHE ACTIVE, L'AUTRE DOPEE POUR LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. UNE ETUDE A MONTRE QU'UNE AUGMENTATION DE LA PRESSION DE DEPOT DU SILICIUM DE 10 A 90 PA, ACCOMPAGNEE D'UN PLASMA D'OXYGENE POUR L'ETAPE DE PREPARATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE, ONT CONDUIT A UN ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DE 33 A 63 CM 2/V.S, A UNE DIMINUTION DE LA PENTE SOUS LE SEUIL DE 1,13 A 0,96 V/DEC ET DE LA TENSION DE SEUIL DE 5 A 2 V. UNE MODIFICATION DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR A ETE REALISEE EN DEPOSANT LES COUCHES DE SILICIUM LORS D'UN SEUL DEPOT PERMETTANT D'ELIMINER L'INTERFACE ENTRE LA COUCHE ACTIVE ET LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. CETTE MODIFICATION A PERMIS D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DE TRES BONNES PERFORMANCES : S = 0,6 V/DEC, V T H = 1,2 V ET F E 100 CM 2/V.S. UNE ETUDE DE VIEILLISSEMENT A ETE MENEE SUR CES TRANSISTORS. UNE SECONDE PARTIE TRAITE DE LA CRISTALLISATION EN PHASE LIQUIDE PAR UN RECUIT LASER DE LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. NOUS UTILISONS UN LASER DE GRANDE SURFACE DONT L'IMPACT COUVRE 5 5 CM 2. LA DENSITE D'ENERGIE VARIE DE 350 A 550 MJ/CM 2 ET LE NOMBRE D'IMPACTS DE 1 A 10. CETTE PREMIERE ETUDE A MIS EN EVIDENCE QU'UNE DENSITE D'ENERGIE DE 550 MJ/CM 2 ET 10 IMPACTS, DONNENT LES MEILLEURS RESULTATS, A SAVOIR, UNE MOBILITE DE 140 CM 2/V.S, UNE PENTE SOUS LE SEUIL DE 0,35 V/DEC ET UNE TENSION DE SEUIL DE 3V. LA PRESENCE D'UNE COUCHE ANTIREFLET DE SIO 2 SUR LE FILM A CRISTALLISER A PERMIS D'AUGMENTER L'EFFICACITE DU LASER.
Book Synopsis MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION by : ABDELKADER.. AMROUCHE
Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION written by ABDELKADER.. AMROUCHE and published by . This book was released on 1990 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROPOS DE CETTE THESE EST LA MODELISATION BIDIMENSIONNELLE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE ET SON APPLICATION AU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES. LES ASPECTS CONCERNANT LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES AINSI QUE LES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS CE TYPE DE MATERIAU ONT ETE TRAITES. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: DANS LA PREMIERE, UNE ETUDE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN EST PRESENTEE AVEC LES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES INTERVENANT DANS LA CARACTERISATION DE CE MATERIAU. SONT AUSSI PRESENTES ET DISCUTES, LES DIFFERENTS MECANISMES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LEURS APPLICATIONS DANS QUELQUES MODELES DE CONDUCTION TRES CONNUS. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A UNE RECHERCHE UNIDIMENSIONNELLE DE LA CARACTERISTIQUE DE CONDUCTIVITE, QUI NOUS A PERMIS D'APPROCHER L'IDENTIFICATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE, EN QUANTIFIANT LE DOPAGE RESIDUEL ET LA DENSITE DE LIAISONS PENDANTES. UNE CORRECTION DE CES DEUX GRANDEURS A ETE REALISEE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL, PLUS REPRESENTATIF DES COUCHES ETUDIEES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS PRESENTONS LE MODELE DE CONDUCTION APPLIQUE AU TRANSISTOR. ENFIN NOUS DEVELOPPONS LA METHODE DE RESOLUTION UTILISEE DANS LE MODELE NUMERIQUE. NOUS AVONS RESERVE LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE AUX DIFFERENTS RESULTATS ISSUS DES MESURES EXPERIMENTALES ET DE LA SIMULATION UNIDIMENSIONNELLE ET BIDIMENSIONNELLE. L'INTERPRETATION DE CES RESULTATS AINSI QUE L'ACCORD MESURES/SIMULATION Y SONT PRESENTES
Book Synopsis ANALYSE DES MECANISMES DE CONDUCTION ET DE BRUIT EN 1/F DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : ABDELKARIM.. MERCHA
Download or read book ANALYSE DES MECANISMES DE CONDUCTION ET DE BRUIT EN 1/F DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDELKARIM.. MERCHA and published by . This book was released on 2000 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOTRE ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLY-SI TFTS) MET L'ACCENT SUR LE ROLE PRIMORDIAL, DANS LES MECANISMES DE TRANSPORT DE CHARGES ET DE BRUIT EXCEDENTAIRE EN 1/F, DES DISCONTINUITES ELECTRIQUES (BARRIERES DE POTENTIEL) INDUITES PAR LES ETATS CHARGES AUX JOINTS DE GRAINS. UNE ETUDE COMPAREE DE LA CONDUCTION ET DU BRUIT BASSE FREQUENCE MET EN EVIDENCE DEUX REGIMES L'UN CORRESPONDANT A UNE CONDUCTION THERMOIONIQUE ET L'AUTRE A UNE CONDUCTION LIMITEE PAR LA DIFFUSION AUX INTERFACES. DANS LE PREMIER REGIME, QUI SE DEMARQUE LE PLUS DE LA SITUATION DES TRANSISTORS MOS, NOUS AVONS EXPERIMENTALEMENT MONTRE QUE LE COURANT OBEIT A LA LOI EMPIRIQUE DE COMPENSATION (MEYER-NELDEL) DECRIVANT UNE ACTIVATION THERMIQUE NON IDEALE. LE FACTEUR D'IDEALITE DE L'ENERGIE D'ACTIVATION EST ATTRIBUE A LA VARIATION DU QUASI NIVEAU DE FERMI DANS LA ZONE DE DEPLETION DE PART ET D'AUTRE DES JOINTS DE GRAINS. IL PEUT ETRE UTILISE POUR QUALIFIER LA DISTRIBUTION SPATIALE DES DEFAUTS DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE. DANS CE MEME REGIME, LES VALEURS IMPORTANTES (JUSQU'A 2.10 - 1) DU PARAMETRE DE NORMALISATION DU BRUIT EN 1/F TRADUISENT L'EFFET DE LA DENSIFICATION DES LIGNES DE COURANT DANS LE CANAL HETEROGENE. UNE MODELISATION PAR LES METHODES DU CHAMP D'IMPEDANCE ET DU COURANT ADJOINT, AINSI QUE DES MESURES DE BRUIT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE MONTRENT QUE LA VALEUR DU PARAMETRE DE BRUIT EST RELIEE A LA HAUTEUR DES BARRIERES DE POTENTIEL ET QUE LE BRUIT EN 1/F EST THERMIQUEMENT DESACTIVE. CES ENERGIES DE DESACTIVATION DU BRUIT ET D'ACTIVATION DU COURANT PEUVENT PERMETTRE DE CARACTERISER L'ECART TYPE DE LA HAUTEUR MOYENNE DES BARRIERES DE POTENTIEL. CES INTERPRETATIONS CONDUISENT A PROPOSER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT, EN S'AFFRANCHISSANT DE L'INCIDENCE DES BARRIERES DE POTENTIEL, D'ACCEDER A UN PARAMETRE DE BRUIT CARACTERISTIQUE DU COUPLE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET INTERFACE AVEC L'OXYDE DE GRILLE.
Book Synopsis CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : FRANCOIS.. ROY
Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES
Book Synopsis TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU by : Laurent Pichon
Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE
Book Synopsis MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT by : MALIKA.. KANDOUCI
Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT written by MALIKA.. KANDOUCI and published by . This book was released on 1993 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST LA MISE EN PLACE D'UN MODELE NUMERIQUE DE SIMULATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN, EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT. LE CHAPITRE 1 EST CONSACRE A LA PRESENTATION TECHNOLOGIQUE DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR D'ETUDE, AINSI QUE SES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE 2, LE MODELE PHYSIQUE EST ETABLI. IL DECRIT LES MECANISMES DE CONDUCTION SUSCEPTIBLES D'INTERVENIR DANS LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IL EST FAIT DISTINCTION, DANS LE FILM POLYCRISTALLIN, ENTRE LES MECANISMES INTERVENANT A L'INTERIEUR DES GRAINS, A LA SURFACE DES GRAINS ET AUX JOINTS DE GRAINS. LE MECANISME DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL, AUX JOINTS DE GRAINS, EST RETENU. LES EFFETS INDUITS PAR LES CONTACTS SOURCE ET DRAIN SONT CONSIDERES. LE MODELE TIENT COMPTE DES MECANISMES DE SATURATION DES VITESSES DE PORTEURS ET DES MECANISMES DE GENERATION PAR IONISATION PAR IMPACT LIES AUX FORTS CHAMPS. IL EST DEMONTRE QUE LE PHENOMENE DE CLAQUAGE, RENCONTRE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN, EST ANNIHILE PAR LES MECANISMES DE RECOMBINAISON, SUR LES LIAISONS PENDANTES. DANS LE CHAPITRE 3, L'UTILISATION DE L'OUTIL DE SIMULATION PERMET DE VERIFIER LES HYPOTHESES DU MODELE PHYSIQUE. LA COMPARAISON DES SIMULATIONS AVEC DES MESURES EXPERIMENTALES MONTRE LA VALIDITE DU MODELE ET LA NECESSITE D'Y ADJOINDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL INTERBANDES, A LA SURFACE DU DRAIN. LE CHAPITRE 4 MONTRE QUE LE MODELE NUMERIQUE PEUT ETRE UTILISE POUR PREDIRE LE COMPORTEMENT DE NOUVELLES STRUCTURES
Book Synopsis Double-gate single electron transistor by : Mohamed Amine Bounouar
Download or read book Double-gate single electron transistor written by Mohamed Amine Bounouar and published by . This book was released on 2013 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE EXPERIMENTALE ET MODELISATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE by : Pierre-Yves Tessier
Download or read book ETUDE EXPERIMENTALE ET MODELISATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE written by Pierre-Yves Tessier and published by . This book was released on 1987 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR ONT ETE REALISES A PARTIR DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE A PETITS GRAINS. CES DISPOSITIFS PRESENTENT UN FONCTIONNEMENT AMBIPOLAIRE: POSSIBILITE DE FORMER UN CANAL N OU P SUIVANT LA POLARISATION DE GRILLE; A L'ETAT BLOQUANT, LE COURANT EST LIMITE PAR LA FORTE RESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE. NOUS MONTRONS QUE LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE CES DISPOSITIFS PEUT ETRE MODELISE EN CONSIDERANT QUE LA COUCHE DE SILICIUM EST UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DANS LAQUELLE SONT REPARTIS UNIFORMEMENT DES PIEGES EN CONCENTRATION EQUIVALENTE A LA CONCENTRATION MOYENNE DES PIEGES INTERGRANULAIRES. LA DIMINUTION DES TENSIONS DE SEUIL ET L'AUGMENTATION DES MOBILITES DES PORTEURS DANS LE CANAL ONT ETE OBTENUES PAR DIFFERENTS TRAITEMENTS THERMIQUES.
Book Synopsis Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements by : Blend Mohamad
Download or read book Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements written by Blend Mohamad and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les technologies de films minces sur isolant apparaissent comme des solutions fiables pour la nano électronique. Elles permettent de dépasser les limites des technologies sur substrat silicium massif, en autorisant de faibles tensions d'utilisation et un gain en énergie significatif. En effet, les transistors à semi-conducteurs à grille métallique (MOSFET) avec un substrat totalement déplété (FDSOI) conduisent à des courants de fuites faible et améliorent la variabilité ce qui permet de diminuer les tensions d'alimentation en particulier pour les applications SRAM. A partir du nœud 14 nm, les transistors peuvent intégrer un canal SiGe, le diélectrique high-k et la grille métallique. Tous ces nouveaux modules de procédés technologiques rendent l'analyse électrique des transistors MOS ainsi que sa corrélation avec la technologie plus compliquées. Ce travail de thèse propose plusieurs nouvelles méthodologies d'extraction automatique et statistique de paramètres pour les empilements MOS FDSOI avancées. Ces méthodologies sont toutes basées sur des mesures de capacité par rapport à la tension (C-V) rendant compte du couplage capacitif entre grille métallique, canal et substrat face arrière. Avec de telles caractéristiques C-V, des méthodologies fiables sont proposées pour l'épaisseur d'oxyde de grille équivalente (EOT), le travail effectif de la grille métallique FDSOI (WFeff), ainsi que d'autres paramètres comme les épaisseurs du canal (tch) et de l'oxyde enterré (tbox) ainsi que l'affinité électronique efficace (Xeff) du substrat face arrière qui inclut les différents effets électrostatique à l'œuvre dans l'oxyde enterré et à ses interfaces. Ces différentes méthodologies ont été validées par des simulations quantiques. La force de l'analyse expérimentale a été de contrôler la cohérence des extractions obtenues sur tout un ensemble de transistors MOS obtenus à partir de variation sur les différentes briques de base et de contrôler la cohérence des paramètres extraits.
