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Transistor Bipolaire A Double Heterojonction Submicronique Inp Ingaas Pour Circuits Numeriques Ou Mixtes Ultra Rapides
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Book Synopsis Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides by : Virginie Nodjiadjim
Download or read book Transistor bipolaire à double hétérojonction submicronique InP/InGaAs pour circuits numériques ou mixtes ultra-rapides written by Virginie Nodjiadjim and published by . This book was released on 2009 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse présente l'optimisation des performances du transistor bipolaire à double hétérojonction (TBDH) InP/InGaAs aux dimensions submicroniques. Tout d'abord nous présenterons le développement d'un modèle analytique tenant compte des spécificités du dessin et de la technologie de ce composant. Ce modèle, qui sera confronté aux résultats de mesures de paramètre S, servira à déterminer les dimensions optimales permettant d'atteindre des fréquences de coupure élevées et de mettre en évidence les principaux axes d'optimisation des performances. Puis nous étudierons plusieurs structures de couche pour la transition base collecteur visant à améliorer les propriétés de transport du TBH et repousser la densité de courant au seuil d'effet Kirk en vue d'augmenter les performances fréquentielles maximales du composant. Enfin, étant donné que les TBH fonctionnent à des densités de courant pouvant dépasser 800 kA/cm2, ceux-ci sont sujets à un auto-échauffement qui contribue à la dégradation de leurs performances fréquentielles et à un vieillissement prématuré. Nous nous intéresserons donc à l'influence de la température sur les performances et présenterons les solutions apportées pour réduire l'auto-échauffement et améliorer la fiabilité des TBH. Ce travail a permis de valider une filière de TBH possédant des fréquences de coupure fT et fmax comprises dans la gamme 250-300 GHz ainsi qu'une tension de claquage de l'ordre de 5 V. Ainsi, ces composants ont pu être utilisés pour la réalisation de circuits destinés aux transmissions à 100 Gbit/s.
Book Synopsis Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides by : Mathias Kahn
Download or read book Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides written by Mathias Kahn and published by . This book was released on 2004 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ESSOR DES TELECOMMUNICATIONS A L'ECHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXEME SIECLE A ETE RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RESEAUX A BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNEES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ELECTRONIQUES NUMERIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DEBITS DE DONNEES SUPERIEURS A 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRES RAPIDES, AVEC DES FREQUENCES DE TRANSITION AU-DELA DE 150GHZ.GRACE AUX REMARQUABLES PROPRIETES DE LA FAMILLE DE MATERIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ELECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA REALISATION DE TELS CIRCUITS OPERATIONNELS A TRES HAUTE FREQUENCE.LA MISE EN PLACE D'UNE FILIERE COMPLETE DE FABRICATION DE CIRCUITS A BASE DE TBH NECESSITE QUE SOIT MAITRISE UN GRAND NOMBRE D'ETAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, EPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTERISATION A CES ETAPES DOIT ETRE AJOUTEE UNE CERTAINE COMPREHENSION DES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF.DANS CE TRAVAIL DE THESE, LES PROBLEMATIQUES LIEES A L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MECANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRESENTEES.
Book Synopsis Transistor bipolaire à double hétérojonction InP/GalnAs pour circuits de communications optiques à très haut débit by : Sylvain Blayac
Download or read book Transistor bipolaire à double hétérojonction InP/GalnAs pour circuits de communications optiques à très haut débit written by Sylvain Blayac and published by . This book was released on 2001 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Sub-micron InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors for Ultra High-speed Digital Integrated Circuits by : Urs Hammer
Download or read book Sub-micron InP/GaAsSb/InP Double Heterojunction Bipolar Transistors for Ultra High-speed Digital Integrated Circuits written by Urs Hammer and published by . This book was released on 2010 with total page 265 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS by : Jean-Luc Pelouard
Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Transistors bipolaires à hétérojonction by : Melania Lijadi
Download or read book Transistors bipolaires à hétérojonction written by Melania Lijadi and published by . This book was released on 2005 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
