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Technologie Bipolaire Heterojonction Algaas Gaas Pour Circuits Integres
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Book Synopsis TECHNOLOGIE BIPOLAIRE HETEROJONCTION ALGAAS/GAAS POUR CIRCUITS INTEGRES by : HERVE.. BARATTE
Download or read book TECHNOLOGIE BIPOLAIRE HETEROJONCTION ALGAAS/GAAS POUR CIRCUITS INTEGRES written by HERVE.. BARATTE and published by . This book was released on 1985 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN MODELE ANALYTIQUE PROCHE DE LA REALITE PERMET DE REALISER UNE STRUCTURE OPTIMALE ET DE CORRELER LES PERFORMANCES ET LES PARAMETRES. LA SEQUENCE DE CROISSANCE EPITAXIQUE EST COMPLIQUEE PAR LA PRESENCE DES DEUX HETEROJONCTIONS DIFFERENTES ALGAAS/GAAS ET GAAS/ALGAAS ET DE DEUX TYPES DE DOPANTS, LE SILICIUM POUR LE TYPE N ET LE BERYLLIUM POUR LE TYPE P. UN RECUIT RAPIDE ASSURE UN BON RENDEMENT D'ACTIVATION TOUT EN LIMITANT LA DIFFUSION DES DOPANTS. LA DOUBLE HETEROSTRUCTURE A JONCTIONS PROGRESSIVES OBTENUE PAR IMPLANTATION D'IONS CONVIENT AUX CIRCUITS INTEGRES. ON PREVOIT UNE GRANDE RAPIDITE ET UNE GRANDE DENSITE D'INTEGRATION POUR LES MONTAGES J**(2),L (A INJECTION INTEGREE) ET ECL (A EMETTEUR COMMUN). LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION CONVIENT EGALEMENT DANS DES APPLICATIONS LINEAIRES
Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS by : Josiane Tasselli
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS written by Josiane Tasselli and published by . This book was released on 1986 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE ET LA REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE DE TYPE ECL SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE ETUDE THEORIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE L'INFLUENCE DETERMINANTE DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, NOTAMMENT DE SA GRADUALITE, SUR LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES PAR UNE ANALYSE EXPERIMENTALE A PARTIR DE STRUCTURES REALISEES PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA SIMULATION ET L'OPTIMISATION D'UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A BASE DE SIMPLES HETEROTRANSISTORS ET METTANT EN OEUVRE LE LOGICIEL ASTEC III, ONT PERMIS DE CALCULER DES TEMPS DE PROPAGATION PAR PORTE DE 20 PS POUR UNE PUISSANCE CONSOMMEE DE 4 MW; CECI CONFIRME LES POTENTIALITES DE LA FILIERE LOGIQUE BIPOLAIRE SUR ASGA. ENFIN, UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A 3 PORTES ECL A ETE CONCU ET REALISE PAR LES TECHNOLOGIES D'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE ET D'ATTAQUES MESAS, A PARTIR D'UN PROCESSUS NOUVEAU SUR SUBSTRAT SEMI-ISOLANT. LA FAISABILITE D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE ASGA A AINSI ETE MONTREE
