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Realisation Par Epitaxie Par Jets Moleculaires Dune Nouvelle Structure Laser Iii V Emettant A Plus De 3um
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Book Synopsis Réalisation par épitaxie par jets moléculaires d'une nouvelle structure laser III-V émettant à plus de 3um by : Arnaud Wilk
Download or read book Réalisation par épitaxie par jets moléculaires d'une nouvelle structure laser III-V émettant à plus de 3um written by Arnaud Wilk and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES D'HETEROSTRUCTURES INP/GA#0#.#4#7IN#0#.#5#3AS by : LALLA FATIHA.. ALOUI
Download or read book EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES D'HETEROSTRUCTURES INP/GA#0#.#4#7IN#0#.#5#3AS written by LALLA FATIHA.. ALOUI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC), NOUVELLE METHODE DE CROISSANCE, COMBINE LA MAJORITE DES AVANTAGES DES DEUX TECHNIQUES MERES. L'EPITAXIE PAR ORGANOMETALLIQUES (EOM) ET L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MANUSCRIT DECRIT ET DEMONTRE EXPERIMENTALEMENT CERTAINS AVANTAGES OFFERTS PAR CETTE TECHNIQUE D'EPITAXIE. DE PLUS, CETTE ETUDE CONSTITUE UNE PREMIERE VALIDATION DE CETTE METHODE DE CROISSANCE PAR L'OBTENTION, DANS LE SYSTEME DE SEMICONDUCTEURS INP/GAINAS, DE COUCHES PURES, DE STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES ET DE COMPOSANTS D'EMISSION LASER. L'EQUIPEMENT EXPERIMENTAL MIS AU POINT ET SON OPTIMISATION, NOTAMMENT DE LA PARTIE D'INTRODUCTION DES SOURCES GAZEUSES, SONT D'ABORD PRESENTES. L'ETUDE PORTE ESSENTIELLEMENT SUR L'OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE DES COMPOSES GAAS, GAINAS ET INP, POUR SURTOUT MINIMISER L'INCORPORATION DU CARBONE QUI APPARAIT ETRE L'IMPURETE RESIDUELLE MAJORITAIRE. DES COUCHES INP AVEC UN DOPAGE INTRINSEQUE AUSSI FAIBLE QUE 2 10#1#4 CM##3 ET UNE MOBILITE DE 112000 A 77 K ONT AUSSI ETE OBTENUES. UN MODELE POUR EXPLIQUER L'INCORPORATION OBSERVE AU CARBONE ET SON ACTIVITE ELECTRIQUE DANS CES DIFFERENTS SEMICONDUCTEURS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE CROISSANCE ET DU RAPPORT V/III EST AUSSI DISCUTE. L'INCORPORATION VOLONTAIRE D'IMPURETES DOPANTES DE TYPE N (SI) ET P (BE) EVAPORES A PARTIR DE SOURCES SOLIDES EST AUSSI ETUDIE. LES POTENTIALITES DE LA TECHNIQUE SONT ENFIN DEMONTREES PAR L'EPITAXIE SANS INTERRUPTION DE CROISSANCE AUX HETERO-INTERFACES DE STRUCTURES INP/GAINAS AUSSI MINCES QUE 12 A ET CELLE DES DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER AVEC UN COURANT DE SEUIL DE 1,3 KA/CM#2
