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Modelisation Et Simulation Multi Niveaux De Loxydation Thermique Du Silicium Si100
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Book Synopsis MODELISATION ET SIMULATION MULTI-NIVEAUX DE L'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SI(100) by : Alain Estève
Download or read book MODELISATION ET SIMULATION MULTI-NIVEAUX DE L'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM SI(100) written by Alain Estève and published by . This book was released on 2000 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE PREMIERE TENTATIVE POUR SIMULER L'OXYDATION DU SILICIUM EN TENANT COMPTE DES MECANISMES A L'ECHELLE ATOMIQUE ET EN METTANT EN UVRE UN ENSEMBLE DE MODELES HIERARCHISES. IL S'INSCRIT DANS LE CONTEXTE ACTUEL DE LA TENDANCE A LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES COMPOSANTS MICROELECTRONIQUES, NECESSITANT DES COUCHES D'OXYDE DE PLUS EN PLUS FINES. A CES DIMENSIONS, LE RECOURS AUX MECANISMES MICROSCOPIQUES DEVIENT INEVITABLE, C'EST LA RAISON DE L'UTILISATION DES MODELES HIERARCHISES : - AB INITIO, FONDE SUR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DENSITE, POUR DETERMINER LES MECANISMES ELEMENTAIRES ET LES ENERGIES D'ACTIVATION ASSOCIEES, - MONTE CARLO POUR MELANGER CES MECANISMES ELEMENTAIRES DANS UN SYSTEME A GRAND NOMBRE D'ATOMES ET SIMULER LES CONFIGURATIONS RENCONTREES A HAUTE TEMPERATURE, - CINETIQUE CHIMIQUE QUI REPREND LES MECANISMES LES PLUS PERTINENTS POUR TRAITER DES DIMENSIONS LATERALES MACROSCOPIQUES ET POUR ACCELERER LE CALCUL, AVEC UNE FINALITE D'UTILISATION INDUSTRIELLE. CHACUN DE CES MODELES FOURNIT DES MECANISMES ET DES PARAMETRES AU MODELE SUIVANT QUI TRAITE UN PLUS GRAND NOMBRE D'ATOMES, SIMULE DES DUREES D'EXPERIENCE PLUS LONGUES AVEC DES TEMPS DE CALCUL PLUS COURTS. NOUS AVONS MONTRE, A L'AIDE DE CALCULS AB INITIO, L'EXISTENCE DE DEUX MECANISMES FONDAMENTAUX: - LA REACTION DE L'OXYGENE AVEC DES LIAISONS SI-SI POUR FORMER DES LIAISONS SI-O-SI - L'ARRACHAGE DES ATOMES DE SILICIUM CRISTALLIN POUR FORMER DES MOLECULES SIO QUI SONT ENSUITE REABSORBEES. LA TECHNIQUE DE MONTE CARLO NOUS A PERMIS DE METTRE EN CONCURRENCE CES DEUX MECANISMES, EN MEME TEMPS QUE D'AUTRES PLUS CONNUS DE LA CROISSANCE DES COUCHES. NOUS AVONS AINSI SIMULE LA CROISSANCE DE COUCHES D'OXYDE DANS DIVERSES CONDITIONS EXPERIMENTALES: TEMPERATURE, PRESSION, ET COMPARE NOS RESULTATS AVEC LES DONNEES EXPERIMENTALES DE DIFFERENTES NATURES. ENFIN NOUS AVONS EXPRIME L'EVOLUTION DES VALEURS MOYENNES DES CONCENTRATIONS DES PRINCIPALES ESPECES RENCONTREES DANS LA SIMULATION MONTE CARLO, EN TERME D'EQUATIONS AUX DERIVEES PARTIELLES. NOUS AVONS RESOLU CES EQUATIONS POUR EN DEDUIRE LA CINETIQUE D'OXYDATION ET DE CREATION DES DEFAUTS. POUR EFFECTUER CES SIMULATIONS, NOUS AVONS DEVELOPPE ET VALIDE DEUX LOGICIELS DE TYPE MONTE CARLO (OXCAD) ET MACROSCOPIQUE. LES PREMIERES VERSIONS DE CES LOGICIELS SONT SUFFISAMMENT SOUPLES POUR QUE DE NOUVEAUX PUISSENT Y ETRE FACILEMENT IMPLANTES.
Book Synopsis Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium by : Anne Hemeryck
Download or read book Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium written by Anne Hemeryck and published by . This book was released on 2008 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La tendance permanente à la réduction des dimensions des composants de la microélectronique mène à la fabrication de couches d'oxydes de plus en plus fines. Afin de poursuivre cette miniaturisation, le recours à la caractérisation de ces couches, impliquant la connaissance parfaite de l'interface Si/SiO2, devient incontournable. Des simulations précises et prédictives des procédés aux échelles atomiques et microscopiques peuvent aider à cette caractérisation. Notre étude consiste en la détermination des premiers stades de l'oxydation thermique d'un substrat de silicium grâce à la mise en œuvre d'une approche multi échelles. L'utilisation des calculs ab initio permet l'identification des propriétés locales des mécanismes élémentaires de l'oxydation à l'échelle atomique en termes de structures atomiques et électroniques, d'énergies d'activation de diffusions... La croissance d'oxyde selon les procédés de fabrication peut être reproduite par le développement d'un simulateur Monte Carlo cinétique à partir des mécanismes réactionnels identifiés. Le recours au Monte Carlo cinétique est nécessaire pour atteindre des échelles de temps et d'espace suffisantes pour simuler les procédés de fabrication. Nous avons réalisé des calculs ab initio à l'échelle atomique et développé un code Monte Carlo cinétique nommé Oxcad afin d'appréhender, de caractériser et de simuler les premières étapes de l'oxydation thermique d'une surface de silicium.
Book Synopsis Modélisation de l'oxydation thermique du silicium by : Alain Fargeix
Download or read book Modélisation de l'oxydation thermique du silicium written by Alain Fargeix and published by . This book was released on 1984 with total page 89 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INTERPRETATION DU REGIME INITIAL ANORMALEMENT RAPIDE D'OXYDATION SECHE PAR UN RALENTISSEMENT DE LA DIFFUSION DE L'OXYDANT AU VOISINAGE DE L'INTERFACE OXYDE-SILICIUM DU A LA PRESENCE DE FORTES CONTRAINTES COMPRESSIVES. DEVELOPPEMENT D'UN MODELE GENERAL D'OXYDATION SOUS CONTRAINTES PERMETTANT DE DECRIRE LA CINETIQUE DE CROISSANCE SUR UNE GAMME ETENDUE DE TEMPERATURES D'OXYDATION ET D'EPAISSEURS
Book Synopsis Modélisation bidimensionnelle de l'oxydation du silicium by : Vincent Senez
Download or read book Modélisation bidimensionnelle de l'oxydation du silicium written by Vincent Senez and published by . This book was released on 1995 with total page 474 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La miniaturisation des circuits intégrés permet d'améliorer leurs performances (rapidité/faible consommation), d'augmenter leur intégration et de réduire leurs coûts. Dans cette perspective, l'amélioration des techniques d'isolation est indispensable. Un état de l'art actuel fait apparaître que la croissance thermique d'un oxyde de silicium est le procédé d'isolation le plus largement employé. Sa conception doit minimiser la surface occupée sans générer de défauts cristallins dans le substrat. La simulation de technologie permet de déterminer, rapidement et à moindre coût, le meilleur compromis. Le travail présente dans ce manuscrit contribue à améliorer l'exactitude de cet outil numérique d'aide à la conception. Plus précisément, une modélisation avancée du phénomène d'oxydation thermique du silicium a été développée et implantée dans le simulateur de technologie impact-4. La souplesse de la méthode des éléments finis permet le calcul des formes d'oxyde pour un grand nombre de configurations topologiques. Deux approches sont proposées : la première calcule avec exactitude les profils d'isolation pour des structures où le matériau oxyde peut-être considéré comme indéformable (locos, silo, swami). La seconde, plus générale et plus physique, s'applique à tout type d'isolation et fournit une carte complète des contraintes mécaniques dans l'ensemble de la structure. Les effets des contraintes sur la cinétique d'oxydation sont modélisés. Les comportements rhéologiques des matériaux ont été généralisés pour une large gamme de procédés technologiques et leur nature intrinsèquement viscoélastique est prise en compte. Les algorithmes qui ont été mis au point constituent une première étape vers le calcul mécanique systématique permettant aux simulateurs de technologie de prédire l'évolution spatiale et temporelle des champs de contraintes au même titre que celle des dopages. Finalement, les capacités de prédiction du modèle sont illustrées par différentes applications : l'optimisation du locos enterre d'une technologie bicmos 0.8 m, l'analyse des dispositifs avances que sont les structures pbl et silo. Enfin, la simulation des caractéristiques électriques d'un transistor MOS parasité à l'aide du simulateur de dispositif impact-3 constitue une ultime validation.
Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
