MODELISATION ET CARACTERISATION DE LA CELLULE MEMOIRE DE TYPE EEPROM POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES

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Book Synopsis MODELISATION ET CARACTERISATION DE LA CELLULE MEMOIRE DE TYPE EEPROM POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES by : Walid Benzarti

Download or read book MODELISATION ET CARACTERISATION DE LA CELLULE MEMOIRE DE TYPE EEPROM POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES written by Walid Benzarti and published by . This book was released on 1999 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ACTUELLEMENT, LE MARCHE DES MEMOIRES ATTEINT LA QUASI MOITIE DE LA PRODUCTION DES CIRCUITS INTEGRES. CETTE EVOLUTION EST PRINCIPALEMENT DUE A L'AMELIORATION DE LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION DES MEMOIRES. DANS CE SENS, L'ESSOR IMPORTANT QUE CONNAISSENT LES APPLICATIONS RFID (RADIO FREQUENCY IDENTIFICATION), NECESSITANT UNE SAUVEGARDE PERMANENTE DE L'INFORMATION, A PERMIS DE FOCALISER UNE ATTENTION PARTICULIERE DANS L'ETUDE ET L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DES MEMOIRES NON VOLATILES. LA SELECTIVITE DU BIT PROGRAMME PERMISE PAR LA CELLULE EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY) AINSI QU'UNE DEGRADATION MOINDRE PAR RAPPORT A D'AUTRES TYPES DE CELLULES MEMOIRES DONNE UNE IMPORTANCE PARTICULIERE A L'EMPLOI DES EEPROM'S DANS LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES. AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES DE CES CIRCUITS ET D'EXPLORER DE NOUVELLES APPLICATIONS, NOUS NOUS SOMMES PROPOSES DE MODELISER ET DE CARACTERISER LA CELLULE EEPROM. POUR LA SIMULATION ET LA CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES, CE MODELE DOIT ALLIER SIMPLICITE ET PRECISION. UN CONTRAT LIANT LA SOCIETE ST-MICROELECTRONICS ET L'ECOLE NATIONALE SUPERIEURE DES TELECOMMUNICATIONS A AUTORISE LA VALIDATION DU MODELE DEVELOPPE SUR LA CELLULE EEPROM 0.8M EN TECHNOLOGIE SIMPLE POLYSILICIUM. UNE ETUDE STATISTIQUE A PERMIS D'EVALUER LA SENSIBILITE DES CARACTERISTIQUES DE LA CELLULE EEPROM FACE A LA VARIATION DE SES PRINCIPAUX PARAMETRES TECHNOLOGIQUES. UNE DEUXIEME COLLABORATION AVEC LA SOCIETE INSIDE TECHNOLOGIES ETAIT A L'ORIGINE D'UNE ETUDE SIMILAIRE SUR LA CELLULE EEPROM 0.8M EN TECHNOLOGIE DOUBLE POLYSILICIUM. LE MODELE DEVELOPPE RECURRENT A ETE UTILISE POUR SIMULER LE BLOC ANALOGIQUE DE LA CARTE A PUCE. LES RESULTATS OBTENUS ONT MONTRE UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE MESURES ET SIMULATIONS. PLUS ENCORE, CE MODELE A PERMIS D'EVALUER L'EVOLUTION DE CERTAINES VARIABLES IMPORTANTES INEXPLORABLES PAR L'UTILISATION D'UN MODELE GENERIQUE DE LA CELLULE EEPROM. ENFIN, LA POSSIBILITE DE PROGRAMMATION DE LA TENSION DE SEUIL DE CE TYPE DE CELLULES MEMOIRE ETAIT A L'ORIGINE DE LA CONCEPTION D'UN CIRCUIT DE CALIBRAGE POUR AMELIORER L'APPARIEMENT DES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS. LES RESULTATS DE SIMULATION ONT MONTRE UNE REDUCTION DE L'OFFSET DE L'AOP DE 10MV A UNE VALEUR DE 280V.

Environnement de Conception Multi-niveaux Unifiée Appliqué Aux Systèmes Mixtes

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Book Synopsis Environnement de Conception Multi-niveaux Unifiée Appliqué Aux Systèmes Mixtes by : Michel Vasilevski

Download or read book Environnement de Conception Multi-niveaux Unifiée Appliqué Aux Systèmes Mixtes written by Michel Vasilevski and published by . This book was released on 2012 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail se place dans le contexte de la conception, la modélisation et la simulation de systèmes hétérogènes contenant a la fois des capteurs, des composants analogiques, des composants numériques et des circuits RF.La seule manière de simuler un système avec une telle complexité avec un temps de simulation raisonnable est de faire une modélisation haut niveau.Cependant, pour que ce modèle haut niveau soit fiable, les modèles des blocs analogiques et RF doivent contenir une description précise des leurs imperfections.Dans ce travail nous proposons une méthode systématique pour la caractérisation et le raffinement des modèles des blocs analogiques et RF.Cette méthode est réalisée dans un environnement C++ base sur: - l'outil de simulation haut niveau SystemC-AMS- l'outil de résolution d'expression symbolique GiNaC- l'outil de synthèse de circuits intégrés analogique CAIRO+/CHAMSPour illustrer la validité de la méthode proposée, nous présenterons le modèle d'un nœud d'un réseau de capteurs sans fil avec une caractérisation automatique de certains blocs analogiques et RF.Les points suivant résument les contributions apportées pour ce travail.- La première implémentation d'un modèle analogique numérique mixte complexe avec le langage SystemC AMS: un nœud de réseau de capteurs sans fil.- L'introduction du raffinement pour une approche générique des modèles au niveau système.- Un outil d'évaluation précise des performances linéaires et non-linéaires des circuit analogiques pour le raffinement des modèles niveau système et l'optimisation de la conception niveau circuit.- Une méthodologie de conception niveau circuit basée sur des outils de dimensionnement et d'évaluation des performances avec précision.- Un environnement de conception multi-niveaux unifiée appliqué aux systèmes mixtes avec une très forte interaction entre la simulation niveau système et la conception optimisée niveau circuit.

Caractérisation et simulation du fonctionnement et de la fiabilité de cellules élémentaires de mémoires EEPROM à haute densité d'intégration

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Book Synopsis Caractérisation et simulation du fonctionnement et de la fiabilité de cellules élémentaires de mémoires EEPROM à haute densité d'intégration by : Sophie Renard

Download or read book Caractérisation et simulation du fonctionnement et de la fiabilité de cellules élémentaires de mémoires EEPROM à haute densité d'intégration written by Sophie Renard and published by . This book was released on 2003 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse traite du fonctionnement et de la fiabilité des mémoires EEPROM à travers plusieurs axes d'étude. Le premier concerne les oxydes. Une étude particulière a été menée sur l'amélioration de l'uniformité de l'épaisseur dans les fours horizontaux en analysant l'influence des gaz et du positionnement des plaquettes. Afin de mieux contrôler la qualité des oxydes, nous avons développé un véhicule de test contenant un grand nombre de structures capacitives permettant d'étudier l'impact des étapes technologiques du procédé sur la qualité des oxydes. Au cours de ce travail, nous avons également mis en place une nouvelle technique de caractérisation électrique permettant d'étudier la perte de charges à travers un oxyde mince, dans une configuration flottante. Cette méthode de test a été industrialisée afin d'acquérir une information statistique sur la qualité d'oxyde en termes de tenue en rétention, à l'instar d'un test de charge au claquage, le plus fréquemment utilisé à l'heure actuelle, et qui apporte une indication sur la tenue en cyclage de l'oxyde. L'étude de l'influence des paramètres technologiques sur le comportement électrique des dispositifs passe par l'utilisation des outils de simulation TCAD. Nous avons donc créé un programme complet décrivant la simulation du procédé de fabrication de la cellule mémoire, associé au fonctionnement électrique. Enfin, des études relatives à la réduction des dimensions ont permis de mettre en évidence la sensibilité croissante des cellules de taille réduite aux problèmes d'alignement des masques, notamment avec l'apparition d'un courant de fuite dû à l'effet tunnel bande-à-bande. Plusieurs types de variations dimensionnelles ont été analysés, et une étude plus complète sur le fonctionnement et la rétention de cellules réduites de 15% et 20% a mis en évidence un mécanisme de perte de charges dépendant de la taille de la cellule et de la nature de la charge stockée.

Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes

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Book Synopsis Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes by : François Lémery

Download or read book Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes written by François Lémery and published by . This book was released on 1995 with total page 284 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR POUVOIR INTEGRER SUR UNE SEULE PUCE DES SYSTEMES TOUJOURS PLUS COMPLEXES COMPORTANT A LA FOIS DES FONCTIONS NUMERIQUES ET ANALOGIQUES, L'UTILISATION D'UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION HIERARCHIQUE EST INDISPENSABLE. BASEE SUR LA MODELISATION COMPORTEMENTALE DE CHAQUE ELEMENT DU CIRCUIT, AVANT TOUT CHOIX D'ARCHITECTURE, UNE TELLE APPROCHE PERMET EN EFFET DE REDUIRE LES TEMPS DE SIMULATION, DE CONCEPTION ET D'AMELIORER LA FIABILITE. APPLIQUE AVEC SUCCES DANS LE DOMAINE DIGITAL, CE PARADIGME DOIT MAINTENANT ETRE ETENDU A L'ANALOGIQUE. CELA EST AUJOURD'HUI POSSIBLE GRACE A L'OFFRE RECENTE DE PUISSANTS LANGAGES DE MODELISATION COMPORTEMENTALE ANALOGIQUE ET MIXTE. CETTE THESE A PERMIS D'INTRODUIRE L'UTILISATION DE CES LANGAGES AU SEIN DE LA COMMUNAUTE DES CONCEPTEURS, PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN ENVIRONNEMENT CAO D'AIDE A LA CONCEPTION DE MODELES ANALOGIQUES ET MIXTES. IL EST BASE SUR UNE BIBLIOTHEQUE FONCTIONNELLE ADAPTEE A LA MODELISATION DE CIRCUITS ELEMENTAIRES (AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS) MAIS AUSSI DE SYSTEMES TRES COMPLEXES, TELS QU'UN SYSTEME DE SECURITE AIR-BAG. PLUSIEURS TECHNIQUES DE DESCRIPTION ONT ETE ABORDEES: MACRO-MODELISATION SPICE ET MODELISATION COMPORTEMENTALE A L'AIDE DE PLUSIEURS LANGAGES DONT LES PROPRIETES ONT ETE COMPAREES (FAS, CFAS, HDL-A ET MAST). CET ENVIRONNEMENT COMPORTE AUSSI UN OUTIL DE CARACTERISATION ANALOGIQUE QUI PERMET DE GENERER RAPIDEMENT LES PARAMETRES DES MODELES EN FONCTION DE MESURES DES PERFORMANCES DU CIRCUIT ASSOCIE, PAR DES SIMULATIONS ELECTRIQUES. EN OUTRE, POUR FACILITER LES ECHANGES DE MODELES ET TRANSFERER DES BIBLIOTHEQUES VERS DES LANGAGES DIFFERENTS, DES TRADUCTEURS AUTOMATIQUES ONT DU ETRE ELABORES, TELS QUE FAS VERS CFAS, FAS VERS MAST ET FAS VERS HDL-A

CONTRIBUTION A LA MODELISATION ET LA SIMULATION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES. APPLICATION AUX SYSTEMES ECHANTILLONNES ET AUX CIRCUITS LINEAIRES DE HAUTE FREQUENCE

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Book Synopsis CONTRIBUTION A LA MODELISATION ET LA SIMULATION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES. APPLICATION AUX SYSTEMES ECHANTILLONNES ET AUX CIRCUITS LINEAIRES DE HAUTE FREQUENCE by : DJILALI.. BELKADI

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Simulation des circuits analogiques et mixtes

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Book Synopsis Simulation des circuits analogiques et mixtes by :

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Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes

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Book Synopsis Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes by : François Lémery

Download or read book Modélisation comportementale des circuits analogiques et mixtes written by François Lémery and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour pouvoir integrer sur une seule puce des systemes toujours plus complexes comportant a la fois des fonctions numeriques et analogiques, l'utilisation d'une methodologie de conception hierarchique est indispensable. Basee sur la modelisation comportementale de chaque element du circuit, avant tout choix d'architecture, une telle approche permet en effet de reduire les temps de simulation, de conception et d'ameliorer la fiabilite. Applique avec succes dans le domaine digital, ce paradigme doit maintenant etre etendu a l'analogique. Cela est aujourd'hui possible grace a l'offre recente de puissants langages de modelisation comportementale analogique et mixte. Cette these a permis d'introduire l'utilisation de ces langages au sein de la communaute des concepteurs, par le developpement d'un environnement cao d'aide a la conception de modeles analogiques et mixtes. Il est base sur une bibliotheque fonctionnelle adaptee a la modelisation de circuits elementaires (amplificateurs operationnels) mais aussi de systemes tres complexes, tels qu'un systeme de securite air-bag. Plusieurs techniques de description ont ete abordees: macro-modelisation spice et modelisation comportementale a l'aide de plusieurs langages dont les proprietes ont ete comparees (fas, cfas, hdl-a et mast). Cet environnement comporte aussi un outil de caracterisation analogique qui permet de generer rapidement les parametres des modeles en fonction de mesures des performances du circuit associe, par des simulations electriques. En outre, pour faciliter les echanges de modeles et transferer des bibliotheques vers des langages differents, des traducteurs automatiques ont du etre elabores, tels que fas vers cfas, fas vers mast et fas vers hdl-a.

Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques

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Book Synopsis Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques by : Xavier Marchal

Download or read book Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques written by Xavier Marchal and published by . This book was released on 1992 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.

Contribution à la modélisation comportementale des circuits analogiques

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Book Synopsis Contribution à la modélisation comportementale des circuits analogiques by : Noe͏̈lle Milet-Lewis

Download or read book Contribution à la modélisation comportementale des circuits analogiques written by Noe͏̈lle Milet-Lewis and published by . This book was released on 1997 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROGRES DES DERNIERES DECENNIES DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE S'EXPLIQUENT NON SEULEMENT PAR LE PERFECTIONNEMENT DES PROCEDES DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES, MAIS AUSSI PAR L'INTERVENTION DE L'INFORMATIQUE A TRAVERS LA CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR. L'ETAPE PRELIMINAIRE DE SIMULATION DU CIRCUIT S'AVERE DESORMAIS INDISPENSABLE, ELLE PERMET DE VERIFIER A PRIORI SON BON FONCTIONNEMENT. LA COMPLEXITE CROISSANTE DES FONCTIONS INTEGREES SUR UNE SEULE PUCE ENTRAINE DES DUREES DE SIMULATION INACCEPTABLES. LA MODELISATION COMPORTEMENTALE DE SOUS-CIRCUITS APPORTE UNE REPONSE A CE PROBLEME, ELLE INTERVIENT A CHAQUE NIVEAU DE LA CONCEPTION HIERARCHIQUE D'UN CIRCUIT, DE LA FONCTION AU TRANSISTOR, ET PERMET D'OPTIMISER L'ETAPE DE SIMULATION. LE CONTEXTE ACTUEL DES CIRCUITS MIXTES EST PRIS EN CONSIDERATION A TRAVERS L'EXPOSE D'UNE STRATEGIE DE SIMULATION ADEQUATE PUIS LA MODELISATION COMPORTEMENTALE EST ABORDEE EN TERMES DE METHODES ET D'OUTILS D'AIDE A LA CONCEPTION. CES TRAVAUX PRESENTENT EN PARTICULIER UN MACROMODELE MODULAIRE D'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL, DE PRECISION AJUSTABLE ET GENERE AUTOMATIQUEMENT, AINSI QU'UNE BIBLIOTHEQUE DE MODELES DECRITS EN LANGAGE HDL-A, DESTINES A ASSISTER LA CONCEPTION D'UN SYSTEME ANALOGIQUE COMPLEXE SIMULANT LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE D'UN NEURONE BIOLOGIQUE.

Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T

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Book Synopsis Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T by : Francois Tcheme wakam

Download or read book Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T written by Francois Tcheme wakam and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec la croissance de transfert de données, principalement à cause des applications de type internet des objets, il y a un besoin accru de système de stockage (mémoires). L'idéale est d'avoir une mémoire spécifique qui sera facilement intégrée dans ces applications. Cette mémoire doit respecter des exigences spécifiques telles que : une simplicité du mode de fonctionnement, une grande densité d'intégration, une faible consommation électrique, et bas coût de fabrication. Une mémoire capable de répondre à toutes ces exigences n'existe pas, mais une architecture mémoire qui se rapproche des ces critères est la cellule mémoire dynamique (DRAM) intégrée (eDRAM). La DRAM a été proposée pour la première fois en 1968 dans son architecture traditionnelle 1T/1C-DRAM où le transistor sert de point d'accès et la capacité est le point de stockage à l'information. Mais le principal problème de cette architecture est sa faible densité d'intégration causée par la limitation de la miniaturisation de sa capacité de stockage. Une solution pour contourner cette limitation serait l'utilisation d'architectures DRAM sans capacité de stockage : on parle de 1T-DRAM. Ici, le transistor est utilisé pour stocker et lire l'information. On trouve dans la littérature de nombreuses architectures DRAM 1T, mais le but de cette thèse est d'étudier l'A2RAM, afin de voir si elle peut être utilisée en tant que DRAM intégrée.

Modélisation du transistor MOS submicronique

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Book Synopsis Modélisation du transistor MOS submicronique by : Hector Recoules

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Modélisation et caractérisation de transistors MOS appliquées à l'étude de la programmation et du vieillissement de l'oxyde tunnel des mémoires EEPROM

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Book Synopsis Modélisation et caractérisation de transistors MOS appliquées à l'étude de la programmation et du vieillissement de l'oxyde tunnel des mémoires EEPROM by : Juliano Brahim Razafindramora

Download or read book Modélisation et caractérisation de transistors MOS appliquées à l'étude de la programmation et du vieillissement de l'oxyde tunnel des mémoires EEPROM written by Juliano Brahim Razafindramora and published by . This book was released on 2004 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse étudie à la possibilité d'augmenter la vitesse de programmation et de baisser les tensions de programmation d'une cellule mémoire EEPROM. Nous étudions aussi la fermeture de la fenêtre de programmation en fonction du nombre de cycles écriture/effacement en extrayant les paramètres Fowler-Nordheim ? et ? sur des capacités équivalentes soumises à une contrainte électrique égale à celle que subit l'oxyde tunnel. La durée de programmation est réduite à 10æs avec une endurance supérieure à 50000 cycles. Les tensions de programmation peuvent être divisées par 2 en les répartissant entre la grille de contrôle et le drain en utilisant des tensions négatives. Enfin, le vieillissement de l'oxyde tunnel sur des capacités équivalentes montre une fermeture de la fenêtre de programmation supérieure à celle mesurée sur une cellule EEPROM. Cette fermeture est due à une dégradation additionnelle de l'oxyde tunnel due aux mesures de courant en vue d'extraire les paramètres Fowler-Nordheim.

Conception de circuits intégrés mixtes sous contrainte de testabilité et proposition d'une méthodologie

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Book Synopsis Conception de circuits intégrés mixtes sous contrainte de testabilité et proposition d'une méthodologie by : Corinne Daujan

Download or read book Conception de circuits intégrés mixtes sous contrainte de testabilité et proposition d'une méthodologie written by Corinne Daujan and published by . This book was released on 1997 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE LA MICROELECTRONIQUE A ETE CONSIDERABLE DEPUIS CES DIX DERNIERES ANNEES. IL SE TRADUIT PAR DES TAILLES DE COMPOSANTS EN CONSTANTE DIMINUTION OFFRANT DES POSSIBILITES D'INTEGRATION, POUR LES CIRCUITS INTEGRES, A TRES GRANDE ECHELLE. CETTE EVOLUTION A EU LIEU CONJOINTEMENT AVEC, ENTRE AUTRE, LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX LOGICIELS DE CAO, ET DE METHODES DE SIMULATION DE FAUTES DESTINEES A ANTICIPER LES CONSEQUENCES DES DEFAUTS DE PROCESS ET FACILITER AINSI L'INTERPRETATION DE CERTAINS RESULTATS DANS LA PHASE DE TEST DU CIRCUIT. CES METHODES, TRES AU POINT DANS LE DOMAINE DIGITAL, ONT PRIS UN CERTAIN RETARD DANS LE DOMAINE DE L'ANALOGIQUE DU A LA COMPLEXITE DE CELUI-CI. CE MANUSCRIT A POUR BUT DE PROPOSER UNE METHODE DE SIMULATION DE FAUTES ET D'ISOLATION DE FAUTES POUR LES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES ET MIXTES, BASES SUR LA TECHNIQUE DU DICTIONNAIRE DE FAUTES. ELLE EST ENTIEREMENT AUTOMATISABLE CAR NOUS AVONS CHOISI DE TRAITER LES DONNEES DE FACON BINAIRE. SON APPLICATION SUR DES CIRCUITS CONCRETS, PREALABLEMENT CONCUS POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES, A PERMIS DE DETERMINER LES AVANTAGES AINSI QUE LES LIMITES DE CETTE METHODE.

Contribution au test des circuits mixtes

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Book Synopsis Contribution au test des circuits mixtes by : Pascal Caunègre

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Définition et conception d'un simulateur de circuits analogiques non linéaires à modèles par zones et ordres variables

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Book Synopsis Définition et conception d'un simulateur de circuits analogiques non linéaires à modèles par zones et ordres variables by : Bertrand Raiff

Download or read book Définition et conception d'un simulateur de circuits analogiques non linéaires à modèles par zones et ordres variables written by Bertrand Raiff and published by . This book was released on 1992 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE TECHNIQUE DE MODELISATION DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES, DESTINEE A OPTIMISER LA SIMULATION DES CIRCUITS ELECTRIQUES UTILISANT LES METHODES DITES CONVENTIONNELLES. CETTE OPTIMISATION CONSISTE EN UNE MEILLEURE ADEQUATION DE LA FONCTION DE SIMULATION AUX BESOINS DE L'UTILISATEUR ET A L'ETAT DE SES CONNAISSANCES QUANT AUX COMPOSANTS MIS EN JEU (PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES) ET UN GAIN DE TEMPS PAR LE BAIS D'UN ALLEGEMENT DES STRUCTURES DESCRIPTIVES DU CIRCUIT ET DES CALCULS DE RESOLUTION. ELLE EST REALISEE PAR L'INTRODUCTION DE MODELES D'ORDRES VARIABLES, C'EST-A-DIRE DE COMPLEXITE ET DE PRECISION VARIABLES, ET PAR UNE TECHNIQUE DE MODELISATION PAR ZONES D'ETAT, C'EST-A-DIRE QU'UN MEME COMPOSANT, A UN NIVEAU DE COMPLEXITE DONNE, SERA MODELISE PAR UNE STRUCTURE DIFFERENTE SELON LA ZONE DE FONCTIONNEMENT OU IL SE TROUVE. LE CHOIX DE L'ORDRE DU MODELE SERA LAISSE A L'UTILISATEUR, TANDIS QUE LE CHANGEMENT DE ZONE D'ETAT ET DONC DE STRUCTURE DU MODELE RELEVE D'UN AUTOMATISME DU LOGICIEL DE SIMULATION

Modélisation l'immunité électromagnétique des composants en vue de la gestion de l'obsolescence des systèmes et modules électroniques

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Book Synopsis Modélisation l'immunité électromagnétique des composants en vue de la gestion de l'obsolescence des systèmes et modules électroniques by : Mohamed Amellal

Download or read book Modélisation l'immunité électromagnétique des composants en vue de la gestion de l'obsolescence des systèmes et modules électroniques written by Mohamed Amellal and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dos nos jours, l'évolution croissante des domaines d'application des circuits intégrés impose aux industriels de nouvelles contraintes de conception. Afin de réaliser des circuits électroniques plus denses et plus performants, ils cherchent à faire cohabiter plusieurs types de composants sur des surfaces plus petites et de surcroît, fonctionnant à des fréquences de plus en plus élevées. Cependant, cette cohabitation pourrait générer des problèmes de CEM (compatibilité électromagnétique). Les travaux présentés dans ce mémoire rentrent dans le cadre du projet de recherche SEISME (Simulation de l'Emission et de l'Immunité des Systèmes et Modules Electroniques). Ils décrivent des méthodologies de mesure et de modélisation de'immunité conduite des circuits intégrés complexes comme les mémoires non volatiles ou bien les microcontrôleurs. L'objectif est d'étudier l'influence des changements de composants et de cartes sur le comportement électromagnétique d'un système électronique. Dans cette perspective, afin de valider son utilisation dans le cas des circuits intégrés complexes, une étude détaillée du standard de mesure DPI (Direct Power injection) est d'abord proposée. Basé sur cette dernière, un nouveau prototype de chemin de couplage est réalisé. Ce multiplexeur permet de superposer un signal agresseur à un signal fonctionnel, avec un chevauchement de leurs bandes de fréquences. Ainsi, il est possible d'agresser une broche fonctionnelle (horloge par exemple) d'un circuit intégré pendant son fonctionnement. Ensuite, une procédure de mesure globale d'immunité conduite est présentée. Elle permet de caractériser la susceptibilité conduite des circuits complexes en tenant compte des différents modes de fonctionnement et avec la possibilité d'utiliser un critère d'immunité fonctionnel ou électrique. Grâce à l'application de cette procédure à deux mémoires non volatiles compatibles broche à broche (mêmes caractéristiques mais de deux différents fournisseurs), il est possible de constater l'influence des technologies de fabrication sur l'immunité conduite de ce type de circuits. Par conséquent, l'effet du changement de composant sur le comportement électromagnétique d'un système électronique devient prédictible. Enfin pour la modélisation, deux méthodologies sont proposées. Une au niveau composant et l'autre au niveau carte. La démarche de modélisation au niveau composant repose sur le standard ICIM-CI (Integrated Circuit Immunity Model-Conducted Immunity) et vise à générer un modèle d'immunité simulable et prédictif. Grâce à l'application de cette démarche dans le contexte des mémoires non volatiles, il est possible de prédire leur immunité dans le cas de modification de l'impédance d'entrée par rajout d'éléments de filtrage par exemple. En ce qui concerne la modélisation au niveau carte, une procédure basée sur la proposition de modèle EBIM-CI (Electronic Board Immunity Model-Conducted Immunity) est développée. Elle consiste à générer un modèle d'immunité d'une carte électronique en utilisant les modèles des différents composants qui la constituent. Un cas d'étude a été défini. Le modèle issu de cette approche permet de simuler l'immunité conduite globale du démonstrateur ainsi que de prédire le comportement électromagnétique de ce dernier lors du changement d'un ou plusieurs composants.

Modélisation, caractérisation et contribution à l'amélioration des performances des mémoires non-volatiles de type EEPROM

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Book Synopsis Modélisation, caractérisation et contribution à l'amélioration des performances des mémoires non-volatiles de type EEPROM by : Nadia Harabech (Docteur en sciences))

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