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Modele Electrothermique Distribue De Transistor Bipolaire A Heterojonction
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Book Synopsis Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction by : Marie Anne Pérez
Download or read book Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.
Book Synopsis Intégration dans un environnement de simulation circuit d'un modèle électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction issu de simulations thermiques tridimensionnelles by : David Lopez
Download or read book Intégration dans un environnement de simulation circuit d'un modèle électrothermique de transistor bipolaire à hétérojonction issu de simulations thermiques tridimensionnelles written by David Lopez and published by . This book was released on 2002 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'intégration d'un modèle thermique de TBH issu de simulations thermiques 3D dans un environnement de simulation circuit. Après avoir mis en évidence dans le premier chapitre les effets thermiques dans les composants micro-ondes, nous avons présenté dans le second chapitre le potentiel de prédiction des échauffements d'une analyse thermique 3D. Ensuite nous avons présenté la mise en place d'une méthode de réduction de modèle par la technique des vecteurs de Ritz à partir de ces simulations. Le troisième chapitre décrit la modélisation non-linéaire électrothermique de TBH développé à l'IRCOM afin de générer un modèle global de transistor distribué par doigt que l'on connectera au modèle thermique. Enfin, le dernier chapitre démontre l'intérêt d'un tel modèle dans le cadre de prédiction de stabilité (crunch) et du fonctionnement de puissance notamment en terme de dynamiques lentes en fonctionnement pulsé.
Book Synopsis Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction by : Thierry Peyretaillade
Download or read book Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.
Book Synopsis Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X by : François Dhondt
Download or read book Modélisation électrothermique des Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) pour les applications de puissance à haut rendement en bande X written by François Dhondt and published by . This book was released on 1997 with total page 400 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De part leur forte densité de puissance potentielle (10 w/mm contre 1 à 2w/mm pour les HEMT), les transistors bipolaires a hétérojonction (TBH) sont des composants de choix pour les applications monolithiques de forte puissance et à haut rendement. Cependant leur loi d'injection spécifique et la mauvaise conductivité thermique de l'AsGa les prédispose à des phénomènes d'emballement thermiques nuisibles pour leur fiabilité et leur niveau de performances. Les solutions mises en oeuvre pour stabiliser thermiquement les TBH (drain thermique, résistance de ballast) induisent des éléments parasites néfastes au comportement hyperfréquence du transistor. Notre travail a donc consisté dans le développement d'un modèle global de TBH multidoigts permettant une approche autocohérente des phénomènes électriques et thermiques. Pour cela, partant de modèle physiques non-stationnaires 1d et 2d de TBH nous extrayons les modèles électriques intrinsèques de transistor monodoigt paramètres en température pour chaque point de fonctionnement. Les éléments extrinsèques et les liaisons électriques entre les différents doigts sont caractérisés par des simulations électromagnétiques 3d. Enfin, une solution numérique non-linéaire de l'équation de la chaleur (3d régime établi, 2d en régime transitoire) couplée de façon autocoherente aux modèles électriques par une procédure d'équilibrage thermique permet une détermination réaliste des performances hyperfréquences de TBH multidoigts avec prise en compte des effets thermiques doigt a doigt.
Book Synopsis MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE by : AHMED.. BIRAFANE
Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Book Synopsis Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction by : Jean-Philippe Fraysse
Download or read book Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction written by Jean-Philippe Fraysse and published by . This book was released on 1999 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA MODELISATION NON-LINEAIRE DU TBH, APPLIQUEE A L'ETUDE ET A L'OPTIMISATION DU MONTAGE CASCODE POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE LARGE BANDE. LE PREMIER CHAPITRE DEBUTE PAR UNE PRESENTATION RAPIDE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET IDENTIFIE LES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DES DIFFERENTES FILIERES DE CE TRANSISTOR. CECI EST POURSUIVI PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PORTANT SUR LES TRANSISTORS ET LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE DE LA BANDE L A LA BANDE KA, AFIN DE CONFIRMER LES POTENTIALITES DU TBH GAAS VIS A VIS DES AUTRES FILIERES DE TRANSISTORS POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LE SECOND CHAPITRE EST ALORS CONSACRE A LA PRESENTATION D'UN MODELE NON LINEAIRE, NON-QUASI-STATIQUE ET ELECTRO-THERMIQUE DU TBH GAAS. LES DIFFERENTES ETAPES PERMETTANT DE L'OBTENIR, AINSI QUE SA VALIDATION A TRAVERS DIFFERENTES MESURES EN PUISSANCE SONT PRESENTEES. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA MISE EN EVIDENCE DE CORRELATIONS EXISTANTES ENTRE LES PERFORMANCES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE ET CELLES DES CELLULES ELEMENTAIRES QUI LES COMPOSENT, CONDUISENT A METTRE EN AVANT LES AVANTAGES DU MONTAGE CASCODE POUR CE TYPE D'APPLICATION. L'OPTIMISATION DE CE MONTAGE, ABOUTIT ALORS A LA PRESENTATION DES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION ET DES PREMIERES MESURES DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC. LE PREMIER SIMULE DANS LA BANDE 4.5-18GHZ, MONTRE L'INTERET D'UTILISER LE MONTAGE CASCODE POUR DISPOSER D'UN GAIN SUFFISANT A 18GHZ, LORS DE LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A BASE DE TBH. LES PREMIERES MESURES EN IMPULSION DU DEUXIEME AMPLIFICATEUR, CONFIRMENT POUR LEUR PART, LES DIFFERENTS ARGUMENTS PLAIDANT EN FAVEUR DU MONTAGE CASCODE POUR LES APPLICATIONS LARGES BANDES DE FORTE PUISSANCE. LA PUISSANCE DE SORTIE MESUREE SUR LA BANDE 2-8GHZ EST EN EFFET PROCHE DE 2W, AVEC UN GAIN ASSOCIE MOYEN DE 8DB ET UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MOYEN DE 24%.
Book Synopsis Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction by : Fabrice Arlot
Download or read book Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction written by Fabrice Arlot and published by . This book was released on 2002 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à la modélisation non-linéaire du TBH, appliquée à la réalisation d'un oscillateur en bande X à faible bruit de phase dans le cadre du projet PHARAO. Ce travail permet de dégager les paramètres influant sur le bruit de phase et établit une méthode de conception permettant d'obtenir le minimum de bruit de phase dans les oscillateurs. Le premier chapitre donne un descriptif du fonctionnement du transistor bipolaire et identifie les avantages et inconvénients des différentes familles de TBH par rapport aux transistors à effet de champ afin de confirmer les potentialités du TBH pour les applications microondes. Le second chapitre est alors consacré à la présentation d'un modèle non-linéaire, non-quasi-statique et électro-thermique du TBH. Les différentes étapes permettant de l'obtenir, ainsi que sa validation à travers plusieurs mesures sont présentées. Dans le troisième chapitre, nous présentons la méthodologie de conception d'un oscillateur TBH à faible bruit de phase. La réalisation d'une maquette d'oscillateur sur table, fonctionnant à 9.2 GHz et s'inscrivant dans le cadre du projet PHARAO financé par le CNES constitue l'aboutissement de ce travail.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis Integration d'un modele physique de transistor bipolaire a heterojonction dans l'environnement de la C.A.O. non lineaire des circuits monolithiques microondes by : Raphaël Sommet
Download or read book Integration d'un modele physique de transistor bipolaire a heterojonction dans l'environnement de la C.A.O. non lineaire des circuits monolithiques microondes written by Raphaël Sommet and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis MODELE ELECTROTHERMIQUE UNIDIMENSIONNEL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE POUR LA SIMULATION DE CIRCUITS by : THIERRY.. MAUREL
Download or read book MODELE ELECTROTHERMIQUE UNIDIMENSIONNEL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE POUR LA SIMULATION DE CIRCUITS written by THIERRY.. MAUREL and published by . This book was released on 1995 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE ELECTROTHERMIQUE UNIDIMENSIONNEL DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE DANS LE SIMULATEUR DE CIRCUITS SABER. AU NIVEAU ELECTRIQUE, LA DYNAMIQUE DE LA CHARGE STOCKEE DANS LE COLLECTEUR, PREPONDERANTE POUR CE TYPE DE COMPOSANT, EST PRISE EN COMPTE DE FACON NON QUASI-STATIQUE COMME UNE VARIABLE D'ETAT DU MODELE POUR DEVELOPPER LES SOLUTIONS CORRESPONDANT AU MODE STATIQUE ET AUX DIFFERENTS TRANSITOIRES D'OUVERTURE ET DE FERMETURE DU TRANSISTOR. LE MODELE THERMIQUE PREND EN COMPTE LES ECHANGES DE CHALEUR ENTRE LA PUCE DE SILICIUM ET SON ENVIRONNEMENT. DEUX VERSIONS DU MODELE THERMIQUE ONT ETE DEVELOPPEES: LA PREMIERE EST UNIDIMENSIONNELLE ET UTILISE L'ANALOGIE THERMIQUE-ELECTRIQUE ET LES NOTIONS DE RESISTANCE THERMIQUE ET DE CAPACITE THERMIQUE. LA DEUXIEME EST DEDIEE AUX STRUCTURES BIPOLAIRES ET UTILISE UN CALCUL A DEUX DIMENSIONS DE LA TEMPERATURE DANS LE SILICIUM POUR METTRE EN EVIDENCE L'APPARITION D'UN GRADIENT DE TEMPERATURE LONGITUDINAL EN SURFACE DE PUCE POUR LES FORTES PUISSANCES DISSIPEES. LE MODELE COMPLET DU TRANSISTOR PREND EN COMPTE LE COUPLAGE ELECTROTHERMIQUE TEMPERATURE-PUISSANCE DISSIPEE PAR L'INTERMEDIAIRE DE LOIS DE DEPENDANCE EN TEMPERATURE AFFECTEES AUX PARAMETRES PHYSIQUES DU SILICIUM. LE MODELE EST VALIDE PAR LA CARACTERISATION DE PLUSIEURS TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE DU COMMERCE, TANT AU NIVEAU DE SON FONCTIONNEMENT PUREMENT ELECTRIQUE EN MODE STATIQUE ET TRANSITOIRE (SANS AUTOECHAUFFEMENT) QUE DE SON COMPORTEMENT LORSQUE LE TRANSISTOR EST SOUMIS A DE FORTS AUTOECHAUFFEMENTS
Book Synopsis Modelisation electrothermique des transistors bipolaires a heterojonction (TBH) pour les applications de puissance a haut rendement en bande X by : François Dhondt
Download or read book Modelisation electrothermique des transistors bipolaires a heterojonction (TBH) pour les applications de puissance a haut rendement en bande X written by François Dhondt and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS by : Jean-Luc Pelouard
Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes by : Raphael Sommet
Download or read book Intégration d'un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction dans l'environnement de la C.A.O. non linéaire des circuits monolithiques microondes written by Raphael Sommet and published by . This book was released on 1996 with total page 257 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LE COUPLAGE ENTRE UN SIMULATEUR PHYSIQUE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION HETSI ET UN SIMULATEUR DE CIRCUIT EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE LISA. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: LA PREMIERE EST ESSENTIELLEMENT AXEE SUR LA PHYSIQUE DES COMPOSANTS. ELLE ETABLIT LES EQUATIONS GENERALES DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LES SEMI-CONDUCTEURS ET SUIVANT LES HYPOTHESES CHOISIES, LES EQUATIONS DE DERIVE DIFFUSION ET DE TRANSPORT D'ENERGIE SONT DONNEES. COMPTE TENU DES IMPERATIFS D'UN COUPLAGE DE CES EQUATIONS A UN SIMULATEUR DE CIRCUITS, UNE DISCRETISATION ET UNE RESOLUTION IMPLICITE DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS SONT DEVELOPPEES. DES RESULTATS CONCERNANT L'ETUDE D'UNE STRUCTURE DE HBT AVEC UN MODELE UNIDIMENSIONNEL SONT EXAMINES. LA SECONDE PARTIE EST DEDIEE QUANT A ELLE AUX METHODES UTILISABLES POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES. LES METHODES TEMPORELLES SONT ETUDIEES ET COMPAREES A LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE. IL RESSORT UN BESOIN REEL D'UTILISER LA METHODE DE L'EQUILIBRAGE HARMONIQUE POUR RESOUDRE LES EQUATIONS DES CIRCUITS MICROONDES EN REGIME PERIODIQUE ET EN ETAT ETABLI. LA TROISIEME PARTIE DU MEMOIRE CONCERNE L'INTEGRATION DES EQUATIONS DE LA PHYSIQUE DANS UN SIMULATEUR PHYSIQUE EN EQUILIBRAGE HARMONIQUE. LA CONSTRUCTION SOUS FORME MODULAIRE DES DEUX SIMULATEURS EST DECRITE AINSI QU'UNE METHODE ORIGINALE DU CALCUL DU JACOBIEN IMPLICITE EXACT DU SYSTEME. DES RESULTATS EN CLASSE A, B A 1.8 GHZ VALIDENT LE COUPLAGE. IL EST DESORMAIS POSSIBLE A L'AIDE DE CE NOUVEL OUTIL D'ENVISAGER DE CONCEVOIR ENSEMBLE LA PARTIE PASSIVE ET ACTIVE D'UN CIRCUIT MMIC
Book Synopsis MODELISATION NUMERIQUE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : ABDELJALIL.. SOLHI
Download or read book MODELISATION NUMERIQUE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELJALIL.. SOLHI and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DONT L'EMETTEUR EST CONSTITUE D'UN MATERIAU EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) MONTRE QUE LE FACTEUR D'IDEALITE DU COURANT DE BASE I#B EST LIE EN GRANDE PARTIE AUX ETATS D'INTERFACE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE. LA QUALITE DE CELLE-CI DETERMINE LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR. POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION MIS EN JEUX DANS CES STRUCTURES, NOUS AVONS D'ABORD DEVELOPPE UN MODELE SEMI-NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE RETROUVER LES CARACTERISTIQUES I#B(V#B#E) ET D'ANALYSER L'EFFET D'UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS REALISES. AFIN D'EVITER LES APPROXIMATIONS QUI ETAIENT A L'ORIGINE DE DISCORDES ENTRE LES COURBES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES A FORTS NIVEAUX D'INJECTION, POUR TENIR COMPTE DE TOUS LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU A-SI:H ET POUR BATIR UN MODELE PLUS GENERAL ET APPLICABLE A D'AUTRES STRUCTURES, NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE ENTIEREMENT NUMERIQUE DE LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE A-SI:H ET DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS REALISES. A PARTIR DE L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES CE MODELE NOUS A PERMIS DE TROUVER UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURBES SIMULEES ET EXPERIMENTALES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DES LIAISONS PENDANTES DANS LES MECANISMES DE CONDUCTION DANS LE A-SI:H AINSI QUE LE ROLE NEFASTE JOUE PAR LES ETATS D'INTERFACE SUR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS
Book Synopsis Optimisation du comportement électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction HF de puissance by : Patrice Souverain
Download or read book Optimisation du comportement électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction HF de puissance written by Patrice Souverain and published by . This book was released on 1999 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI PAR SIMULATIONS MONTE-CARLO by : SYLVIE.. GALDIN RETAILLEAU
Download or read book ETUDE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE NPN A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI PAR SIMULATIONS MONTE-CARLO written by SYLVIE.. GALDIN RETAILLEAU and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A DOUBLE HETEROJONCTION SI/SIGE/SI QUI OFFRE LES AVANTAGES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH), RAPPELES DANS LE PREMIER CHAPITRE, TOUT EN PROFITANT DE LA TECHNOLOGIE SILICIUM, PARFAITEMENT MAITRISEE. POUR COMPENSER L'ABSENCE DE DISCONTINUITE NATURELLE DE LA BANDE DE CONDUCTION AU NIVEAU DE L'HETEROJONCTION SI/SIGE, UNE COUCHE SI-P A ETE INSEREE ENTRE L'EMETTEUR ET LA BASE. NOUS ETUDIONS, EN PREMIER LIEU, L'INJECTION ET LE TRANSPORT DANS LA BASE EN SIMULANT, A L'AIDE D'UN MODELE PARTICULAIRE DE TYPE MONTE-CARLO, L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE POUR DEUX COMPOSITIONS DE LA BASE SIGE DU TRANSISTOR : L'UNE A COMPOSITION DE GERMANIUM CONSTANTE (HETEROJONCTION ABRUPTE), L'AUTRE A COMPOSITION GRADUELLE DE GERMANIUM. NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET D'UN TRANSPORT BALISTIQUE POUR AMELIORER LE COMPORTEMENT DYNAMIQUE DU TRANSISTOR. L'AVANTAGE DE LA STRUCTURE A HETEROJONCTION ABRUPTE, DU POINT DE VUE DU TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS, NOUS A CONDUIT A SIMULER LE TBH REEL ASSOCIE AFIN D'ETUDIER LES PROBLEMES DE GEOMETRIE BIDIMENSIONNELLES ET DE COLLECTION (AUTOPOLARISATION, EFFET KIRK). NOUS AVONS, EN PARTICULIER, EXAMINE LE PHENOMENE DE BARRIERE PARASITE QUI APPARAIT, EN FORTE INJECTION, A L'HETEROJONCTION BASE-COLLECTEUR EN CONCOMITANCE AVEC L'EFFET KIRK. EN DERNIER LIEU, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODE DE MESURE DIRECTE DE LA FREQUENCE DE TRANSITION, QUI NE NECESSITE AUCUNE HYPOTHESE DE SCHEMAS EQUIVALENTS, A PARTIR DE SIMULATIONS MONTE-CARLO DYNAMIQUES. LES VARIATIONS DU GAIN EN COURANT EN FONCTION DE LA FREQUENCE SONT OBTENUES EN EFFECTUANT UNE DECOMPOSITION EN SERIE DE FOURIER DES COURANTS BASE ET COLLECTEUR. NOUS AVONS OBTENU UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 70 GHZ
Book Synopsis Caractérisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs en vue de son utilisation en amplification hyperfréquence de puissance by : Laurent Andrieux
Download or read book Caractérisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs en vue de son utilisation en amplification hyperfréquence de puissance written by Laurent Andrieux and published by . This book was released on 1995 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS PRESENTE DES POTENTIALITES INTERESSANTES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A SA CARACTERISATION ET SA MODELISATION FORT SIGNAL POUR CE TYPE D'APPLICATION. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UN MODELE ELECTROTHERMIQUE PHYSIQUE NON LINEAIRE, IMPLANTE DANS LES LOGICIELS ESACAP ET HP/MDS. LA TEMPERATURE DU COMPOSANT EST MODELISE AU MOYEN D'UNE CELLULE THERMIQUE CONNEXE AU MODELE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, LA CARACTERISATION I(V) NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES VALEURS DES ELEMENTS LINEAIRES ET NON LINEAIRES DEFINISSANT LE MODELE. NOUS AVONS EGALEMENT ESTIME LA RESISTANCE THERMIQUE A UNE CONSTANTE. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES PETIT SIGNAL FONT ETAT D'UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET MAXIMALE D'OSCILLATION DE 15 GHZ. LES CONFRONTATIONS THEORIE-EXPERIENCE NOUS ONT PERMIS, POUR CES REGIMES DE FONCTIONNEMENT, DE VALIDER LE MODELE ETABLI, ET D'EVALUER L'INFLUENCE DE L'AUTO-ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR SUR SES PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES. LA DERNIERE PARTIE A CONSISTE A CARACTERISER NOS COMPOSANTS DANS UN AMPLIFICATEUR DISCRET: GAIN EN PUISSANCE, PUISSANCE DE SORTIE ET RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE, ONT ETE ETUDIES. NOUS MONTRONS QUE L'ADAPTATION DEFINIE EN REGIME LINEAIRE S'AVERE INSUFFISANTE POUR ATTEINDRE DE FORTES PUISSANCES DE SORTIE ET PRESENTONS UNE METHODE PERMETTANT D'OPTIMISER LES IMPEDANCES A PRESENTER. A 2 GHZ, ET POUR UNE POLARISATION EN CLASSE AB, UN GAIN DE PUISSANCE DE 12 DB, ASSOCIE A UNE PUISSANCE DE SORTIE MAXIMALE DE 630 MW ET UN RENDEMENT DE 60% ONT ETE OBTENUS. POUR TOUS LES CAS ETUDIES, LES SIMULATIONS VALIDENT NOTRE MODELE EN REGIME DE FORTS SIGNAUX. ENFIN, DES CONCLUSIONS SONT FAITES QUANT AUX POSSIBILITES PRATIQUES D'OPTIMISATION DE NOS STRUCTURES POUR L'OBTENTION DE PERFORMANCES ENCORE SUPERIEURES
