Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Download Letude Du Dopage De Carbure De Silicium Par Depot Chimique En Phase Vapeur full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Letude Du Dopage De Carbure De Silicium Par Depot Chimique En Phase Vapeur ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Author : Denis David
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 53 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book L'étude du dopage de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur written by Denis David and published by . This book was released on 1995 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Robert Biberian
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 74 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Etude de l'hétéroepitaxie de carbure de silicium sur silicium par dépot chimique en phase vapeur et application au contact Schottky written by Robert Biberian and published by . This book was released on 1976* with total page 74 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Philippe Pouvreau
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 174 pages
Book Rating : 4.:/5 (636 download)
Download or read book Contribution à la réalisation et à l'étude de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur à partir du complexe bis 2.2'-bipyridine silicium written by Philippe Pouvreau and published by . This book was released on 1978 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Philippe Pouvreau (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 174 pages
Book Rating : 4.:/5 (464 download)
Download or read book Contribution à la réalisation et à l'étude de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur à partir du complexe bis 2.2'-bipyridine silicium written by Philippe Pouvreau (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1978 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Philippe Pouvreau
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (143 download)
Download or read book Contribution à la réalisation et à l'étude de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur à partir du complexe bis 22'-bipyridine silicium written by Philippe Pouvreau and published by . This book was released on 1978 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Mohamed Adnen Tounsi
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 201 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Dépôts de silicium pur ou dopé in situ au phosphore written by Mohamed Adnen Tounsi and published by . This book was released on 1994 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) PRESENTE UNE GRANDE IMPORTANCE DANS DE NOMBREUX SECTEURS INDUSTRIELS ET, EN PARTICULIER, POUR LA MICROELECTRONIQUE. LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT D'ETABLIR UN MODELE DE SIMULATION NUMERIQUE DU COMPORTEMENT CINETIQUE DES REACTEURS DE DEPOT LPCVD DE SILICIUM PUR ET DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PUIS DE RECHERCHER LES CORRELATIONS QUI EXISTENT ENTRE LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DES FILMS MINCES ET LES CONDITIONS DE LEUR ELABORATION. POUR CE QUI CONCERNE L'ANALYSE CINETIQUE, NOUS AVONS PERFECTIONNE PUIS UTILISE SYSTEMATIQUEMENT LE LOGICIEL CVD 2, PRECEDEMMENT ELABORE PAR DES CHERCHEURS DE NOTRE LABORATOIRE. IL S'AGIT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL D'ETUDE LOCALE QUI INTEGRE LES EQUATIONS DE NAVIER-STOKES ET DE TRANSFERT DE MATIERE, COUPLEE AUX LOIS CINETIQUES DES REACTIONS CHIMIQUES MISES EN JEU. POUR CE QUI CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE ET DES PROPRIETES DES COUCHES, NOUS AVONS UTILISE DIVERSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ET, TOUT PARTICULIEREMENT, L'ELLIPSOMETRIE; CETTE PARTIE DE NOTRE TRAVAIL A ETE EFFECTUEE EN ETROITE COLLABORATION AVEC LE LAAS DU CNRS. DU POINT DE VUE DE LA NATURE DES DEPOTS, ENFIN, NOTRE EFFORT A ETE ORGANISE AUTOUR DE TROIS AXES, L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DE LA LONGUEUR DE LA ZONE D'ENTREE DANS LE REACTEUR, L'EXAMEN DETAILLE DE L'INFLUENCE DE LA CONCENTRATION DE PHOSPHINE, GAZ QUI DEPOSE LES ATOMES DE PHOSPHORE QUI DOPENT LE SILICIUM ET, ENFIN, PLUS BRIEVEMENT, L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'ADDITION DE FAIBLES FRACTIONS DE DISILANE AU MONOSILANE QUI CONSTITUE LA SOURCE DE SILICIUM
Author : J.-P.. DUCHEMIN
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 160 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book ETUDE DES PROCESSUS DE DEPOT ET DE DOPAGE DU SILICIUM EN PHASE GAZEUSE written by J.-P.. DUCHEMIN and published by . This book was released on 1976 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PHENOMENOLOGIQUE DES PROCESSUS DE DEPOT ET D'ATTAQUE, DES REACTIONS CHIMIQUES QUI SE PRODUISENT A LA SURFACE ET DANS LA COUCHE LIMITE. ETABLISSEMENT DU REGIME DES ECHANGES DANS LA COUCHE LIMITE. ETUDE DES REACTIONS HETEROGENES, ROLE DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE. CLASSEMENT SYSTEMATIQUE DES DIFFERENTS MECANISMES DE DOPAGE ET EXAMEN DES REGIMES TRANSITOIRES.
Author : Jacques Simon
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 123 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore written by Jacques Simon and published by . This book was released on 1993 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SILICIUM POLYCRISTALLIN OU AMORPHE HYDROGENE EST UN MATERIAU TRES INTERESSANT, UTILISE EN MICRO-ELECTRONIQUE POUR LA REALISATION DE NOMBREUX DISPOSITIFS. L'ANALYSE DE LA PHASE GAZEUSE DE DECOMPOSITION A MIS EN EXERGUE L'IMPORTANCE DU ROLE DES REACTIONS CHIMIQUES EN PHASE HOMOGENE DANS LE MECANISME DE DISSOCIATION THERMIQUE DU DISILANE. L'AJOUT DE PHOSPHINE DANS LA PHASE GAZEUSE ENTRAINE DES MODIFICATIONS DE SA COMPOSITION. LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DU DISILANE EN TERMES DE TEMPERATURE D'ELABORATION ET DE VITESSE DE CROISSANCE EN PRESENCE DE PHOSPHINE SONT MIS EN EVIDENCE ET CORRELES AVEC LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET EN PARTICULIER AVEC LA QUANTITE DE RADICAUX SILYLENES PRESENTS. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES TELS QUE LA TEMPERATURE, LA PRESSION TOTALE OU LA FRACTION MOLAIRE A ETE ETUDIEE AUX TRAVERS DE DEUX PLANS D'EXPERIENCES. LA POTENTIALITE DU DISILANE EN TANT QUE NOUVEAU PRECURSEUR GAZEUX DE SILICIUM EN REMPLACEMENT DU MONOSILANE A ETE DEMONTREE. DANS LE CAS DU DOMMAGE IN-SITU, IL PERMET L'OBTENTION DE FILMS AYANT LES MEMES PROPRIETES (CONCENTRATION EN DOPANTS, RESISTIVITE) AVEC UN TAUX D'INHIBITION DE LA VITESSE DE CROISSANCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
Author : Jocelyn Gimbert
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 180 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Dopage du carbure de silicium par implantation ionique written by Jocelyn Gimbert and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE DOPAGE DU CARBURE DE SILICIUM SIC-6H ET SIC-4H PAR IMPLANTATION IONIQUE, A LA FOIS DES POINTS DE VUE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE. L'OBTENTION DE DOPAGES CONTROLES DE TYPE N ET P EST NECESSAIRE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE HAUTE PUISSANCE ET/OU DE HAUTES FREQUENCES, TELS QUE LES MESFETS OU LES DIODES SCHOTTKY. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHYSIQUES PARTICULIERES DU CARBURE DE SILICIUM ET NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET DE DEVELOPPER UNE TECHNOLOGIE SUR CE MATERIAU. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DE L'IMPLANTATION, ET EN PARTICULIER CELLE DES DOPANTS CLASSIQUES QUE SONT L'AZOTE, POUR LE DOPAGE DE TYPE N, ET L'ALUMINIUM ET LE BORE, POUR LE DOPAGE DE TYPE P. LES RESULTATS OBTENUS AVEC CES DOPANTS SONT DECRITS ET ANALYSES. NOUS EN DEDUISONS LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT UNE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET UN ETAT DE SURFACE ACCEPTABLE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS. NOUS DETAILLONS EGALEMENT, DANS UNE TROISIEME PARTIE, LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES DEUX POLYTYPES SIC-4H ET SIC-6H. NOUS ABORDONS LE PROBLEME DE GEL DES PORTEURS ET CELUI DES DIFFERENTS MODES DE DIFFUSION DES PORTEURS. LES MESURES ELECTRIQUES SONT FAITES ESSENTIELLEMENT PAR EFFET HALL SUR MOTIF DE VAN DER PAUW ET PAR MESURE DE RESISTIVITE AVEC LA METHODE DES 4 POINTES. CELLES-CI NOUS PERMETTENT D'EN DEDUIRE LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UNE COUCHE CONDUCTRICE DOPEE : LE TYPE DU MATERIAU, LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES, LA RESISTIVITE ET LA MOBILITE. LES RESULTATS DES EXPERIENCES REALISEES SONT COMMENTES ET COMPARES A L'ANALYSE THEORIQUE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LA CONDUCTION ELECTRIQUE EST ETUDIEE AFIN D'ENVISAGER LA FABRICATION DE DISPOSITIFS IMPLANTES SUR CARBURE DE SILICIUM.
Author : CHRISTOPHE.. RAFFY
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 259 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book APPROCHE AB INITIO DE LA CROISSANCE DE CARBURE DE SILICIUM A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE written by CHRISTOPHE.. RAFFY and published by . This book was released on 2000 with total page 259 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM EST UN SEMI-CONDUCTEUR D'AVENIR POUR DES APPLICATIONS EN MICRO-ELECTRONIQUE. DANS CETTE OPTIQUE, L'ELABORATION DE MONOCRISTAUX DE QUALITE EST CRUCIALE. ELLE EST REALISEE ESSENTIELLEMENT A PARTIR D'UNE PHASE GAZEUSE, SOIT PAR LA METHODE DE LELY MODIFIEE POUR LE MATERIAU MASSIF, SOIT PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR POUR LA CROISSANCE HOMOEPITAXIALE DE COUCHES MINCES. DANS CE TRAVAIL CONSACRE A LA MODELISATION DE LA CROISSANCE, NOUS AVONS D'ABORD ETUDIE LA REACTIVITE DU MELANGE GAZEUX SILANE/PROPANE UTILISE EN CVD, PAR DES CALCULS AB INITIO DE TYPE HARTREE-FOCK. DES CHEMINS REACTIONNELS ONT ETE PROPOSES POUR LA FORMATION D'ESPECES ORGANOSILICIEES. NOUS AVONS DETERMINE LES DIAGRAMMES D'ENERGIE POTENTIELLE RELATIFS AUX REACTIONS DU SILYLENE AVEC LE METHANE, L'ETHYLENE ET L'ACETYLENE. PAR DES CALCULS RRKM DE CONSTANTES CINETIQUES, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE JOUE PAR LE METHYLSILYLENE LORS DU DEPOT. NOUS AVONS ENSUITE ETUDIE LES PROPRIETES DU SUBSTRAT, PAR DES CALCULS BASES SUR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE LA DENSITE. L'OBJECTIF ETAIT DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DE LA FORMATION DES DIFFERENTES PHASES DU SIC, NOTAMMENT LES POLYTYPES 3C, 4H, 6H ET 2H. L'ETUDE EN VOLUME A MONTRE, EN ASSOCIATION AVEC LE MODELE ANNNI, QUE LA THERMODYNAMIQUE PERMET D'EXPLIQUER LA FORMATION PREFERENTIELLE DE CERTAINES PHASES, MAIS NE PERMET PAS DE JUSTIFIER LA FORMATION DU POLYTYPE 3C QUI EST DUE AUX CONDITIONS PARTICULIERES DE CROISSANCE. LES PROPRIETES DE LA SURFACE (0001) DU POLYTYPE 4H ONT ALORS ETE EXAMINEES, METTANT EN EVIDENCE L'INFLUENCE DE LA POLARITE SUR LA CROISSANCE, NOTAMMENT SUR L'ORIENTATION ADOPTEE PAR LA BICOUCHE DE SURFACE. ENFIN, POUR SE RAPPROCHER DES CONDITIONS EXPERIMENTALES, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX SURFACES DESORIENTEES SUIVANT LA DIRECTION 1100. EN PARTICULIER, L'INFLUENCE DE L'ANGLE DE DESORIENTATION SUR LA STRUCTURE DES MARCHES A ETE ETUDIEE.
Author : Ludovic Charpentier
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 245 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Développement d'un procédé alternatif de croissance de carbure de silicium massif written by Ludovic Charpentier and published by . This book was released on 2003 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium est un matériau d'avenir pour les applications électroniques à hautes puissances, hautes températures, hautes fréquences. Cette thèse avait pour objectif le développement d'un procédé de croissance de carbure de silicium massif alternatif par rapport aux deux procédés industriels existants, à savoir la croissance à partir de la condensation de vapeurs Si, Si2C, SiC2 résultant de la sublimation d'une poudre de carbure de silicium (technique appelée PVT) et la croissance à partir de réactions de surface avec une atmosphère de gaz réactifs comme par exemple le mélange silane-propane (technique appelée HTCVD). Ce procédé alternatif repose sur la croissance monocristalline de carbure de silicium à partir de la sublimation d'une source polycristalline de carbure de silicium renouvelée par dépôt chimique en phase vapeur à partir de tétraméthylsilane injecté sous flux d'argon. Cette thèse présente tout d'abord les études menées pour démontrer la faisabilité du nouveau procédé. Simulations et expériences ont montré que le procédé est réalisable jusqu'à 2000ʿC. Une étude plus détaillée sur le transfert de carbure de silicium de la zone de renouvellement vers la zone de croissance par sublimation a été également effectuée, démontrant l'importance des phénomènes de sublimation et de condensation de carbure de silicium dans ce transfert. Enfin, les caractérisations effectuées ont montré des résultats prometteurs sur le faible niveau de dopage des monocristaux élaborés par ce nouveau procédé.
Author : Mihai Bogdan Lazar
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 219 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Author : Eric Neyret
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 200 pages
Book Rating : 4.:/5 (116 download)
Download or read book Croissance de couches homoépitaxiales de carbure de silicium pour applications forte puissance written by Eric Neyret and published by . This book was released on 2000 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MATERIAU CARBURE DE SILICIUM, DU FAIT DE SES PROPRIETES INTRINSEQUES, PRESENTE DES AVANTAGES PAR RAPPORT AU SILICIUM DANS CERTAINS DOMAINES TELS QUE LA PUISSANCE, LES HAUTES FREQUENCES ET DANS LES MILIEUX HOSTILES. L'ELABORATION DE COMPOSANTS EN SIC NECESSITE DE POUVOIR DEPOSER DES COUCHES DONT ON MAITRISE LE COUPLE EPAISSEUR/DOPAGE, L'EPAISSEUR DE CES COUCHES ALLANT DE QUELQUES CENTAINES DE NANOMETRES A QUELQUES DIZAINES DE MICRONS SUIVANT L'APPLICATION. C'EST POURQUOI CE TRAVAIL PRESENTE L'ETUDE DU DEPOT HOMOEPITAXIAL DE SIC-4H OU 6H EN PHASE VAPEUR (CVD). LE DOMAINE D'UTILISATION DES COUCHES CONCERNE LES APPLICATIONS FORTE PUISSANCE. DANS UN PREMIER TEMPS, A PARTIR DE CALCULS THERMODYNAMIQUES ET D'UNE APPROCHE EXPERIMENTALE, NOUS MONTRONS LA NECESSITE DE CONTROLER LA PHASE D'ATTAQUE PREPARATOIRE A L'EPITAXIE. NOUS MONTRONS NOTAMMENT L'INTERET D'UTILISER LE MELANGE H 2 + C 3H 8 POUR EVITER LA FORMATION DE DEFAUTS APPELES GOUTTES DE SILICIUM QUI APPARAISSENT LORSQUE L'ATTAQUE DU SIC EST FAITE AVEC DE L'HYDROGENE SEUL. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS NOUS INTERESSONS A LA COMPREHENSION DES MECANISMES DE DEPOT DU SIC. NOUS TRAITONS NOTAMMENT DE LA COMPLEXITE DE LA CHIMIE DU SYSTEME SI-C-H GRACE A DES CALCULES THERMODYNAMIQUES. A PARTIR DE RESULTATS EXPERIMENTAUX NOUS REMONTONS EGALEMENT AUX DIFFERENTS PARAMETRES LIMITANT LA VITESSE DE CROISSANCE ET METTONS EN EVIDENCE L'INTERET D'UTILISER LE MODELE DE GROVE. A PARTIR DE CES CONSIDERATIONS NOUS DONNONS LES SOLUTIONS POUR AUGMENTER LA VITESSE DE DEPOT. ENFIN, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES DE NOS COUCHES D'UN POINT DE VUE STRUCTURAL ET ELECTRIQUE. NOUS ABORDONS EGALEMENT LES MOYENS DE CONTROLER LE DOPAGE PENDANT LE DEPOT DANS UNE LARGE GAMME (DE 10 1 4 A 10 2 0 AT/CM 3) GRACE AU CONCEPT D'EPITAXIE A COMPETITION DE SITE. EN DERNIER LIEU NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES DE DIODES SCHOTTKY ELABOREES SUR NOS COUCHES.
Author : Redhouane Henda
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 198 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Dépôts de nitrure de silicium par procédés chimiques en phase vapeur à basse pression et à faible bilan thermique written by Redhouane Henda and published by . This book was released on 1994 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE CONCERNE LES PROCEDES LPCVD A BASSE TEMPERATURE ET/OU FAIBLE BILAN THERMIQUE UTILISANT LES MELANGES GAZEUX DISILANE-AMMONIAC OU SILANE/AMMONIAC. LE PROCEDE BASSE TEMPERATURE A ETE ANALYSE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE 555-645C, EN UTILISANT LE MELANGE DISILANE-AMMONIAC. L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DE LA CINETIQUE DE DEPOT A PERMIS D'EXPLIQUER LES RESULTATS OBTENUS SELON UN MECANISME REACTIONNEL DU LANGMUIR-HINSHELWOOD. LES RESULTATS OBTENUS METTENT EGALEMENT EN EVIDENCE UNE CORRELATION ENTRE CONDITIONS DE DEPOT ET CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DEPOSES: INDICE DE REFRACTION, RAPPORT ATOMIQUE SI/N, MASSE VOLUMIQUE. LE PROCEDE DE DEPOT PAR TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE (RTCVD) A ETE ETUDIE POUR LE MELANGE SILANE-AMMONIAC. UNE ETUDE PREALABLE DU COMPORTEMENT THERMIQUE DU REACTEUR RTP JETLIGHT 200 A ETE MENEE. ELLE A D'ABORD PERMIS DE DETERMINER LE PROFIL DE TEMPERATURE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, QUI SE COMPARE FAVORABLEMENT A CELUI MESURE EXPERIMENTALEMENT, ET D'ANALYSER LES POSSIBILITES DE REDUCTION DU GRADIENT THERMIQUE PRESENT SUR SA SURFACE. LES VITESSES DE DEPOT, ENTRE 750 ET 850C, DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM AINSI QUE LEURS INDICES DE REFRACTION ONT ETE EVALUES. L'ANALYSE DE CES RESULTATS INDIQUE UNE FAIBLE DECOMPOSITION DES REACTIFS EN PHASE HOMOGENE, CE QUI SIGNIFIE QUE DES FILMS UNIFORMES PEUVENT ETRE OBTENUS EN OPERANT EN REGIME DE REACTION DE SURFACE ET EN DIMINUANT LES GRADIENTS THERMIQUES PRESENTS DANS LE SUBSTRAT
Author : Francine Fayolle (Chimiste)
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 215 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Analyse et modélisation des dépots d'oxyde de silicium par procédé LPCVD written by Francine Fayolle (Chimiste) and published by . This book was released on 1993 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) EST LE PROCEDE LE PLUS UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICRO-ELECTRONIQUE POUR REALISER DES COUCHES MINCES, EFFECTUEES LE PLUS SOUVENT DANS DES REACTEURS TUBULAIRES A MURS CHAUDS. L'UNE DES APPLICATIONS DE LA CVD EST LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM PARTIELLEMENT OXYDE, ET SEMI-ISOLANTES (APPELE SIPOS), A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET DE PROTOXYDE D'AZOTE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CORRESPOND A L'ETUDE ET L'ETABLISSEMENT D'UN SYSTEME CHIMIQUE COMPORTANT DEUX PHASES (GAZEUSE ET SOLIDE) ET REPRESENTATIF DU DEPOT. LES CONSTANTES CINETIQUES CORRESPONDANT AUX REACTIONS HOMOGENES SONT EVALUEES A PARTIR DE DIFFERENTES METHODES, EN PARTICULIER LA METHODE QRRK. LA SECONDE PARTIE COMPREND LE DEVELOPPEMENT ET L'UTILISATION DE DEUX LOGICIELS PERMETTANT DE MODELISER LES ECOULEMENTS ET LE TRANSFERT DE MATIERE DANS UN REACTEUR DE DEPOT DE SIPOS EN UTILISANT LE SYSTEME CHIMIQUE DECRIT PRECEDEMMENT. LE PREMIER LOGICIEL, CVD2 MODELISE UN ESPACE INTERPLAQUETTE. IL A PERMIS D'IDENTIFIER LES CONSTANTES DE DEPOT EN PHASE HETEROGENE. LE LOGICIEL CWCVD A PERMIS D'ETUDIER LA ZONE D'ENTREE DU REACTEUR. LES RESULTATS DE CES SIMULATIONS SONT COMPARES AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS A L'USINE MOTOROLA DE TOULOUSE. CEUX-CI SONT DETAILLES AINSI QUE LES METHODES D'ANALYSE UTILISEES. LE BON ACCORD OBTENU ENTRE LA SIMULATION ET LES EXPERIENCES PERMET DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DU MECANISME CHIMIQUE ET D'AVANCER DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT DE SIPOS. UNE DERNIERE PARTIE UTILISE LA METHODE QRRK POUR UN AUTRE TYPE DE DEPOT D'OXYDE, CETTE FOIS TOTALEMENT ISOLANT, A PARTIR D'UN MELANGE D'OXYGENE ET DE SILANE (LTO). LE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT NE PERMETTANT PAS L'UTILISATION DIRECTE DES LOGICIELS DECRITS PRECEDEMMENT, SEULE UNE PREMIERE ANALYSE DU SYSTEME CHIMIQUE A PU ETRE EFFECTUEE
Author : Ahmed Belasri
Publisher : Springer Nature
ISBN 13 : 9811554447
Total Pages : 659 pages
Book Rating : 4.8/5 (115 download)
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author : Universidade de Coimbra
Publisher :
ISBN 13 : 9789892021577
Total Pages : 355 pages
Book Rating : 4.0/5 (215 download)
Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
