Etude par diffraction des rayons X et microscopie électronique en transmission de couches GaInAs déposées sur substrat {111} vicinal

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Book Synopsis Etude par diffraction des rayons X et microscopie électronique en transmission de couches GaInAs déposées sur substrat {111} vicinal by : Hélène Varlet

Download or read book Etude par diffraction des rayons X et microscopie électronique en transmission de couches GaInAs déposées sur substrat {111} vicinal written by Hélène Varlet and published by . This book was released on 2006 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire vise à mieux comprendre les mécanismes mis en jeu lors de la relaxation de couches épitaxiées GaInAs déposées sur substrat GaAs vicinal {111}. L'angle de coupe, nécessaire pour garantir une croissance bidimensionnelle de la couche, est à l'origine d'une forte anisotropie de relaxation. Une méthode de caractérisation par diffraction des rayons X, ne nécessitant aucune hypothèse préalable sur l'état de contrainte, a été développée pour déterminer précisément la composition chimique et l'état de relaxation des couches. Elle a permis de montrer, pour des couches d'épaisseur de l'ordre du micromètre, qu'il existe une importante rotation des plans cristallins de la couche et que la relaxation se produit très majoritairement suivant la direction de l'angle de coupe. Les observations fournies par la microscopie électronique viennent confirmer ce résultat. La relaxation plastique se produit par génération de fautes d'empilement intrinsèques bordées par des dislocations partielles. Pour expliquer les mécanismes ayant conduit à cette anisotropie, l'effet des bords de marches et la nature des défauts sont considérés.

Etude par microscopie électronique en transmission et diffraction des rayons X des phénomènes de décollement aux interfaces barrière de diffusion TiN/Ti- diélectrique

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Book Synopsis Etude par microscopie électronique en transmission et diffraction des rayons X des phénomènes de décollement aux interfaces barrière de diffusion TiN/Ti- diélectrique by : Lahouari Fares

Download or read book Etude par microscopie électronique en transmission et diffraction des rayons X des phénomènes de décollement aux interfaces barrière de diffusion TiN/Ti- diélectrique written by Lahouari Fares and published by . This book was released on 2000 with total page 73 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA RECHERCHE DE L'ORIGINE DE DECOLLEMENTS QUI SE PRODUISENT EN FIN DE FABRICATION DE CERTAINS CIRCUITS INTEGRES ELABORES PAR ATMEL-ES2. CES DECOLLEMENTS, SURVENANT A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE LORS D'UNE MONTEE EN TEMPERATURE (SIO 2 OU BPSG = VERRE BOROPHOSPHOSILICATE), SONT PLUS NOMBREUX LORSQUE LE DIELECTRIQUE EST DU BPSG. AFIN DE COMPRENDRE CETTE DIFFERENCE DE COMPORTEMENT, NOUS AVONS REALISE UNE ETUDE COMPARATIVE EN FONCTION DU DIELECTRIQUE, AVANT ET APRES RECUIT, PAR DIFFRACTION DES RAYONS X (MICROSTRUCTURE DES COUCHES CRISTALLINES) ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION COUPLEE A LA SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS EN PERTES D'ENERGIE ET A LA SPECTROSCOPIE DE RAYONS X EN DISPERSION D'ENERGIE (CARACTERISATION DES INTERFACES, DES NANOPHASES FORMEES LORS DU RECUIT). LA DIFFERENCE FONDAMENTALE OBSERVEE EST LA REACTIVITE A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE : DANS LE CAS DU BPSG, LA FORMATION DE TI 5SI 3 EST PRECEDEE DE CELLE D'UNE COUCHE AMORPHE ENRICHIE EN P. LE TI 5SI 3 SE FORME CETTE FOIS-CI PAR REACTION ENTRE LE TI ET CETTE COUCHE AMORPHE. LA CINETIQUE DE CROISSANCE DU TI 5SI 3 AU DETRIMENT DE LA COUCHE AMORPHE EST AINSI FORTEMENT RALENTIE PAR RAPPORT A LA REACTION TI/SIO 2. OR, LA FORMATION D'UN SILICIURE DE TITANE, A L'INTERFACE TI/DIELECTRIQUE, EST UN MOYEN CONNU D'AMELIORER L'ADHESION. AINSI, L'EXISTENCE DE CETTE COUCHE AMORPHE EN FIN DE FABRICATION DES COMPOSANTS CONSTITUE UNE FAIBLESSE POUVANT CONDUIRE A UNE DELAMINATION. EN CONCLUSION, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE COUPLEE A L'ANALYSE CHIMIQUE A L'ECHELLE ATOMIQUE NOUS A PERMIS, POUR LA PREMIERE FOIS A NOTRE CONNAISSANCE, D'IDENTIFIER, D'UN POINT DE VUE CHIMIQUE ET STRUCTURAL, LA COUCHE RESPONSABLE DES DECOLLEMENTS AUX INTERFACES TI/BPSG.

ZnO Thin Films

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Book Synopsis ZnO Thin Films by : Paolo Mele

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.