Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Etude In Situ Par Ellipsometrie Uv Visible Et Sonde De Kelvin De La Croissance Et Des Proprietes Du Silicium Microcristallin Application Aux Dispositifs Photovoltaiques
Download Etude In Situ Par Ellipsometrie Uv Visible Et Sonde De Kelvin De La Croissance Et Des Proprietes Du Silicium Microcristallin Application Aux Dispositifs Photovoltaiques full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Etude In Situ Par Ellipsometrie Uv Visible Et Sonde De Kelvin De La Croissance Et Des Proprietes Du Silicium Microcristallin Application Aux Dispositifs Photovoltaiques ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis ETUDE IN-SITU PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE ET SONDE DE KELVIN DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN. APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES by : SOUMANA.. HAMMA
Download or read book ETUDE IN-SITU PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE ET SONDE DE KELVIN DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN. APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by SOUMANA.. HAMMA and published by . This book was released on 1998 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE IN SITU DE LA CROISSANCE ET DES PROPRIETES DU SILICIUM MICROCRISTALLIN C-SI : H) AINSI QUE DES INTERFACES INTERVENANT DANS LES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE C-SI : H ET DE SILICIUM AMORPHE (A-SI:H). LA COMBINAISON DES MESURES IN SITU D'ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE AVEC DES MESURES DE CONDUCTIVITE ET DE SONDE DE KELVIN NOUS A PERMIS DE CORRELER LES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES ET STRUCTURALES DES COUCHES PENDANT LEUR CROISSANCE. CECI PERMET UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES CARACTERISANT LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET LA FORMATION DES INTERFACES DANS LES DISPOSITIFS. EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PLASMAS ALTERNES (DITE DE LAYER-BY-LAYER) NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUATRE ETAPES PENDANT LA FORMATION DU C-SI:H SUR SUBSTRAT AMORPHE. L'HYDROGENE EST LE MOTEUR PRINCIPAL DE LA TRANSITION AMORPHE / MICROCRISTALLIN ET SON ROLE PARTICULIER AUX DIFFERENTES ETAPES DE LA CROISSANCE A ETE ANALYSE. LA ZONE (SURFACE OU VOLUME) OU SE DEROULE LA GERMINATION SEMBLE ETROITEMENT LIE A LA PRESENCE OU NON D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE. LES PROPRIETES DU C-SI:H (CONDUCTIVITE, POTENTIEL DE CONTACT, STABILITE) SONT ETROITEMENT LIEES A LA FRACTION CRISTALLINE, LA FRACTION DE VIDE, LA TAILLE DES GRAINS ET L'EPAISSEUR DE LA COUCHE. CES QUANTITES DEPENDENT DE LA TEMPERATURE ET DE LA PRESSION DE DEPOT QUI CONSTITUENT PAR AILLEURS DES PARAMETRES ESSENTIELS POUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE ET DE LA VITESSE DE DEPOT DU C-SI : H. DES COUCHES MICROCRISTALLINES DOPEES N ET P TRES MINCES ( 10 NM) ONT ETE OBTENUES. L'APPLICATION DE CES COUCHES DANS LES PHOTOPILES NOUS A CONDUIT A ABORDER LE PROBLEME DE L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. LE DEPOT DU C-SI : H SUR A-SI:H PEUT ENTRAINER DANS CERTAINES CONDITIONS (TEMPERATURE, DOPAGE, CHAMP ELECTRIQUE) LA FORMATION D'UNE COUCHE POREUSE D'INTERFACE AVEC LE A-SI:H. PAR AILLEURS, LES MESURES DE POTENTIEL DE CONTACT (SONDE DE KELVIN) NOUS ONT PERMIS DE DETERMINER LE GAP DE MOBILITE DU C-SI : H AINSI QUE LES DISCONTINUITES DE LA BANDE DE CONDUCTION ET DE LA BANDE VALENCE A L'INTERFACE C-SI : H/A-SI : H. L'ETUDE DES PROFILS DE POTENTIEL AUX INTERFACES P/I NOUS A PERMIS DE MONTRER QUE LA LONGUEUR D'ECRANTAGE DANS LE C-SI : H EST D'AU MOINS UN FACTEUR TROIS SUPERIEURE A CELLE MESUREE DANS LE A-SI:H ; CONFIRMANT AINSI LE GRAND INTERET DU C-SI : H DANS LES APPLICATIONS A BASE DE A-SI : H. AUSSI, NOUS AVONS DEMONTRE QU'UNE EXCELLENTE CARACTERISTIQUE I(V) PEUT ETRE OBTENUE MEME POUR DES CELLULES SOLAIRES MICROCRISTALLINES DEPOSEES A 100\C.
Book Synopsis CORRELATION ENTRE MODE DE CROISSANCE ET PROPRIETES DE TRANSPORT DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, ETABLIE PAR REFLECTROMETRIE MICRO-ONDE ET ELLIPSOMETRIE by : Romain Brénot
Download or read book CORRELATION ENTRE MODE DE CROISSANCE ET PROPRIETES DE TRANSPORT DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, ETABLIE PAR REFLECTROMETRIE MICRO-ONDE ET ELLIPSOMETRIE written by Romain Brénot and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE DE THESE SE FIXE POUR OBJECTIF D'ETUDIER UN SEMI-CONDUCTEUR HETEROGENE DEPOSE EN COUCHES MINCES, LE SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGENE. CETTE ETUDE A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN REACTEUR DE DEPOT PAR PLASMA FROID, SUR LEQUEL ONT ETE MONTES DES MOYENS DE CARACTERISATION IN SITU DES PROPRIETES OPTIQUES (AVEC UN ELLIPSOMETRE UV-VISIBLE) ET DES PROPRIETES DE TRANSPORT DE CE MATERIAU (PAR DES TECHNIQUES DE REFLECTOMETRIE MICRO-ONDE, TRMC ET DTRMC). CES TECHNIQUES ORIGINALES ONT PERMIS D'ELABORER UN MODELE DE TRANSPORT QUI VA A CONTRE-COURANT DES MODELES COMMUNEMENT ADMIS POUR CE MATERIAU, ET QUI PERMET D'EXPLIQUER LES DONNEES DE LA LITTERATURE. ENFIN, DE NOUVELLES VOIES SEMBLENT OUVERTES POUR L'OPTIMISATION DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, EN VUE DE SON UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS TELS QUE LES CELLULES SOLAIRES EN COUCHES MINCES ET LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP POUR LES SYSTEMES D'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS
Book Synopsis CORRELATION ENTRE MODE DE CROISSANCE ET PROPRIETES DE TRANSPORT DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, ETABLIE PAR REFLECTROMETRIE MICRO-ONDE ET ELLIPSOMETRIE by : Romain Brénot
Download or read book CORRELATION ENTRE MODE DE CROISSANCE ET PROPRIETES DE TRANSPORT DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, ETABLIE PAR REFLECTROMETRIE MICRO-ONDE ET ELLIPSOMETRIE written by Romain Brénot and published by . This book was released on 2000 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE DE THESE SE FIXE POUR OBJECTIF D'ETUDIER UN SEMI-CONDUCTEUR HETEROGENE DEPOSE EN COUCHES MINCES, LE SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGENE. CETTE ETUDE A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN REACTEUR DE DEPOT PAR PLASMA FROID, SUR LEQUEL ONT ETE MONTES DES MOYENS DE CARACTERISATION IN SITU DES PROPRIETES OPTIQUES (AVEC UN ELLIPSOMETRE UV-VISIBLE) ET DES PROPRIETES DE TRANSPORT DE CE MATERIAU (PAR DES TECHNIQUES DE REFLECTOMETRIE MICRO-ONDE, TRMC ET DTRMC). CES TECHNIQUES ORIGINALES ONT PERMIS D'ELABORER UN MODELE DE TRANSPORT QUI VA A CONTRE-COURANT DES MODELES COMMUNEMENT ADMIS POUR CE MATERIAU, ET QUI PERMET D'EXPLIQUER LES DONNEES DE LA LITTERATURE. ENFIN, DE NOUVELLES VOIES SEMBLENT OUVERTES POUR L'OPTIMISATION DU SILICIUM MICROCRISTALLIN, EN VUE DE SON UTILISATION DANS DES DISPOSITIFS TELS QUE LES CELLULES SOLAIRES EN COUCHES MINCES ET LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP POUR LES SYSTEMES D'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS.
Book Synopsis CROISSANCE ET PROPRIETES D'EMISSION DANS LE VISIBLE DE NANOGRAINS DE SILICIUM DANS UNE MATRICE DE SILICE by : STEPHANE.. CHARNET
Download or read book CROISSANCE ET PROPRIETES D'EMISSION DANS LE VISIBLE DE NANOGRAINS DE SILICIUM DANS UNE MATRICE DE SILICE written by STEPHANE.. CHARNET and published by . This book was released on 1999 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CROISSANCE PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE MAGNETRON ET L'ETUDE DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE VISIBLE DE COUCHES MINCES DE SILICE (SIO 2) RENFERMANT DES NANOGRAINS DE SILICIUM (SI). UN TRAITEMENT THERMIQUE A TEMPERATURE ELEVEE (
Book Synopsis Croissance, propriétés structurales et optiques du silicium polymorphe by : Anna Fontcuberta i Morral
Download or read book Croissance, propriétés structurales et optiques du silicium polymorphe written by Anna Fontcuberta i Morral and published by . This book was released on 2001 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire de thèse est destiné à la compréhension d'un nouveau matériau initialement mis en œuvre au LPICM: le silicium polymorphe (pm-Si). Le développement de ce matériau est lié aux études de la formation de poudres dans les plasmas de silane. Les poudres sont des particules qui peuvent atteindre quelques microns de taille, mais les précurseurs sont en général des entités de taille nanométrique (nano-particules), qui peuvent être cristallines ou amorphes. Le silicium polymorphe est déposée dans des conditions proches à la formation de poudres, ce qui devrait entraîner l'incorporation dans la couche de ces précurseurs nano-métriques. Depuis 1998 toute une série d'expériences montrent que le pm-Si:H a une excellente qualité électrique par rapport au silicium amorphe hydrogéné standard. C'est ceci qui a suscité l'intérêt aux études sur la structure et les conditions d'élaboration. Ce travail a été abordée dès trois points de vue différents: le plasma, la croissance et la structure. Plusieurs techniques ont du être développés à cause des particularités associées à cette étude. D'un côté, la Cavité Laser Résonante a permis de mesurer des concentrations de nano-particules dans laphase gaz de l'ordre de 10 puissance 8 -10 puissance 9 cm-3 dans des conditions de pm-Si:H. Des études in situ par Ellipsométrie Spectroscopique (SE) ont montré que la croissance du pm-Si:H se fait de manière homogène. En même temps, il a été nécessaire de développer le modèle du Tétraèdre pour comprendre la relation entre la fonction diélectrique du matériau obtenue par SE et sa structure. Enfin, des mesures en Microscopie Electronique à Transmission et Haute Résolution indiquent la présence de nano-cristallites dans une matrice amorphe. Des analyses sur la matrice amorphe indiquent une amélioration de l'ordre du pm-Si:H, corrélé avec l'amélioration des propriétés électroniques.
