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Etude Experimentale Et Modelisation Des Caracteristiques Electriques De Transistors A Effet De Champ En Couches Minces De Silicium Polycristallin Non Dope
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Book Synopsis ETUDE EXPERIMENTALE ET MODELISATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE by : Pierre-Yves Tessier
Download or read book ETUDE EXPERIMENTALE ET MODELISATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE written by Pierre-Yves Tessier and published by . This book was released on 1987 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE TYPE METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR ONT ETE REALISES A PARTIR DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE A PETITS GRAINS. CES DISPOSITIFS PRESENTENT UN FONCTIONNEMENT AMBIPOLAIRE: POSSIBILITE DE FORMER UN CANAL N OU P SUIVANT LA POLARISATION DE GRILLE; A L'ETAT BLOQUANT, LE COURANT EST LIMITE PAR LA FORTE RESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE. NOUS MONTRONS QUE LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE CES DISPOSITIFS PEUT ETRE MODELISE EN CONSIDERANT QUE LA COUCHE DE SILICIUM EST UNE COUCHE MONOCRISTALLINE DANS LAQUELLE SONT REPARTIS UNIFORMEMENT DES PIEGES EN CONCENTRATION EQUIVALENTE A LA CONCENTRATION MOYENNE DES PIEGES INTERGRANULAIRES. LA DIMINUTION DES TENSIONS DE SEUIL ET L'AUGMENTATION DES MOBILITES DES PORTEURS DANS LE CANAL ONT ETE OBTENUES PAR DIFFERENTS TRAITEMENTS THERMIQUES.
Book Synopsis MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT by : MALIKA.. KANDOUCI
Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN PETITS GRAINS EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT written by MALIKA.. KANDOUCI and published by . This book was released on 1993 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CE TRAVAIL EST LA MISE EN PLACE D'UN MODELE NUMERIQUE DE SIMULATION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN, EN REGIMES PASSANT ET BLOQUANT. LE CHAPITRE 1 EST CONSACRE A LA PRESENTATION TECHNOLOGIQUE DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR D'ETUDE, AINSI QUE SES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE 2, LE MODELE PHYSIQUE EST ETABLI. IL DECRIT LES MECANISMES DE CONDUCTION SUSCEPTIBLES D'INTERVENIR DANS LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IL EST FAIT DISTINCTION, DANS LE FILM POLYCRISTALLIN, ENTRE LES MECANISMES INTERVENANT A L'INTERIEUR DES GRAINS, A LA SURFACE DES GRAINS ET AUX JOINTS DE GRAINS. LE MECANISME DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL, AUX JOINTS DE GRAINS, EST RETENU. LES EFFETS INDUITS PAR LES CONTACTS SOURCE ET DRAIN SONT CONSIDERES. LE MODELE TIENT COMPTE DES MECANISMES DE SATURATION DES VITESSES DE PORTEURS ET DES MECANISMES DE GENERATION PAR IONISATION PAR IMPACT LIES AUX FORTS CHAMPS. IL EST DEMONTRE QUE LE PHENOMENE DE CLAQUAGE, RENCONTRE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN, EST ANNIHILE PAR LES MECANISMES DE RECOMBINAISON, SUR LES LIAISONS PENDANTES. DANS LE CHAPITRE 3, L'UTILISATION DE L'OUTIL DE SIMULATION PERMET DE VERIFIER LES HYPOTHESES DU MODELE PHYSIQUE. LA COMPARAISON DES SIMULATIONS AVEC DES MESURES EXPERIMENTALES MONTRE LA VALIDITE DU MODELE ET LA NECESSITE D'Y ADJOINDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION PAR EFFET TUNNEL INTERBANDES, A LA SURFACE DU DRAIN. LE CHAPITRE 4 MONTRE QUE LE MODELE NUMERIQUE PEUT ETRE UTILISE POUR PREDIRE LE COMPORTEMENT DE NOUVELLES STRUCTURES
Book Synopsis ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES FONCTIONNANT EN MODE D'ACCUMULATION EN RELATION AVEC LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET LA STRUCTURE GRANULAIRE DE LEUR COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : HAFIDA.. SEHIL
Download or read book ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES FONCTIONNANT EN MODE D'ACCUMULATION EN RELATION AVEC LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET LA STRUCTURE GRANULAIRE DE LEUR COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by HAFIDA.. SEHIL and published by . This book was released on 1991 with total page 402 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN FILMS MINCES A COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, DESTINES A FONCTIONNER EN REGIME D'ACCUMULATION, ONT ETE REALISES EN VUE D'ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LA STRUCTURE GRANULAIRE ET L'EPAISSEUR DE CETTE COUCHE ET LES PARTICULARITES DE LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. L'ETUDE DE LA CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT A FAIBLE POLARISATION DRAIN-SOURCE A MONTRE QUE LE COURANT DE DRAIN, MESURE EN FONCTION DE LA TENSION DE GRILLE, RESULTE DE LA SUPERPOSITION AU COURANT PARCOURANT LE FILM ACTIF ENTRE SOURCE ET DRAIN, A POLARISATION DE DRAIN DONNEE: 1) D'UN COURANT DE CANAL, EN REGIME D'ACCUMULATION; 2) D'UN COURANT DE GENERATION ASSISTEE PAR LE CHAMP ELECTRIQUE, EN REGIME D'APPAUVRISSEMENT. ON MONTRE QUE CES TROIS COMPOSANTES DU COURANT SONT ETROITEMENT DEPENDANTES DE LA STRUCTURE GRANULAIRE ET DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE ACTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. UNE MODELISATION SIMPLE DU TRANSISTOR, BASEE SUR LE RESULTAT D'OBSERVATION AU MICROSCOPE ELECTRONIQUE, ET L'UTILISATION D'UN PROGRAMME DE RESOLUTION NUMERIQUE DE L'EQUATION DE POISSON A DEUX DIMENSIONS PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE SUR L'INTENSITE DU COURANT DU COUPLAGE ELECTROSTATIQUE SOIT ENTRE LES INTERFACES-AVANT ET -ARRIERE DE LA COUCHE, SOIT ENTRE L'INTERFACE-AVANT ET LE PREMIER JOINT DE GRAIN PARALLELE A CELLE-CI. DES SIMULATIONS NUMERIQUES MONTRENT L'ADEQUATION AU MOINS QUALITATIVE DE CE MODELE SIMPLE AUX PHENOMENES OBSERVES
Book Synopsis REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE ( 600 \C) SANS ETAPE D'HYDROGENATION by : KARINE.. MOURGUES
Download or read book REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR DES PROCEDES BASSE TEMPERATURE ( 600 \C) SANS ETAPE D'HYDROGENATION written by KARINE.. MOURGUES and published by . This book was released on 1999 with total page 43 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'AMELIORATION D'UN PROCEDE TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TCM) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE ( 600 \C). LE BUT VISE EST D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES COMPATIBLES AVEC DES APPLICATIONS EN VISUALISATION SANS AVOIR RECOURS A UNE ETAPE D'HYDROGENATION. UNE PREMIERE PARTIE TRAITE DE LA REALISATION DE TCM CRISTALLISES EN PHASE SOLIDE. CES TRANSISTORS SONT OBTENUS A PARTIR DE DEUX COUCHES DE SILICIUM, L'UNE NON DOPEE SERVANT DE COUCHE ACTIVE, L'AUTRE DOPEE POUR LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. UNE ETUDE A MONTRE QU'UNE AUGMENTATION DE LA PRESSION DE DEPOT DU SILICIUM DE 10 A 90 PA, ACCOMPAGNEE D'UN PLASMA D'OXYGENE POUR L'ETAPE DE PREPARATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE, ONT CONDUIT A UN ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DE 33 A 63 CM 2/V.S, A UNE DIMINUTION DE LA PENTE SOUS LE SEUIL DE 1,13 A 0,96 V/DEC ET DE LA TENSION DE SEUIL DE 5 A 2 V. UNE MODIFICATION DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR A ETE REALISEE EN DEPOSANT LES COUCHES DE SILICIUM LORS D'UN SEUL DEPOT PERMETTANT D'ELIMINER L'INTERFACE ENTRE LA COUCHE ACTIVE ET LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. CETTE MODIFICATION A PERMIS D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DE TRES BONNES PERFORMANCES : S = 0,6 V/DEC, V T H = 1,2 V ET F E 100 CM 2/V.S. UNE ETUDE DE VIEILLISSEMENT A ETE MENEE SUR CES TRANSISTORS. UNE SECONDE PARTIE TRAITE DE LA CRISTALLISATION EN PHASE LIQUIDE PAR UN RECUIT LASER DE LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. NOUS UTILISONS UN LASER DE GRANDE SURFACE DONT L'IMPACT COUVRE 5 5 CM 2. LA DENSITE D'ENERGIE VARIE DE 350 A 550 MJ/CM 2 ET LE NOMBRE D'IMPACTS DE 1 A 10. CETTE PREMIERE ETUDE A MIS EN EVIDENCE QU'UNE DENSITE D'ENERGIE DE 550 MJ/CM 2 ET 10 IMPACTS, DONNENT LES MEILLEURS RESULTATS, A SAVOIR, UNE MOBILITE DE 140 CM 2/V.S, UNE PENTE SOUS LE SEUIL DE 0,35 V/DEC ET UNE TENSION DE SEUIL DE 3V. LA PRESENCE D'UNE COUCHE ANTIREFLET DE SIO 2 SUR LE FILM A CRISTALLISER A PERMIS D'AUGMENTER L'EFFICACITE DU LASER.
Book Synopsis MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION by : ABDELKADER.. AMROUCHE
Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION written by ABDELKADER.. AMROUCHE and published by . This book was released on 1990 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROPOS DE CETTE THESE EST LA MODELISATION BIDIMENSIONNELLE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE ET SON APPLICATION AU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES. LES ASPECTS CONCERNANT LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES AINSI QUE LES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS CE TYPE DE MATERIAU ONT ETE TRAITES. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: DANS LA PREMIERE, UNE ETUDE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN EST PRESENTEE AVEC LES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES INTERVENANT DANS LA CARACTERISATION DE CE MATERIAU. SONT AUSSI PRESENTES ET DISCUTES, LES DIFFERENTS MECANISMES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LEURS APPLICATIONS DANS QUELQUES MODELES DE CONDUCTION TRES CONNUS. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A UNE RECHERCHE UNIDIMENSIONNELLE DE LA CARACTERISTIQUE DE CONDUCTIVITE, QUI NOUS A PERMIS D'APPROCHER L'IDENTIFICATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE, EN QUANTIFIANT LE DOPAGE RESIDUEL ET LA DENSITE DE LIAISONS PENDANTES. UNE CORRECTION DE CES DEUX GRANDEURS A ETE REALISEE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL, PLUS REPRESENTATIF DES COUCHES ETUDIEES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS PRESENTONS LE MODELE DE CONDUCTION APPLIQUE AU TRANSISTOR. ENFIN NOUS DEVELOPPONS LA METHODE DE RESOLUTION UTILISEE DANS LE MODELE NUMERIQUE. NOUS AVONS RESERVE LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE AUX DIFFERENTS RESULTATS ISSUS DES MESURES EXPERIMENTALES ET DE LA SIMULATION UNIDIMENSIONNELLE ET BIDIMENSIONNELLE. L'INTERPRETATION DE CES RESULTATS AINSI QUE L'ACCORD MESURES/SIMULATION Y SONT PRESENTES
Book Synopsis Modélisation de transistors en couches minces (TFT) fabriqués en technologie silicium microcristallin très basse température by : Mamadou Lamine Samb
Download or read book Modélisation de transistors en couches minces (TFT) fabriqués en technologie silicium microcristallin très basse température written by Mamadou Lamine Samb and published by . This book was released on 2014 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur la modélisation de TFTs à base de silicium microcristallin fabriqués à basse température. L'enjeu est de produire un modèle de TFT valide qui nous permettra d'apporter des explications sur les phénomènes observés expérimentalement et qui pourrait servir de base à un modèle compact. Tout d'abord, une étude expérimentale, dans laquelle il est montré l'effet bénéfique de l'utilisation de fines couches actives pour les TFTs, a été effectuée. En effet, plus la couche active des TFTs est fine, plus les TFTs sont stables, et meilleures sont leurs caractéristiques électriques. La croissance colonnaire de la structure du silicium microcristallin et le mauvais état de surface pour les grandes épaisseurs de couche active jouent un rôle important sur la détérioration de la qualité des TFTs. Par la suite, une simulation (sous SILVACO) du comportement des TFTs ayant des couches actives de différentes épaisseurs a été effectuée, pour essayer d'apporter des explications d'ordre électrostatique. Les mêmes effets observés sont surtout causés par une augmentation du champ électrique latéral lorsque l'épaisseur de la couche active diminue pour un matériau défectueux, favorisant ainsi la formation rapide du canal. La mauvaise qualité des interfaces avant et arrière a aussi une forte influence sur la détérioration des caractéristiques électriques de TFTs. Cette influence est réduite en utilisant une très fine couche active.
Book Synopsis ANALYSE DES MECANISMES DE CONDUCTION ET DE BRUIT EN 1/F DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : ABDELKARIM.. MERCHA
Download or read book ANALYSE DES MECANISMES DE CONDUCTION ET DE BRUIT EN 1/F DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDELKARIM.. MERCHA and published by . This book was released on 2000 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOTRE ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLY-SI TFTS) MET L'ACCENT SUR LE ROLE PRIMORDIAL, DANS LES MECANISMES DE TRANSPORT DE CHARGES ET DE BRUIT EXCEDENTAIRE EN 1/F, DES DISCONTINUITES ELECTRIQUES (BARRIERES DE POTENTIEL) INDUITES PAR LES ETATS CHARGES AUX JOINTS DE GRAINS. UNE ETUDE COMPAREE DE LA CONDUCTION ET DU BRUIT BASSE FREQUENCE MET EN EVIDENCE DEUX REGIMES L'UN CORRESPONDANT A UNE CONDUCTION THERMOIONIQUE ET L'AUTRE A UNE CONDUCTION LIMITEE PAR LA DIFFUSION AUX INTERFACES. DANS LE PREMIER REGIME, QUI SE DEMARQUE LE PLUS DE LA SITUATION DES TRANSISTORS MOS, NOUS AVONS EXPERIMENTALEMENT MONTRE QUE LE COURANT OBEIT A LA LOI EMPIRIQUE DE COMPENSATION (MEYER-NELDEL) DECRIVANT UNE ACTIVATION THERMIQUE NON IDEALE. LE FACTEUR D'IDEALITE DE L'ENERGIE D'ACTIVATION EST ATTRIBUE A LA VARIATION DU QUASI NIVEAU DE FERMI DANS LA ZONE DE DEPLETION DE PART ET D'AUTRE DES JOINTS DE GRAINS. IL PEUT ETRE UTILISE POUR QUALIFIER LA DISTRIBUTION SPATIALE DES DEFAUTS DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE. DANS CE MEME REGIME, LES VALEURS IMPORTANTES (JUSQU'A 2.10 - 1) DU PARAMETRE DE NORMALISATION DU BRUIT EN 1/F TRADUISENT L'EFFET DE LA DENSIFICATION DES LIGNES DE COURANT DANS LE CANAL HETEROGENE. UNE MODELISATION PAR LES METHODES DU CHAMP D'IMPEDANCE ET DU COURANT ADJOINT, AINSI QUE DES MESURES DE BRUIT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE MONTRENT QUE LA VALEUR DU PARAMETRE DE BRUIT EST RELIEE A LA HAUTEUR DES BARRIERES DE POTENTIEL ET QUE LE BRUIT EN 1/F EST THERMIQUEMENT DESACTIVE. CES ENERGIES DE DESACTIVATION DU BRUIT ET D'ACTIVATION DU COURANT PEUVENT PERMETTRE DE CARACTERISER L'ECART TYPE DE LA HAUTEUR MOYENNE DES BARRIERES DE POTENTIEL. CES INTERPRETATIONS CONDUISENT A PROPOSER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT, EN S'AFFRANCHISSANT DE L'INCIDENCE DES BARRIERES DE POTENTIEL, D'ACCEDER A UN PARAMETRE DE BRUIT CARACTERISTIQUE DU COUPLE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET INTERFACE AVEC L'OXYDE DE GRILLE.
Book Synopsis REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : ABDALLAH.. SAKRI
Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY
Book Synopsis TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU by : Laurent Pichon
Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE
Book Synopsis SIMULATION TECHNOLOGIQUE ET ELECTRIQUE DE COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN APPLICATION AUX TRANSISTORS COUCHES MINCES by : Thierry Gaillard
Download or read book SIMULATION TECHNOLOGIQUE ET ELECTRIQUE DE COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN APPLICATION AUX TRANSISTORS COUCHES MINCES written by Thierry Gaillard and published by . This book was released on 1999 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL TRAITE DE L'ADAPTATION DU LOGICIEL DE SIMULATION MICRO-ELECTRONIQUE DEVELOPPE PAR SILVACO AFIN DE SIMULER TECHNOLOGIQUEMENT ET ELECTRIQUEMENT LE SILICIUM POLYCRISTALLIN. LE BUT ULTIME EST DE SIMULER LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES EN POLYSILICIUM. LA PREMIERE ETUDE PERMET LA SIMULATION TECHNOLOGIQUE GRACE A LA MODELISATION DE LA VITESSE DE DEPOT DU POLYSILICIUM EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT AINSI QU'A LA CALIBRATION DES PARAMETRES DE GRAVURE DES COUCHES D'OXYDE ET DE POLYSILICIUM INCLUS DANS LE LOGICIEL ATHENA. L'ADAPTATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES EST REALISEE PAR L'INTRODUCTION, DANS LE LOGICIEL DE SIMULATION ELECTRIQUE ATLAS, D'UN MODELE MATHEMATIQUE DE LA MOBILITE ELECTRONIQUE PRENANT EN COMPTE LA CONCENTRATION DE DOPANTS DANS LA COUCHE. LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES EST DEDUITE EN MODELISANT LA DENSITE DE DEFAUTS DANS LA BANDE INTERDITE. CES RESULTATS APPLIQUES A DES TRANSISTORS COUCHES MINCES DE TYPE NMOS DE PLUSIEURS DIMENSIONS ONT PERMIS DE SIMULER LEURS CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT EN DIRECT ET EN INVERSE. DANS CE DERNIER CAS, LA MODELISATION DE LA CONDUCTION EST AMELIOREE GRACE A LA PRISE EN COMPTE DE L'EFFET TUNNEL, PREPONDERANT DANS LA PARTIE DU CANAL SITUEE PRES DU DRAIN.
Book Synopsis CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : FRANCOIS.. ROY
Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES
Book Synopsis Etude théorique et expérimentale de transistors à effet de champ à canaux quasi-unidimentionnels by : Sylvain Bollaert
Download or read book Etude théorique et expérimentale de transistors à effet de champ à canaux quasi-unidimentionnels written by Sylvain Bollaert and published by . This book was released on 1994 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail consiste en une etude theorique et experimentale des transistors a effet de champ a canaux quasi-unidimensionnels sur couche pseudomorphique gaalas/gainas/gaas (sc-hemts). La structure de ce transistor est telle que l'espace entre la source et le drain est forme de fins canaux conducteurs, sur lesquels une electrode de grille est deposee. La repartition des charges sous la grille ainsi que les lois de commande de ces charges ont ete determinees grace a la resolution bidimensionnelle auto coherente de l'equation de poisson et de la statistique de fermi-dirac. L'interet d'une telle structure reside dans le fait que la repartition des electrons de la couche active gainas est controlee suivant deux directions, ce qui permet d'obtenir un gaz d'electrons quasi-unidimensionnel. Un autre effet important est l'amelioration de l'efficacite de commande de charges d'un sc-hemt par rapport a un hemt. Les lois de commande de charges associees a l'utilisation du modele de transport electronique du logiciel helena a permis la determination des caracteristiques electriques du sc-hemt. Nous avons pu ainsi definir la geometrie optimum du sc-hemt. Nous avons ensuite mis au point les etapes technologiques necessaires a la realisation des sc-hemts, ce qui nous a conduit a la caracterisation de ses grandeurs electriques, et a leur comparaison a celles des hemts. Les mesures des parametres scattering du composant dans une gamme de frequences de 1.5ghz a 40 ghz nous ont permis de determiner le schema equivalent petit signal et les differents gains du transistor. Ainsi une transconductance intrinseque de l'ordre de 1s/mm a ete obtenue avec un sc-hemt de longueur de grille 0.3 m et de largeur de canaux 1000a, qui constitue une amelioration d'environ 60 % par rapport au hemt. Nous avons pu egalement observer des valeurs de conductance de sortie reduites. Les caracteristiques obtenues avec le sc-hemt sont en bon accord avec les resultats de nos modelisations.
Book Synopsis ETUDE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES CONTACTS ITO/SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR LA REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES by : NAIMA.. ELASSALI
Download or read book ETUDE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE DES CONTACTS ITO/SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR LA REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES written by NAIMA.. ELASSALI and published by . This book was released on 1992 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL A POUR OBJECTIF PRINCIPAL L'ETUDE DES CONTACTS ENTRE LE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE PHOSPHORE ET L'ITO (INDIUM TIN OXIDE) EN VUE DE LA REALISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES. LA TECHNOLOGIE DEVELOPPEE AU CNET IMPOSE LA MISE AU POINT DE CONTACTS OHMIQUES ENTRE L'ITO ET LE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE. DEUX TECHNIQUES DE DEPOT DE CETTE COUCHE DOPEE ONT ETE UTILISEES: PECVD (PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) ET LPCVD (LOW PRESSURE CVD). NOUS AVONS CLAIREMENT DEMONTRE QUE SEUL LE DEPOT SUR ITO PAR LPVCD PERMET L'OBTENTION D'UN CONTACT OHMIQUE ET DONC DES CARACTERISTIQUES DE TRANSISTORS SATISFAISANTES. UNE ETUDE APPROFONDIE DES STRUCTURES ITO/SI-PECVD ET ITO/SI-LPCVD PAR DES METHODES PHYSICO-CHIMIQUES (SIMS, MET SUR LA TRANCHE) A PROUVE L'EXISTENCE DANS LES DEUX CAS D'UNE COUCHE D'INTERFACE. LES MECANISMES DE CONDUCTION A TRAVERS CETTE COUCHE SONT CEPENDANT DIFFERENTS: EFFET POOLE-FRENCKEL DONNANT LIEU A UN CONTACT REDRESSEUR DANS LE CAS DU PECVD, CONDUCTION PAR SAUTS SE TRADUISANT PAR UN CONTACT OHMIQUE DANS LE CAS DU LPCVD
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : PHILIPPE.. VITROU
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by PHILIPPE.. VITROU and published by . This book was released on 1995 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE (TFT A-SI:H). DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS NOUS INTERESSONS A LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME CONTINU. NOUS DEFINISSONS DIFFERENTS PRINCIPES EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE MESURER LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL ET NOUS LES UTILISONS POUR CARACTERISER LA STABILITE ELECTRIQUE DE NOS ECHANTILLONS DANS DE LARGES PLAGES DE TENSION ET DE TEMPERATURE. GRACE A UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE NOUS ETUDIONS, DE MANIERE THEORIQUE, L'INFLUENCE D'UNE TENSION DE CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS PROFONDS DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET SUR LA CARACTERISTIQUE DE TRANFERT D'UN TFT. EN TENANT COMPTE DE L'ASPECT TRANSISTOIRE DE LA MODIFICATION DE DENSITE D'ETATS, NOUS MONTRONS QUE LES DECALAGES DE TENSION DE SEUIL OBSERVES A LA SUITE D'UNE CONTRAINTE POSITIVE ET D'UNE FAIBLE CONTRAINTE NEGATIVE SONT DUS RESPECTIVEMENT A UNE CREATION ET UNE GUERISON DE DEFAUTS DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE. D'AUTRE PART, DANS LE CAS D'UNE FORTE CONTRAINTE NEGATIVE, NOUS MONTRONS QU'AU MECANISME DE MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS EVOQUE PRECEDEMMENT, SE SUPERPOSE UNE INJECTION DE TROUS DANS L'ISOLANT DE GRILLE. ENFIN, UNE DEUXIEME PARTIE, PLUS APPLIQUEE A L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES, CONCERNE L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME DYNAMIQUE. NOUS ETABLISSONS UN MODELE PERMETTANT D'OBTENIR UNE LOI PREDICTIVE DE LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL DANS CE REGIME DE FONCTIONNEMENT. NOUS VALIDONS UN TEST DE VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE ACCELERE QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT A LONG TERME DES TFTS ET D'ESTIMER LA DUREE DE VIE DE NOS ECRANS EN TERME DE DERIVE DES TRANSISTORS
Book Synopsis Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin by : Filippos Farmakis
Download or read book Étude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin written by Filippos Farmakis and published by . This book was released on 2000 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE DES ECRANS PLATS IMPLIQUE UNE UTILISATION EXTENSIVE DES TRANSISTORS EN COUCHE MINCE (TFT) SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN. CELA ENTRAINE UNE ACTIVITE SCIENTIFIQUE IMPORTANTE, AFIN DE DETERMINER LES PARAMETRES OPTIMAUX POUR LA FABRICATION DES TFT LES PLUS PERFORMANTS ET LES MIEUX ADAPTES. CETTE THESE S'INSCRIT DANS CE CONTEXTE. LE PREMIER OBJECTIF DE CETTE THESE EST DE COMPRENDRE LE FONCTIONNEMENT STATIQUE (CARACTERISTIQUES DE TRANSFERT AU REGIME LINEAIRE) DE CES TRANSISTORS ET AINSI DE DISCUTER LA QUALITE DE CES STRUCTURES SUIVANT LES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES QUI ONT ETE UTILISES PENDANT LEUR FABRICATION. LES TFT OBTENUS A L'AIDE DU RECUIT LASER SONT LARGEMENT ETUDIES ET DE NOMBREUSES CONSTATATIONS ET CONCLUSIONS SONT PRESENTEES. DE PLUS, NOUS PROPOSONS UN MODELE STATIQUE EN REGIME LINEAIRE POUR LES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GRANDS GRAINS AFIN DE CARACTERISER CES DISPOSITIFS. LE DEUXIEME OBJECTIF EST D'ETUDIER LA FIABILITE DES TFT. CECI A ETE FAIT A L'AIDE DE L'ANALYSE DU BRUIT ELECTRIQUE ET DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. LE BRUIT ELECTRIQUE BASSES FREQUENCES SERT COMME OUTIL DE CARACTERISATION DE LA QUALITE AINSI QUE DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS. NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE LE VIEILLISSEMENT DES DISPOSITIFS A SES ORIGINES AUX DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-POLY/SIO 2 ET A LA DEGRADATION DES JOINTS DE GRAINS.
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Book Synopsis Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ by : Alban Laloue
Download or read book Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ written by Alban Laloue and published by . This book was released on 2001 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.
