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Etude En Haute Temperature Des Transistors Mos Submicroniques Fabriques Sur Silicium Sur Isolant
Download Etude En Haute Temperature Des Transistors Mos Submicroniques Fabriques Sur Silicium Sur Isolant full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Etude En Haute Temperature Des Transistors Mos Submicroniques Fabriques Sur Silicium Sur Isolant ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT by : GUENTER.. REICHERT
Download or read book ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT written by GUENTER.. REICHERT and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.
Book Synopsis ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) by : FEDERICO.. FACCIO
Download or read book ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) written by FEDERICO.. FACCIO and published by . This book was released on 1997 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE LA PERFORMANCE ANALOGIQUE ET LE COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT RADIATIF DE LA TECHNOLOGIE DURCIE HSOI3-HD EN VUE D'APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE DU LHC, FUTUR ACCELERATEUR DE PARTICULES DU CERN. CETTE TECHNOLOGIE CMOS SUR SOI N'EST PAS SENSIBLE AU LATCH-UP ET SON SEUIL DE SENSIBILITE POUR L'ALEA LOGIQUE (SEU) EST TRES ELEVE. NOUS AVONS MESURE ET ANALYSE LES EFFETS DE LA DOSE INTEGREE SUR LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES TRANSISTORS, ET VERIFIE QUE LE DURCISSEMENT JUSQU'A 25 MRAD EST SATISFAISANT POUR LES APPLICATIONS VISEES. LES EFFETS DES IRRADIATIONS AVEC PROTONS ET NEUTRONS ONT ETE MESURES, ET MONTRENT QUE LES EFFETS D'IONISATION DOMINENT SUR LES EFFETS DE DEPLACEMENT PROVOQUES PAR CES PARTICULES. LORS DE L'ETUDE DU BRUIT, NOUS AVONS OBSERVE UNE COMPOSANTE ADDITIONNELLE QUI APPARAIT DANS LE SPECTRE ET SE SUPERPOSE AUX SOURCES DE BRUIT 1/F ET BLANC. CETTE COMPOSANTE SE PRESENTE COMME UNE BOSSE QUI SE DEPLACE EN AMPLITUDE ET FREQUENCE EN FONCTION DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT ET DU FILM (BODY). LE MODELE QUE NOUS PROPOSONS SUR SON ORIGINE MET EN JEU LA RESISTANCE DU FILM, QUI GENERE UN BRUIT BLANC FILTRE PAR LA CAPACITE CONSTITUEE PAR LES GRILLES DE FACE AVANT ET DE FACE ARRIERE DU TRANSISTOR. LE BRUIT DE LA RESISTANCE EST TRANSMIS EN COURANT AU DRAIN, ET ATTENUE A PARTIR DE LA FREQUENCE DE COUPURE DU FILTRE. NOUS PRESENTONS UNE SERIE DE VERIFICATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE, REALISEES SUR DES STRUCTURES SPECIALEMENT CONCUES. UN CIRCUIT CONVERTISSEUR NON LINEAIRE A 11 BITS DE DYNAMIQUE, FONCTIONNANT A 5 MHZ AVEC UNE CONSOMMATION INFERIEURE A 50 MW, A ETE CONCU ET FABRIQUE. L'IRRADIATION A 10 MRAD A COMPROMIS LE FONCTIONNEMENT CORRECT DU CIRCUIT, CE QUI N'EST PAS EXPLICABLE A PARTIR DES MESURES STATISTIQUES SUR LES TRANSISTORS FABRIQUES EN MEME TEMPS. IL SEMBLE DONC NECESSAIRE, DANS L'EVALUATION DU DURCISSEMENT D'UNE TCHNOLOGIE, DE PASSER PAR UNE PHASE DE QUALIFICATION DES CIRCUITS TYPIQUES DE L'APPLICATION SOUHAITEE.
Book Synopsis ETUDE DE DISPOSITIFS MOS FABRIQUES SUR CARBURE DE SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE HAUTE TEMPERATURE by : EDWIGE.. BANO
Download or read book ETUDE DE DISPOSITIFS MOS FABRIQUES SUR CARBURE DE SILICIUM POUR LA MICROELECTRONIQUE HAUTE TEMPERATURE written by EDWIGE.. BANO and published by . This book was released on 1997 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DU FAIT DE SA LARGE BANDE INTERDITE, D'UN FORT CHAMP DE CLAQUAGE, D'UNE TRES BONNE CONDUCTIVITE THERMIQUE ET DE NOMBREUSES AUTRES PROPRIETES SPECIFIQUES, LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST UN EXCELLENT CANDIDAT POUR DES APPLICATIONS HAUTE TEMPERATURE, HAUTE PUISSANCE ET HAUTE FREQUENCE. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ANALYSE DE DISPOSITIFS MOS SIC PAR LA CARACTERISATION ELECTRIQUE. LE PREMIER CHAPITRE DONNE UNE DESCRIPTION DETAILLEE DE LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE ET DES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DU MATERIAU SIC. LES PRINCIPALES ETAPES TECHNOLOGIQUES SONT EGALEMENT PRESENTEES. DANS LE SECOND CHAPITRE, NOUS DEVELOPPONS UNE ANALYSE DES PROPRIETES DES ETATS ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SIC/SIO#2. CETTE ETUDE A PERMIS D'UNE PART, DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DES ETATS D'INTERFACE ET D'AUTRE PART, D'EVALUER ET DE LOCALISER LA CHARGE FIXE DANS L'OXYDE. LE TROISIEME CHAPITRE EST DEDIE A L'ASPECT FIABILITE DES STRUCTURES MOS SIC, DE LA TEMPERATURE AMBIANTE JUSQU'A 350C. DANS UNE PREMIERE PARTIE, LA HAUTEUR DE BARRIERE ENTRE LA BANDE DE CONDUCTION DU SIC ET CELLE DU SIO#2 EST ESTIMEE. DANS LA SECONDE, LES PROPRIETES DE PIEGEAGE DES OXYDES THERMIQUES REALISES SUR SIC SONT DEGAGEES A PARTIR D'INJECTIONS FOWLER-NORDHEIM, REALISEES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DU CHAMP ELECTRIQUE. LE DERNIER CHAPITRE TRAITE DES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES TRANSISTORS MOS SIC. LE DESORDRE DONT SOUFFRENT LES COUCHES D'INVERSION SIC LIMITE LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS MOS SIC ACTUELS, SURTOUT AUTOUR DE LA TEMPERATURE AMBIANTE. LE TRANSPORT ELECTRONIQUE PARTICULIER QUI EN RESULTE EST MIS EN EVIDENCE PAR DES MESURES DE CONDUCTIVITE ET L'ETUDE DU BRUIT ELECTRIQUE BASSE FREQUENCE. L'EFFET DU DESORDRE SUR LES PORTEURS CHAUDS EST EGALEMENT TRAITE PAR L'ETUDE DU COURANT SUBSTRAT.
Book Synopsis CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) by : EMMANUEL.. AUGENDRE
Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) written by EMMANUEL.. AUGENDRE and published by . This book was released on 1999 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES A DES TEMPERATURES ALLANT DE 125 A 350 DEGRES CELSIUS EST DE PLUS EN PLUS SOUHAITEE DANS DES DOMAINES COMME L'AUTOMOBILE, L'AVIONIQUE ET LA RECHERCHE PETROLIERE. DANS LA FAMILLE SILICIUM, LES COMPOSANTS CMOS REALISES EN SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) SONT LES PLUS APTES A REPONDRE A CES BESOINS. LA THESE CONTRIBUE A LA DISPONIBILITE D'OUTILS DE SIMULATION DE CIRCUITS A HAUTE TEMPERATURE. ELLE DONNE D'ABORD UNE SYNTHESE DES PROPRIETES DU SILICIUM ET DE LEUR VARIATION EN TEMPERATURE. EST ENSUITE PROPOSEE L'ADAPTATION D'UN MODELE COMPACT DE TRANSISTOR MOS A LA GAMME 20-350 DEGRES CELSIUS. LA SIMULATION D'OSCILLATEURS EN ANNEAU VALIDE CE MODELE. LES DEUX DERNIERS CHAPITRES SONT CONSACRES A LA MODELISATION DES PHENOMENES PROPRES AU SOI (SUBSTRAT FLOTTANT, REGIMES TRANSITOIRES, TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE ET AUTO-ECHAUFFEMENT).
Book Synopsis Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température by : Chiên Nguyen-Duc
Download or read book Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température written by Chiên Nguyen-Duc and published by . This book was released on 1988 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR CETTE ETUDE, EN PREMIERE PARTIE, DEUX MODELES SONT PROPOSES POUR PRENDRE EN COMPTE LES ASPECTS PARTICULIERS AUX DISPOSITIFS A CANAL TRES COURT (SUBMICRON). ON PROPOSE AUSSI UNE METHODE POUR DETERMINER LA LONGUEUR ELECTRIQUE DES TMOS. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION PAR LES PORTEURS CHAUDS ET DU VIEILLISSEMENT A 77K DE TRANSISTOR MOS FABRIQUES PAR DIFFERENTES TECHNOLOGIES. ON MONTRE QUE LE PIEGEAGE DES ELECTRONS ET LA GENERATION DES ETATS D'INTERFACE VARIENT SELON LES CONDITIONS DE CONTRAINTE, LA TEMPERATURE ET LA LONGUEUR DES TRANSISTORS
Book Synopsis Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm) by : Wei Guo
Download or read book Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm) written by Wei Guo and published by . This book was released on 2008 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse, une étude expérimentale du bruit basse fréquence est réalisée en fonction de la température entre 80K et 300E pour des transistors MOS issus de trois technologies avancées de 0,13 mum à 32 nm. Pour les transistors MOS partiellement déplétés sur substrat SOI (Silicon on insulator), un modèle complet du bruit Lorentzien filtré dû à l’effet Kink linéaire est proposé et validé en fonction de la température. Pour les transistors MOS en germanium sur substrat de silicium avec un isolant de grille à haute permittivité, il a été observé du bruit en 1/fγ expliqué par des fluctuations du nombre de porteurs corrélées avec les fluctuations de mobilité et il a été montré que l’utilisation d’un empilement pour la grille dégrade la qualité de l’interface entre semi-conducteur et oxyde de grille. Une corrélation entre la mobilité et le niveau de bruit a été observée : celle-ci est probablement due à l’action du mécanisme des collisions coulombiennes sur la mobilité et le bruit. Pour les transistors MOS sur substrat SOI à mutli-grille (FinFET), l’introduction des mécanismes de contrainte permet d’augmenter la mobilité mais ne change pas le niveau du bruit basse fréquence. En outre, un bruit inhabituel sous forme de spectre à deux niveaux de en 1/f combines est observé dans les transistor MOS FinFET type N qui ont subi la technique de croissance sélective épitaxiale. Un modèle empirique est propose.
Book Synopsis Etude de la croissance cristalline de carbure de silicium et des technologies pour la réalisation de transistors MOS by : Nicolas Bécourt
Download or read book Etude de la croissance cristalline de carbure de silicium et des technologies pour la réalisation de transistors MOS written by Nicolas Bécourt and published by . This book was released on 1993 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM, DE PAR SES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES, EST UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR INTERESSANT POUR DES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES FONCTIONNANT EN MILIEU HOSTILE. SA STABILITE CHIMIQUE AINSI QUE SA LARGE BANDE INTERDITE PERMETTENT DES APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DES HAUTES TEMPERATURES. DE PLUS, LES VALEURS DE CHAMP DE CLAQUAGE, DE CONDUCTIVITE THERMIQUE, ET DE VITESSE LIMITE DES ELECTRONS FAVORISENT EGALEMENT DES APPLICATIONS DANS LE DOMAINE DE LA FORTE PUISSANCE ET DES HAUTES FREQUENCES. LE PROJET A ETE ORIENTE VERS LA REALISATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE ELEMENTAIRE OPERANT A HAUTE TEMPERATURE, L'OBJECTIF FUTUR ETANT L'ELABORATION D'UN TRANSISTOR MOS SUR CARBURE DE SILICIUM. LA REALISATION DE CE DISPOSITIF PASSE D'ABORD PAR LA SYNTHESE DU MATERIAU SIC, ET ENSUITE PAR LA MISE AU POINT DES DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A L'ASSEMBLAGE D'UNE TECHNOLOGIE MOS. L'EPITAXIE DE SIC A ETE REALISEE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR. DES FILMS MONOCRISTALLINS DE VARIETE SIC-3C(100) EPITAXIES PAR SUBSTRAT DE SI(100) ONT ETE REALISES ET CARACTERISES PHYSIQUEMENT ET ELECTRIQUEMENT. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE LA CROISSANCE DE FILMS DE VARIETE SIC-3C(111) ET SIC-6H(0001) SUR SUBSTRAT DE SIC-6H(001). NOUS AVONS DECRIT LA CINETIQUE DE L'OXYDATION THERMIQUE DE SIC. LES OXYDES, REALISES PAR VOIE HUMIDE OU PAR VOIE SECHE, ONT ETE CARACTERISES PHYSIQUEMENT. DES TESTS ELECTRIQUES, EFFECTUES SUR STRUCTURE: MOS AL/SIO2/SIC, ONT REVELE UNE QUALITE D'OXYDE SATISFAISANTE POUR LA REALISATION D'ISOLANT DE GRILLE DE TRANSISTORS MOS. L'IMPLANTATION IONIQUE D'AZOTE DANS SIC A EGALEMENT ETE ETUDIEE. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DE L'AZOTE IMPLANTE, CECI PERMETTRA LA REALISATION DES ZONES SOURCE ET DRAIN DE TRANSISTORS MOS
Book Synopsis Nitruration du silicium by : Pascale Molle
Download or read book Nitruration du silicium written by Pascale Molle and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm by : Jérôme Lolivier
Download or read book Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm written by Jérôme Lolivier and published by . This book was released on 2005 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction d’échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une alternative doit être trouvée aux dispositifs sur silicium massif qui montrent certaines limitations. Les dispositifs Complètement Désertés sur substrat SOI sont des candidats potentiels. L’objectif de ce travail est l’étude théorique, la réalisation en salle blanche et la caractérisation électrique de ces transistors, afin de montrer leur intérêt mais aussi leurs limites. Le premier chapitre est consacré à l’étude théorique par simulations quantiques des dispositifs Simple et Double Grille. Pour diminuer les résistances d’accès, la métallisation des source/drain est envisagée : une modélisation du contact métal-semiconducteur est réalisée. La réalisation technologique des briques de base est analysée dans le deuxième chapitre : par exemple la lithographie et la gravure de grilles allant jusqu’à 10nm , l’épitaxie des source/drain ; des transistors SOI complètement désertés avec des longueurs de grille descendant jusqu’à 10nm ont été fabriqués avec succès. Les résultats de caractérisation électrique de ces transistors, mais aussi de transistors à double grille sont exposés dans le dernier chapitre ; enfin, une étude à basse température met en évidence les limites en terme de transport des dispositifs les plus courts (transport balistique, effet tunnel entre la source et le drain notamment).
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant by : Eric Mazaleyrat
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant written by Eric Mazaleyrat and published by . This book was released on 1988 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés by : Fayçal Rahmoune
Download or read book Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés written by Fayçal Rahmoune and published by . This book was released on 2004 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE MEMOIRE EST L'ETUDE DES DEFAUTS (ETATS RAPIDES ET ETATS LENTS) DE L'INTERFACE SILICIUM/ISOLANT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST LA SUITE D'UN TRAVAIL DE THESE SUR L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-SIO2 PAR LA TECHNIQUE DU POMPAGE DE CHARGES. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROFIL DE PIEGES OBTENU PAR CETTE TECHNIQUE EST DU A UNE DISTRIBUTION DE CONSTANTES DE TEMPS DE CAPTURE ET NON A UNE DISTRIBUTION EN ENERGIE DES VALEURS DE SECTION DE CAPTURE. NOUS AVONS TROUVE AUSSI QUE LES FLUCTUATIONS DE POTENTIEL DE SURFACE CONTRIBUENT A L'ELARGISSEMENT DU PIC DU PROFIL BRUT SIMULE CE QUI EST EN TRES BON ACCORD AVEC LE PROFIL BRUT MESURE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS COMPARE LES DEUX MODELES DE CAPTURE PAR EFFET TUNNEL PUR ET DE CAPTURE ACTIVEE THERMIQUEMENT. LE PREMIER EST PLUS FAVORABLE POUR EXPLIQUER LA PARTIE DU PLATEAU TANDIS QUE LE SECOND EST PLUS ADAPTE POUR LA PARTIE EXPONENTIELLE DU PROFIL. ENFIN NOUS AVONS COMPARE LES PROFILS MESURES PAR POMPAGE DE CHARGES AVEC CEUX OBTENUS PAR LA TECHNIQUE DE TANNER ET AL. DANS LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PRESENTE DEUX TECHNIQUES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-SIO2 DANS LES MOSFET'S A OXYDE ULTRA MINCE. L'UNE EST BASEE SUR L'APPROCHE SILC, L'AUTRE SUR LE POMPAGE DE CHARGES. CES DEUX TECHNIQUES ONT ETE UTILISEES POUR ETUDIER L'EVOLUTION DE LA DENSITE DE DEFAUTS AVEC LE STRESS ELECTRIQUE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CINETIQUE DE GENERATION DE DEFAUTS OBTENUE PAR POMPAGE DE CHARGES EST INFERIEURE A CELLE OBTENUE PAR L'APPROCHE SILC POUR DES EPAISSEURS D'OXYDE ENTRE 1.2 NM ET 2.3 NM.
Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
