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Etude Du Depot Et Des Proprietes Physiques De Couches Minces De Silicium Polycristallin Obtenu Par Rt Lpcvd
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Book Synopsis ETUDE DU DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RT-LPCVD by : MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE
Download or read book ETUDE DU DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RT-LPCVD written by MOHAMED-EL-BACHIR.. SEMMACHE and published by . This book was released on 1994 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, ON S'EST INTERESSE AU DEPOT EN PHASE VAPEUR ET SOUS BASSE PRESSION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN (POLYSILICIUM) PAR LA TECHNIQUE RT-LPCVD (RAPID THERMAL LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DANS UN REACTEUR A LAMPES HALOGENE ET A FROIDES. LES DEPOTS ONT ETE EFFECTUES PAR DECOMPOSITION DE SILANE DILUE (SIH#4/AR: 10%) A PRESSION (1 A 5 MBAR) ET TEMPERATURES (600-850 C) VARIABLES. CES CONDITIONS ONT ETE CHOISIES POUR REPONDRE AUX IMPERATIFS DE RENDEMENT DE PRODUCTION IMPOSES PAR LE PROCEDE DE TRAITEMENT PAR PLAQUE (SW: SINGLE WAFER). L'ETUDE DES CINETIQUES DE DEPOT SUR ECHANTILLONS DE DIFFERENTES DIMENSIONS A REVELE UN PHENOMENE DE DEPLETION RADIALE DU GAZ REACTIF INHERENT A LA GEOMETRIE D'INJECTION ET D'EXTRACTION DES GAZ DU REACTEUR UTILISE. L'ANALYSE SIMS A REVELE LA PRESENCE DE CONTAMINANTS (O, C) DANS LES COUCHES QUE NOUS ATTRIBUONS AU DEGAZAGE DES PAROIS INTERNES DU REACTEUR EN COURS DE DEPOT. NEANMOINS, L'ABAISSEMENT DE LA PRESSION ET L'INTRODUCTION PREALABLE D'UN CYCLE THERMIQUE DE DEGAZAGE PERMET DE REDUIRE SENSIBLEMENT CETTE CONTAMINATION. LES ANALYSES PAR DIFFRACTION AUX RAYONS-X RASANTS, ET DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, AINSI QUE LES MESURES DE RESISTANCE CARREE ONT MONTRE QUE LES PROPRIETES STRUCTURALES (RUGOSITE, TEXTURE, TAILLE DES GRAINS), MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES), ET ELECTRIQUES DES COUCHES DEPENDENT DES PARAMETRES DE DEPOT ET SONT FORTEMENT CORRELEES AU NIVEAU DE CONTAMINATION. PAR AILLEURS, LE DOPAGE EX-SITU AU PHOSPHORE (POCL#3) MONTRE QUE LES COUCHES OBTENUES ONT UNE RESISTIVITE ELECTRIQUE COMPARABLE AUX COUCHES DE POLYSILICIUM LPCVD (1 MOHM CM)
Book Synopsis ETUDE DE DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR LE PROCEDE RICVD SUR SUBSTRATS DE MULLITE. APPLICATION AUX CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHES MINCES by : STEPHANE.. BOURDAIS
Download or read book ETUDE DE DEPOT ET DES PROPRIETES PHYSIQUES DU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR LE PROCEDE RICVD SUR SUBSTRATS DE MULLITE. APPLICATION AUX CELLULES PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHES MINCES written by STEPHANE.. BOURDAIS and published by . This book was released on 2000 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN ETAT DE L'ART SUR LES CELLULES PHOTOVOLTAIQUES A BASE DE SILICIUM EN COUCHE MINCE (EPAISSEUR ENTRE 5 ET 50 M), NOUS DECRIVONS L'ELABORATION DU MATERIAU SILICIUM POLYCRISTALLIN (PC-SI) SUR CERAMIQUE MULLITE (3AL 2O 3*2SIO 2) PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ASSISTE PAR LAMPES HALOGENES (RT-CVD) DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES, A PRESSION ATMOSPHERIQUE. L'ATOUT MAJEUR DE LA MULLITE EST SON COEFFICIENT D'EXPANSION THERMIQUE PROCHE DE CELUI DU SILICIUM. LES PARAMETRES DE DEPOT ONT ETE LA TEMPERATURE (900-1250\C), LA CONCENTRATION DE GAZ PRECURSEUR SIHCL 3 DILUE DANS H 2 (5-25%) OU L'AJOUT DE GAZ DOPANT BCL 3. LA COUCHE PC-SI, OBTENUE A DES VITESSES DE DEPOT ENTRE 1 ET 6 M/MIN ET SUR DE GRANDES SURFACES (6 6 CM 2), EST CARACTERISEE PAR UNE TAILLE DE GRAIN QUI AUGMENTE DE 0,5 A 20 M AVEC LA TEMPERATURE. LA STRUCTURE CRISTALLOGRAPHIQUE EST COLONNAIRE (GRAINS ET JOINTS DE GRAINS VERTICAUX) ET PREFERENTIELLEMENT ORIENTEE (220). LES ANALYSES SPECTROMETRIQUES S'AVERENT TROP PEU SENSIBLES POUR EVALUER LES IMPURETES ISSUES DU SUBSTRAT. UNE ANALYSE DLTS INDIRECTE A ALORS REVELE UNE CONTAMINATION NOTAMMENT EN FER. LES PROPRIETES DE TRANSPORT SONT ALTEREES PAR LES ETATS D'INTERFACE AUX JOINTS DE GRAINS (BIEN QUE SENSIBLES A UN TRAITEMENT PAR HYDROGENATION) ET LA DUREE DE VIE EST SOUS LE SEUIL DE DETECTION (
Book Synopsis ETUDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD by : Fekri Karray
Download or read book ETUDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD written by Fekri Karray and published by . This book was released on 1986 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR DIFFRACTION RX ET D'ELECTRONS ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT SUR LA STRUCTURE DE SI. DETERMINATION DE LA DIMENSION MOYENNE DES GRAINS A PARTIR D'UN TRAITEMENT STATISTIQUE. MESURE DE CETTE DIMENSION EN FONCTION DE LA CONCENTRATION EN DOPANT, DE LA TEMPERATURE DE DEPOT, DE LA POSITION DES WAFERS DANS LE FOUR. CARACTERISATION ELECTRIQUE
Book Synopsis Elaboration et caractérisation de couches minces de silicium poly cristallin déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore by : Sami Kallel
Download or read book Elaboration et caractérisation de couches minces de silicium poly cristallin déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore written by Sami Kallel and published by . This book was released on 1999 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La première partie de ce travail porte sur 1 'étude de couches minces de silicium déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides à partir du silane (SiH4) utilisé comme gaz précurseur et la phosphine (PH3) comme source dopante. Nous avons étudié ces couches dans une gamme de températures allant de 600°C à 850°C (pour une pression de 2mbar) et nous avons mis en évidence 1 'effet de la phosphine sur la cinétique de dépôt ainsi que sur ses propriétés physiques (taille des grains, texture, contraintes résiduelles, résistivité). Nous avons aussi montré que les traitements thermiques rapides ultérieurs (RTA) favorisent une augmentation de la taille des grains, une relaxation des contraintes et une amélioration de la résistivité. Dans la deuxième partie du travail, nous avons appliqué les procédés thermiques rapides pour la réalisation de cellules solaires à faible budget thermique. Pour cela nous avons étudié et optimisé chaque étape nécessaire pour la réalisation d'un tel dispositif:-1. l'émetteur (N+) obtenu par le dépôt RT-LPCVD dopé in situ à partir de (SiH4/PH3),-2. l'oxyde de passivation obtenu par oxydation thermique rapide (RTO),-3. la couche antireflet (Si3N4) déposée par RT-LPCVD à partir du silane et de l'ammoniac (NH3),-4. les contacts métalliques déposés par évaporation. Les premiers résultats obtenus indiquent un rendement de conversion de 10,5% pour un courant de court-circuit de 33,5mA/cm2 et une tension de circuit ouvert égale à 527mV.
Book Synopsis Etude des propriétés thermiques électriques et mécaniques des couches minces de polysilicium dopées in situ phosphore déposées par LPCVD sur des structures à fort rapport d'aspect by : Florent Lallemand
Download or read book Etude des propriétés thermiques électriques et mécaniques des couches minces de polysilicium dopées in situ phosphore déposées par LPCVD sur des structures à fort rapport d'aspect written by Florent Lallemand and published by . This book was released on 2009 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie PICS (Passive Integration Connective Substrate) permet une forte intégration sur silicium de composants passifs, notamment de condensateurs haute densité par la gravure de motifs tridimensionnels à fort rapport d’aspect. L’une des étapes technologiques les plus délicates de ce procédé consiste à remplir les structures 3D à l’aide d’un film de silicium polycristallin dopé in-situ. Les premières expériences de développement sur la seconde génération de produits ont tout d’abord montré que la présence de structures tridimensionnelles conduit à une dégradation significative de l’uniformité des films déposés (épaisseur et dopage). De plus, le remplissage des structures 3D par la couche de polysilicium entraîne une déformation des plaques pouvant conduire à leur destruction. Dans cette thèse, les études menées avaient pour but de résoudre ces deux problématiques conjointes. Il s’agissait d’adapter les paramètres de dépôt et de recristallisation du film de polysilicium afin de répondre aux exigences du procédé. Ces recherches ont démontré que la déformation des plaques est intimement liée à la phase cristalline déposée, et ce, même après recristallisation des films à haute température. Les premiers travaux montrent que les conditions de dépôt les plus favorables à la réduction des non-uniformités nuisent à l’intégrité des structures tridimensionnelles. Par conséquent, de nouvelles conditions de dépôt et de recuit ont été mises au point afin de limiter la déformation des substrats sans dégrader l’uniformité du dépôt tout en tenant compte des contraintes de productivité liées au contexte industriel. Les caractérisations physiques, électriques et structurales réalisées ont permis de corréler l’amélioration des performances électriques avec la modification de la taille des cristallites et de leur organisation au sein du matériau.
Book Synopsis ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE by : YAHYA.. LAGHLA
Download or read book ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE written by YAHYA.. LAGHLA and published by . This book was released on 1998 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.
Book Synopsis ETUDE COMPAREE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE EN VUE D'APPLICATIONS PIEZORESISTIVES by : Martine Le Berre
Download or read book ETUDE COMPAREE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE EN VUE D'APPLICATIONS PIEZORESISTIVES written by Martine Le Berre and published by . This book was released on 1994 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT DE COMPARER LES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRIQUES ET PIEZORESISTIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES DE TYPE SOI (SILICON ON INSULATOR), D'EVALUER DANS QUELLE MESURE LES CONDITIONS D'ELABORATION ET LES TRAITEMENTS DE RECUITS ULTERIEURS INFLUAIENT SUR CES DIVERSES PROPRIETES, ET ENFIN DE MODELISER LA PIEZORESISTIVITE DE CE MATERIAU. L'EMPLOI DE TOUTE UNE SERIE DE MOYENS DE CARACTERISATION TELS QUE LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION, LE RAMAN, LA REFLECTIVITE IR, LA SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES (SIMS), LES MESURES PAR EFFET HALL ET LA MESURE DU FACTEUR DE JAUGE, NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DES COUCHES LPCVD ET PECVD. POUR LES COUCHES LPCVD DEPOSEES POLYCRISTALLINES PUIS RECUITES PAR VOIE CONVENTIONNELLE OU PAR RECUIT RAPIDE, LES FACTEURS DE JAUGE SONT COMPRIS ENTRE 25 ET 40. LES PROPRIETES ELECTRIQUES SONT LEGEREMENT AMELIOREES PAR LE RECUIT RAPIDE. LES COUCHES PECVD DEPOSEES AMORPHES PUIS RECUITES PRESENTENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES SENSIBLEMENT AMELIOREES PAR RAPPORT AUX COUCHES LPCVD (RESISTIVITE, DENSITE DE PIEGES). LES FACTEURS DE JAUGE RESTENT CEPENDANT INFERIEURS (20-27) EN LIAISON AVEC LA PLUS FAIBLE TAILLE DE GRAIN. LES COUCHES DIRECTEMENT DEPOSEES MICROCRISTALLINES PEUVENT AVOIR DES FACTEURS DE JAUGE ATTEIGNANT 28 A CONDITION DE PRESENTER UNE TEXTURE FAVORABLE. AU MOYEN D'HYPOTHESES DE CONTRAINTES OU DE DEFORMATIONS CONSTANTES, UNE MODELISATION ORIGINALE DE LA PIEZORESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE REALISEE ET A PERMIS UNE COMPARAISON JUSQU'ICI IMPOSSIBLE. ON CONSTATE QUE LES FACTEURS DE JAUGE CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE CONTRAINTES CONSTANTES SONT SYSTEMATIQUEMENT INFERIEURS A CEUX CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE DEFORMATIONS CONSTANTS. POUR LE CALCUL DES ELEMENTS DE TENSEURS MOYENNES, NOUS SOMMES PARVENUS, GRACE AUX PROPRIETES DES TENSEURS D'ORDRE 4, A DES EXPRESSIONS EXTREMEMENT SIMPLIFIEES. ENFIN, ON NOTE UN BON ACCORD ENTRE LES VALEURS MODELISEES DU FACTEUR DE JAUGE ET LES VALEURS EXPERIMENTALES
Book Synopsis Couches minces en silicium microcristallin préparées par dépôt chimique en phase vapeur par filament chaud: de l'analyse des propriétés des couches à la réalisation des cellules solaires by : Chisato Niikura
Download or read book Couches minces en silicium microcristallin préparées par dépôt chimique en phase vapeur par filament chaud: de l'analyse des propriétés des couches à la réalisation des cellules solaires written by Chisato Niikura and published by . This book was released on 2001 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
Book Synopsis DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD by : AHMED.. LIBA
Download or read book DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD written by AHMED.. LIBA and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES
Book Synopsis ETUDE DES PARAMETRES MICROSCOPIQUES DE LA PIEZORESISTIVITE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE AU BORE by : JOSE.. CALI
Download or read book ETUDE DES PARAMETRES MICROSCOPIQUES DE LA PIEZORESISTIVITE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE AU BORE written by JOSE.. CALI and published by . This book was released on 1996 with total page 257 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ELABORATION DE FILMS MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, OBTENUS PAR RECUIT THERMIQUE A 575C DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DEPOSE PAR PECVD ET DOPE IN-SITU AU BORE, A PERMIS DE MENER UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE SUR L'EVOLUTION DES PROPRIETES MECANIQUES (CONTRAINTES RESIDUELLES, CONSTANTES ELASTIQUES) ET PHYSICO-CHIMIQUES (CONCENTRATION D'HYDROGENE, INDICE DE REFRACTION) DU MATERIAU AU COURS DU RECUIT. EN PARTICULIER, NOUS MONTRONS QUE LE CHANGEMENT DE SIGNE DE LA COURBURE DES PLAQUES AU COURS DU RECUIT EST DU A LA DESORPTION DE L'HYDROGENE DU FILM QUI SE PRODUIT A UNE TEMPERATURE PROCHE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT ET INDEPENDAMMENT DE LA CONCENTRATION DE BORE. DES MESURES DE DIFFRACTION DE RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE ONT EGALEMENT PERMIS DE COMPARER LA DISTRIBUTION DES CONTRAINTES RESIDUELLES ET LES PARAMETRES MECANIQUES MICROSCOPIQUES A CEUX MACROSCOPIQUES DEDUITS DU RELEVE DE LA DEFORMEE ET DES MESURES DE NANO-INDENTATION. EN MODELISANT LA REPONSE OPTIQUE DANS LA GAMME DE L'INFRA-ROUGE MOYEN DU SILICIUM POLYCRISTALLIN PAR LE MODELE DE DRUDE, NOUS AVONS DETERMINE SANS CONTACT LES PARAMETRES MICROSCOPIQUES DU TRANSPORT DANS LE GRAIN. DES MESURES DE PIEZOREFLECTIVITE INFRA-ROUGE NOUS ONT ENSUITE PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DES PARAMETRES DE TRANSPORT SOUS CONTRAINTE STATIQUE IMPOSEE PAR UN MODULE DE FLEXION QUATRE POINTS. NOUS EN DEDUISONS UN FACTEUR DE JAUGE SENSIBLEMENT CONSTANT DANS NOTRE GAMME DE DOPAGE DE L'ORDRE DE 23 5 EN BON ACCORD AVEC CELUI OBTENU D'APRES DES MESURES DE PIEZORESISTIVITE
Book Synopsis Caractérisation de couches minces de silicium polycristallin fabriquées par LPCVD dopées in situ en phosphore by : Geneviève Béïque
Download or read book Caractérisation de couches minces de silicium polycristallin fabriquées par LPCVD dopées in situ en phosphore written by Geneviève Béïque and published by . This book was released on 1992 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU A PARTIR DE SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR PULVERISATION RADIO-FREQUENCE MAGNETRON. APPLICATION A LA REALISATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES by : ERIC.. BARDET
Download or read book ETUDE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU A PARTIR DE SILICIUM AMORPHE DEPOSE PAR PULVERISATION RADIO-FREQUENCE MAGNETRON. APPLICATION A LA REALISATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by ERIC.. BARDET and published by . This book was released on 1997 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES EN COUCHE MINCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DEPOSEES DANS UN REACTEUR DE PULVERISATION R. F. MAGNETRON ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES PROPRIETES DES COUCHES AMORPHES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT SONT DISCUTEES. LA TECHNIQUE DE DEPOT PAR PULVERISATION PERMET DE FAIRE VARIER LA VITESSE DE DEPOT ET LE GAP OPTIQUE DANS DES GAMMES TRES ETENDUES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES INTRINSEQUES EN PHASE SOLIDE EST ENSUITE ETUDIEE DANS LE BUT D'OBTENIR DE GRANDES TAILLES DE CRISTALLITES FAVORABLES AUX PHENOMENES DE TRANSPORT. NOUS DETERMINONS UNE METHODE DE MESURE DE LA TAILLE DES CRISTALLITES PAR DIFFRACTION DES RAYONS X, CORRELEE PAR DES MESURES DE REFLECTIVITE ET D'AFM, QUI CORRESPOND A LA TAILLE PERTINENTE POUR LES PROPRIETES DE TRANSPORT. NOUS MONTRONS QUE LE DESORDRE DE LA COUCHE AMORPHE DETERMINE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X ET PAR PROFILOMETRIE, AINSI QUE SON CONTENU EN HYDROGENE, JOUENT UN ROLE IMPORTANT DANS LES PROCESSUS DE CRISTALLISATION. PLUS LE DESORDRE EST IMPORTANT ET/OU MOINS LE CONTENU EN HYDROGENE EST ELEVE, PLUS LA TAILLE DES CRISTALLITES APRES RECUIT EST GRANDE. PUIS NOUS ETUDIONS LE DOPAGE DES COUCHES AMORPHE ET POLYCRISTALLINE. LA CONCENTRATION DE DOPANTS INTRODUIT DANS LES COUCHES DIMINUE AVEC LE TAUX D'HYDROGENE PRESENT DANS LE PLASMA LORS DU DEPOT. L'EFFICACITE DE DOPAGE DE TYPE P CHUTE AVEC LA TEMPERATURE DE RECUIT LORS DE LA CRISTALLISATION MAIS RESTE TRES SUPERIEURE A CELLE DE TYPE N. ENFIN DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES SONT REALISES ET LEURS CARACTERISTIQUES DISCUTEES.
Book Synopsis Propriétés et croissances de films minces de nitrure et dioxyde de silicium par dépôt pyrolytique by : Michel Wotawa
Download or read book Propriétés et croissances de films minces de nitrure et dioxyde de silicium par dépôt pyrolytique written by Michel Wotawa and published by . This book was released on 1979 with total page 291 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: But de l'étude entreprise: mise en œuvre d'un procède de dépôt de couches minces SI3N4 et SIO2 en vue d'application dans des dispositifs électroniques à haute intégration. après la description des propriétés de SI3N4 et de ses applications possibles dans le domaine des semi-conducteurs, choix d'une technologie de dépôt, d'un mode de croissance, d'un type d'équipement et des méthodes de mesure et de caractérisation. Les défauts de croissance dans les couches minces obtenues avec des conditions industrielles sont étudiés en détail. Enfin, mise en œuvre de techniques d'analyse complémentaires afin d'évaluer les caractéristiques physiques, chimiques et électriques essentielles pour le comportement des structures réalisées
Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES ET STRUCTURE DES COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE by : René Bisaro
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ET STRUCTURE DES COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE written by René Bisaro and published by . This book was released on 1987 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TAILLE DES GRAINS, LA TEXTURE, LA MORPHOLOGIE DE SURFACE, LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET L'ABSORPTION OPTIQUE SONT ETUDIES EN FONCTION DES PARAMETRES DE DEPOT. L'OPTIMUM DES PROPRIETES DE TRANSPORT DES COUCHES POLYCRISTALLINES EST LIE A UN REGIME DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE. ETUDE DU PROCESSUS DE CRISTALLISATION, EFFET D'IMPURETES DOPANTES. ON MET EN EVIDENCE L'EFFET DES LIAISONS DISPONIBLES ET DE LEUR ETAT DE CHARGE SUR LE MECANISME DES CRISTALLISATION
Book Synopsis PROPRIETES ELECTRONIQUES ET PHYSICOCHIMIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES A HAUTE TEMPERATURE by : ETIENNE.. BUSTARRET
Download or read book PROPRIETES ELECTRONIQUES ET PHYSICOCHIMIQUES DE COUCHES MINCES DE SILICIUM DEPOSEES A HAUTE TEMPERATURE written by ETIENNE.. BUSTARRET and published by . This book was released on 1982 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU SYSTEME HYDROGENE-SILICIUM SUIVANT LES CONDITIONS DE PREPARATION PAR CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOCONDUCTIVITE, DIFFUSION RAMAN, RPE, TRANSMISSION DANS L'IR. ANALYSE DE LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL, CONDITIONS DE PREPARATION DE COUCHES MICROCRISTALLINES POUR UNE OBTENTION A BASSE TEMPERATURE
Book Synopsis Etudes des propriétés physiques et chimiques de la surface des substrats de Silicium après découpe dans les applications aux cellules solaires photovoltaïques by : Ramzi Souidi
Download or read book Etudes des propriétés physiques et chimiques de la surface des substrats de Silicium après découpe dans les applications aux cellules solaires photovoltaïques written by Ramzi Souidi and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour l'industrie photovoltaïque (PV) l'optimisation de la découpe de lingot de silicium en tranches représente un enjeu à la fois économique et scientifique. Enjeu économique en ce qu'il est important de réduire la perte de matière induite par la découpe. Enjeu scientifique en ce qu'il est nécessaire de comprendre l'impact du sciage sur la qualité du silicium au voisinage de la surface. Ce travail de thèse de doctorat a pour objectif de caractériser la nature et l'extension de l'endommagement généré par une technique innovante de découpe réalisée à l'aide de fils diamantés. Un objectif majeur est d'évaluer l'épaisseur de la couche de silicium perturbée (appelée SSD). Afin de caractériser la SSD, des analyses physico-chimiques en fonction de la profondeur ont été réalisées d'une part, sur des échantillons bruts de découpe en surface, en coupes biaises ou transverses et d'autre part, par enlèvement progressif de matière par des attaques chimiques en solutions diluées. Des protocoles de préparation d'échantillons ainsi que de nombreuses techniques de caractérisation ont été utilisées. En particulier des techniques de microscopie (optique, confocale, électronique MEB et TEM), de spectroscopie de photoélectrons (XPS), de diffraction de rayons X (DRX), de spectroscopie Raman ainsi que des essais de résistances mécaniques aboutissent à une caractérisation multi-échelle des tranches et de coupons. Un polissage en coupes biaises avec un angle faible permet d'étendre la zone d'observation des défauts en profondeur et d'en faire une analyse statistique. De plus, des méthodes de mesure de durée de vie des porteurs minoritaires sont exploitées pour évaluer les processus de recombinaison sur la couche perturbée. Le temps de vie a été obtenu via la mesure de la décroissance de photoconductivité (PCD) sur des surfaces passivées par différents matériaux (SiNx :H, Al2O3) et procédés de dépôts (PECVD, ALD). D'abord, la caractérisation des échantillons bruts de découpe indique que les défauts majeurs de la SSD sont des fissures générées par la découpe et qui se propagent en subsurface. Ces fissures se distribuent sur des profondeurs variables et hétérogènes selon les conditions de découpe. Ensuite, les résultats de la méthode par enlèvement contrôlé montrent, d'une part, un effet de la SSD dans les processus de recombinaison. La précision d'évaluation de cet effet est conditionnée par des passivations de surface optimisées et des mesures fiables du temps de vie. D'autre part, ils montrent une interaction de l'attaque chimique avec les fissures. Ce dernier point est déterminant dans l'évaluation de l'épaisseur de la SSD globale pouvant impacter les performances des cellules solaires.
Book Synopsis ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PYROLYSE DE DISILANE PAR LPCVD DANS DES CONDITIONS ULTRA-PURES. APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHE MINCES by : Thierry Kretz (ingénieur en nanotechnologies).)
Download or read book ETUDE DE LA CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PYROLYSE DE DISILANE PAR LPCVD DANS DES CONDITIONS ULTRA-PURES. APPLICATION A LA REALISATION DE TRANSISTORS MOS EN COUCHE MINCES written by Thierry Kretz (ingénieur en nanotechnologies).) and published by . This book was released on 1993 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'ELABORER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN A GROS GRAINS, A PARTIR DE COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE REALISEES DANS UN REACTEUR DE TYPE UHVCVD ET CRISTALLISEES THERMIQUEMENT EN PHASE SOLIDE. LES MATERIAUX AMORPHES ELABORES A PARTIR DU GAZ DISILANE, DECOMPOSE A DES TEMPERATURES VARIANT DE 460 A 540C, SONT COMPARES AUX DEPOTS A BASE DE GAZ SILANE OBTENUS PAR PYROLYSE A 550C. LES ANALYSES SIMS REVELENT QUE LES CONCENTRATIONS EN OXYGENE ET EN CARBONE DANS CES DEPOTS SONT DE PLUS DE DEUX ORDRES DE GRANDEUR INFERIEURES A CELLES RAPPORTEES DANS LA LITTERATURE POUR DES DEPOTS LPCVD. PAR SPECTROMETRIE RAMAN, NOUS MONTRONS QUE POUR UNE VITESSE DE DEPOT IDENTIQUE, LE SILICIUM AMORPHE REALISE A PARTIR DU GAZ DISILANE PRESENTE UN DEGRE DE DESORDRE STRUCTURAL SUPERIEUR AU SILICIUM AMORPHE GENERE PAR LE GAZ SILANE. LA CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DES COUCHES AMORPHES DE HAUTE PURETE EST ENSUITE ETUDIEE. L'EVOLUTION DE LA TEXTURE 111 DES COUCHES POLYCRISTALLINES EN FONCTION DES CONDITIONS DE DEPOT EST DETERMINEE PAR DIFFRACTION DE RAYONS X DANS LA CONFIGURATION (-2). UNE METHODE DE SUIVI IN SITU (DANS LE FOUR DE RECUIT) DE L'EVOLUTION DE LA CONDUCTANCE DES COUCHES, EN FONCTION DE LA DUREE DE RECUIT, COMBINEE AVEC DES OBSERVATIONS EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA VARIATION DE LA TAILLE DES GRAINS, POUR DIFFERENTES TEMPERATURES DE CRISTALLISATION, NOUS PERMET DE REMONTER AUX ENERGIES D'ACTIVATION DU TAUX DE NUCLEATION, E#N, ET DE LA VITESSE DE CROISSANCE, E#G, DES CRISTALLITES. LES VALEURS DE E#N ET E#G SONT EN BONNE CORRELATION AVEC LA DIFFERENCE DE TAILLE DE GRAINS (PLUS D'UN ORDRE DE GRANDEUR) OBSERVEE ENTRE LES COUCHES A BASE DE SILANE ET CELLES A BASE DE DISILANE. FINALEMENT NOUS MONTRONS QUE L'UTILISATION DU GAZ DISILANE PERMET D'AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES (MOBILITE, TENSION DE SEUIL, PENTE SOUS LE SEUIL) DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN
