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Etude Des Methodes De Recuit Rapide Appliquees Au Silicium Dope Par Implantation Ionique
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Book Synopsis ETUDE DES METHODES DE RECUIT RAPIDE APPLIQUEES AU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE by : PIERRE.. RUTERAMA
Download or read book ETUDE DES METHODES DE RECUIT RAPIDE APPLIQUEES AU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE written by PIERRE.. RUTERAMA and published by . This book was released on 1983 with total page 294 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPEL DU PRINCIPE DE L'IMPLANTATION IONIQUE, EN INSISTANT PARTICULIEREMENT SUR LE PROCESSUS DE CREATION DE DEFAUTS ET SUR LEUR REPARTITION DANS LA COUCHE BOMBARDEE. ETUDE DES MECANISMES DE RECUIT THERMIQUE, RECUIT PAR LASER A FAISCEAU CONTINU, RECUIT PAR FAISCEAU LASER PULSE ET RECUIT PAR PULSE THERMIQUE. ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE DU MATERIAU ET DE L'ETAT CRISTALLIN DES COUCHES RECUITES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES JONCTIONS P/N ET ANALYSE DE L'ALBUM DES COURBES I/V
Book Synopsis DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D'IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE by : Jean-Claude Müller
Download or read book DOPAGE DU SILICIUM PAR UNE NOUVELLE METHODE D'IMPLANTATION IONIQUE AVEC RECUIT PAR LASER PULSE written by Jean-Claude Müller and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU PROCEDE DE DOPAGE PAR INCRUSTATION IONIQUE. INTERACTION DES IONS ATOMIQUES ET MOLECULAIRES AVEC LE SILICIUM. INTERACTION LASER DE PUISSANCE-MATIERE. ETUDE EXPERIMENTALE DES COUCHES INCRUSTEES AYANT SUBI UN RECUIT LASER PULSE. APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE A LA PREPARATION DE CELLULES SOLAIRES A SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLIN. COMPARAISON DE LEURS PERFORMANCES A CELLULES DE CELLULES PREPAREES PAR DES VOIES PLUS CONVENTIONNELLES
Book Synopsis Étude, réalisation et caractérisation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium by : Adeline Lanterne
Download or read book Étude, réalisation et caractérisation de dopages par implantation ionique pour une application aux cellules solaires en silicium written by Adeline Lanterne and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour but d'étudier le dopage par implantation ionique pour la réalisation des différentes zones dopées des cellules solaires en silicium cristallin (émetteur, champ arrière...). L'avantage de l'implantation ionique, par rapport à la diffusion gazeuse, est de pouvoir contrôler le profil des dopants implantés ainsi que de simplifier les procédés de fabrication des cellules. Deux techniques d'implantation ionique ont été utilisées dans ces travaux, l'implantation classique par faisceau d'ions et l'implantation par immersion plasma. Des dopages au phosphore, au bore et à l'arsenic ont été réalisés par cette technique d'implantation avec une activation par recuit thermique. L'importance de la température de recuit, des doses d'implantation et des couches de passivation sur la qualité électrique des jonctions formées a été mise en évidence. Des jonctions à faible courant de saturation ont pu être obtenues pour les différentes sources dopantes. Ces dopages par implantation ont ensuite été appliqués à la réalisation de cellules solaires en silicium sur substrat de type p (avec un émetteur dopé au phosphore) et sur substrat de type n (avec un émetteur dopé au bore et un champ arrière dopé au phosphore). L'utilisation de l'implantation ionique a permis d'atteindre un rendement de 19,1 % sur les cellules de type p soit un gain de 0,6 %abs par rapport au dopage par diffusion gazeuse, ainsi qu'un rendement de 20,2 % sur les cellules de type n.
Book Synopsis Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance by : Mihai Bogdan Lazar
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Book Synopsis Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales by : Jumana Boussey
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Book Synopsis Dopage du carbure de silicium par implantation ionique by : Jocelyn Gimbert
Download or read book Dopage du carbure de silicium par implantation ionique written by Jocelyn Gimbert and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LE DOPAGE DU CARBURE DE SILICIUM SIC-6H ET SIC-4H PAR IMPLANTATION IONIQUE, A LA FOIS DES POINTS DE VUE PHYSICO-CHIMIQUE ET ELECTRIQUE. L'OBTENTION DE DOPAGES CONTROLES DE TYPE N ET P EST NECESSAIRE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS DE HAUTE PUISSANCE ET/OU DE HAUTES FREQUENCES, TELS QUE LES MESFETS OU LES DIODES SCHOTTKY. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET PHYSIQUES PARTICULIERES DU CARBURE DE SILICIUM ET NOUS METTONS EN EVIDENCE L'INTERET DE DEVELOPPER UNE TECHNOLOGIE SUR CE MATERIAU. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES DE L'IMPLANTATION, ET EN PARTICULIER CELLE DES DOPANTS CLASSIQUES QUE SONT L'AZOTE, POUR LE DOPAGE DE TYPE N, ET L'ALUMINIUM ET LE BORE, POUR LE DOPAGE DE TYPE P. LES RESULTATS OBTENUS AVEC CES DOPANTS SONT DECRITS ET ANALYSES. NOUS EN DEDUISONS LES CONDITIONS EXPERIMENTALES PERMETTANT UNE BONNE QUALITE CRISTALLINE ET UN ETAT DE SURFACE ACCEPTABLE POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS. NOUS DETAILLONS EGALEMENT, DANS UNE TROISIEME PARTIE, LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES DEUX POLYTYPES SIC-4H ET SIC-6H. NOUS ABORDONS LE PROBLEME DE GEL DES PORTEURS ET CELUI DES DIFFERENTS MODES DE DIFFUSION DES PORTEURS. LES MESURES ELECTRIQUES SONT FAITES ESSENTIELLEMENT PAR EFFET HALL SUR MOTIF DE VAN DER PAUW ET PAR MESURE DE RESISTIVITE AVEC LA METHODE DES 4 POINTES. CELLES-CI NOUS PERMETTENT D'EN DEDUIRE LES PARAMETRES ESSENTIELS D'UNE COUCHE CONDUCTRICE DOPEE : LE TYPE DU MATERIAU, LA CONCENTRATION DE PORTEURS LIBRES, LA RESISTIVITE ET LA MOBILITE. LES RESULTATS DES EXPERIENCES REALISEES SONT COMMENTES ET COMPARES A L'ANALYSE THEORIQUE. L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES TECHNOLOGIQUES SUR LA CONDUCTION ELECTRIQUE EST ETUDIEE AFIN D'ENVISAGER LA FABRICATION DE DISPOSITIFS IMPLANTES SUR CARBURE DE SILICIUM.
Book Synopsis ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM by : OLUSEYI.. ADEKOYA
Download or read book ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM written by OLUSEYI.. ADEKOYA and published by . This book was released on 1987 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE
Book Synopsis ETUDE DES CONDITIONS DE SYNTHESE ET DE RECRISTALLISATION PAR RECUIT RAPIDE APRES IMPLANTATION D'AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM by : TALAL.. CHAMAS
Download or read book ETUDE DES CONDITIONS DE SYNTHESE ET DE RECRISTALLISATION PAR RECUIT RAPIDE APRES IMPLANTATION D'AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM written by TALAL.. CHAMAS and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MONOCRISTAUX DE SILICIUM |100| ET |111| ONT ETE IMPLANTES AVEC DES IONS AZOTE A FORTE DOSE (10#1#7 A 10#1#8 N#2#+/CM#2) A 160 KEV POUR SYNTHETISER DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM SI#3N#4. LES ECHANTILLONS IMPLANTES ONT ETE RECUITS DANS UN FOUR A LAMPES, A DES TEMPERATURES D'ENVIRON 1200C POUR DES DUREES DE 40 S. AFIN DE CARACTERISER LE MATERIAU ETUDIE, DIFFERENTES METHODES D'ANALYSE ONT ETE UTILISEES: RETRODIFFUSION RUTHERFORD DES IONS EN POSITION ALEATOIRE ET EN GEOMETRIE DE CANALISATION (RBS); MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (TEM); MESURES ELECTRIQUES. LES ANALYSES EN RBS NOUS ONT PERMIS DE MESURER LA QUANTIE D'AZOTE IMPLANTEE ET LA REPARTITION (PROFIL) DES ELEMENTS, ET D'ESTIMER LES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION. LES OBSERVATIONS TEM EN COUPE TRANSVERSE NOUS ONT PERMIS DE CONNAITRE LES VARIATIONS STRUCTURALES DE LA ZONE IMPLANTEE. ENFIN LES CARACTERISTIQUES ONT MONTRE L'OBTENTION DE COUCHES DE NITRURE D'EPAISSEUR D'ENVIRON 1200 A. CES EPAISSEURS DEDUITES DES MESURES ELECTRIQUES CONFIRMENT LES MESURES EN RBS ET TEM. POUR EXPLIQUER LA CONDUCTION DES FILMS, L'EXISTENCE D'UN EFFET POOLE-FRENKEL OU SCHOTTKY EST DISCUTEE. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE MONTRE QUE LE MATERIAU ISOLANT SYNTHETISE PAR RECUIT RAPIDE APRES IMPLANTATION CORRESPOND BIEN A UN NITRURE, MAIS PRESENTE UNE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE TROS ELEVEE PAR RAPPORT AU SI#3N#4 OBTENUPAR D'AUTRES METHODES. LA FORTE DENSITE DE COURANT OBSERVEE EST PROBABLEMENT LIEE A L'EXCES D'AZOTE ET AUX TECHNIQUES DE RECUITS RAPIDES QUI NE REALISENT PAS UNE SYNTHESE COMPLETE
Book Synopsis Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide by : Guy Clément
Download or read book Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide written by Guy Clément and published by . This book was released on 1966 with total page 76 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Procédés thermiques rapides by : Francois Marou
Download or read book Procédés thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
Book Synopsis Formation et caractérisation de jonctions PN dans du SiC-4H par implantation ionique et recuit laser by : Christian Dutto
Download or read book Formation et caractérisation de jonctions PN dans du SiC-4H par implantation ionique et recuit laser written by Christian Dutto and published by . This book was released on 2003 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur le dopage du carbure de silicium SiC-4H par implantation ionique et recuit laser. L'élaboration de diodes Schottky de type n, très adaptée au SiC, et l'amélioration de leur tenue en tension requièrent de fabriquer de façon reproductible un anneau de garde périphérique de type p autour de la zone active.Dans un premier chapitre, les atouts, propriétés et applications usuelles du SiC sont introduites. Dans une deuxième partie nous décrivons les mécanismes physiques de l'implantation et de l'analyse RBS. Les seuils d'amorphisation et énergies de déplacement effectives du 4H suite à une implantation d'aluminium à 300 K sont présentés. L'activation des dopants et du gel des porteurs ainsi qu'un bilan des résultats obtenus par recuit conventionnel sont abordés. L'interaction laser-matière et le modèle thermique font l'objet d'un troisième chapitre. La modélisation numérique de l'échauffement laser du SiC amorphe et cristallin et les résultats obtenus sont confrontés aux données expérimentales publiées sur le sujet. Enfin, les propriétés physiques (qualité cristalline, rugosité et stoechiométrie de surface) et électriques (résistivités) des couches irradiées sont détaillées. L'analyse des résultats nous ont permis d'étudier un lot électrique SiC mettant en jeu le procédé laser. Les caractéristiques I-V-T et les tenues en tension de diodes bipolaires MESA sont présentées. L'influence des paramètres technologiques et les perspectives d'optimisation du procédé de dopage laser sont discutées.
Book Synopsis Aspects structuraux et electriques de l'implantation ionique de Bore dans des couches de diamant by : Frederic Fontaine
Download or read book Aspects structuraux et electriques de l'implantation ionique de Bore dans des couches de diamant written by Frederic Fontaine and published by . This book was released on 1994 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LES ASPECTS STRUCTURAUX ET ELECTRIQUES DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE BORE DANS DES COUCHES DE DIAMANT. LA THESE DEBUTE PAR LA PRESENTATION DES TECHNIQUES D'ELABORATIONS DES COUCHES ET PAR L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE QUELQUES PARAMETRES EXPERIMENTAUX. LES NOTIONS DE BASE DE L'IMPLANTATION IONIQUE ET UN RAPIDE HISTORIQUE DE L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE AU DIAMANT FONT L'OBJET DU SECOND CHAPITRE. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DES COUCHES NON RECUITES DANS UN PREMIER TEMPS, PUIS RECUITES DANS UN DEUXIEME TEMPS, MONTRENT LA STABILITE DE LEURS PROPRIETES INTRINSEQUES. L'INFLUENCE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE BORE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES NON RECUITES EST ETUDIEE AU QUATRIEME CHAPITRE. NOUS MONTRONS QU'IL EXISTE UNE DOSE D'IMPLANTATION SEUIL, AU DELA DE LAQUELLE LA ZONE IMPLANTEE SUBIT UNE TRANSFORMATION DE PHASE, DU DIAMANT VERS LE CARBONE AMORPHE. LE SIGNAL RPE ETROIT PROVIENT DE DEFAUTS SITUES DANS LE VOLUME DES CRISTALLITES ET LE SIGNAL RPE LARGE PROVIENT DE DEFAUTS SITUES AUX JOINTS DE GRAINS. LA METHODE DE RECUIT PAR ENCAPSULATION DE NITRURE DE SILICIUM EST PRESENTEE AU CINQUIEME CHAPITRE. CETTE TECHNIQUE PERMET DE RECUIRE LES COUCHES DE DIAMANT SOUS ARGON A 1300C PENDANT AU MOINS 6 HEURES, TOUT EN CONSERVANT L'INTEGRITE DE LA COUCHE. DANS LE DERNIER CHAPITRE, NOUS MENONS L'ETUDE DE L'INFLUENCE DU RECUIT SUR LES COUCHES IMPLANTEES. NOUS MONTRONS QUE LES ATOMES DE BORE NE DIFFUSENT PAS, PUIS QUE LA GUERISON DES DEFAUTS D'IMPLANTATION EST SUFFISANTE POUR PERMETTRE LE DOPAGE DES COUCHES DE DIAMANT. NOUS TERMINONS EN DEVELOPPANT UN MODELE DE LA COMPENSATION PRENANT EN COMPTE L'IONISATION PARTIELLE DE NIVEAU COMPENSATEUR AINSI QUE L'EXISTENCE D'UN FACTEUR DE DEGENERESCENCE NETTEMENT PLUS ELEVE QUE SA VALEUR CLASSIQUE
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Book Synopsis Flexoelectricity in Liquid Crystals by : Agnes Buka
Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Book Synopsis Nonlinear Optical Materials by : Jerome V. Moloney
Download or read book Nonlinear Optical Materials written by Jerome V. Moloney and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1998-08-13 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mathematical methods play a significant role in the rapidly growing field of nonlinear optical materials. This volume discusses a number of successful or promising contributions. The overall theme of this volume is twofold: (1) the challenges faced in computing and optimizing nonlinear optical material properties; and (2) the exploitation of these properties in important areas of application. These include the design of optical amplifiers and lasers, as well as novel optical switches. Research topics in this volume include how to exploit the magnetooptic effect, how to work with the nonlinear optical response of materials, how to predict laser-induced breakdown in efficient optical devices, and how to handle electron cloud distortion in femtosecond processes.
Book Synopsis Ion Beams for Materials Analysis by : J. R. Bird
Download or read book Ion Beams for Materials Analysis written by J. R. Bird and published by Academic Press. This book was released on 1989 with total page 748 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The use of ion beams for materials analysis involves many different ion-atom interaction processes which previously have largely been considered in separate reviews and texts. A list of books and conference proceedings is given in Table 2. This book is divided into three parts, the first which treats all ion beam techniques and their applications in such diverse fields as materials science, thin film and semiconductor technology, surface science, geology, biology, medicine, environmental science, archaeology and so on.
