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Etude De La Croissance Et Du Dopage Simultane A Basse Temperature De Couches Minces De Silicium Epitaxie En Plasma Multipolaire Micro Onde
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Book Synopsis Etude de la croissance et du dopage simultané à basse température de couches minces de silicium épitaxié en plasma multipolaire micro-onde by : Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).)
Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultané à basse température de couches minces de silicium épitaxié en plasma multipolaire micro-onde written by Emmanuel Voisin (auteur en métallurgie).) and published by . This book was released on 1990 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de these est une etude de la croissance epitaxiee du silicium sur silicium et du dopage, a basse temperature (600c-800c) par plasma multipolaire microonde. Apres une presentation du dispositif experimental et des caracteristiques essentielles du plasma genere par une source rcer (resonance cyclotronique electronique repartie), il aborde tout d'abord le nettoyage in situ d'une surface de silicium par plasma d'hydrogene ou d'argon puis le depot epitaxie de silicium intrinseque a tres basse temperature par plasma de silane. Ensuite est presentee une etude du dopage, type n par le phosphore ou l'arsenic et type p par le bore. Elle aborde le niveau d'incorporation, l'activite electrique et la distribution spatiale des atomes dopants (le profil de dopage) dans une couche epitaxiee, en fonction des parametres experimentaux essentiels: fraction du gaz dopant dans le silane, energie des ions, temperature du substrat, puissance microonde injectee. Enfin la mise en uvre de nombreuses techniques de caracterisation atteste la bonne qualite tant sur le plan structural (nature et densite des defauts residuels) qu'electrique (mobilite des porteurs, defauts dans le gap) des couches de silicium deposees par pmm. L'avenir du depot par pmm en microelectronique s'avere donc tres prometteur
Book Synopsis Etude de la croissance et du dopage simultané à basse température de couches minces de silicium épitaxié en plasma multipolaire micro-onde by : Emmanuel Voisin
Download or read book Etude de la croissance et du dopage simultané à basse température de couches minces de silicium épitaxié en plasma multipolaire micro-onde written by Emmanuel Voisin and published by . This book was released on 1990 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL DE THESE EST UNE ETUDE DE LA CROISSANCE EPITAXIEE DU SILICIUM SUR SILICIUM ET DU DOPAGE, A BASSE TEMPERATURE (600C-800C) PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APRES UNE PRESENTATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL ET DES CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES DU PLASMA GENERE PAR UNE SOURCE RCER (RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE), IL ABORDE TOUT D'ABORD LE NETTOYAGE IN SITU D'UNE SURFACE DE SILICIUM PAR PLASMA D'HYDROGENE OU D'ARGON PUIS LE DEPOT EPITAXIE DE SILICIUM INTRINSEQUE A TRES BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA DE SILANE. ENSUITE EST PRESENTEE UNE ETUDE DU DOPAGE, TYPE N PAR LE PHOSPHORE OU L'ARSENIC ET TYPE P PAR LE BORE. ELLE ABORDE LE NIVEAU D'INCORPORATION, L'ACTIVITE ELECTRIQUE ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DOPANTS (LE PROFIL DE DOPAGE) DANS UNE COUCHE EPITAXIEE, EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX ESSENTIELS: FRACTION DU GAZ DOPANT DANS LE SILANE, ENERGIE DES IONS, TEMPERATURE DU SUBSTRAT, PUISSANCE MICROONDE INJECTEE. ENFIN LA MISE EN UVRE DE NOMBREUSES TECHNIQUES DE CARACTERISATION ATTESTE LA BONNE QUALITE TANT SUR LE PLAN STRUCTURAL (NATURE ET DENSITE DES DEFAUTS RESIDUELS) QU'ELECTRIQUE (MOBILITE DES PORTEURS, DEFAUTS DANS LE GAP) DES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES PAR PMM. L'AVENIR DU DEPOT PAR PMM EN MICROELECTRONIQUE S'AVERE DONC TRES PROMETTEUR
Book Synopsis NETTOYAGE DE SURFACE ET DEPOT DE SILICIUM EN PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE by : MARC.. GUILLERMET
Download or read book NETTOYAGE DE SURFACE ET DEPOT DE SILICIUM EN PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE written by MARC.. GUILLERMET and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEVELOPPEMENT D'UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE EXCITE PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE; PRODUCTION A BASSE PRESSION (0,1 PA), D'UN PLASMA HOMOGENE DE DENSITE ELEVEE AVEC DES IONS D'ENERGIE CONTROLABLE DE 1 A 100 EV. CARACTERISATION CHIMIQUE (SPECTROMETRIE DES ELECTRONS AUGER) ET CRISTALLOGRAPHIQUE (DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS) DE LA SURFACE DES SUBSTRATS DE SILICIUM; ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE APRES INTERACTION AVEC LE PLASMA. CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES COUCHES EPITAXIQUES
Book Synopsis ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 by : STEPHANE.. SITBON
Download or read book ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 written by STEPHANE.. SITBON and published by . This book was released on 1996 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES FILMS MINCES DIELECTRIQUES DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PRESENTENT ACTUELLEMENT ET PRESENTERONT DANS LE FUTUR DE MULTIPLES APPLICATIONS POUR REPONDRE AUX NOUVELLES SPECIFICATIONS DE L'INDUSTRIE DE LA MICRO-ELECTRONIQUE ET DE L'OPTO-ELECTRONIQUE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE, L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DU DEPOT DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES DANS UN TYPE DE REACTEUR A PLASMA MICRO-ONDE: LE REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE REPARTIE (RCER). DE NOMBREUX MOYENS DE CARACTERISATION ONT ETE EMPLOYES, POUR MAITRISER LE DEPOT, TELS QUE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR L'ANALYSE DU PLASMA, L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET A ANNULATION POUR DETERMINER L'EPAISSEUR ET L'INDICE DES FILMS, LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRA-ROUGE POUR ELUCIDER LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES. LA COMPOSITION ATOMIQUE DES FILMS A ETE DETERMINEE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS D'AUGER. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'EVOLUTION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM RCER REALISES A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE SILANE ET D'AZOTE, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE (N#2/SIH#4) ET DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE. UNE PHASE GAZEUSE FORTEMENT DILUEE EN SILANE ET UNE PUISSANCE MICRO-ONDE ELEVEE PERMETTENT D'ELABORER DES FILMS DENSES, LEGEREMENT SUR-STOECHIOMETRIQUES EN AZOTE. DANS LA DEUXIEME PARTIE POUR CONFIRMER NOTRE POINT DE FONCTIONNEMENT, NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE MESURES ELECTRIQUES REALISEES SUR DES STRUCTURES MIS (AL/SIN/SI ET AL/SIN/INP). LES VALEURS DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, DEDUITES DES CARACTERISTIQUES RESPECTIVEMENT I(V) ET C(V) SONT LES PLUS ELEVEES DANS LE CAS DE L'INP. TOUTEFOIS, LE MECANISME DE CONDUCTION DOMINANT EST CELUI DE FRENKEL-POOLE, QUELLE QUE SOIT LA NATURE DU SUBSTRAT, LA VALEUR DE LA RESISTIVITE ETANT DE 10#1#6 OHM.CM
Book Synopsis DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON by : Christophe Vallée
Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée and published by . This book was released on 1999 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES.
Book Synopsis DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON by : Christophe Vallée (microélectronicien).)
Download or read book DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES EN PLASMA OXYGENE/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR HELICON written by Christophe Vallée (microélectronicien).) and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES SONT DEPOSEES A TEMPERATURE AMBIANTE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM A PARTIR D'UN PLASMA DE MELANGE O#2/ORGANOSILICIE DANS UN REACTEUR RADIOFREQUENCE HELICON FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. LORSQUE LE MELANGE EST RICHE EN OXYGENE, LES FILMS OBTENUS SONT INORGANIQUES ET DE TYPE SIO#2. CES COUCHES SONT DURES ET TRANSPARENTES DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. A PARTIR DE MELANGES RICHES EN ORGANOSILICIE, LES FILMS OBTENUS SONT ORGANIQUES, DE TYPE SIO#XC#YH#Z. DES ANALYSES IN SITU SIMULTANEES, DU FILM, PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE, ET DU PLASMA, PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE, SONT MISES EN UVRE DURANT LE DEPOT. CECI PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES MECANISMES GOUVERNANT LA CROISSANCE DES FILMS ET D'OBTENIR DES OUTILS DE CONTROLE IN SITU DE LA QUALITE DES COUCHES. AINSI, NOUS AVONS MONTRE L'EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE L'EMISSION DE CH* DANS LE PLASMA ET L'INCORPORATION DE CARBONE DANS LES COUCHES. LES PROPRIETES ET LES COMPOSITIONS DES FILMS SONT OBTENUES PAR DES ANALYSES EX SITU TELLES QUE LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION (FTIR), LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS X (XPS), LA REFLECTIVITE SOUS FAISCEAU DE RAYONS X RASANTS, DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE TYPE C(V) POUR CETTE ETUDE NOUS AVONS UTILISE DEUX ORGANOSILICIES : LE TETRAETHOXYSILANE (TEOS) ET L'HEXAMETHYLDISILOXANE (HMDSO). L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS FILMS ORGANIQUES AINSI ELABORES MET EN EVIDENCE UNE TRES FORTE ANALOGIE ENTRE LA STRUCTURE DU FILM ET CELLE DU MONOMERE PRECURSEUR. NOUS AVONS AUSSI MONTRE QUE CERTAINS OXYDES ETAIENT POREUX ET SE MODIFIAIENT AU CONTACT DE L'AIR. EN EFFET, L'UTILISATION DE L'ELLIPSOMETRIE PERMET DE VISUALISER, EN TEMPS REEL, L'INCORPORATION D'EAU DANS CES FILMS. NOUS AVONS AUSSI ETUDIE LA NATURE DES INTERACTIONS ENTRE LES ATOMES D'OXYGENE ET LA SURFACE DU FILM EN COURS D'ELABORATION, AINSI QUE L'EFFET D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE (PAR POLARISATION DU SUBSTRAT), SUR LA QUALITE ET LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES
Book Synopsis DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE by : ROXANA.. ETEMADI
Download or read book DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE written by ROXANA.. ETEMADI and published by . This book was released on 1996 with total page 266 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV
Book Synopsis Croissance de couches minces de silicium pour applications photovoltaïques par epitaxie en phase liquide par évaporation du solvant by : Stephen Giraud
Download or read book Croissance de couches minces de silicium pour applications photovoltaïques par epitaxie en phase liquide par évaporation du solvant written by Stephen Giraud and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une solution pour réduire la consommation de Si de haute pureté dans les cellules solaires à base de Si cristallin est de faire croître une couche active mince de haute qualité sur un substrat à faible coût. L'Epitaxie en Phase Liquide (EPL) est l'une des techniques les plus appropriées, car la croissance est réalisée dans des conditions proches de l'équilibre. On s'intéresse plus particulièrement au développement et l'optimisation d'une technique de croissance stationnaire et isotherme basée sur l'évaporation du solvant : l'Epitaxie en Phase Liquide par Evaporation d'un Solvant métallique (EPLES). Les principaux critères concernant le choix du solvant, de l'atmosphère de croissance et du creuset sont d'abord présentés et permettent de concevoir une première configuration d'étude. Un modèle analytique est ensuite développé pour comprendre les mécanismes mis en œuvre et étudier la cinétique d'évaporation du solvant et de croissance. Les différentes étapes du procédé de croissance dans le cas de l'EPLES de Si sont examinées et mettent en évidence un certain nombre de difficultés technologiques liées à cette technique : contrôle de la convection dans le bain, réactivité du bain Si-M avec le creuset, transport par différence de température et dépôt pendant la phase de refroidissement. Des solutions techniques sont proposées et mise en place pour contourner les difficultés rencontrées. Des couches épitaxiées de Si uniformes comprises entre 20 et 40 μm sont alors obtenues par EPLES avec des bains Sn-Si et In-Si sur substrat Si monocristallin entre 900 et 1200°C sous vide secondaire. Les vitesses de croissance expérimentales atteintes sont comprises entre 10 et 20 μm/h et sont conformes aux prédictions du modèle cinétique. La qualité structurale obtenue est comparable à celle des couches obtenues par EPL. Des couches de type P, avec un bain dopé In et In(Ga) sont obtenues avec une concentration en dopants proches de 1017 at.cm3 compatible avec une application PV. Enfin le potentiel de l'application de cette technique est évalué en basant la discussion sur la réalisation d'une couche de Si obtenue par EPLES sur substrat multicristallin avec un bain In-Si.
Book Synopsis ETUDE DU DEPOT DE FILMS MINCES DE SILICE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APPLICATION A L'ETUDE DE STRUCTURES SIO#2-INP by : FRANCOIS.. PLAIS
Download or read book ETUDE DU DEPOT DE FILMS MINCES DE SILICE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE. APPLICATION A L'ETUDE DE STRUCTURES SIO#2-INP written by FRANCOIS.. PLAIS and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MISFET) SUR INP EST LE COMPOSANT SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX SPECIFICATIONS REQUISES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE. LA REALISATION DE CE COMPOSANT PASSE PAR LA MAITRISE DU DEPOT DE SILICE SUR INP ET LA REALISATION D'UNE INTERFACE SANS DEFAUTS. LES TECHNIQUES HABITUELLES DE DEPOT D'ISOLANT (DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, TEMPERATURE DE SUBSTRAT 250C) INDUISENT DES DEFAUTS DANS LE SUBSTRAT QUI NUISENT A LA QUALITE DU COMPOSANT REALISE. A TITRE D'ALTERNATIVE AUX PLASMAS RADIOFREQUENCES, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER LE FILM DE SILICE. LE PLASMA EST CREE, A BASSE PRESSION (10##3 MBAR), DANS UN MELANGE SIH#4-N#2O, PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LES FILMS OBTENUS A TEMPERATURE AMBIANTE PRESENTENT UNE FAIBLE CONTAMINATION (2 AT% D'AZOTE ET 5 AT% D'HYDROGENE MESURE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE), UNE FAIBLE VITESSE DE GRAVURE HUMIDE (3 FOIS CELLE DE LA SILICE THERMIQUE) ET UNE BONNE RESISTIVITE (10#1#5CM). NOUS AVONS ENSUITE CARACTERISE L'INTERFACE ENTRE LE FILM DE SILICE ET L'INP PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) SUR DES COUCHES MINCES OU PAR ANALYSE I(V)-C(V) SUR DES COUCHES EPAISSES. ON MONTRE PAR XPS QUE LE DEPOT DE SILICE OXYDE FORTEMENT LE SUBSTRAT D'INP. LE CHAMP CRITIQUE, POUR LEQUEL LA DENSITE DE COURANT DE FUITE EST INFERIEURE A 1 NA CM##2, DEPASSE 5 MV CM##1, RESULTAT COMPARABLE A LA STRUCTURE SILICE THERMIQUE - SI (ANALYSE I(V) QUASISTATIQUE). LA DISPERSION EN FREQUENCE DES CARACTERISTIQUES C(V) EST NULLE ET L'ANALYSE TERMAN INDIQUE UN MINIMUM DE DENSITES D'ETATS D'INTERFACE EGAL A 2 10#1#1 CM##2 EV##1
Book Synopsis DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM APLANISSANT PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE by : JAMAL.. KHALLAAYOUNE
Download or read book DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM APLANISSANT PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE written by JAMAL.. KHALLAAYOUNE and published by . This book was released on 1992 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE ETUDE, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER L'OXYDE DE SILICIUM A PARTIR DU MELANGE SIH#4/O#2 A BASSE TEMPERATURE ( 400C) ; LE PLASMA EST GENERE PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER) A BASSE PRESSION (
Book Synopsis Etude de couches minces de carbure de silicium déposées par CVD assistée plasma basse fréquence by : Eric Gat
Download or read book Etude de couches minces de carbure de silicium déposées par CVD assistée plasma basse fréquence written by Eric Gat and published by . This book was released on 1992 with total page 146 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM AMORPHE ET HYDROGENE A-SI#XC#1##X:H SONT ELABOREES A BASSE TEMPERATURE (INFERIEURE A 150#C) PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE D'UN PLASMA REACTIF BASSE FREQUENCE (110 KHZ), A PARTIR D'UN MELANGE DE GAZ SILANE ET METHANE DILUE DANS L'HELIUM. LES METHODES DE CARACTERISATION MEB, IR, AES ET REACTION NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS DE DEFINIR LA MORPHOLOGIE, LA NATURE ET LA COMPOSITION DES DEPOTS. UNE NATURE INORGANIQUE ET COMPACTE EST REVELEE, INDEPENDAMMENT DE LA POSITION DES SUBSTRATS (SILICIUM) DANS LE REACTEUR; ELLE RESULTE D'UN BOMBARDEMENT IONIQUE RELATIVEMENT INTENSE DE LA SURFACE DES FILMS EN CROISSANCE. UNE ETUDE STRUCTURALE MENEE A PARTIR D'ANALYSES IR, AES ET EXAFS MET EN EVIDENCE, POUR LES FILMS DE COMPOSITION X VOISINE DE 0,5, UNE MICROSTRUCTURE PARTICULIERE, HOMOGENE ET PROCHE DE CELLE D'UN RESEAU A-SIC, QUI LEUR CONFERE DES PROPRIETES THERMOMECANIQUES (DURETE, FAIBLES CONTRAINTES INTERNES, STABILITE THERMIQUE) ET OPTIQUES (BONNE TRANSMISSION DANS LE DOMAINE DU VISIBLE) OPTIMALES. UN CARACTERE POLYMERE DE FAIBLE MOUILLABILITE DE LA SURFACE DES FILMS EXPOSES A L'AIR AMBIANT, ACCENTUE POUR DES TENEURS EN CARBONE ELEVEES, EST REVELE PAR DES MESURES DE TENSIOMETRIE. IL EST RELIE, PAR AES, A L'INCORPORATION DE GROUPEMENTS ALKYLES ET A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE CONTAMINATION DE NATURE ORIGINALE, SOIT UN COMPOSE COMPLEXE SI#X(O#YC#Z:H)
Book Synopsis Étude et caractérisation d'un dispositif à plasma microonde entretenu par des ondes de surface excitées le long d'un diélectrique plan by : Olivier Friquet
Download or read book Étude et caractérisation d'un dispositif à plasma microonde entretenu par des ondes de surface excitées le long d'un diélectrique plan written by Olivier Friquet and published by . This book was released on 1991 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse décrit la mise au point d'un réacteur à plasma microonde permettant le dépôt à basse température de couches minces d'oxycarbure de silicium (SICO) destinées au renforcement de matériaux céramiques composites. Le premier chapitre présente un dispositif original d'excitation par ondes de surfaces (ODS) le long d'un diélectrique plan. Le second chapitre, plus théorique, est consacré à l'établissement et à la résolution de l'équation de dispersion du mode de propagation des ODS. Une méthode de prise d'empreinte des ODS constitue un moyen de validation des résultats de calcul. Le troisième chapitre est consacré à la caractérisation électrique du plasma par sonde de Langmuir. Le quatrième et dernier chapitre traite l'étude des dépôts de SICO obtenus par décomposition du methyltrichlorosilane. Plusieurs techniques d'analyses chimiques complémentaires sont utilisées: ESCA, EELS, FTIR. Des études en température montrent que ce matériau présente un potentiel d'application intéressant dans le domaine des hautes températures.
