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Elaboration En Epitaxie Par Jets Moleculaires De Structures Hybrides Metaux Ferromagnetiques Sur Semiconducteurs Ii Vi Pour Lelectronique De Spin
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Book Synopsis Elaboration en épitaxie par jets moléculaires de structures hybrides métaux ferromagnétiques sur semiconducteurs II-VI pour l'électronique de spin by : Christophe Bourgognon
Download or read book Elaboration en épitaxie par jets moléculaires de structures hybrides métaux ferromagnétiques sur semiconducteurs II-VI pour l'électronique de spin written by Christophe Bourgognon and published by . This book was released on 2001 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'association du magnétisme et des semiconducteurs est un thème de recherche très actif depuis quelques années. Les recherches portent d'une part sur l'étude de la phase ferromagnétique dans les semiconducteurs magnétiques dilués où des ions magnétiques sont incorporés dans le semiconducteur lors de sa croissance, et d'autre part sur celles des structures dites hybrides, où des couches métalliques ferromagnétiques sont déposées après la croissance du semiconducteur. Des applications intéressantes sont les mémoires magnétiques, les transistors dits de spin, ou encore l'ordinateur quantique. La première partie concerne la caractérisation structurale (spectroscopie d'électrons et microscopies) et magnétique de couches de Fe(001), épitaxiées sur des couches fines de ZnSe(001). D'une part, nous avons étudié en détail les modes de croissance du Fe et d'autre part nous avons démontré le lien entre les symétries structurales et magnétiques. La seconde partie de l'étude porte sur la croissance de systèmes magnétiques à aimantation perpendiculaire (alliage ordonné FePd(001), ou multicouches Cu/Ni(001) et Co/Pt) sur une hétérostructure contenant un puits semimagnétique de CdMnTe(001) dans des barrières de CdZnMgTe(001). Ces structures ont été élaborées avec succès et les couches métalliques présentent de fortes amisotropie magnétiques perpendiculaires. De plus, l'effet de la ségrégation de l'anion du semiconducteur sur la mise en ordre chimique du FePd a été démontrée. Le champ magnétique périodique rayonné par le métal pourra permettre l'apparition de nouveaux et intéressants effets sur les propriétés optiques du puits quantique semiconducteur, telle qu'une localisation des porteurs ou une modification de la phase ferromagnétique du puits semimagnétique.
Book Synopsis Epitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI by : Geneviève Lentz
Download or read book Epitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures de semiconducteurs II-VI written by Geneviève Lentz and published by . This book was released on 1989 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS, AU COURS DE CETTE ETUDE, ETUDIE LA CROISSANCE DES COUCHES MINCES ET DES HETEROSTRUCTURES A BASE DE CDTE, CDZNTE ET CDHGTE, REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). L'OBSERVATION DES OSCILLATIONS DE L'INTENSITE DU DIAGRAMME DE DIFFRACTION D'ELECTRONS, PENDANT LE DEPOT DE CES STRUCTURES, NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LES DYNAMIQUES DE CROISSANCE POUR LES ORIENTATIONS (001) ET (111) ET DE MESURER AVEC UNE PREECISION D'UNE MONOCOUCHE, L'EPAISSEUR DE CHAQUE COUCHE. NOUS AVONS UTILISE DES TECHNIQUES DE DIFFRACTION X, POUR ETUDIER LA QUALITE DES COUCHES, POUR DETECTER DES DEFAUTS TELS QUE LES MACLES ET LES DISLOCATIONS ET POUR MESURER LEUT ETAT DE DEFORMATION. EN EFFET, DES MESURES DE L'ETAT DE DEFORMATION, FAITES EN DOUBLE DIFFRACTION X SUR DES COUCHES DE CDTE (111) ET (111) DESORIENTES, ONT MONTRE LE ROLE DES MACLES SUR LES MECANISMES DE RELAXATION. DANS CES CONDITIONS, DES COUCHES ORIENTEES (001) ET (111) DE BONNE QUALITE ONT ETE REALISEES: EN PARTICULIER, NOUS AVONS MONTRE QUE DES COUCHES DE CDTE ET DE CD#XHG#1##XTE(X=60 A 80%) SANS MACLE, PEUVENT ETRE REALISEES EN EJM, SUR DES SUBSTRATS CDZNTE (111)B. TOUS CES RESULTATS: CONTROLE DES EPAISSEURS ET OPTIMISATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE, ONT PERMIS DE REALISER DES HETEROSTRUCTURES (PUITS QUANTIQUES ET SUPERRESEAUX) CDTE/CDZNTE ET CDTE/CDHGTE PRESENTANT DE TRES BONNES PROPRIETES STRUCTURALES ET OPTIQUES
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Book Synopsis Propriétés magnétiques, électriques et structurales et transport polarisé en spin dans des structures hybrides MnAs-GaAs by : Benjamin Rache Salles
Download or read book Propriétés magnétiques, électriques et structurales et transport polarisé en spin dans des structures hybrides MnAs-GaAs written by Benjamin Rache Salles and published by . This book was released on 2010 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le couplage d'un métal ferromagnétique (MF) à un semiconducteur (SC) permettrait d'intégrer le nouveau degré de liberté que constitue le spin aux propriétés logiques et optiques des semiconducteurs. L'élaboration de jonctions tunnel magnétiques couplant ces deux types de matériaux présente des difficultés intrinsèques à leurs conditions de croissance. En effet, à la température de croissance optimale de la barrière semiconductrice (~580°C), une forte interdiffusion à l'interface MF/SC réduit les effets de magnétorésistance. De ce fait, la barrière doit être élaborée à basse température, résultant dans l'incorporation d'antisites d'As dans la barrière SC.Le couple MnAs/GaAs est un bon candidat pour la réalisation de jonctions MF/SC grâce à la faible réactivité et à la forte polarisation à l'interface. Nous avons étudié des JTM MnAs/SC III-V/clusters de MnAs dans une matrice de GaAs (GaAs:MnAs), lesquelles le protocole de croissance de l'électrode inférieure (recuit in situ d'une couche de GaMnAs à T>500°C) permet d'augmenter considérablement la qualité structurale et chimique de la barrière.Ce travail a été réalisé en trois parties. Tout d'abord, les conditions d'élaboration des couches de GaAs:MnAs/GaAs(001) et de MnAs/GaAs(001) ont été optimisées. Ensuite, nous avons mené des études originales de microscopie à gradient de force magnétique et de spectroscopie de photoémission réalisées sur des couches de MnAs, pour la première, et de GaMnAs, MnAs et GaAs:MnAs, pour la deuxième, ont permis de faire ressortir des informations importantes pour leur intégration dans l'électronique de spin. Enfin, une étude du transport tunnel polarisé en spin a été conduite les JTM.
Book Synopsis EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'HETEROSTRUCTURES II-VI A BASE DE ZNSE by : CELINE.. ONGARETTO
Download or read book EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'HETEROSTRUCTURES II-VI A BASE DE ZNSE written by CELINE.. ONGARETTO and published by . This book was released on 1997 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LE DOMAINE DES LASER A SEMICONDUCTEURS, LA REALISATION DE COMPOSANTS EMETTANT DANS LE BLEU PRESENTE UN GRAND INTERET SUR LE PLAN TECHNOLOGIQUE (NOTAMMENT POUR LE STOCKAGE DE L'INFORMATION). PARMI LES SEMICONDUCTEURS II-VI, ZNSE A ETE ADOPTE COMME CONSTITUANT DE BASE DE CES COMPOSANTS (SON GAP EST DE 2.7 EV, SOIT UNE LONGUEUR D'ONDE DE 460 NM). CE MEMOIRE TRAITE DE LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES II-VI A BASE DE ZNSE ELABOREES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES SUR SUBSTRAT DE GAAS ET PRESENTE UNE ETUDE DES DIFFERENTES ETAPES POUR L'OBTENTION DE DIODES LASER BLEUES. NOUS AVONS ETABLI LES CONDITIONS DE CROISSANCE DE ZNSE INTRINSEQUE QUI PERMETTENT D'OBTENIR UN MATERIAU DE HAUTE QUALITE. LE DOPAGE DE ZNSE PAR LE CHLORE (TYPE -N) EST AISE ; EN REVANCHE LE DOPAGE PAR L'AZOTE (TYPE -P) RESTE LIMITE PAR UN PHENOMENE DE COMPENSATION. NOUS REPORTONS EN OUTRE UN EXAMEN DE L'HETEROINTERFACE ZNSE/GAAS. DES STRUCTURES A MULTI PUITS QUANTIQUES ZNCDSE/ZNSE (ZONE ACTIVE DU COMPOSANT) ONT ETE ELABOREES. NOUS ETUDIONS LEURS PROPRIETES STRUCTURALES PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET OPTOELECTRONIQUES PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE. NOUS PRESENTONS UNE METHODE D'ANALYSE POUR LA DETERMINATION DES PARAMETRES DES STRUCTURES ET NOTAMMENT L'EXAMEN DE LEUR ETAT DE RELAXATION. LA CROISSANCE D'ALLIAGES SULFURES (COUCHES DE CONFINEMENT) ACCORDES PARAMETRIQUEMENT AU SUBSTRAT A ETE REALISEE. POUR LE TERNAIRE ZNSSE, L'OBTENTION D'UN MATERIAU DE GRANDE CRISTALLINITE PASSE PAR L'OPTIMISATION DE LA COUCHE TAMPON DE ZNSE. CONCERNANT LE QUATERNAIRE ZNMGSSE, DES PROBLEMES D'HOMOGENEITE SUBSISTENT POUR LES CONDITIONS EXAMINEES. NOUS PRESENTONS ENFIN LES DEMONSTRATEURS REALISES : UNE DIODE LASER BLEUE EMETTANT A 492 NM ET FONCTIONNANT A 80 K EN MODE PULSE (C'EST UNE PREMIERE EN FRANCE) ; PUIS UNE STRUCTURE ZNSSE/ZNSE/ZNCDSE PRODUISANT, PAR POMPAGE OPTIQUE, UNE EMISSION LASER A 483 NM A 300 K.
Book Synopsis Injection de spins dans les semi-conducteurs by : Louis Grenet
Download or read book Injection de spins dans les semi-conducteurs written by Louis Grenet and published by . This book was released on 2010 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'injection de courant polarisé en spin dans les semi-conducteurs est un point-clef de la spintronique, discipline qui vise à utiliser le spin de l'électron comme degré de liberté en électronique. Ce travail de thèse étudie l'injection de spins depuis une électrode ferromagnétique à travers une barrière tunnel vers un semi-conducteur en absence de champ magnétique. La polarisation du courant injecté est détectée optiquement, ce qui impose que l'aimantation des électrodes soit perpendiculaire aux plans des électrodes. Ce travail s'articule donc en deux parties. La première section traite de l'élaboration d'hétérostructures oxyde/métal ferromagnétiques pour l'injection de spins dans le GaAs et le Si. Les croissances d'électrodes de MgO/FePt par épitaxie par jets moléculaires sur GaAs et de Al2O3/CoPt par pulvérisation cathodique sur Si sont décrites. L'étude des propriétés structurales et magnétiques et de transport de ces couches a ainsi permis de montrer la possibilité d'obtenir des films minces à aimantation perpendiculaire pour l'injection de spins sur plusieurs matériaux. La deuxième partie se focalise sur le transport polarisé en spin dans le Silicium. L'injection de courant polarisé dans ce matériau en absence de champ magnétique externe est ainsi démontrée pour la première fois par des mesures d'électroluminescence. L'analyse de la lumière émise par un puits quantique de SiGe inséré dans une diode de Silicium montre une polarisation optique de l'ordre de 3% liée à la polarisation en spin du courant injecté.
Book Synopsis Epitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures CdTe-CdMnTe by : Claire Bodin-Deshayes
Download or read book Epitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures CdTe-CdMnTe written by Claire Bodin-Deshayes and published by . This book was released on 1993 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES HETEROSTRUCTURES DE SEMICONDUCTEURS II-VI EN CDTE-CDMNTE SONT ELABOREES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES (EJM). ELLES SONT ENSUITE CARACTERISEES ET ETUDIEES EN VUE D'APPLICATIONS. LES CONDITIONS DE CROISSANCE DES COUCHES DE CDMNTE SONT OPTIMISEES SELON LES DEUX DIRECTIONS CRISTALLOGRAPHIQUES 001 ET 111. LE DESACCORD DE MAILLE ENTRE LE PUITS CDTE ET LES BARRIERES CDMNTE LIMITE LES STRUCTURES COHERENTES REALISABLES. LA COMPOSITION DE L'ALLIAGE CDMNTE, AINSI QUE LES EPAISSEURS DES COUCHES SONT MAITRISEES. DES STRUCTURES DE BONNE QUALITE STRUCTURALE ET OPTIQUE ONT ETE OBTENUES, CE QUI A PERMIS D'ETUDIER DES STRUCTURES LASER ET DES STRUCTURES PIEZOELECTRIQUES. DES LASER VISIBLES COMPACTS POMPES ELECTRONIQUEMENT ONT ETE REALISES. LE DISPOSITIF S'APPELLE LASER A SEMICONDUCTEUR A MICROPOINTE (LSM). LA ZONE ACTIVE EST CONSTITUEE D'UNE HETEROSTRUCTURE A CONFINEMENT SEPARE ET A GRADIENT D'INDICE LINEAIRE (L. GRINSCH) EPITAXIEE SELON LA DIRECTION 001. LA LONGUEUR D'ONDE D'EMISSION LASER ATTEINTE AVEC CDMNTE EST DANS LE ROUGE A TEMPERATURE AMBIANTE. LA CROISSANCE DE PUITS QUANTIQUES SELON L'AXE POLAIRE 111 EST TRES INTERESSANTE: L'EXISTENCE D'UN GRAND CHAMP PIEZOELECTRIQUE (DE L'ORDRE DE 100000 V/CM) A ETE MIS EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT. CE CHAMP MODIFIE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DE L'HETEROSTRUCTURE. LORS DE L'ECRANTAGE DU CHAMP PAR DES PORTEURS PHOTOCREES, LA RAIE SE DECALE VERS LE BLEU, CE QUI EST PROMETTEUR POUR LES APPLICATIONS EN OPTIQUE NON LINEAIRE OU EN ELECTRO-OPTIQUE. POUR EXPLIQUER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, L'HYPOTHESE D'UNE NON-LINEARITE DU COEFFICIENT PIEZOELECTRIQUE A ETE EMIS
Book Synopsis Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin by : Aurélie Spiesser
Download or read book Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin written by Aurélie Spiesser and published by . This book was released on 2011 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’intégration de matériaux ferromagnétiques dans des hétérostructures semi-conductrices offre aujourd'hui de nouvelles perspectives dans le domaine de l’électronique de spin. Dans ce manuscrit sont présentés les résultats de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d’hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge(111). Le Mn5Ge3 est un composé ferromagnétique jusqu'à température ambiante qui a l’avantage de pouvoir s’intégrer directement au Ge, semiconducteur du groupe IV. S'agissant d'un matériau relativement nouveau, un des efforts majeurs a porté sur la maîtrise de la croissance des couches minces de Mn5Ge3 par la technique d'épitaxie en phase solide (SPE). Un fort accent a été mis sur les caractérisations structurales, la détermination des relations d'épitaxie avec le Ge(111), afin de les relier aux propriétés magnétiques des films. La seconde partie de ce travail a été consacrée à l'étude des processus cinétiques d'incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3. La combinaison des différents moyens de caractérisations structurales et magnétiques a permis d'aboutir à une augmentation notable de la température de Curie tout en conservant une excellente qualité structurale de la couche et de l'interface avec le Ge et une stabilité thermique jusqu’à 850°C. Tous ces résultats indiquent que les couches minces de Mn5Ge3épitaxiées sur Ge(111) apparaissent comme des candidats à fort potentiel pour l'injection de spin dans les semi-conducteurs du groupe IV
Book Synopsis Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire by : Pierre De person
Download or read book Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire written by Pierre De person and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte anisotropie permettant de stabiliser l'information magnétique. Dans le cas des jonctions tunnel magnétiques, une singularisation des propriétés magnétiques de chacune des électrodes a été mise en évidence. Des caractérisations structurales du système en cours de croissance ont permis de relier ce phénomène aux contraintes épitaxiales des films minces. De façon apparemment surprenante, le découplage magnétique du dispositif n'est pas assuré dans le cas général, la forte aimantation des électrodes étant à l'origine d'un champ de fuite très important lors des renversements d'aimantation. Nous avons mis en évidence (expérimentalement et analytiquement) un effet d'épaisseur des couches influant sur le comportement magnétique général du système. Des mesures de dynamique de renversement d'aimantation ont souligné le rôle prépondérant du piégeage des parois de domaine lors des renversements d'aimantation. Les systèmes hybrides FePt/MgO/GaAs ont été élaborés en tout-épitaxie en combinant différents bâtis de dépôt. Nous avons montré la faisabilité d'un système présentant de très bonnes propriétés structurales et magnétiques.
Book Synopsis Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire by : Pierre De person
Download or read book Jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire written by Pierre De person and published by . This book was released on 2007 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le sujet de cette thèse est l'élaboration par épitaxie et la caractérisation de dispositifs pour l'électronique de spin, à savoir une jonction tunnel magnétique (FePt/MgO/FePt) et une hétérostructure hybride métal ferromagnétique / semiconducteur III-V (FePt/MgO/GaAs). L'approche retenue dans les deux cas a été l'utilisation d'une barrière isolante MgO et d'électrodes ferromagnétiques présentant une aimantation perpendiculaire au plan de la couche, réalisées en alliage ordonné FePt (phase L1o) ; le choix de ce matériau a été adopté dans l'optique de créer des mémoires magnétiques, sa forte anisotropie permettant de stabiliser l'information magnétique. Dans le cas des jonctions tunnel magnétiques, une singularisation des propriétés magnétiques de chacune des électrodes a été mise en évidence. Des caractérisations structurales du système en cours de croissance ont permis de relier ce phénomène aux contraintes épitaxiales des films minces. De façon apparemment surprenante, le découplage magnétique du dispositif n'est pas assuré dans le cas général, la forte aimantation des électrodes étant à l'origine d'un champ de fuite très important lors des renversements d'aimantation. Nous avons mis en évidence (expérimentalement et analytiquement) un effet d'épaisseur des couches influant sur le comportement magnétique général du système. Des mesures de dynamique de renversement d'aimantation ont souligné le rôle prépondérant du piégeage des parois de domaine lors des renversements d'aimantation. Les systèmes hybrides FePt/MgO/GaAs ont été élaborés en tout-épitaxie en combinant différents bâtis de dépôt. Nous avons montré la faisabilité d'un système présentant de très bonnes propriétés structurales et magnétiques
Book Synopsis Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin by : Siôn Federico Olive Mendez
Download or read book Croissance par jets moléculaires (MBE) des jonctions tunnel magnétiques et semiconducteurs magnétiques sur des substrats de Si(Ge) pour des applications en électronique de spin written by Siôn Federico Olive Mendez and published by . This book was released on 2008 with total page 133 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est focalisé sur l’étude des jonctions tunnel magnétiques (JTM) et des semiconducteurs ferromagnétiques dilués (DMS) pour des applications en spintronique. La technique de croissance utilisée est l’épitaxie par jets moléculaires dans l’ultravide (UHV-MBE) et parmi les techniques de caractérisations utilisées on peut citer la microscopie à force atomique (AFM), la microscopie électronique à effet tunnel (STM), la diffraction d’électrons à haute énergie en incidence rasante (RHEED) et la microscopie électronique en transmission (TEM). Concernant les JTM, on a proposé une méthode alternative d’oxydation appelée couche-parcouche, où l’objectif est d’éviter la sur- et sous-oxydation de la couche d’Al. Cela consiste à réaliser des cycles de dépôt d’une monocouche atomique (MC) d’Al suivi de son exposition à l’O atomique. On a trouvé la stoechiométrie de l’oxyde réalisé par cette méthode et on a prouvé que seulement l’Al est oxydé. Pour la mise en ouvre, on a développé une surface de Co très lisse en conservant ses propriétés magnétiques. Le travail à été accompli avec l’utilisation d’une sous-couche tampon en faisant le dépôt de Co/Si à 200°C. Le résultat est une couche épitaxiée en multi domaines avec quatre relations d’épitaxie et dont la phase est Co2Si. Pour les DMS, on a étudié dans un premier temps l’étape initiale de la croissance de Mn/Ge (001) pour comprendre des phénomènes de diffusion-ségrégation, et de coalescence qui régissent la formation d’une phase métastable des nanocolonnes (NC) qui présentent une TC =400K. On a trouvé que le Mn forme des îlots épitaxiés, ayant une taille et une distribution comparable à celles des NC. Dans un deuxième temps on a travaillé sur la croissance par co-dépôt de la phase Mn5Ge3 qui est ferromagnétique à température ambiante et permet l’injection de courants polarisés dans le Ge. Le codépôt a permis une nucléation immédiate ce qui élimine les procès de diffusion induit pour le recuit couramment utilisé.
Book Synopsis Conception et élaboration en épitaxie par jets moléculaires de multicouches (Ga,Al)As-(Ca,Sr)F2 pour application optique by : Philippe Requena
Download or read book Conception et élaboration en épitaxie par jets moléculaires de multicouches (Ga,Al)As-(Ca,Sr)F2 pour application optique written by Philippe Requena and published by . This book was released on 1991 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR LA CONCEPTION DE STRUCTURES A MULTICOUCHES POUR L'OPTIQUE UTILISANT L'ASSOCIATION HETEROEPITAXIALE DE SEMICONDUCTEURS (GA,AL)AS ET DE FLUORURE (CA,SR)F#2 ET LEUR ELABORATION PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. LES STRUCTURES D'INTERET SONT DES REFLECTEURS DE BRAGG ET DES FILTRES INTERFERENTIELS. LA PREMIERE PARTIE EST CONSACREE AUX OUTILS NECESSAIRES A LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DES STRUCTURES VISEES. LE FORMALISME A LA BASE DU PROGRAMME DE CALCUL DES SPECTRES DE REFLECTIVITE DES MULTICOUCHES, AVEC PRISE EN COMPTE DU CHAMP ELECTRIQUE APPLIQUE, EST TOUT D'ABORD PRESENTE; LE SYSTEME D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, LES CONDITIONS DE CROISSANCE DES STRUCTURES, LE BANC DE CARACTERISATION OPTIQUE ET LES PROCESSUS TECHNOLOGIQUES DEVELOPPES SONT ENSUITE DECRITS. DANS UNE SECONDE PARTIE SONT DEVELOPPES LES RESULTATS EXPERIMENTAUX. IL EST DEMONTRE QUE DES REFLECTEURS (GA,AL)AS(CA,SR)F#2 DE BONNES PERFORMANCES OPTIQUES ET DE BONNE TENUE MECANIQUE PEUVENT ETRE OBTENUS A CONDITION D'UTILISER UNE GEOMETRIE ORIGINALE BASEE SUR LA GENERALISATION DE LA GEOMETRIE STANDARD DES REFLECTEURS DE BRAGG. CES REFLECTEURS PEUVENT ETRE UTILISES DANS DES FILTRES INTERFERENTIELS QUI SONT DES DISPOSITIFS BIEN ADAPTES A LA MODULATION PAR COMMANDE ELECTRIQUE. LA CONCEPTION DE CES MODULATEURS EST EFFECTUEE ET, ENFIN, LEUR FAISABILITE DISCUTEE EN TERMES DE LA SENSIBILITE DES CARACTERISTIQUES OPTIQUES DE CES DISPOSITIFS AUX PARAMETRES DE CROISSANCE
Book Synopsis Elaboration par MOVPE des matériaux semiconducteurs II-VI grand gap ZnSe et ZnTe by : Thierry Cloitre
Download or read book Elaboration par MOVPE des matériaux semiconducteurs II-VI grand gap ZnSe et ZnTe written by Thierry Cloitre and published by . This book was released on 1992 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CROISSANCE EPITAXIALE PAR MOVPE DES SEMICONDUCTEURS II-VI A GRAND GAP, ZNSE, ZNTE, AINSI QUE DES STRUCTURES DE TYPE SUPER-RESEAUX ZNSE-ZNTE. L'UTILISATION D'UN NOUVEAU PRECURSEUR DU ZINC A PERMIS D'AMELIORER CONSIDERABLEMENT LA QUALITE DES MATERIAUX DEPOSES (HOMOGENEITE ET PURETE). LA DETERMINATION DES CONDITIONS DE CROISSANCE OPTIMALES DE ZNSE ET ZNTE, EPITAXIE GRACE A CE NOUVEAU PRECURSEUR, A PERMIS D'ABOUTIR A LA REALISATION EFFECTIVE DE SUPER-RESEAUX ZNSE-ZNTE POUR MOVPE. UNE PREMIERE MODELISATION DE LA STRUCTURE DE BANDE DE CES STRUCTURES A ETE REALISEE PAR LA METHODE DE LA FONCTION ENVELOPPE ET A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DE L'OFFSET CHIMIQUE DE BANDE DE VALENCE DE 200 MEV
Book Synopsis Forest Fire Research by : Universidade de Coimbra
Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
