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Depot Lpcvd De Nitrure De Silicium A Partir Dun Melange Silane Ammoniac
Download Depot Lpcvd De Nitrure De Silicium A Partir Dun Melange Silane Ammoniac full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Depot Lpcvd De Nitrure De Silicium A Partir Dun Melange Silane Ammoniac ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Dépôt LPCVD de nitrure de silicium à partir d'un mélange silane-ammoniac by : Khalid Yacoubi
Download or read book Dépôt LPCVD de nitrure de silicium à partir d'un mélange silane-ammoniac written by Khalid Yacoubi and published by . This book was released on 1996 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSISTE EN L'ANALYSE ET LA MODELISATION DU DEPOT PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DE NITRURE DE SILICIUM, COURAMMENT UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICROELECTRONIQUE COMME COUCHE DE PASSIVATION. LE DEPOT EST REALISE PAR PYROLYSE D'UN MELANGE SILANE-AMMONIAC DANS UN REACTEUR DE TYPE TUBULAIRE HORIZONTAL A PAROIS CHAUDES FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. EN RAISON DU NOMBRE LIMITE DE DONNEES DE LA LITTERATURE, LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONSISTE EN UNE ETUDE EXPERIMENTALE, AFIN DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU DEPOT. NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE JOUE UN ROLE IMPORTANT, NOTAMMENT DANS LA FORMATION DE SUREPAISSEURS A LA PERIPHERIE DES PLAQUETTES. UNE ANALYSE APPROFONDIE DU SYSTEME CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ET DU ROLE DES DIFFERENTES ESPECES SUSCEPTIBLES DE CONTRIBUER AU DEPOT NOUS AMENE A PROPOSER UN MECANISME CHIMIQUE SIMPLIFIE, MAIS SUFFISAMMENT REPRESENTATIF POUR RENDRE COMPTE DES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES. LES CONSTANTES CINETIQUES EN PHASE GAZEUSE ONT ETE EVALUEES A PARTIR D'UN MODELE QRRK. NOUS PRESENTONS ENSUITE L'EXTENSION AU CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM DU LOGICIEL CVD2, PRECEDEMMENT DEVELOPPE DANS NOTRE LABORATOIRE (MODELE BIDIMENSIONNEL D'ETUDE LOCALE QUI INTEGRE LES EQUATIONS DE NAVIER STOKES, DE TRANSFERT DE MATIERE COUPLEES AUX LOIS CINETIQUES DES REACTIONS CHIMIQUES MISES EN JEU). LA DETERMINATION DES CONSTANTES CINETIQUES EN PHASE HETEROGENE A ETE EFFECTUEE PAR IDENTIFICATION AVEC NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX (I. E., EPAISSEUR DU DEPOT ET RAPPORT MOLAIRE SI/N). L'ETUDE COMBINEE SIMULATION-EXPERIENCE A PERMIS DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DES MECANISMES CHIMIQUES PROPOSES ET D'APPORTER UNE CONTRIBUTION A L'EXPLICATION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT
Book Synopsis Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma by : Gisèle Serrano
Download or read book Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Book Synopsis Faisabilité de films isolants de nitrure de silicium par technique de dépôt en phase vapeur à basse température by : Kouakou Léonce Kouassi
Download or read book Faisabilité de films isolants de nitrure de silicium par technique de dépôt en phase vapeur à basse température written by Kouakou Léonce Kouassi and published by . This book was released on 1992 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES DEPOTS DE FILMS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET D'ISOLANTS, TELS QUE LE NITRURE DE SILICIUM, A PARTIR DE PHASE VAPEUR ET A BASSE PRESSION, SONT DES ETAPES CLES POUR L'AMELIORATION ET L'INNOVATION DANS LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES ET MICROSTRUCTURES AU SILICIUM. A CETTE FIN, DES RECHERCHES SONT MENEES EN VUE D'OPTIMISER LA QUALITE DES OPERATIONS DE DEPOT (AMELIORATION DE L'HOMOGENEITE ET DE LA REPRODUCTIBILITE DES FILMS) ET D'ETABLIR DES PROCEDES A TRES BASSES TEMPERATURES (A 600C ET AU-DESSOUS). LA FAISABILITE DES DEPOTS DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM A ETE ETUDIEE A PARTIR DE TROIS PRECURSEURS DE SILICIUM-DICHLOROSILANE, SILANE ET DISILANE MELANGES A DE L'AMMONIAQUE . POUR LE DICHLOROSILANE, L'ETUDE A FAIT RESSORTIR QU'A 600C, C'EST L'APPORT DE SILICIUM (PAR PYROLYSE DU DICHLOROSILANE) QUI LIMITE LA CROISSANCE DU DEPOT. UNE VITESSE DE DEPOT OPTIMALE DE 8-9 A/MIN A ETE OBTENUE POUR DES FILMS QUASI STCHIOMETRIQUES. LES ETUDES DE QUALITE ELECTRIQUE ONT DONNE DES CHAMPS DE CLAQUAGE DE L'ORDRE DE 8-10 MV/CM. LES ETUDES DE DEPOTS, DANS LA GAMME 555-600C, A PARTIR DE MELANGE SILANE-AMMONIAQUE N'ONT MONTRE AUCUN AVANTAGE EN CINETIQUE ET HOMOGENEITE PAR RAPPORT A LA FILIERE DICHLOROSILANE-AMMONIAQUE. LA TROISIEME FILIERE ETUDIEE RELEVE D'UNE APPROCHE PLUS SPECIFIQUE. ELLE DECOULE DES RESULTATS ACQUIS SUR LES DEPOTS DE SILICIUM A PARTIR DE DISILANE, GAZ AUJOURD'HUI PRODUIT AVEC UNE QUANTITE ET UNE QUALITE COMPATIBLES AVEC UN PROCEDE INDUSTRIEL. LES CONDITIONS OPERATOIRES (DEBITS ET RAPPORTS GAZEUX, PRESSION), CONDUISANT A UNE CINETIQUE ET UNE QUALITE DE DEPOT EXPLOITABLES INDUSTRIELLEMENT, ONT ETE DEGAGEES. IL A ETE EGALEMENT MONTRE QUE DES VITESSES DE DEPOT CONSEQUENTES (SUPERIEURES A 20 A/MIN) NE SONT ATTEINTES QUE POUR DES FILMS RICHES EN SILICIUM. ENFIN, DES ETUDES DE QUALITE ELECTRIQUE MONTRENT QUE LES CHAMPS DE CLAQUAGE OBTENUS ATTEIGNENT 6-8 MV/CM
Book Synopsis Chimie en microélectronique by : LE TIEC Yannick
Download or read book Chimie en microélectronique written by LE TIEC Yannick and published by Lavoisier. This book was released on 2013-07-01 with total page 386 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.
Book Synopsis Dépôts de nitrure de silicium par procédés chimiques en phase vapeur à basse pression et à faible bilan thermique by : Redhouane Henda
Download or read book Dépôts de nitrure de silicium par procédés chimiques en phase vapeur à basse pression et à faible bilan thermique written by Redhouane Henda and published by . This book was released on 1994 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE CONCERNE LES PROCEDES LPCVD A BASSE TEMPERATURE ET/OU FAIBLE BILAN THERMIQUE UTILISANT LES MELANGES GAZEUX DISILANE-AMMONIAC OU SILANE/AMMONIAC. LE PROCEDE BASSE TEMPERATURE A ETE ANALYSE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURE 555-645C, EN UTILISANT LE MELANGE DISILANE-AMMONIAC. L'ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DE LA CINETIQUE DE DEPOT A PERMIS D'EXPLIQUER LES RESULTATS OBTENUS SELON UN MECANISME REACTIONNEL DU LANGMUIR-HINSHELWOOD. LES RESULTATS OBTENUS METTENT EGALEMENT EN EVIDENCE UNE CORRELATION ENTRE CONDITIONS DE DEPOT ET CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DEPOSES: INDICE DE REFRACTION, RAPPORT ATOMIQUE SI/N, MASSE VOLUMIQUE. LE PROCEDE DE DEPOT PAR TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE (RTCVD) A ETE ETUDIE POUR LE MELANGE SILANE-AMMONIAC. UNE ETUDE PREALABLE DU COMPORTEMENT THERMIQUE DU REACTEUR RTP JETLIGHT 200 A ETE MENEE. ELLE A D'ABORD PERMIS DE DETERMINER LE PROFIL DE TEMPERATURE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM, QUI SE COMPARE FAVORABLEMENT A CELUI MESURE EXPERIMENTALEMENT, ET D'ANALYSER LES POSSIBILITES DE REDUCTION DU GRADIENT THERMIQUE PRESENT SUR SA SURFACE. LES VITESSES DE DEPOT, ENTRE 750 ET 850C, DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM AINSI QUE LEURS INDICES DE REFRACTION ONT ETE EVALUES. L'ANALYSE DE CES RESULTATS INDIQUE UNE FAIBLE DECOMPOSITION DES REACTIFS EN PHASE HOMOGENE, CE QUI SIGNIFIE QUE DES FILMS UNIFORMES PEUVENT ETRE OBTENUS EN OPERANT EN REGIME DE REACTION DE SURFACE ET EN DIMINUANT LES GRADIENTS THERMIQUES PRESENTS DANS LE SUBSTRAT
Book Synopsis DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE by : Bruno Allain (dramaturge)
Download or read book DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE written by Bruno Allain (dramaturge) and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT OBTENUES PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DES GAZ SILANE ET AMMONIAC. LE PRINCIPE DE DECOMPOSITION CONSISTE A EXCITER DES ATOMES DE MERCURE DANS L'ETAT #3P#1 A L'AIDE DE LA RAIE 254 NANOMETRE EMISE PAR UNE LAMPE A VAPEUR DE MERCURE BASSE PRESSION. CES ATOMES EXCITES PEUVENT TRANSFERER LEUR ENERGIE ELECTRONIQUE PAR COLLISION ET DISSOCIER LES MOLECULES DE SILANE ET D'AMMONIAC. LE SCHEMA REACTIONNEL DE LA PHASE GAZEUSE MONTRE QU'INTERVIENNENT NON SEULEMENT L'ETAT #3P#1 MAIS AUSSI L'ETAT #3P#0 PEUPLE PAR COLLISION DES ETATS #3P#1 AVEC L'AMMONIAC. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE NOUS AVONS DETERMINE LES SECTIONS EFFICACES DE COLLISION DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE SILANE AVEC LES ETATS EXCITES #3P#1 ET #3P#0 DU MERCURE. L'EVOLUTION DE LA VITESSE DE DEPOT ET DE LA COMPOSITION DES COUCHES EN FONCTION DU RAPPORT DES PRESSIONS PARTIELLES DE SILANE ET D'AMMONIAC MONTRE QUE LA PROBABILITE DE DECOMPOSITION DU SILANCE AUGMENTE CONSIDERABLEMENT AVEC LA DILUTION DU SILANE. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE CINETIQUE DE LA PHASE GAZEUSE PRENANT EN COMPTE LE TRANSFERT RADIATIF, LES REACTIONS EN PHASE GAZEUSE ET LE TRANSPORT DES RADICAUX SILYLE ET AMIDOGENE PARTICIPANT A LA CROISSANCE DU FILM. LES RESULTATS ONT ETE VERIFIES EXPERIMENTALEMENT A L'AIDE DE PLUSIEURS DIAGNOSTICS. D'UNE PART, NOUS AVONS MESURE LA LUMINESCENCE DES EXCIMERES HG-NH#3 PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET LE TAUX DE CONSOMMATION DU SILANCE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE, CE QUI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE QUE LE VECTEUR DE DISSOCIATION DU SILANE EST L'ETAT #3P#0 DU MERCURE. D'AUTRE PART, NOUS AVONS DETERMINE LA DENSITE DU RADICAL AMIDOGENE EN UN POINT DU REACTEUR PAR FLUORESCENCE INDUITE PAR LASER. DE PLUS LES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE POUR DETERMINER LE SPECTRE OPTIQUE DE LA CONSTA
Book Synopsis Etude du dépôt chimique de nitrure de silicium à partir d'une phase gazeuse Si(CH3)4/NH3 by : Jean-François Lartigue
Download or read book Etude du dépôt chimique de nitrure de silicium à partir d'une phase gazeuse Si(CH3)4/NH3 written by Jean-François Lartigue and published by . This book was released on 1985 with total page 84 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CHOIX ET OPTIMISATION D'UN SYSTEME DE DEPOT. ETUDE IN SITU DES DEPOTS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES PROPRIETES MECANIQUES ET DE LA DIFFUSIVITE THERMIQUE DES DEPOTS CRISTALLISES. ETUDE DE LA RESISTANCE A L'OXYDATION. TENTATIVES DE REALISATION D'AUBAGES ENVELOPPES
Book Synopsis Dépôt chimique en phase vapeur de Si3N4 by : Nicolas Roels
Download or read book Dépôt chimique en phase vapeur de Si3N4 written by Nicolas Roels and published by . This book was released on 1991 with total page 308 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des dépôts de nitrure de silicium sont obtenus par pyrolyse de mélanges tétraméthylsilane/ammoniac en présence d'un gaz diluant (H2, N2, Ar) dans un réacteur vertical à paroi chaude, sous pression réduite (4-10 Torr). Dans la première partie, les conditions expérimentales conduisant au contrôle de la cinétique de dépôt par la réaction superficielle sont déterminées. Dans ce domaine, la mise en oeuvre d'une technique de planification expérimentale a permis la discrimination des paramètres influents et l'estimation des vitesses de dépôt. L'influence des principaux paramètres de dépôt (T, P, rapport des débits de gaz réactifs, débits de gaz réactifs, nature et débit du gaz diluant) sur les mécanismes réactionnels ainsi que sur la structure et la composition des films ( taux de carbone "libre") est discutée sur la base des résultats thermodynamiques et cinétiques. Dans la deuxième partie, l'influence d'un revêtement CVD de Si3N4 sur le comportement à l'oxydation et au frottement de céramiques non oxydes est étudiée. La première étude a porté sur la protection contre l'oxydation interne d'une nuance de nitrure de silicium fritté réaction (RBSN) poreux, par un revêtement superficiel. Celle-ci met en évidence l'existence d'une épaisseur critique (6 μm) et le moindre pouvoir protecteur des revêtements amorphes. Dans la deuxième étude, l'influence de revêtements à teneur contrôlée (2,5 - 14 wt%) en carbone "libre" sur les propriétés tribologiques de couples céramiques non oxydes (SiC/SiC ou Si3N4/Si3N4) est mise en évidence. Des résultats particulièrement prometteurs sont obtenus à haute température (600°C) pour le couple Si3N4/Si3N4).
Book Synopsis DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE OBTENUS PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE ET PAR POST-DECHARGE DANS UN MELANGE GAZEUX AR-SIH::(4)-N::(2) by : Jean-Louis Jauberteau
Download or read book DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE OBTENUS PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE ET PAR POST-DECHARGE DANS UN MELANGE GAZEUX AR-SIH::(4)-N::(2) written by Jean-Louis Jauberteau and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PREMIERE PARTIE EST RELATIVE A L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE EN COURANT CONTINU D'UN MELANGE GAZEUX REACTIF AR-SIH::(4)-N::(2). L'EVOLUTION DU SYSTEME LORSQUE LA CONCENTRATION EN AZOTE CONTINUE DANS LE MELANGE GAZEUX AUGMENTE EST ETUDIEE. LA DEUXIEME PARTIE, COMPLEMENTAIRE, PRESENTE UNE APPROCHE POUR LA COMPREHENSION DE LA REACTIVITE DU SILANE EN POST-DECHARGE D'AZOTE. CETTE PARTIE COMPORTE, OUTRE LA PRESENTATION D'UN AUTRE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM, LES PROPOSITIONS DE PROCESSUS REACTIONNELS QUI SONT SUSCEPTIBLES D'APPARAITRE EN PLASME DE DECHARGE AR-SIH::(4)-N::(2)
Book Synopsis DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE by : Bruno Allain (dramaturge)
Download or read book DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE written by Bruno Allain (dramaturge) and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT OBTENUES PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DES GAZ SILANE ET AMMONIAC. LE PRINCIPE DE DECOMPOSITION CONSISTE A EXCITER DES ATOMES DE MERCURE DANS L'ETAT #3P#1 A L'AIDE DE LA RAIE 254 NANOMETRE EMISE PAR UNE LAMPE A VAPEUR DE MERCURE BASSE PRESSION. CES ATOMES EXCITES PEUVENT TRANSFERER LEUR ENERGIE ELECTRONIQUE PAR COLLISION ET DISSOCIER LES MOLECULES DE SILANE ET D'AMMONIAC. LE SCHEMA REACTIONNEL DE LA PHASE GAZEUSE MONTRE QU'INTERVIENNENT NON SEULEMENT L'ETAT #3P#1 MAIS AUSSI L'ETAT #3P#0 PEUPLE PAR COLLISION DES ETATS #3P#1 AVEC L'AMMONIAC. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE NOUS AVONS DETERMINE LES SECTIONS EFFICACES DE COLLISION DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE SILANE AVEC LES ETATS EXCITES #3P#1 ET #3P#0 DU MERCURE. L'EVOLUTION DE LA VITESSE DE DEPOT ET DE LA COMPOSITION DES COUCHES EN FONCTION DU RAPPORT DES PRESSIONS PARTIELLES DE SILANE ET D'AMMONIAC MONTRE QUE LA PROBABILITE DE DECOMPOSITION DU SILANCE AUGMENTE CONSIDERABLEMENT AVEC LA DILUTION DU SILANE. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE CINETIQUE DE LA PHASE GAZEUSE PRENANT EN COMPTE LE TRANSFERT RADIATIF, LES REACTIONS EN PHASE GAZEUSE ET LE TRANSPORT DES RADICAUX SILYLE ET AMIDOGENE PARTICIPANT A LA CROISSANCE DU FILM. LES RESULTATS ONT ETE VERIFIES EXPERIMENTALEMENT A L'AIDE DE PLUSIEURS DIAGNOSTICS. D'UNE PART, NOUS AVONS MESURE LA LUMINESCENCE DES EXCIMERES HG-NH#3 PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET LE TAUX DE CONSOMMATION DU SILANCE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE, CE QUI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE QUE LE VECTEUR DE DISSOCIATION DU SILANE EST L'ETAT #3P#0 DU MERCURE. D'AUTRE PART, NOUS AVONS DETERMINE LA DENSITE DU RADICAL AMIDOGENE EN UN POINT DU REACTEUR PAR FLUORESCENCE INDUITE PAR LASER. DE PLUS LES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE POUR DETERMINER LE SPECTRE OPTIQUE DE LA CONSTA
Book Synopsis CVD sur poudres en couche fluidisée by : Brigitte Caussat
Download or read book CVD sur poudres en couche fluidisée written by Brigitte Caussat and published by . This book was released on 1994 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) EN LIT FLUIDISE CONSTITUE UNE VOIE TRES EFFICACE, BIEN QU'ENCORE PEU EXPLOITEE, POUR CONVERTIR DES GAZ EN SOLIDES, ET EN PARTICULIER POUR FABRIQUER DU SILICIUM ULTRAPUR, MATERIAU DE BASE DE L'INDUSTRIE MICROELECTRONIQUE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL COMPREND LA REALISATION D'EXPERIENCES DE DEPOT DE SILICIUM SUR DES POUDRES D'UN LIT FLUIDISE, A PARTIR DE SILANE ET DE DISILANE, AINSI QUE LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE DES PRODUITS SOLIDES OBTENUS. L'ANALYSE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX APPORTE UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE DIFFERENTS PHENOMENES, DEJA PARTIELLEMENT OBSERVES PAR D'AUTRES AUTEURS, MAIS JUSQU'ALORS INEXPLIQUES. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, QUATRE MODELES GLOBAUX CLASSIQUES DE REACTEURS A LIT FLUIDISE SONT MODIFIES EN VUE DE TENIR COMPTE DE L'ACCROISSEMENT DU DEBIT GAZEUX PROVOQUE PAR LES REACTIONS DE PYROLYSE. UN BON ACCORD EST OBTENU ENTRE LES PREDICTIONS THEORIQUES ET LES DONNEES EXPERIMENTALES. LA MODELISATION GLOBALE DE LA DECOMPOSITION EN PHASE HOMOGENE DES SILANES PERMET EN OUTRE DE FORMULER DES EXPLICATIONS PLUS PRECISES DES DIFFERENTS PHENOMENES MIS EN JEU. LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CORRESPOND A L'ETABLISSEMENT D'UN MODELE LOCAL TRAITANT DE FACON DECOUPLEE, DE L'HYDRODYNAMIQUE ET DU TRANSFERT DE MATIERE RELATIFS A UNE BULLE ISOLEE EN ASCENSION DANS LE LIT FLUIDISE. CETTE APPROCHE, INEDITE DANS LE DOMAINE DE LA FLUIDISATION, CONDUIT A UNE MODELISATION PLUS FINE DE LA COUCHE FLUIDISEE, QUI S'AVERE INDISPENSABLE CHAQUE FOIS QUE LES REACTIONS EN PHASE HOMOGENE JOUENT UN ROLE IMPORTANT. LES NOMBREUX RESULTATS APPORTES PAR LE MODELE PERMETTENT DE CONFIRMER ET D'APPROFONDIR LES EXPLICATIONS AVANCEES POUR INTERPRETER LES PHENOMENES OBSERVES. CETTE ETUDE OUVRE DE PLUS LA VOIE AU DEVELOPPEMENT D'UN NOUVEAU TYPE DE MODELES, EXPLOITANT MIEUX LES TECHNIQUES INFORMATIQUES ET LES POSSIBILITES DE VALIDATION EXPERIMENTALE ACTUELLES QUE LES MODELES GLOBAUX CLASSIQUES
Book Synopsis Analyse et modélisation des dépots d'oxyde de silicium par procédé LPCVD by : Francine Fayolle (Chimiste)
Download or read book Analyse et modélisation des dépots d'oxyde de silicium par procédé LPCVD written by Francine Fayolle (Chimiste) and published by . This book was released on 1993 with total page 215 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) EST LE PROCEDE LE PLUS UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICRO-ELECTRONIQUE POUR REALISER DES COUCHES MINCES, EFFECTUEES LE PLUS SOUVENT DANS DES REACTEURS TUBULAIRES A MURS CHAUDS. L'UNE DES APPLICATIONS DE LA CVD EST LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM PARTIELLEMENT OXYDE, ET SEMI-ISOLANTES (APPELE SIPOS), A PARTIR D'UN MELANGE DE SILANE ET DE PROTOXYDE D'AZOTE. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CORRESPOND A L'ETUDE ET L'ETABLISSEMENT D'UN SYSTEME CHIMIQUE COMPORTANT DEUX PHASES (GAZEUSE ET SOLIDE) ET REPRESENTATIF DU DEPOT. LES CONSTANTES CINETIQUES CORRESPONDANT AUX REACTIONS HOMOGENES SONT EVALUEES A PARTIR DE DIFFERENTES METHODES, EN PARTICULIER LA METHODE QRRK. LA SECONDE PARTIE COMPREND LE DEVELOPPEMENT ET L'UTILISATION DE DEUX LOGICIELS PERMETTANT DE MODELISER LES ECOULEMENTS ET LE TRANSFERT DE MATIERE DANS UN REACTEUR DE DEPOT DE SIPOS EN UTILISANT LE SYSTEME CHIMIQUE DECRIT PRECEDEMMENT. LE PREMIER LOGICIEL, CVD2 MODELISE UN ESPACE INTERPLAQUETTE. IL A PERMIS D'IDENTIFIER LES CONSTANTES DE DEPOT EN PHASE HETEROGENE. LE LOGICIEL CWCVD A PERMIS D'ETUDIER LA ZONE D'ENTREE DU REACTEUR. LES RESULTATS DE CES SIMULATIONS SONT COMPARES AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS A L'USINE MOTOROLA DE TOULOUSE. CEUX-CI SONT DETAILLES AINSI QUE LES METHODES D'ANALYSE UTILISEES. LE BON ACCORD OBTENU ENTRE LA SIMULATION ET LES EXPERIENCES PERMET DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DU MECANISME CHIMIQUE ET D'AVANCER DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT DE SIPOS. UNE DERNIERE PARTIE UTILISE LA METHODE QRRK POUR UN AUTRE TYPE DE DEPOT D'OXYDE, CETTE FOIS TOTALEMENT ISOLANT, A PARTIR D'UN MELANGE D'OXYGENE ET DE SILANE (LTO). LE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT NE PERMETTANT PAS L'UTILISATION DIRECTE DES LOGICIELS DECRITS PRECEDEMMENT, SEULE UNE PREMIERE ANALYSE DU SYSTEME CHIMIQUE A PU ETRE EFFECTUEE
Book Synopsis OPTIMISATION DE STRUCTURES MIS SUR INP by : MATHIEU.. PETITJEAN
Download or read book OPTIMISATION DE STRUCTURES MIS SUR INP written by MATHIEU.. PETITJEAN and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DEPOSE DU NITRURE DE SILICIUM SUR INP PAR PHOTOLYSE DIRECTE A 185 NM D'UN MELANGE GAZEUX D'AMMONIAC ET DE SILANE. LE TRAITEMENT DE SURFACE, LES CONDITIONS DE DEPOT ET DE RECUIT ONT ETE OPTIMISES: LE FILM EST STCHIOMETRIQUE (SI#3N#4H#3), LE CHAMP CRITIQUE EST DE 4 MV/CM ET LA RESISTIVITE DE 6.10#1#5.CM. DANS LE MEILLEUR DES CAS, LE MINIMUM DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE EST DE 2.10#1#1EV##1.CM##2. DE MANIERE ANALOGUE, EN UTILISANT DU PROTOXYDE D'AZOTE (N#2O) ET DU SILANE (SIH#4), NOUS AVONS DEPOSE DE LA SILICE SUR INP. LES PARAMETRES DE DEPOT SONT OPTIMISES ET DANS CE CAS, LA FORMULE BRUTE DU MATERIAU EST SIO#1#,#8#7N#0#,#2#0H#0#,#5#5. LES MAXIMA DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA RESISTIVITE SONT 4,50,3 MV.CM##1 ET 1,40,1 10#1#5.CM RESPECTIVEMENT. UN RECUIT A 300C PENDANT 15 MINUTES PERMET DE REDUIRE LA LARGEUR DE L'HYSTERESIS DES COURBES C(V) AINSI QUE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE QUI RESTE CEPENDANT SUPERIEURE A 4-5 10#1#2EV##1CM##2. LA FORMATION DE POUDRES DANS LE REACTEUR ET L'INCORPORATION D'AZOTE DANS LE FILM SONT REDUITES EN AJOUTANT QUELQUES % DE NEOPENTANE (C(CH#3)#4). LES PROPRIETES ELECTRIQUES N'EN SONT PAS ALTEREES. DANS LE CAS DU DEPOT DE SILICE, LES REACTIONS AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE ONT ETE ETUDIEES ET UN MODELE CINETIQUE DE LA PHASE GAZEUSE EST PROPOSE. NOUS AVONS TRAITE LA SURFACE D'INP PAR DES SOLUTIONS DE SULFURE D'AMMONIUM. CE TRAITEMENT DESOXYDE ET PASSIVE LA SURFACE D'INP. APRES SULFURATION, UN RECUIT D'UNE HEURE A 350C REALISE AVANT DEPOT PROVOQUE UNE RECONSTRUCTION DE LA SURFACE SANS DEGRADER LE RAPPORT P/IN. CE TRAITEMENT REDUIT LA DENSITE D'ETATS DE L'INTERFACE INP(5.10#1#6CM##3)/SILICE A UNE VALEUR COMPRISE ENTRE 7.10#1#0EV##1CM##2 ET 2.10#1#1EV##1CM##2. IL CONFERE A L'INTERFACE SILICE/INP DE TRES BONNES PROPRIETES
