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Depot De Nitrure De Silicium Assiste Par Plasma
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Book Synopsis Depot de nitrure de silicium assiste par plasma : etude des proprietes structurales du materiau et correlations avec ses proprietes electriques by : Gisèle Serrano
Download or read book Depot de nitrure de silicium assiste par plasma : etude des proprietes structurales du materiau et correlations avec ses proprietes electriques written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma by : Gisèle Serrano
Download or read book Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Book Synopsis DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE OBTENUS PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE ET PAR POST-DECHARGE DANS UN MELANGE GAZEUX AR-SIH::(4)-N::(2) by : Jean-Louis Jauberteau
Download or read book DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE OBTENUS PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE ET PAR POST-DECHARGE DANS UN MELANGE GAZEUX AR-SIH::(4)-N::(2) written by Jean-Louis Jauberteau and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PREMIERE PARTIE EST RELATIVE A L'ELABORATION DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM PAR LA TECHNIQUE CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE EN COURANT CONTINU D'UN MELANGE GAZEUX REACTIF AR-SIH::(4)-N::(2). L'EVOLUTION DU SYSTEME LORSQUE LA CONCENTRATION EN AZOTE CONTINUE DANS LE MELANGE GAZEUX AUGMENTE EST ETUDIEE. LA DEUXIEME PARTIE, COMPLEMENTAIRE, PRESENTE UNE APPROCHE POUR LA COMPREHENSION DE LA REACTIVITE DU SILANE EN POST-DECHARGE D'AZOTE. CETTE PARTIE COMPORTE, OUTRE LA PRESENTATION D'UN AUTRE TYPE DE REACTEUR DE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM, LES PROPOSITIONS DE PROCESSUS REACTIONNELS QUI SONT SUSCEPTIBLES D'APPARAITRE EN PLASME DE DECHARGE AR-SIH::(4)-N::(2)
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma by : Chakib Fakih
Download or read book Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma written by Chakib Fakih and published by . This book was released on 1991 with total page 312 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FONCTIONNEMENT SELON LE PRINCIPE DE LA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION BY DISTINCT ELECTRONIC AND THERMAL ACTIVATIONS, UN NOUVEAU DISPOSITIF EST MIS EN UVRE POUR LE DEPOT DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM. LES DEPOTS ONT ETE CARACTERISES PAR DIFFERENTES METHODES ANALYTIQUES TELLES QUE, ELLIPSOMETRIE DANS LE VISIBLE, SPECTROSCOPIES I.R.-T.F., AUGER, ESCA ET MEME PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A 1,2 MV EN UTILISANT L'APPAREIL DU LABORATOIRE D'OPTIQUE ELECTRONIQUE DU CEMES/CNRS DE TOULOUSE. LES CONDITIONS OPERATOIRES REQUISES POUR L'ELABORATION DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM DE TRES HAUTE QUALITE ONT ETE MISES EN EXERGUE
Book Synopsis DEPOSITION DE NITRURE DE SILICIUM PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE CONTINUE by : Dominique Duchesne
Download or read book DEPOSITION DE NITRURE DE SILICIUM PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE CONTINUE written by Dominique Duchesne and published by . This book was released on 1988 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES DIFFERENTS ASPECTS DE LA PHASE AQUEUSE D'UNE DECHARGE LUMINESCENTE BASSE PRESSION DANS UN MELANGE AR/SIH::(4)-N::(2). LES PREMIERS RESULTATS OBTENUS SUR LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT ENSUITE PRESENTES ET QUELQUES POINTS DE SIMILARITE ENTRE LES CARACTERISTIQUES DE LA PHASE GAZEUSE ET LES PROPRIETES DES DEPOTS SONT DONNES
Book Synopsis Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD by : Mokhtaria Medjdoub-El Amraoui
Download or read book Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD written by Mokhtaria Medjdoub-El Amraoui and published by . This book was released on 2001 with total page 295 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Proprietes physicochimiques et electriques du nitrure de silicium hydrogene prepare par decomposition plasma by : Maria Bensouda
Download or read book Proprietes physicochimiques et electriques du nitrure de silicium hydrogene prepare par decomposition plasma written by Maria Bensouda and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE DE LA PASSIVATION DE GAAS (001) PAR UN DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM REALISE PAR PHOTOLYSE DE NH#3 EN PRESENCE DE SIH#4 by : JEAN LUC.. GUIZOT
Download or read book ETUDE DE LA PASSIVATION DE GAAS (001) PAR UN DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM REALISE PAR PHOTOLYSE DE NH#3 EN PRESENCE DE SIH#4 written by JEAN LUC.. GUIZOT and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR ULTRAVIOLET CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UVCVD) CONSTITUE UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE AUX DEPOTS ASSISTES PAR PLASMAS QUI SONT, A CE JOUR, UTILISES PAR LA PASSIVATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES REALISES SUR DES SUBSTRATS D'ARSENIURE DE GALLIUM. CETTE TECHNIQUE DE DEPOT EST BASEE SUR LA PHOTOLYSE DE MOLECULES D'AMMONIAC PAR UN RAYONNEMENT ULTRAVIOLET PROVENANT D'UNE LAMPE A MERCURE BASSE PRESSION EN PRESENCE DE MOLECULES DE SILANE. L'ENSEMBLE DES REACTIONS CHIMIQUES AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE, ENTRE LES RADICAUX ISSUS DE LA PHOTODISSOCIATION DE NH#3 ET LES MOLECULES DE SIH#4, PERMETTENT DE CREER LES RADICAUX SIH#2, SIH#3, NH#2 ET H RESPONSABLES DE LA CROISSANCE DU FILM DE NITRURE DE SILICIUM. UNE DES SPECIFICITES DES REACTEURS UVCVD RESIDE DANS L'ABSENCE D'IONS DANS LA PHASE GAZEUSE CE QUI SUPPRIME AINSI LE BOMBARDEMENT IONIQUE DE LA SURFACE DE GAAS (001) ET DONC SON AMORPHISATION PENDANT LA CROISSANCE DE LA COUCHE ISOLANTE COMME CELA EST LE CAS DANS DES REACTEURS ASSISTES PLASMAS. LA QUALITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MESFETS OBTENUS SDUR GAAS DEPEND FORTEMENT DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE L'INTERFACE ISOLANT-SEMICONDUCTEUR AINSI QUE DE LA QUALITE CRYSTALLOGRAPHIQUE DE LA SURFACE DE GAAS. UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS AU SEIN DU REACTEUR DE DEPOT, PAR INTERACTION DE CELLE-CI AVEC DES HYDRURES OU DE L'HYDROGENE MOLECULAIRES, PEUT ETRE ENVISAGE POUR AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DE CETTE INTERFACE. DANS LE CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR UVCVD UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS (001) PAR PHOTOLYSE DE NH#3 PERMET D'ATTEINDRE UN DOUBLE OBJECTIF: SUPPRIMER LES OXYDES DE GALLIUM ET D'ARSENIC AINSI QUE LES IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE PRESENTES A LA SURFACE DE GAAS AU MOMENT DE SON INTRODUCTION DANS LE REACTEUR UVCVD, ET CECI, SANS CREER DE DOMMAGES STRUCTURELS A LA SURFACE DE GAAS; FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM QUI MIN
Book Synopsis Dépôt d'oxydes et de nitrures de silicium par double plasma microonde et radiofréquence by : Roxana Etemadi
Download or read book Dépôt d'oxydes et de nitrures de silicium par double plasma microonde et radiofréquence written by Roxana Etemadi and published by . This book was released on 1996 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE by : ROXANA.. ETEMADI
Download or read book DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE written by ROXANA.. ETEMADI and published by . This book was released on 1996 with total page 266 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV
Book Synopsis Chimie en microélectronique by : LE TIEC Yannick
Download or read book Chimie en microélectronique written by LE TIEC Yannick and published by Lavoisier. This book was released on 2013-07-01 with total page 386 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.
Book Synopsis Actes de la 7ème Conférence européenne sur les dépôts chimiques en phase gazeuse by : M. Ducarroir
Download or read book Actes de la 7ème Conférence européenne sur les dépôts chimiques en phase gazeuse written by M. Ducarroir and published by . This book was released on 1989 with total page 856 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Fabrication et analyse de revêtements de nitrure de silicium déposés par plasma pour de nouvelles applications optiques by : Richard Vernhes
Download or read book Fabrication et analyse de revêtements de nitrure de silicium déposés par plasma pour de nouvelles applications optiques written by Richard Vernhes and published by . This book was released on 2006 with total page 404 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM ET D'OXYNITRURE DE SILICIUM SUR SEMI-CONDUCTEURS III-V PAR THERMIE RAPIDE by : FREDERIC.. LEBLAND
Download or read book DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM ET D'OXYNITRURE DE SILICIUM SUR SEMI-CONDUCTEURS III-V PAR THERMIE RAPIDE written by FREDERIC.. LEBLAND and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN UTILISANT UN PROCESSUS DE DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR RTCVD (RAPID THERMAL CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION), NOUS AVONS OBTENU DES COUCHES MINCES DE DIELECTRIQUES SUR SEMI-CONDUCTEURS III-V. CETTE TECHNIQUE DANS UN REACTEUR A PAROIS FROIDES UTILISE DES CYCLES DE TEMPERATURE TRES RAPIDES QUI PERMETTENT LE DEPOT SUR DES MATERIAUX THERMIQUEMENT FRAGILES. DES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM ET D'OXYNITRURE DE SILICIUM SONT DEPOSEES A 750C SUR DES MATERIAUX III-V. APRES UNE ETUDE EN FONCTION DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX, IL A ETE OBTENU DES VITESSES DE L'ORDRE DE 200 A/S. UNE CARACTERISATION COMPLETE DE CES MATERIAUX A ETE EFFECTUEE: SURFACE, VOLUME, INTERFACE DIELECTRIQUE-SEMI-CONDUCTEUR. LA MORPHOLOGIE DE SURFACE DU DIELECTRIQUE A UNE INCIDENCE SUR LE COMPORTEMENT D'UNE ONDE LUMINEUSE REFLECHIE SUR LA SURFACE EN PARTICULIER AU COURS DE MESURES ELLIPSOMETRIQUES. UN MONTAGE DE MESURE DE DEFORMATION DE GRANDE SENSIBILITE A ETE EFFECTUE. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'INFLUENCE DES OXYDES NATIFS DES SEMI-CONDUCTEURS SUR LA CONTRAINTE EXERCEE SUR LE SUBSTRAT. DE PLUS ENTRE LE NITRURE DE SILICIUM QUI EST TENSILE ET LA SILICE QUI EST COMPRESSIVE NOUS AVONS MONTRE LA POSSIBILITE DE DEPOSER DES COUCHES DE CONTRAINTE NULLE. CECI N'A PU ETRE OBTENU QU'APRES UNE ETUDE DE LA STCHIOMETRIE DE L'OXYNITRURE DE SILICIUM. ENFIN UN GUIDE D'ONDE PUREMENT DIELECTRIQUE A ETE REALISE SUR INP
Book Synopsis ETUDE DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE RF MAGNETRON by : THIERRY.. CARRIERE
Download or read book ETUDE DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE RF MAGNETRON written by THIERRY.. CARRIERE and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS A ETE REALISE, PAR LA PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON D'UNE CIBLE DE SILICIUM DANS UN PLASMA AZOTE/ARGON. LES PARAMETRES DE DEPOTS TELS QUE LA PUISSANCE, LA PRESSION TOTALE ET LES CONCENTRATIONS RELATIVES D'AZOTE ET D'ARGON ONT ETE OPTIMISEES EN TERME DE COMPOSITION DES FILMS ET DE CONTRAINTES. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS DE CORRELER LES TECHNIQUES DE CARACTERISATION AUSSI DIFFIRENTES QUE RNA, XPS OU L'ELLIPSOMETRIE. LE PROFILAGE AUGER ET L'ANALYSE PAR CANALISATION (RBS) ONT MONTRE QUE LE NITRURE DE SILICIUM EST UN ENCAPSULANT IDEAL. DE PLUS, CES FILMS SONT DE BONS ISOLANTS LORQU'ILS SONT RECUITS ET PRESENTENT DES DENSITES D'ETATS D'INTERFACE AVEC LE GAAS DE L'ORDRE DE 710#1#2 EV##1 CM##2 LORSQUE LES DEPOTS SONT PRECEDES D'UN NETTOYAGE IONIQUE N#2#+
Book Synopsis ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 by : STEPHANE.. SITBON
Download or read book ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 written by STEPHANE.. SITBON and published by . This book was released on 1996 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES FILMS MINCES DIELECTRIQUES DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PRESENTENT ACTUELLEMENT ET PRESENTERONT DANS LE FUTUR DE MULTIPLES APPLICATIONS POUR REPONDRE AUX NOUVELLES SPECIFICATIONS DE L'INDUSTRIE DE LA MICRO-ELECTRONIQUE ET DE L'OPTO-ELECTRONIQUE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE, L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DU DEPOT DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES DANS UN TYPE DE REACTEUR A PLASMA MICRO-ONDE: LE REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE REPARTIE (RCER). DE NOMBREUX MOYENS DE CARACTERISATION ONT ETE EMPLOYES, POUR MAITRISER LE DEPOT, TELS QUE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR L'ANALYSE DU PLASMA, L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET A ANNULATION POUR DETERMINER L'EPAISSEUR ET L'INDICE DES FILMS, LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRA-ROUGE POUR ELUCIDER LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES. LA COMPOSITION ATOMIQUE DES FILMS A ETE DETERMINEE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS D'AUGER. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'EVOLUTION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM RCER REALISES A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE SILANE ET D'AZOTE, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE (N#2/SIH#4) ET DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE. UNE PHASE GAZEUSE FORTEMENT DILUEE EN SILANE ET UNE PUISSANCE MICRO-ONDE ELEVEE PERMETTENT D'ELABORER DES FILMS DENSES, LEGEREMENT SUR-STOECHIOMETRIQUES EN AZOTE. DANS LA DEUXIEME PARTIE POUR CONFIRMER NOTRE POINT DE FONCTIONNEMENT, NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE MESURES ELECTRIQUES REALISEES SUR DES STRUCTURES MIS (AL/SIN/SI ET AL/SIN/INP). LES VALEURS DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, DEDUITES DES CARACTERISTIQUES RESPECTIVEMENT I(V) ET C(V) SONT LES PLUS ELEVEES DANS LE CAS DE L'INP. TOUTEFOIS, LE MECANISME DE CONDUCTION DOMINANT EST CELUI DE FRENKEL-POOLE, QUELLE QUE SOIT LA NATURE DU SUBSTRAT, LA VALEUR DE LA RESISTIVITE ETANT DE 10#1#6 OHM.CM
Book Synopsis Etude du dépôt chimique de nitrure de silicium à partir d'une phase gazeuse Si(CH3)4/NH3 by : Jean-François Lartigue
Download or read book Etude du dépôt chimique de nitrure de silicium à partir d'une phase gazeuse Si(CH3)4/NH3 written by Jean-François Lartigue and published by . This book was released on 1985 with total page 84 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CHOIX ET OPTIMISATION D'UN SYSTEME DE DEPOT. ETUDE IN SITU DES DEPOTS EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES PROPRIETES MECANIQUES ET DE LA DIFFUSIVITE THERMIQUE DES DEPOTS CRISTALLISES. ETUDE DE LA RESISTANCE A L'OXYDATION. TENTATIVES DE REALISATION D'AUBAGES ENVELOPPES
