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Author : Jean-Yves Fourrier
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 332 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Contribution à l'étude du modèle dynamique des transistors bipolaires micro-ondes written by Jean-Yves Fourrier and published by . This book was released on 1974 with total page 332 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Antonio Muñoz Yagüe
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 198 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence written by Antonio Muñoz Yagüe and published by . This book was released on 1972 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : P.. CAZENAVE
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 6 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCE; ETUDE CRITIQUE DE LEUR REPRESENTATION PAR LES MODELES IBIS ET BIRD written by P.. CAZENAVE and published by . This book was released on 1973 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONSIDERATIONS TECHNOLOGIQUES SUR LES TRANSISTORS D'ETUDE (RAPPEL DE LA TECHNOLOGIE PLANAR, DESCRIPTION DES GEOMETRIES UTILISEES, ETUDE DES PROFILS DE DIFFUSION ET DU PHENOMENE DE REPULSION DE BASE, ETUDE DES ELEMENTS PARASITES D'ACCES AU TRANSISTOR). VUE D'ENSEMBLE SUR LES MODELES MATHEMATIQUES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELES NON LINEAIRES DU TYPE EBERS MOLL, REPARTIS, DE LINVILL, DE BEAUFOY ET SPARKES ET MODELES LINEAIRES). ELEMENTS D'ETUDE STATISTIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE (MODELE IBIS ET APPLICATION DE CE MODELE AUX TRANSISTORS D'ETUDE, CONSIDERATIONS SUR CERTAINES INSUFFISANCES DU MODELE IBIS). APPLICATION DU MODELE DYNAMIQUE BIRD AUX TRANSISTORS HYPERFREQUENCES
Author : P.. DUFOND
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 20 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book SIMULATION "GRAND SIGNAL" D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE FONCTIONNANT DANS LE DOMAINE DES MICRO-ONDES written by P.. DUFOND and published by . This book was released on 1972 with total page 20 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EQUATIONS REGISSANT LE FONCTIONNEMENT STATISTIQUE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE. ETUDE D'UN MODELE DYNAMIQUE DE DIODE P**(+) NN**(+). MODELE DYNAMIQUE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE. CALCUL DU MODELE PAR IMAG II
Author : Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 245 pages
Book Rating : 4.:/5 (464 download)
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE FINE DES DIVERS MECANISMES QUI AFFECTENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IDENTIFICATION A PARTIR D'UNE FORMULATION NOUVELLE DES EQUATIONS GENERALES DES SEMICONDUCTEURS, DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR LAMELLAIRE. INFLUENCE DES PHENOMENES DE DEGENERESCENCE SUR LE RDT D'INJECTION DU COMPOSANT. EFFETS DE HAUTE INJECTION. PHENOMENES DE CONDUCTION DANS LA BASE. COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME DYNAMIQUE.
Author : Monique Hyvernaud
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 203 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Contribution à l'étude du bruit hyperfréquence dans les transistors bipolaires microonde written by Monique Hyvernaud and published by . This book was released on 1975 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jérémy Raoult
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ISBN 13 :
Total Pages : 195 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe written by Jérémy Raoult and published by . This book was released on 2003 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.
Author : Amina Tachafine
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 278 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Author : Abdelmadjib Benghalia
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Contribution a la modelisation bidimensionnelle de lignes micro-coplanaires sur substrats semi-conducteurs. Application au transistor a effet de champ written by Abdelmadjib Benghalia and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Stéphane Augaudy
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 223 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book Caractérisation et modélisation des transistors microondes, application à l'étude de la linéarité des amplificateurs à fort rendement written by Stéphane Augaudy and published by . This book was released on 2002 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors hyperfréquences à effet de champ ou bipolaires sont les composants essentiels des circuits de télécommunication. Leur comportement est fondamentalement non-linéaire, de nombreux phénomènes régissent leur fonctionnement. Après une déscription de différents effets les caractérisant, notamment les effets à dynamique lente de la température et des pièges, nous proposons un ensemble de moyens de mesure et d'outils de modélisation pour concevoir des représentations mathématiques des transistors intégrant différents effets non-linéaires. Nous utilisons ces modèles de transistors dans la CAO des circuits microondes. Les signaux porteurs d'informations des systèmes de télécommunications résultent de modulations complexes; nous simulons la réponse des non-linéarités des transistors intégrés dans les amplificateurs microondes soumis à ces signaux. Les différentes constantes de temps des non-linéarités rapides et lentes des transistors et les réponses basse fréquence des circuits de polarisation interagissent dynamiquement et génèrent des signaux de mélanges et d'intermodulations. Les résultats des simulations sont confirmés par différentes mesures de linéarité: C/I, ACLR. Dans le cadre de la téléphonie mobile de 3ème génération, nous analysons les compromis pour concilier la linéarité et le rendement de l'amplificateur microonde de puissance. L'impact du choix des signaux de test est analysé, certains choix favorisent ou masquent particulièrement un effet non-linéaire. Nous quantifions un à un les effets de différents phénomènes non-linéaires ou réglages du circuit sur les paramètres finaux de rendement et de linéarité de l'amplificateur. Les interactions non-linéaires dynamiques entre différents phénomènes sont ainsi mises en évidence.
Author : Bart Van Haaren
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ISBN 13 :
Total Pages : 210 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Etude des phénomènes de bruit électrique dans les transistors bipolaires micro-ondes à hétérojonction Si/SiGe/Si written by Bart Van Haaren and published by . This book was released on 1998 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Hassène Mnif
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 199 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température written by Hassène Mnif and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élevation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
Author : Abderrahmane Merrachi
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ISBN 13 :
Total Pages : 166 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Contribution a l'etude du phenomene d'avalanche dans les transistors Mos de petites dimensions written by Abderrahmane Merrachi and published by . This book was released on 1990 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EFFET DE LA MULTIPLICATION DES PORTEURS PAR AVALANCHE, CONSECUTIF A L'AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE LATERAL AVEC LA TENSION DE DRAIN, REPRESENTE UNE DES LIMITATIONS MAJEURES RENCONTREES EN TECHNOLOGIE CMOS. CETTE THESE PROPOSE UNE CONTRIBUTION A LA COMPREHENSION DE CE PHENOMENE, ET A SA MODELISATION DANS LES TRANSISTORS MOS DE PETITES DIMENSIONS. DANS UN PREMIER TEMPS, LA STRUCTURE ET LES PROPRIETES DE LA TECHNOLOGIE CMOS, SUPPORT EXPERIMENTAL DE NOTRE ETUDE, SONT DECRITES; PUIS LES EFFETS ACTIFS ET PARASITES PREPONDERANTS, RELATIFS AUX TRANSISTORS, ET CONSECUTIFS A LA REDUCTION DES DIMENSIONS, SONT ANALYSES. CONCERNANT LE PHENOMENE D'AVALANCHE, LE COMPORTEMENT PHYSIQUE DU DISPOSITIF ILLUSTRE ET ETUDIE SUR LA BASE DE SIMULATIONS BIDIMENSIONNELLES PRESENTE DEUX PHASES: REDUCTION DE LA TENSION DE SEUIL, PUIS ACTIVATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL PARASITE AUX FORTES INJECTIONS. CES DEUX EFFETS, MODELISES DE FACON APPROXIMATIVE ET SOUVENT CONTRADICTOIRE DANS LES PUBLICATIONS ANTERIEURES SUR LE SUJET, SONT CONDITIONNES, POUR L'ESSENTIEL, PAR: L'EXISTENCE D'UN CHAMP ELECTRIQUE DANS LE SUBSTRAT, LA RESISTANCE SUBSTRAT VARIABLE, LA GEOMETRIE VARIABLE (DE LA BASE) ET LE MODE DE POLARISATION PARTICULIER DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL. LES EFFETS SONT PRIS EN COMPTE PAR UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLE ET ORIGINAL, EN BON ACCORD TANT AVEC LES MESURES QU'AVEC LES SIMULATIONS NUMERIQUES; LES PARAMETRES CORRESPONDANTS SONT EXPLICITEMENT FONCTION DES DIMENSIONS DU TRANSISTOR, DONC DES REGLES DE DESSIN. LE TRAVAIL DE VALIDATION DU MODELE A ETE EFFECTUE SUR DES TRANSISTORS A CANAL N ET CANAL P, CONVENTIONNELS ET DE TYPE LDD, ISSUS DE DIVERSES FILIERES CMOS; LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST EXCELLENTE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES. ENFIN, LA DEGRADATION DE LA RESISTANCE DYNAMIQUE DE SORTIE DU TRANSISTOR A CANAL N PRINCIPALE CONSEQUENCE D
Author : Jean-Pierre Bailbé
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 245 pages
Book Rating : 4.:/5 (252 download)
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Michel Thouy
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 119 pages
Book Rating : 4.:/5 (252 download)
Download or read book Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires written by Michel Thouy and published by . This book was released on 1976 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Joseph Borel
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ISBN 13 :
Total Pages : 106 pages
Book Rating : 4.:/5 (251 download)
Download or read book Contribution à l'étude des fluctuations dans les transistors bipolaires et à effet de champ à jonctions written by Joseph Borel and published by . This book was released on 1971 with total page 106 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author :
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ISBN 13 :
Total Pages : 114 pages
Book Rating : 4.:/5 (916 download)
Download or read book Contribution à l'étude de l'effecacité d'injection des transistors bipolaires written by and published by . This book was released on 1976 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
