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Contribution A Letude De Lemetteur Polycristallin Du Transistor Bipolaire Dans Un Procede Bicmos Haute Frequence
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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DANS UN PROCEDE BICMOS HAUTE-FREQUENCE by : ALAIN.. MORETTO
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DANS UN PROCEDE BICMOS HAUTE-FREQUENCE written by ALAIN.. MORETTO and published by . This book was released on 1996 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TECHNOLOGIE BICMOS COMBINE, SUR UN MEME CRISTAL, DES TRANSISTORS MOS ET BIPOLAIRES DESTINES A DES APPLICATIONS MIXTES NUMERIQUES ET ANALOGIQUES RAPIDES. ELLE FAIT INTERVENIR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A EMETTEUR POLYCRISTALLIN DONT L'EMETTEUR EST COMPOSE D'UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DE CONTACT, D'UNE ZONE ACTIVE MONOCRISTALLINE ET D'UNE COUCHE INTERFACIALE D'OXYDE. NOTRE ETUDE EST AXEE SUR L'IMPORTANCE DE LA MINCE COUCHE D'OXYDE A L'INTERFACE POLY/MONO: SA PRESENCE EST INDISPENSABLE POUR FOURNIR UN PRODUIT GAIN EN COURANT X POTENTIEL DE EARLY PERFORMANT ; EN REVANCHE, SON EPAISSEUR DOIT ETRE LIMITEE POUR EVITER DES CONSEQUENCES NEFASTES (RESISTANCE D'ACCES A L'EMETTEUR TROP ELEVEE, REPONSE EN FREQUENCE TROP LIMITEE). DANS UN PREMIER TEMPS, QUELQUES ELEMENTS DE LA PHYSIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SONT PRESENTES PUIS NOUS RAPPELERONS LES ETAPES TECHNOLOGIQUES DE FABRICATION EN METTANT EN EVIDENCE LES LIENS AVEC LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR SUBMICRONIQUE. L'ETUDE DE LA COUCHE D'OXYDE EST MENEE DE FACON ORIGINALE GRACE A L'UTILISATION DE DIFFERENTES APPROCHES COMPLEMENTAIRES ET CONVERGENTES (MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, MODELISATION ET SIMULATION DE LA RESISTANCE D'EMETTEUR, MESURES STATIQUES, DYNAMIQUES ET EN BRUIT). EN OUTRE, L'ANALYSE DES DIFFERENTES CONTRIBUTIONS AU TEMPS DU VOL DES PORTEURS DANS LE TRANSISTOR PERMET DE MONTRER L'IMPORTANCE RELATIVE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN (ENVIRON 30% AVEC UNE EPAISSEUR D'OXYDE AUSSI MINCE QUE 8 A)
Book Synopsis Contribution a l'etude de l'emetteur polycristallin du transistor bipolaire dans un procede Bicmos haute frequence by : Alain Moretto
Download or read book Contribution a l'etude de l'emetteur polycristallin du transistor bipolaire dans un procede Bicmos haute frequence written by Alain Moretto and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude du système émetteur-base d'un transistor bipolaire autoaligné dans le cadre d'une technologie VLSI BICMOS by : Gae͏̈lle Giroult-Matlakowski
Download or read book Etude du système émetteur-base d'un transistor bipolaire autoaligné dans le cadre d'une technologie VLSI BICMOS written by Gae͏̈lle Giroult-Matlakowski and published by . This book was released on 1990 with total page 330 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE D'UN COMPOSANT BIPOLAIRE COMPATIBLE AVEC LA TECHNOLOGIE CMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDE DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. APRES AVOIR RAPPELE L'INTERET DE POUVOIR MIXER DES COMPOSANTS BIPOLAIRES ET CMOS SUR UNE MEME PUCE, ET DONNE UNE VUE GENERALE DES TECHNOLOGIES BICMOS DEVELOPPEES DANS LES PRINCIPALES FONDERIES DU MONDE, NOUS DECRIVONS LA STRUCTURE DE NOTRE DISPOSITIF BIPOLAIRE AUTOALIGNE A EMETTEUR GRAVE, DERIVEE DE CELLE DU TRANSISTOR PMOS, ET SON PROCEDE DE FABRICATION. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES EN TECHNOLOGIE POLYSILICIUM SILICIURE TUNGSTENE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE CONDUIRA A L'OPTIMISATION DU PROCEDE DE FABRICATION DES TRANSISTORS EN TECHNOLOGIE POLYSILICIUM, PUIS A TERME AVEC SILICIURATION TITANE AUTOALIGNEE. LES MECANISMES PHYSIQUES CONTROLANT LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE AUX PETITES DIMENSIONS SONT ALORS DISCUTES: LES ROLES DE LA SURGRAVURE DE L'EMETTEUR, DE LA PHASE DE REOXYDATION DE CELUI-CI AVANT LA FORMATION DES ESPACEURS, ET LE ROLE DE L'IMPLANTATION DE BASE EXTRINSEQUE FAIBLEMENT DOPEE SONT ANALYSES DE FACON COMPLETE ET NOUS DONNONS LES CONDITIONS D'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. LE ROLE DE L'INTERFACE POLYSILICIUM/SILICIUM EST EXPERIMENTALEMENT MIS EN EVIDENCE ET DECRIT THEORIQUEMENT. NOUS EN DEDUISONS LA VALEUR DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON EFFECTIVE, RELIEE A LA NATURE PHYSIQUE DE CETTE INTERFACE
Book Synopsis Contribution à l'analyse du comportement du transistor bipolaire en haute fréquence by : André Gil
Download or read book Contribution à l'analyse du comportement du transistor bipolaire en haute fréquence written by André Gil and published by . This book was released on 1973 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence by : Antonio Muñoz Yagüe
Download or read book Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence written by Antonio Muñoz Yagüe and published by . This book was released on 1972 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis ETUDE DE L'ARCHITECTURE EMETTEUR-BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SIMPLE POLYSILICIUM POUR FILIERES BICMOS 0,5-0,35 MICRONS by : THIERRY.. GRAVIER
Download or read book ETUDE DE L'ARCHITECTURE EMETTEUR-BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SIMPLE POLYSILICIUM POUR FILIERES BICMOS 0,5-0,35 MICRONS written by THIERRY.. GRAVIER and published by . This book was released on 1996 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES ARCHITECTURES DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A UN NIVEAU DE POLYSILICIUM (EMETTEUR), COMPATIBLES AVEC LES TECHNOLOGIES CMOS. NOUS PROPOSONS DES CONCEPTS NOVATEURS DANS LE BUT DE REPOUSSER L'UTILISATION DE CE TYPE D'ARCHITECTURE POUR DES TECHNOLOGIES BICMOS 0,35 MICRONS. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A LA FORMATION DE LA BASE DU TRANSISTOR ET AVONS ETUDIE DEUX APPROCHES NOUVELLES DANS CE DOMAINE. TOUT D'ABORD, DES BASES MINCES ONT ETE OBTENUES PAR DIFFUSION DU DOPANT DE BASE (BORE) DEPUIS LE POLYSICILIUM FORMANT L'EMETTEUR. CE DOPANT EST AU PREALABLE IMPLANTE DANS LE POLYSILICIUM SOUS FORME DE B OU DE BF2. NOUS MONTRONS QUE LE FLUOR A UN EFFET IMPORTANT SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES DISPOSITIFS. ENSUITE, LES POTENTIALITES D'UNE TECHNIQUE CONSISTANT A IMPLANTER LA BASE A GRAND ANGLE D'INCIDENCE DANS LE BUT DE RENFORCER LA TENUE AU PERCAGE DES TRANSISTORS DONT LA JONCTION EMETTEUR/BASE EST MUREE PAR L'OXYDE DE CHAMP (LOCOS) SONT DEMONTREES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES DE MANIERE PLUS SPECIFIQUE AUX ARCHITECTURES AUTO ET QUASI AUTO-ALIGNEES. DES TRANSISTORS AUTO-ALIGNES FONCTIONNELS ONT ETE OBTENUS POUR LA PREMIERE FOIS EN TECHNOLOGIE 0,35 MICRONS. UNE ETAPE D'EPITAXIE SELECTIVE DE SILICIUM NON DOPE A PERMIS D'AMELIORER LA FORMATION DU SILICIURE SUR L'EMETTEUR. LE PROBLEME DE LA CHUTE DE GAIN POUR LES FAIBLES DIMENSIONS RENCONTRE POUR CE TYPE D'ARCHITECTURE A EGALEMENT ETE RESOLU. CONCERNANT L'ARCHITECTURE QUASI AUTO-ALIGNEE, NOUS PROPOSONS DEUX TECHNIQUES ORIGINALES VISANT A AMELIORER D'UNE PART LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE ET D'AUTRE PART LA DUREE DE VIE DU TRANSISTOR.
Author :Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).) Publisher : ISBN 13 : Total Pages :0 pages Book Rating :4.:/5 (135 download)
Book Synopsis Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium by : Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).)
Download or read book Contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium written by Mamadou Mustapha Ndoye (auteur d'une thèse de doctorat en électronique).) and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est une contribution à l'étude du transistor bipolaire hyperfréquence sur puce de silicium. Il présente tout d'abord deux méthodes originales permettant de réduire la Capacité extrinsèque Base-Collecteur, d'augmenter la tension de claquage Base-Collecteur, d'augmenter la tension Early VA, d'augmenter le gain en puissance maximal Gpmax et d'augmenter la fréquence de transition FT. Il présente ensuite un nouveau transistor, de structure hybride entre le NPN vertical et le NPN latéral, baptisé bipolaire-CLEV (à Collecteur Latéral-Emetteur Vertical). Ce travail est généralisable à d'autres technologies de transistors hyperfréquences telles que les transistors à substrats III-V ou les transistors à hétérojonctions.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET TECHNOLOGIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL ; APPLICABILITE A LA REALISATION DE FORTES LOGIQUES BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES by : Mohamed Lakhloufi
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE PHYSIQUE ET TECHNOLOGIQUE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL ; APPLICABILITE A LA REALISATION DE FORTES LOGIQUES BIPOLAIRES COMPLEMENTAIRES written by Mohamed Lakhloufi and published by . This book was released on 1982 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PROSPECTIVE D'UNE NOUVELLE FAMILLE LOGIQUE BIPOLAIRE COMPLEMENTAIRE EST MENEE AVEC DEUX OBJECTIFS: MEILLEUR FACTEUR DE MERITE ET AUGMENTATION DU NOMBRE DE FONCTIONS LOGIQUES REALISEES PAR MODULE. CETTE ETUDE PORTE SUR LA CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE D'UN INVERSEUR COMPLEMENTAIRE SYMETRIQUE INTEGRE. PAR AILLEURS, POUR QUE DES TRANSISTORS SOIENT COMPLEMENTAIRES, IL FAUT QU'ILS AIENT LES MEMES PERFORMANCES. OR LE TRANSISTOR PNPL TEL QU'IL EST INTEGRE DANS LES TECHNOLOGIES INDUSTRIELLES ACTUELLES NE REPOND PAS A CE CRITERE. SON ETUDE PHYSIQUE ET TECHNOLOGIQUE A DONC PERMIS DE DEGAGER LES REGLES D'OPTIMISATION DE SES PERFORMANCES. L'ORIGINALITE DE CETTE ETUDE ANALYTIQUE EST LA TRANSFORMATION D'UNE STRUCTURE DE GEOMETRIE CARREE EN UNE STRUCTURE DE GEOMETRIE CIRCULAIRE EQUIVALENTE FACILITANT LA PRISE EN COMPTE DES DIFFERENTS PHENOMENES PHYSIQUES EN PRESENCE
Book Synopsis Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques by : Boris Geynet
Download or read book Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques written by Boris Geynet and published by . This book was released on 2008 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium.
Book Synopsis Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences by : Yves Druelle
Download or read book Contribution à la compréhension de fonctionnements particuliers du transistor bipolaire en hyperfréquences written by Yves Druelle and published by . This book was released on 1985 with total page 6 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude porte sur quelques fonctionnements limites du transistor bipolaire microonde. Dans une première partie, une utilisation particulière du transistor au-dessus de la fréquence de transition est envisagée. Le transistor est considéré comme un dipole à injection thermoionique et à temps de transit, entre l'émetteur et le collecteur, le circuit de base étant conçu pour annuler le courant HF de base. Il est montré, tant sur le plan théorique qu'expérimental, que ce dispositif présente une résistance négative en hyperfréquences, pouvant constituer l'élément actif d'un oscillateur. Une étude systématique des effets parasites du circuit extérieur de base et des effets parasites intrinsèques (effet Early), est effectuée et des améliorations technologiques sont proposées. Dans une deuxième partie le transistor est considéré en amplificateur de puissance en régime classe B ou C. L'influence du profil de dopage de collecteur sur le phénomène d'élargissement de la base est analysée. En particulier une comparaison est faite entre une structure à profil de collecteur "Hi-Lo" et une structure à profil de collecteur "plat" classique. Dans la troisième partie, le phénomène de défocalisation du courant en régime dynamique classe C est étudié théoriquement, pour un transistor à homojonction Silicium d'une part, et pour un transistor à hétérojonction (TBH) d'autre part. Cette étude conduit à une optimisation de la largeur du doigt d'émetteur du TBH à 3 et 5 GHZ. Enfin, on donne une tentative de vérification expérimentale sur un TBH GaAlAs/GaAs.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA by : BAMUENI.. BIMUALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
Book Synopsis Recherche et évaluation d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe pour la prochaine génération de technologie BiCMOS by : Van Tuan Vu
Download or read book Recherche et évaluation d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe pour la prochaine génération de technologie BiCMOS written by Van Tuan Vu and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif principal de cette thèse est de proposer et d'évaluer une nouvelle architecture de Transistor Bipolaire à Héterojonction (TBH) Si/SiGe s'affranchissant des limitations de l'architecture conventionnelle DPSA-SEG (Double-Polysilicium Self-Aligned, Selective Epitaxial Growth) utilisée dans la technologie 55 nm Si/SiGe BiCMOS (BiCMOS055) de STMicroelectronics. Cette nouvelle architecture est conçue pour être compatible avec la technologie 28-nm FD-SOI (Fully Depleted Si-licon On Insulator), avec pour objectif d'atteindre la performance de 400 GHz de fT et 600 GHz de fMAX dans ce noeud. Pour atteindre cet objectif ambitieux, plusieurs études complémentaires ont été menées: 1/ l'exploration et la comparaison de différentes architectures de TBH SiGe, 2/ l'étalonnage TCAD en BiCMOS055, 3/ l'étude du budget thermique induit par la fabrication des technologies BiCMOS, et finalement 4/ l'étude d'une architecture innovante et son optimisation. Les procédés de fabrication ainsi que les modèles physiques (comprenant le rétrécissement de la bande interdite, la vitesse de saturation, la mobilité à fort champ, la recombinaison SRH, l'ionisation par impact, la résistance distribuée de l'émetteur, l'auto-échauffement ainsi que l'effet tunnel induit par piégeage des électrons), ont été étalonnés dans la technologie BiCMOS055. L'étude de l'impact du budget thermique sur les performances des TBH SiGe dans des noeuds CMOS avancés (jusqu'au 14 nm) montre que le fT maximum peut atteindre 370 GHz dans une prochaine génération où les profils verticaux du BiCMOS055 seraient 'simplement' adaptés à l'optimisation du budget thermique total. Enfin, l'architecture TBH SiGe EXBIC, prenant son nom d'une base extrinsèque épitaxiale isolée du collecteur, est choisie comme la candidate la plus prometteuse pour la prochaine génération de TBH dans une technologie BiCMOS FD-SOI dans un noeud 28 nm. L'optimisation en TCAD de cette architecture résulte en des performances électriques remarquables telles que 470 GHz fT et 870 GHz fMAX dans ce noeud technologique.
Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement en haute fréquence des transistors mésa et planar aux faibles injections. Recherche de schémas équivalents et détermination des paramètres by : Roger Bertin
Download or read book Contribution à l'étude du comportement en haute fréquence des transistors mésa et planar aux faibles injections. Recherche de schémas équivalents et détermination des paramètres written by Roger Bertin and published by . This book was released on 1968 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des amplificateurs haute fréquence à transistors à large bande by : Jean François Morlier
Download or read book Contribution à l'étude des amplificateurs haute fréquence à transistors à large bande written by Jean François Morlier and published by . This book was released on 1966 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
