Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Contribution A Letude De La Diffusion Des Impuretes Dopantes Dans Le Silicium
Download Contribution A Letude De La Diffusion Des Impuretes Dopantes Dans Le Silicium full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Contribution A Letude De La Diffusion Des Impuretes Dopantes Dans Le Silicium ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Contribution a l'etude de la diffusion des impuretes dopantes dans le silicium : diffusion des impuretes dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues by : Pascal Normand
Download or read book Contribution a l'etude de la diffusion des impuretes dopantes dans le silicium : diffusion des impuretes dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium by : Pascal Normand
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des dopants dans le silicium by : Daniel Mathiot
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des dopants dans le silicium written by Daniel Mathiot and published by . This book was released on 1983 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PRINCIPAUX POINTS DU MODELE DEVELOPPES SONT LES SUIVANTS: LA DIFFUSION EST ASSISTEE PAR LES DEUX TYPES DE DEFAUTS PONCTUELS INTRINSEQUES (LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS), PAR L'INTERMEDIAIRE DE PAIRES IMPURETE-DEFAUT EN EQUILIBRE LOCAL AVEC LES IMPURETES ET DEFAUTS ISOLES; POUR UNE CONCENTRATION EN DONNEURS SUPERIEURE A 10**(20) CM**(-3), UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION A LIEU A CAUSE DE LA PERCOLATION DES LACUNES DANS LES AMAS D'IMPURETES EN POSITION DE 5EME VOISINS DANS SI; POUR LES FORTES CONCENTRATIONS DE B ET AS, LA DIFFUSION EST FREINEE PAR LA PRESENCE DE COMPLEXES NEUTRES ET IMMOBILES; LES RECOMBINAISONS BIMOLECULAIRES ENTRE DEFAUTS ONT LIEU PAR REACTION DIRECTE ENTRE LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS, ET PAR L'INTERMEDIAIRE DES PAIRES IMPURETE-DEFAUT. CE MODELE PERMET DES SIMULATIONS NUMERIQUES PRECISES AUSSI BIEN EN ATMOSPHERE NEUTRE QUE POUR DES RECUITS OXYDANTS
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation by : Emmanuel Scheid
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation written by Emmanuel Scheid and published by . This book was released on 1987 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DES INSUFFISANCES DES THEORIES RELATIVES A LA DIFFUSION DES IMPURETES ET A L'EVOLUTION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT SOUS CONTRAINTE. L'INTRODUCTION DE LA DIFFUSION COUPLEE DES DEFAUTS PONCTUELS PERMET DE DECRIRE L'EXPANSION 3D DE L'EFFET D'OED-ORD
Book Synopsis Contribution à l'étude des anomalies de diffusion dans le Silicium by : Elchuri Rao
Download or read book Contribution à l'étude des anomalies de diffusion dans le Silicium written by Elchuri Rao and published by . This book was released on 1972 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION PAR RECUL DANS LE SILICIUM by : MOHAMMED NADJIB.. MESLI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION PAR RECUL DANS LE SILICIUM written by MOHAMMED NADJIB.. MESLI and published by . This book was released on 1983 with total page 72 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU RENDEMENT DE RECUL, SOIT LE NOMBRE D'IMPURETES INTRODUITES DANS SI PAR ION INCIDENT, ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DE RECUL. DEVELOPPEMENT D'UN MODELE SEMI-EMPIRIQUE POUR ESTIMER LES RENDEMENTS DE RECUL POUR DIFFERENTES COMBINAISONS PROJECTILE-DOPANTS (BI, SB, AG, GA, B). UTILISATION DE TRAITEMENTS THERMIQUES POUR OBTENIR DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES INTERESSANTES DANS LE CAS D'IMPURETES A GRANDE SOLUBILITE
Book Synopsis Contribution à l'étude des mécanismes de diffusion du phosphore dans le silicium by : Gérald Chambert
Download or read book Contribution à l'étude des mécanismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by Gérald Chambert and published by . This book was released on 1973 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitutionnelles dans le silicium by : Jean-Claude Pfister
Download or read book Contribution à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitutionnelles dans le silicium written by Jean-Claude Pfister and published by . This book was released on 1967 with total page 39 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium by : Jean Bodinaud
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium written by Jean Bodinaud and published by . This book was released on 1972 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des mécanismes de diffusion du phosphore dans le silicium by :
Download or read book Contribution à l'étude des mécanismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by and published by . This book was released on 1973 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la modélisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium by : Eric Vandenbossche
Download or read book Contribution à la modélisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium written by Eric Vandenbossche and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.
Book Synopsis Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium by : André Fortini
Download or read book Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium written by André Fortini and published by . This book was released on 1959 with total page 45 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium by :
Download or read book Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium written by and published by . This book was released on 2000 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance by : Mihai Bogdan Lazar
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Book Synopsis Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide by : Guy Clément
Download or read book Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide written by Guy Clément and published by . This book was released on 1966 with total page 76 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contributions à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitionnelles dans le silicium by : J.-C. Pfister
Download or read book Contributions à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitionnelles dans le silicium written by J.-C. Pfister and published by . This book was released on 1966 with total page 35 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'implantation par recul dans le silicium by :
Download or read book Contribution à l'étude de l'implantation par recul dans le silicium written by and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
