Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance

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Book Synopsis Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance by : Gaëtan Toulon

Download or read book Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance written by Gaëtan Toulon and published by . This book was released on 2010 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors DMOS. La demande pour des applications de plus en plus complexes nécessite l'utilisation de lithographies plus fines pour augmenter la densité de composants CMOS. L'évolution des technologies CMOS oblige à développer des composants DMOS compatibles dans les circuits intégrés de puissance. Le travail de cette thèse se concentre sur la conception de transistors LDMOS haute tension (120 V) compatibles avec un procédé CMOS 0,18 μm sur substrat « silicium sur isolant » (SOI). Différentes architectures de transistors LDMOS à canal N et P ont été proposées et optimisées en termes de compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique » à partir de simulations TCAD à éléments finis. Les performances de ces structures ont été comparées en termes de facteur de mérite Ron×Qg qui est le produit entre charge de grille et résistance passante spécifique, mais aussi en termes d'aire de sécurité. Les meilleurs transistors STI-LDMOS et SJ-LDMOS (à canal N) et R-PLDMOS (à canal P) affichent des performances statiques et dynamiques comparables voire parfois supérieures à celles des composants de puissance de la littérature. Différentes mesures effectuées sur les transistors LDMOS réalisés par ATMEL et comparées aux simulations ont permis de valider les simulations effectuées dans cette thèse.

Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator)

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Book Synopsis Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) by : Antoine Litty

Download or read book Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) written by Antoine Litty and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A l'heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) s'impose comme une alternative pour l'industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l'utilisation d'un substrat SOI ultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. Afin de lui intégrer de nouvelles fonctionnalités, il devient nécessaire de développer des applications dites « haute tension » comme les convertisseurs DC/DC, les régulateurs de tension ou encore les amplificateurs de puissance. Cependant les composants standards de la technologie CMOS ne sont pas capables de fonctionner sous les hautes tensions requises. Pour répondre à cette limitation, ces travaux portent sur le développement et l'étude de transistors MOS haute tension en technologie FDSOI. Plusieurs solutions sont étudiées à l'aide de simulations numériques et de caractérisations électriques : l'hybridation du substrat (gravure localisée de l'oxyde enterré) et la transposition sur le film mince. Une architecture innovante sur SOI, le Dual Gound Plane EDMOS, est alors proposée, caractérisée et modélisée. Cette architecture repose sur la polarisation d'une seconde grille arrière pour offrir un compromis RON.S/BV prometteur pour les applications visées.

Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance

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Book Synopsis Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance by : Olivier Bon

Download or read book Conception de transistors haute tension complémentaires en technologie 65nm sur substrat silicium sur isolant fin pour applications RF et conversion de puissance written by Olivier Bon and published by . This book was released on 2008 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le marché croissant des télécommunications est demandeur de circuits à la fois très performants (vitesse de commutation, haut débit, etc.) mais aussi à faible consommation, surtout dans le cas de systèmes portables. Le SOI-CMOS a déjà démontré son potentiel pour réduire la consommation à même vitesse de commutation par rapport au CMOS sur matériau silicium massif, à condition que le film de SOI soit suffisamment mince (inférieur ou égal à la profondeur de jonction source/drain). Plus récemment, la caractérisation de fonctions RF dans ce type de technologie a montré que le SOI pouvait être un bon candidat pour mixer des fonctions RF et digitales. Cependant, ce type d'intégrations dites " System On Chip " ne peut être complet sans une intégration des fonctions de puissances associées. La faisabilité d'intégrer en technologie CMOS sur SOI mince (

COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION

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Book Synopsis COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION by : AZZOUZ.. NEZAR

Download or read book COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION written by AZZOUZ.. NEZAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE DES SOLUTIONS PROMETTEUSES POUR LA REALISATION DES INTERRUPTEURS DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE EST LE TRANSISTOR LATERAL DOUBLE-DIFFUSE MOS (L.DMOS) UTILISANT LA TECHNIQUE RESURF. LES AVANTAGES DE CE DERNIER SONT: A) SA SIMPLICITE, B) SA TENUE EN TENSION, C) SON ISOLATION ET D) SA COMPTABILITE AVEC LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS BASSE TENSION (CMOS OU BIPOLAIRE OU ENCORE BICMOS). POUR QUE CELLE-CI SOIT EFFICACE IL EST NECESSAIRE DE COMPRENDRE INTUITIVEMENT LES MECANISMES DE CLAQUAGE DANS LE COMPOSANT DE PUISSANCE. LES REGLES DE CONCEPTION ET D'ISOLATION DE CES TRANSISTORS EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES GEOMETRIQUES (DISTANCE CANAL-DRAIN, EPAISSEUR DE LA COUCHE D'EPITAXIE ETC...) ET PHYSIQUES (VALEUR DU DOPAGE) ONT ETE ETUDIEES A L'AIDE D'APPROCHES ANALYTIQUES SIMPLIFIEES ET NUMERIQUES BIDIMENSIONNELLES. CES REGLES ONT ETE APPLIQUEES A LA REALISATION DE TRANSISTORS L.DMOS RESURF MOYENNE TENSION (400 VOLTS). AFIN DE VALIDER CES REGLES, DES DIODES ET DES TRANSISTORS RESURF ONT ETE REALISES ET ONT CONFIRME L'EXACTITUDE DES APPROCHES

Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm

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Book Synopsis Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm by : Siméon Morvan

Download or read book Transistors MOS sur films minces de Silicium-sur-Isolant (SOI) complètement désertés pour le noeud technologique 10nm written by Siméon Morvan and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis plusieurs générations technologiques, la réduction des dimensions des transistors à effet de champ Métal-Oxyde-Semiconducteur (MOSFET) n'est plus suffisante pour augmenter à elle seule les performances des circuits intégrés. Pour les circuits logiques à partir du nœud 28 nm, l'architecture planaire sur silicium massif a été abandonnée au profit de structures à canaux entièrement désertés (Fully Depleted). Malgré l'avantage apporté par la fabrication de ces transistors (FinFET ou Fully Depleted Silicon On Insulator FDSOI planaire), l'introduction et l'optimisation des contraintes mécaniques dans le canal restent indispensables. Ce travail de recherche présente l'intégration de divers procédés de fabrication permettant de contraindre les MOSFET planaires sur SOI. L'efficacité des couches de nitrure (CESL) contraints, de l'épitaxie des source/drain en SiGe, des substrats de silicium contraints sur isolant (sSOI) ainsi que l'effet de l'orientation du canal a été mesurée pour des longueurs de grille jusque 14 nm. L'intégration de MOSFET à grille damascène (gate-last) a également été développée sur SOI. En particulier, l'intérêt de ce type de grille pour ajuster la tension de seuil et pour optimiser les contraintes a été étudié. Finalement des perspectives sont présentées pour le nœud 10 nm. Des simulations mécaniques ont permis de valider une structure innovante permettant un transfert de contraintes depuis une couche de SiGe enterrée vers le canal. Par ailleurs, une intégration basée sur un procédé d'espaceurs sacrificiels (SIT) est présentée. Celle-ci permet de fabriquer des transistors à forte densité sur SOI.

ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT

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Book Synopsis ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT by : GUENTER.. REICHERT

Download or read book ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT written by GUENTER.. REICHERT and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.

Circuits Integres CMOS sur Silicium

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Book Synopsis Circuits Integres CMOS sur Silicium by :

Download or read book Circuits Integres CMOS sur Silicium written by and published by Ed. Techniques Ingénieur. This book was released on with total page 28 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power")

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Book Synopsis Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") by : Saâdia Hniki

Download or read book Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") written by Saâdia Hniki and published by . This book was released on 2010 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours des dernières décennies, les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très importante. Aujourd'hui la régulation et distribution d'énergie électrique jouent un rôle crucial. La réduction constante des dimensions ainsi que le besoin en densité de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus performantes. La technologie “smart power” a été développée pour satisfaire ces demandes. Cette technologie utilise les dispositifs DMOS, offrant de nouvelles solutions grâce à ses caractéristiques uniques forte tension et fort courant. Le fonctionnement de ces dispositifs est accompagné par l’apparition de nombreux phénomènes. Une bonne modélisation permet de rendre compte de ces phénomènes et prédire le comportement physique du transistor avant sa production. L'objectif de cette thèse était donc d'améliorer la modélisation et de mettre en place une méthode d'extraction de certains paramètres physiques liés au fonctionnement du MOS HV (High Voltage). Cette thèse a été principalement dédiée à la modélisation du phénomène de l'auto-échauffement et à la définition d'une méthode d'extraction des parasites RF dans les transistors MOS et, enfin, à la comparaison du macro-modèle utilisé par STMicroelectronics avec le modèle compact HiSIM-HV dédié au MOS HV. Pour cela, il était essentiel de mettre en place des nouvelles procédures de modélisation et d'extraction et de dessiner des structures de test spécifiques. Les résultats présentés dans cette thèse ont été validés par différentes comparaisons avec les mesures en technologies sur SOI et sur substrat massif.

Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température

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Book Synopsis Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température by : Khalil El Falahi

Download or read book Contribution à la conception de driver en technologie CMOS SOI pour la commande de transistors JFET SiC pour un environnement de haute température written by Khalil El Falahi and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le domaine aéronautique, les systèmes électriques remplacement progressivement les systèmes de contrôle mécaniques ou hydrauliques. Les bénéfices immédiats sont la réduction de la masse embarquée et des performances accrues à condition que l'électronique supporte l'absence de système de refroidissement. Si la haute température de fonctionnement n'empêche pas d'atteindre une fiabilité suffisante, il y aura réduction des coûts opérationnels. Des étapes clefs ont été franchies en introduisant des systèmes à commande électriques dans les aéronefs en lieu et place de systèmes conventionnels : freins électriques, inverseur de poussée, vérins électriques de commandes de vol... Toutes ces avancées se sont accélérées ces dernières années grâce entre autre à l'utilisation de nouveaux matériaux semiconducteurs, dit à grand gap (SiC, GaN...), opérant à haute température et palliant ainsi une faiblesse des dispositifs classiques en silicium (Si). Des composants de puissance haute température, diode Schottky ou transistor JFET SiC, sont ainsi disponibles commercialement et peuvent supporter des ambiantes de plus de 220°C. Des modules de puissances (onduleur) à base de transistor JFET SiC ont été réalisés et validés à haute température. Finalement la partie « commande » de ces modules de puissance reste à concevoir pour les environnements sévères pour permettre leur introduction dans le module de puissance. C'est dans ce contexte de faiblesse concernant l'étage de commande rapprochée qu'a été construit le projet FNRAE COTECH, et où s'inscrivent les travaux de cette thèse, Dans un premier temps, un état de l'art sur les drivers et leurs technologies nous a permis de souligner le lien complexe entre électronique et température ainsi que le potentiel de la technologie CMOS sur Silicium sur Isolant (SOI) pour des applications hautes températures. La caractérisation en température de drivers SOI disponibles dans le commerce nous a fourni des données d'entrée sur le comportement de tels dispositifs. Ces caractérisations sont essentielles pour visualiser et interpréter l'effet de la température sur les caractéristiques du dispositif. Ces mesures mettent aussi en avant les limites pratiques des technologies employées. La partie principale de cette thèse concerne la conception et la caractérisation de blocs ou IPs pour le cœur d'un driver haute température de JFET SiC. Elle est articulée autour de deux runs SOI (TFSmart1). Les blocs développés incluent entre autres des étages de sortie et leurs buffers associés et des fonctions de protection. Les drivers ainsi constitués ont été testés sur un intervalle de température allant de -50°C à plus de 250°C sans défaillance constatée. Une fonction originale de protection des JFETs contre les courts-circuits a été démontrée. Cette fonction permet de surmonter la principale limitation de ces transistors normalement passant (Normaly-ON). Finalement, un module de bras d'onduleur a été conçu pour tester ces driver in-situ.

ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)

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Book Synopsis ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) by : FEDERICO.. FACCIO

Download or read book ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) written by FEDERICO.. FACCIO and published by . This book was released on 1997 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE LA PERFORMANCE ANALOGIQUE ET LE COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT RADIATIF DE LA TECHNOLOGIE DURCIE HSOI3-HD EN VUE D'APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE DU LHC, FUTUR ACCELERATEUR DE PARTICULES DU CERN. CETTE TECHNOLOGIE CMOS SUR SOI N'EST PAS SENSIBLE AU LATCH-UP ET SON SEUIL DE SENSIBILITE POUR L'ALEA LOGIQUE (SEU) EST TRES ELEVE. NOUS AVONS MESURE ET ANALYSE LES EFFETS DE LA DOSE INTEGREE SUR LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES TRANSISTORS, ET VERIFIE QUE LE DURCISSEMENT JUSQU'A 25 MRAD EST SATISFAISANT POUR LES APPLICATIONS VISEES. LES EFFETS DES IRRADIATIONS AVEC PROTONS ET NEUTRONS ONT ETE MESURES, ET MONTRENT QUE LES EFFETS D'IONISATION DOMINENT SUR LES EFFETS DE DEPLACEMENT PROVOQUES PAR CES PARTICULES. LORS DE L'ETUDE DU BRUIT, NOUS AVONS OBSERVE UNE COMPOSANTE ADDITIONNELLE QUI APPARAIT DANS LE SPECTRE ET SE SUPERPOSE AUX SOURCES DE BRUIT 1/F ET BLANC. CETTE COMPOSANTE SE PRESENTE COMME UNE BOSSE QUI SE DEPLACE EN AMPLITUDE ET FREQUENCE EN FONCTION DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT ET DU FILM (BODY). LE MODELE QUE NOUS PROPOSONS SUR SON ORIGINE MET EN JEU LA RESISTANCE DU FILM, QUI GENERE UN BRUIT BLANC FILTRE PAR LA CAPACITE CONSTITUEE PAR LES GRILLES DE FACE AVANT ET DE FACE ARRIERE DU TRANSISTOR. LE BRUIT DE LA RESISTANCE EST TRANSMIS EN COURANT AU DRAIN, ET ATTENUE A PARTIR DE LA FREQUENCE DE COUPURE DU FILTRE. NOUS PRESENTONS UNE SERIE DE VERIFICATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE, REALISEES SUR DES STRUCTURES SPECIALEMENT CONCUES. UN CIRCUIT CONVERTISSEUR NON LINEAIRE A 11 BITS DE DYNAMIQUE, FONCTIONNANT A 5 MHZ AVEC UNE CONSOMMATION INFERIEURE A 50 MW, A ETE CONCU ET FABRIQUE. L'IRRADIATION A 10 MRAD A COMPROMIS LE FONCTIONNEMENT CORRECT DU CIRCUIT, CE QUI N'EST PAS EXPLICABLE A PARTIR DES MESURES STATISTIQUES SUR LES TRANSISTORS FABRIQUES EN MEME TEMPS. IL SEMBLE DONC NECESSAIRE, DANS L'EVALUATION DU DURCISSEMENT D'UNE TCHNOLOGIE, DE PASSER PAR UNE PHASE DE QUALIFICATION DES CIRCUITS TYPIQUES DE L'APPLICATION SOUHAITEE.

Techniques de conception des circuits intégrés analogiques pour des applications en haute température, en technologie sur substrat de silicium

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Book Synopsis Techniques de conception des circuits intégrés analogiques pour des applications en haute température, en technologie sur substrat de silicium by : Raul-Andrés Bianchi

Download or read book Techniques de conception des circuits intégrés analogiques pour des applications en haute température, en technologie sur substrat de silicium written by Raul-Andrés Bianchi and published by . This book was released on 2006 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette these se situe dans le domaine de la microelectronique en haute temperature. Actuellement les technologies de circuits integres plus poussees, en termes de densite d'integration, cout, et fiabilite, utilisent encore le silicium comme materiau de base. Ces technologies sont concues pour permettre une large duree de vie, dans une plage de temperature donnee, typiquement de 0 a 100 c. D'autres technologies se developpent aussi, notamment le sic (de plus large bande interdite) et le soi couche mince (ou la surface des jonctions parasites son fortement reduites), pour satisfaire les besoins des applications a des tres hautes temperatures. Ayant actuellement des performances inferieures, en termes de cout et de densite d'integration, elles restent beaucoup moins competitives que les technologies standards sur substrat de silicium. De plus, il est prevu que, dans les prochains dix ans, plus de 70% des applications en haute temperature correspondront encore a des applications automobiles et petrolieres ayant des temperatures d'operation intermediaires, inferieures a 200 c. A partir de l'etude de la physique des composants semiconducteurs et des materiaux pour la microelectronique, cette these elargit jusqu'a environ 250 c la plage de temperature d'utilisation des technologies cmos et bicmos standards, sur substrat de silicium, a travers des techniques de conception de circuits integres, sans toutefois modifier les procedes de fabrication. Les etudes et les tests ont ete experimentes sur une technologie cmos et une technologie bicmos commerciales. Ces conclusions sont transferables a toute technologie semblable actuelle. De plus, les performances en temperature semblent ameliorer dans le futur, du fait que l'augmentation de la densite d'integration entraine une augmentation des concentrations des dopants et une reduction de la surface des jonctions d'isolation. Deux applications industrielles, representatives du marche potentiel des applications des circuits integres en haute temperature, ont permis de verifier dans la pratique les resultats theoriques obtenus.

TECHNIQUES DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE, EN TECHNOLOGIES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM

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Book Synopsis TECHNIQUES DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE, EN TECHNOLOGIES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM by : RAUL ANDRES.. BIANCHI

Download or read book TECHNIQUES DE CONCEPTION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES POUR DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE, EN TECHNOLOGIES SUR SUBSTRAT DE SILICIUM written by RAUL ANDRES.. BIANCHI and published by . This book was released on 1999 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE SE SITUE DANS LE DOMAINE DE LA MICROELECTRONIQUE EN HAUTE TEMPERATURE. ACTUELLEMENT LES TECHNOLOGIES DE CIRCUITS INTEGRES PLUS POUSSEES, EN TERMES DE DENSITE D'INTEGRATION, COUT, ET FIABILITE, UTILISENT ENCORE LE SILICIUM COMME MATERIAU DE BASE. CES TECHNOLOGIES SONT CONCUES POUR PERMETTRE UNE LARGE DUREE DE VIE, DANS UNE PLAGE DE TEMPERATURE DONNEE, TYPIQUEMENT DE 0 A 100\C. D'AUTRES TECHNOLOGIES SE DEVELOPPENT AUSSI, NOTAMMENT LE SIC (DE PLUS LARGE BANDE INTERDITE) ET LE SOI COUCHE MINCE (OU LA SURFACE DES JONCTIONS PARASITES SON FORTEMENT REDUITES), POUR SATISFAIRE LES BESOINS DES APPLICATIONS A DES TRES HAUTES TEMPERATURES. AYANT ACTUELLEMENT DES PERFORMANCES INFERIEURES, EN TERMES DE COUT ET DE DENSITE D'INTEGRATION, ELLES RESTENT BEAUCOUP MOINS COMPETITIVES QUE LES TECHNOLOGIES STANDARDS SUR SUBSTRAT DE SILICIUM. DE PLUS, IL EST PREVU QUE, DANS LES PROCHAINS DIX ANS, PLUS DE 70% DES APPLICATIONS EN HAUTE TEMPERATURE CORRESPONDRONT ENCORE A DES APPLICATIONS AUTOMOBILES ET PETROLIERES AYANT DES TEMPERATURES D'OPERATION INTERMEDIAIRES, INFERIEURES A 200\C. A PARTIR DE L'ETUDE DE LA PHYSIQUE DES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS ET DES MATERIAUX POUR LA MICROELECTRONIQUE, CETTE THESE ELARGIT JUSQU'A ENVIRON 250\C LA PLAGE DE TEMPERATURE D'UTILISATION DES TECHNOLOGIES CMOS ET BICMOS STANDARDS, SUR SUBSTRAT DE SILICIUM, A TRAVERS DES TECHNIQUES DE CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES, SANS TOUTEFOIS MODIFIER LES PROCEDES DE FABRICATION. LES ETUDES ET LES TESTS ONT ETE EXPERIMENTES SUR UNE TECHNOLOGIE CMOS ET UNE TECHNOLOGIE BICMOS COMMERCIALES. CES CONCLUSIONS SONT TRANSFERABLES A TOUTE TECHNOLOGIE SEMBLABLE ACTUELLE. DE PLUS, LES PERFORMANCES EN TEMPERATURE SEMBLENT AMELIORER DANS LE FUTUR, DU FAIT QUE L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION ENTRAINE UNE AUGMENTATION DES CONCENTRATIONS DES DOPANTS ET UNE REDUCTION DE LA SURFACE DES JONCTIONS D'ISOLATION. DEUX APPLICATIONS INDUSTRIELLES, REPRESENTATIVES DU MARCHE POTENTIEL DES APPLICATIONS DES CIRCUITS INTEGRES EN HAUTE TEMPERATURE, ONT PERMIS DE VERIFIER DANS LA PRATIQUE LES RESULTATS THEORIQUES OBTENUS.

Simulation et conception des transistors M.O.S. de puissance

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Book Synopsis Simulation et conception des transistors M.O.S. de puissance by : Bilal Beydoun

Download or read book Simulation et conception des transistors M.O.S. de puissance written by Bilal Beydoun and published by . This book was released on 1994 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE TRAITE DE LA SIMULATION ET DE LA CONCEPTION DU TRANSISTOR VDMOS DE PUISSANCE. ON PROPOSE UN OUTIL DE CONCEPTION DE MODELES POUR CE TRANSISTOR, QUI EST BASE D'UNE PART SUR L'ANALYSE DES MECANISMES DONT LA STRUCTURE EST LE SIEGE, D'AUTRE PART SUR LA GEOMETRIE (LAYOUT) ET LA TECHNOLOGIE, ET ENFIN SUR LA PRISE EN COMPTE DE LA TOPOLOGIE D'UN SCHEMA EQUIVALENT ETABLI ANTERIEUREMENT AU LABORATOIRE. PLUS PRECISEMENT, ON EFFECTUE TOUT D'ABORD UNE ETUDE DES MECANISMES-CONDUCTION, TENUE EN TENSION, ETUDE DYNAMIQUE-INTERVENANT DANS LES DIVERSES ZONES DE LA STRUCTURE DU COMPOSANT. EN SE BASANT SUR LES ASPECTS DE MODELISATION ANTERIEUREMENT DEVELOPPES AU LAAS, NOUS PROPOSONS ENSUITE UNE NOUVELLE METHODOLOGIE DE CONCEPTION DES MODELES VDMOS. CELLE-CI PREND EN COMPTE LES EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT, LE DESSIN DES MASQUES, LA TECHNOLOGIE ET LES LOIS DE DEPENDANCE ENTRE LES PARAMETRES. POUR CE FAIRE, NOUS DEVELOPPONS UN LOGICIEL NOMME POWER MOSFET'S DESIGNER QUI PERMET A PARTIR DES DONNEES DE LA PHYSIQUE, DE LA GEOMETRIE ET DE LA TECHNOLOGIE DE LA STRUCTURE, DE GENERER LE MODELE VDMOS ET DE CONNAITRE LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU DISPOSITIF DANS UNE APPLICATION DE CIRCUIT SPECIFIEE A PRIORI. ON PROCEDE ENSUITE A LA VALIDATION DE CE LOGICIEL SUR DES COMPOSANTS INDUSTRIELS. ON L'APPLIQUE A L'ETUDE DE NOUVELLES GENERATIONS DE STRUCTURES VDMOS TELLES QUE LE TRANSISTOR VDMOS A DOUBLE NIVEAU D'OXYDE DE GRILLE INTERCELLULAIRE. UN EXEMPLE D'ANALYSE SPECULATIVE DU TRANSISTOR VDMOS ELABORE SUR UN AUTRE MATERIAU QUE LE SILICIUM EST ENFIN PROPOSE: ON ETUDIE LE CAS OU LE SUBSTRAT EST EN CARBURE DE SILICIUM (SIC)

MOS Field-effect Transistors and Integrated Circuits

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Book Synopsis MOS Field-effect Transistors and Integrated Circuits by : Paul Richman

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CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS)

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Book Synopsis CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) by : EMMANUEL.. AUGENDRE

Download or read book CARACTERISATION ET MODELISATION DES ELEMENTS ACTIFS DE TECHNOLOGIES CMOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT POUR DES APPLICATIONS A HAUTE TEMPERATURE (125-350 DEGRES CELSIUS) written by EMMANUEL.. AUGENDRE and published by . This book was released on 1999 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES A DES TEMPERATURES ALLANT DE 125 A 350 DEGRES CELSIUS EST DE PLUS EN PLUS SOUHAITEE DANS DES DOMAINES COMME L'AUTOMOBILE, L'AVIONIQUE ET LA RECHERCHE PETROLIERE. DANS LA FAMILLE SILICIUM, LES COMPOSANTS CMOS REALISES EN SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) SONT LES PLUS APTES A REPONDRE A CES BESOINS. LA THESE CONTRIBUE A LA DISPONIBILITE D'OUTILS DE SIMULATION DE CIRCUITS A HAUTE TEMPERATURE. ELLE DONNE D'ABORD UNE SYNTHESE DES PROPRIETES DU SILICIUM ET DE LEUR VARIATION EN TEMPERATURE. EST ENSUITE PROPOSEE L'ADAPTATION D'UN MODELE COMPACT DE TRANSISTOR MOS A LA GAMME 20-350 DEGRES CELSIUS. LA SIMULATION D'OSCILLATEURS EN ANNEAU VALIDE CE MODELE. LES DEUX DERNIERS CHAPITRES SONT CONSACRES A LA MODELISATION DES PHENOMENES PROPRES AU SOI (SUBSTRAT FLOTTANT, REGIMES TRANSITOIRES, TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE ET AUTO-ECHAUFFEMENT).

Optimisation d'une technologie 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium

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Total Pages : 126 pages
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Book Synopsis Optimisation d'une technologie 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium by : Gonzague Six

Download or read book Optimisation d'une technologie 3D pour la réalisation de circuits intégrés millimétriques sur substrat de silicium written by Gonzague Six and published by . This book was released on 2004 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les performances hyperfréquences des transistors MOS actuels permettent leur utilisation dans le domaine des ondes millimétriques.Cependant la conception des circuits se heurte au problème posé par les pertes des structures de transmission sur des substrats silicium standard. Dans ce contexte, il est nécessaire de développer des structures de propagation faibles pertes sur silicium. Nous présentons dans ce mémoire le développement d'une technologie 3D, pour réaliser des structures de transmission répondant à ces besoins. La comparaison des différentes structures de propagation développées dans cette étude montre que la technologie TFMS présente les meilleures performances en terme d'atténuation (0,2 dB/mm à 50 GHz), Ces lignes ont été utilisées pour le développement de filtres sélectifs à 50 GHz et 94 GHz (5,8 % de bande passante à 94 GHz). Une approche de type "reprise de process" a été utilisée pour la réalisation de circuits démonstrateurs zzj(amplificateursà 10et 20 GHz).

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance

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Book Synopsis Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance by : Loïc Théolier

Download or read book Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance written by Loïc Théolier and published by . This book was released on 2008 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les composants actifs des convertisseurs de puissance employés pour la traction ferroviaire 1200 Volts sont actuellement des IGBTs. Ceux-ci sont handicapés par leurs pertes en commutation et leur emballement thermique. L'utilisation de transistors MOS de puissance permettrait de pallier ces inconvénients. Néanmoins, à ces niveaux de tension, les transistors MOS sont pénalisés par leur compromis " tenue en tension / résistance passante spécifique ". Dans le cadre de ces travaux de thèse, nous avons étudié différents principes pour concevoir une nouvelle structure MOS performante. Nous avons arrêté notre choix sur une structure se basant sur le concept de la Superjonction, réalisée par gravure profonde et diffusion de bore. Théoriquement, cette structure atteint 13 m?.cm2 pour 1200 V. Une grande partie des travaux de recherche a consisté à optimiser cette structure. Pour cela, nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur le compromis " tenue en tension / résistance passante spécifique ". Nous avons également développé une terminaison innovante afin d'assurer la tenue en tension du composant. Il a ensuite fallu identifier les étapes critiques du procédé de fabrication. À partir de ces résultats, nous avons réalisé une diode 1200 V qui nous a permis de valider certaines briques technologiques.