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Conception De Transistors Bipolaires A Double Heterojonction Gainp Gaas En Topologie Collecteur En Haut Pour Lamplification Tres Forte Puissance
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Book Synopsis Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance by : Arnaud Girardot
Download or read book Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP/GaAs en topologie collecteur en haut pour l'amplification très forte puissance written by Arnaud Girardot and published by . This book was released on 2001 with total page 19 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis OPTIMISATION ET MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS. APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE, BANDE X by : Didier Floriot
Download or read book OPTIMISATION ET MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS. APPLICATION AUX AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE, BANDE X written by Didier Floriot and published by . This book was released on 1995 with total page 311 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE A HAUT RENDEMENT, EN BANDE X, A BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (HBT) GAINP/GAAS. CE MEMOIRE EST DIVISE EN DEUX PARTIES: LA PREMIERE DEBUTE PAR L'ETUDE DU TRANSISTOR OU DOIGT ELEMENTAIRE PERMETTANT UN FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN BANDE X ET ABOUTIT A L'OPTIMISATION DU TRANSISTOR MULTI-DOIGTS DE PUISSANCE. LA SECONDE PRESENTE DIFFERENTS AMPLIFICATEURS MONOLITHIQUES DE PUISSANCE (MMIC) OU UNE NOUVELLE TOPOLOGIE DE COMBINAISON EST MISE EN UVRE. L'INTERET DE L'INTERFACE GAINP/GAAS POUR L'APPLICATION TRANSISTOR DE PUISSANCE EST DANS UN PREMIER TEMPS TRAITE. LE CHOIX D'UNE EPITAXIE EST DISCUTE A PARTIR DES PRINCIPAUX PARAMETRES STATIQUES ET DYNAMIQUES (EFFET KIRK), PUIS UNE TOPOLOGIE DE DOIGT D'EMETTEUR EST PROPOSEE. IL EST NOTAMMENT MONTRE L'ASPECT 3D DU COUPLAGE ELECTRO-THERMIQUE. LA TOPOLOGIE DU TBH MULTI-DOIGTS EST OPTIMISEE D'UN POINT DE VUE THERMIQUE ET ELECTRIQUE. DES EFFETS DISTRIBUES SONT MIS EN EVIDENCE DANS LA STRUCTURE, ENTRAINANT UN FONCTIONNEMENT NON-HOMOGENE DES DOIGTS AINSI QU'UN COUPLAGE ELECTRO-THERMIQUE DE DOIGT A DOIGT. DES PUISSANCES DE 0.4 A 1W SONT OBTENUES AVEC DES RPA DE 40 A 55%. DES AMPLIFICATEURS TBH DE PUISSANCE MMIC SONT EXPOSES ET CONDUISENT A DIFFERENTS RESULTATS. UNE NOUVELLE TOPOLOGIE D'INTEGRATION EST EXPOSEE. CELLE-CI PERMET DE REDUIRE LA SURFACE DE GAAS OCCUPEE ET AMELIORE CONSIDERABLEMENT LE BILAN THERMIQUE DE LA STRUCTURE. DES PUISSANCES DE 1,2.5 ET 5.3W SONT OBTENUS EN BANDE X (10GHZ) ET KU AVEC DES RPA ASSOCIES DE 30 A 35%. CES RESULTATS SE CLASSENT PARMI LES MEILLEURS OBTENUS A L'AIDE DE LA TECHNOLOGIE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE, ET DEMONTRE L'INTERET DE L'HETEROJONCTION GAINP/GAAS
Book Synopsis Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP by : Arnaud Girardot
Download or read book Conception de transistors bipolaires à double hétérojonction GaInP written by Arnaud Girardot and published by . This book was released on 2001 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS by : MOHAMAD SALEH.. FALEH
Download or read book CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS written by MOHAMAD SALEH.. FALEH and published by . This book was released on 1998 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET LA COMPARAISON AVEC LES TBHS GAALAS/GAAS. LE PREMIER CHAPITRE PRESENTE D'ABORD UN RAPPEL DES PRINCIPALES PROPRIETES DES MATERIAUX GAINP ET GAAS UTILISES DANS LA FABRICATION DES TBH ETUDIES. IL EXAMINE ENSUITE LES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES QUI INFLUENT SUR LES PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES. UN MODELE ELECTRIQUE PETIT SIGNAL PERMETTANT LA DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EST PRESENTE. L'INFLUENCE DES EFFETS THERMIQUES QUI CONSTITUENT LA PRINCIPALE LIMITATION DES TBHS DE PUISSANCE SUR ARSENIURE DE GALLIUM EST ENFIN ANALYSEE. LA TECHNOLOGIE MISE EN OEUVRE POUR REALISER LES TBHS GAINP/GAAS EST DECRITE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. DEUX FAMILLES DE DISPOSITIFS PRESENTANT UNE SURFACE D'EMETTEUR ELEMENTAIRE DE 10X200 M#2 ET 6X60 M#2 SONT REALISEES DANS DES TECHNOLOGIES TRIPLE MESA CLASSIQUE OU AUTOALIGNEE, AVEC UNE PRISE DU CONTACT D'EMETTEUR UTILISANT UN PONT A AIR. LE TROISIEME CHAPITRE RAPPORTE LES RESULTATS DES CARACTERISATIONS STATIQUE ET DYNAMIQUE AINSI QUE LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS REALISES. L'ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE COURANT PRINCIPAL D'ELECTRONS DANS LA STRUCTURE PERMET DE PROPOSER UNE NOUVELLE CARACTERISATION DE LA DISCONTINUITE DE LA BANDE DE CONDUCTION E#C=17016 MEV DANS L'HETEROJONCTION GA#0#.#5IN#0#.#5P/GAAS. LA CARACTERISATION DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE, AVEC NOTAMMENT L'IDENTIFICATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE ET L'ETUDE DU GAIN EN COURANT QUI DEPEND DU NIVEAU D'INJECTION, A PERMIS D'INTERPRETER UN COMPORTEMENT SPECIFIQUE DE NOS TRANSISTORS. LES PERFORMANCES OBTENUES POUR LES TRANSISTORS CLASSIQUES SONT F#T=18 GHZ, F#M#A#X=20 GHZ, ET LA REDUCTION DE LA RESISTANCE DE BASE PAR AUTOALIGNEMENT DU CONTACT DE BASE SUR L'EMETTEUR A CONDUIT AU DOUBLEMENT DE LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION (F#M#A#X=42GHZ). POUR L'APPLICATION A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE, IL A ETE RELEVE A UNE FREQUENCE DE 1GHZ UNE PUISSANCE R.F DE SORTIE DE L'ORDRE DE 1W AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 49% ET A 10GHZ, UNE PUISSANCE ET UN RENDEMENT DE 170MW ET 29% RESPECTIVEMENT.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis OPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE by : RAMZI.. BOURGUIGA
Download or read book OPTIMISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS A FORT DOPAGE DE BASE written by RAMZI.. BOURGUIGA and published by . This book was released on 1994 with total page 297 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'OPTIMISATION DE LA STRUCTURE EPITAXIALE DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS A FORT DOPAGE DE BASE, AFIN DE DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT ET AMELIORER AINSI LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ETUDE ET LA QUALIFICATION D'UNE STRUCTURE TBH GAINP/GAAS REALISEE EN EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE AVEC UNE BASE FORTEMENT DOPEE AU CARBONE. L'UTILISATION DU MATERIAU GAINP PERMET DE DISPOSER D'UNE GRAVURE SELECTIVE DU MESA D'EMETTEUR ET DE DIMINUER LE COURANT DE RECOMBINAISON DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE. UNE NOUVELLE STRUCTURE TBH AVEC UNE FINE COUCHE DE GAINP INSEREE ENTRE L'EMETTEUR EN GAALAS ET LA BASE EN GAAS A ETE ETUDIEE ET QUALIFIEE. L'EPAISSEUR DE LA COUCHE GAINP A ETE OPTIMISEE POUR REDUIRE LES RECOMBINAISONS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EMETTEUR-BASE TOUT EN CONSERVANT UNE FAIBLE RESISTIVITE DU CONTACT DE TYPE P DEPOSE DIRECTEMENT SUR LA COUCHE DE GAINP DE TYPE N. CETTE COUCHE DE GAINP RECOUVRE LA BASE EXTRINSEQUE ET PERMET D'ELIMINER LES COURANTS DE RECOMBINAISON DE SURFACE. DANS LA PARTIE SUIVANTE, L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES DYNAMIQUES SUR LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES DU TBH A ETE ANALYSEE. NOUS AVONS DEMONTREE QUE LE TEMPS DE TRANSIT INTRINSEQUE JOUE UN ROLE PREPONDERANT. POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE, NOUS AVONS OPTIMISE UNE STRUCTURE QUI COMPORTE UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE BASE GRADUELLE EN COMPOSITION. NOUS AVONS EGALEMENT ETUDIE DES STRUCTURES POUR DIMINUER LE TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR. L'ANALYSE DU TRANSPORT DES PORTEURS DANS LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE BASE-COLLECTEUR MONTRE L'INFLUENCE DU PHENOMENE DE SURVITESSE SUR LE TEMPS DE TRANSIT DANS CETTE ZONE. L'UTILISATION D'UN COLLECTEUR DE TYPE P OU DE TYPE P-N PERMET DE CONSERVER LES ELECTRONS EN REGIME DE SURVITESSE SUR UNE DISTANCE PLUS GRANDE DANS LE COLLECTEUR, CE QUI REDUIT LE TEMPS DE TRANSIT DES ELECTRONS. POUR VALIDER CETTE ETUDE, NOUS AVONS SPECIFIE DES STRUCTURES EPITAXIALES ET REALISE DES TBH DE PETITE DIMENSION EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA. NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODOLOGIE POUR EXTRAIRE DES MESURES DYNAMIQUES LES DIFFERENTS PARAMETRES. NOUS AVONS DEMONTRE QUE LE TEMPS DE TRANSIT DANS LA BASE POUR UNE STRUCTURE TBH PRESENTANT UNE HETEROJONCTION E-B ABRUPTE ET UNE GRADUALITE DE COMPOSITION DANS LA BASE EST TRES FAIBLE, DE L'ORDRE DE 0,5 PS. CETTE VALEUR EST 60% PLUS FAIBLE QUE CELLE OBTENUE DANS UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE DE MEME EPAISSEUR (1,3 PS). NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UNE FORTE REDUCTION DU TEMPS DE TRANSIT DANS LE COLLECTEUR POUR UNE STRUCTURE A COLLECTEUR P-N, 1,5 PS CONTRE 2,6PS POUR UNE STRUCTURE CONVENTIONNELLE, CE QUI CORRESPOND A UNE REDUCTION DE 40%
Book Synopsis CONCEPTION ET REALISATION D'UNE CHAINE D'EMISSION TRES HAUT DEBIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS by : MOHSINE.. MENOUNI
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION D'UNE CHAINE D'EMISSION TRES HAUT DEBIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS written by MOHSINE.. MENOUNI and published by . This book was released on 1996 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE CIRCUITS ULTRA-RAPIDES POUR COMMUNICATIONS OPTIQUES A TRES HAUT DEBIT (10-20 GBIT/S). IL TRAITE PARTICULIEREMENT DES CIRCUITS RELATIFS A LA CHAINE D'EMISSION: LE MULTIPLEXEUR ET LE CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER. LA CONCEPTION EST BASEE SUR L'UTILISATION DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAINP/GAAS. LE MEMOIRE TRAITE TOUT D'ABORD DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET DE LA MODELISATION DU TBH. IL PASSE EN REVUE LES DIFFERENTES TECHNOLOGIES UTILISEES POUR LA REALISATION DU TBH, NOTAMMENT LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DU CNET-BAGNEUX METTANT EN UVRE DES ESPACEURS. UNE ETUDE QUALITATIVE DU FONCTIONNEMENT DE LA LOGIQUE RAPIDE ECL, PRESENTEE DANS LE CADRE DE LA PORTE INVERSEUSE DE BASE, PERMET DE DETERMINER L'INFLUENCE DES PARAMETRES ELECTRIQUES, GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU TRANSISTOR SUR LE TEMPS DE PROPAGATION ET DE PRECISER QUELQUES FACTEURS D'OPTIMISATION DE LA VITESSE DES CIRCUITS LOGIQUES. LE MANUSCRIT DECRIT ENSUITE UNE METHODOLOGIE GENERALE DE CONCEPTION DES CIRCUITS ULTRA-RAPIDES QUI S'EST CONCRETISEE PAR LA REALISATION D'UN CIRCUIT SELECTEUR A 20 GBIT/S ET D'UN DIVISEUR DE FREQUENCE STATIQUE A 12 GHZ UTILISANT DES TRANSISTORS DE FREQUENCE DE TRANSITION DE 50 GHZ. CES RESULTATS, COMPLETES PAR DES SIMULATIONS, MONTRENT QU'UN CIRCUIT MULTIPLEXEUR AVEC SYNCHRONISATION EN SORTIE DEVRAIT FONCTIONNER AU DESSUS DE 10 GBIT/S. L'OPTIMISATION DE L'ARCHITECTURE DU CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER A PERMIS D'ATTEINDRE UN DEBIT DE 16 GBIT/S AVEC UNE AMPLITUDE DE 2 VOLT SUR 50 OHM. CE CIRCUIT A ETE HYBRIDE AVEC UNE DIODE LASER TRES LARGE BANDE POUR REALISER UN MODULE D'EMISSION OPTIQUE MONTRANT UN FONCTIONNEMENT CORRECT A 14 GBIT/S
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs by : Hugues Granier
Download or read book Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs written by Hugues Granier and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Fabrication, caractérisation et modélisation des transistors bipolaires a double hétérojonction InP pour circuits de communications optiques à très hauts débits (40 Gbit/s by : Joseph Mba
Download or read book Fabrication, caractérisation et modélisation des transistors bipolaires a double hétérojonction InP pour circuits de communications optiques à très hauts débits (40 Gbit/s written by Joseph Mba and published by . This book was released on 1999 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif est de mettre en place une technologie TBH InP avec des transistors ayant des fréquences de coupure supérieures à 80 GHz. Ces transistors permettront de fabriquer des circuits de communication optique fonctionnant à 40 Gbit/s. L'obtention de ces hautes performances passe par la définition d'une structure de couches adéquate, par une technologie de fabrication adaptée, par une analyse des phénomènes de transport et par des mesures hyperfréquences adaptées. A la lumière de l'analyse des phénomènes de transport et de la modélisation, nous avons proposé des évolutions de la structure permettant d'obtenir simultanément: des fréquences de coupure élevées, une faible consommation, une tension de claquage élevée (B V CE) et de faibles courants de fuite. Un point essentiel abordé dans cette partie est 1' apport d'une base à composition graduelle permettant de minimiser le temps de transit à travers la base et de trouver un meilleur compromis entre un gain élevé et une faible résistance de base. Une optimisation de la technologie de fabrication du TBH a été mise en place, de manière à réduire sensiblement (60%) les parasites, dans le cadre des règles de dessin imposées par l'outil technologique disponible au laboratoire. Cette optimisation concerne principalement la réduction de la surface base-collecteur, dont dépend directement la capacité base-collecteur, la fréquence de transition et surtout la fréquence maximale d'oscillation. Cette technologie associée à la structure de couches évoluée a conduit à la réalisation de transistors ayant les performances suivantes : Ft = 105 GHz, Fmax = 70 GHz, β = 48, BVCE > à 7,5 V. Ces transistors ont conduit à la réalisation de circuits fonctionnant à 44 Gbit/s pour le multiplexeur 2:1, 40 Gbit/s pour le démultiplexeur 2: l, 25 Gbit/s pour le driver et plus de 25 Gbit/s pour une bascule D. L'ensemble de ces circuits permet de valider les approches utilisées au cours de ce travail.
Book Synopsis OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS by : HUGUES.. GRANIER
Download or read book OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS written by HUGUES.. GRANIER and published by . This book was released on 1995 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis Conception, réalisation et caractérisation d'amplificateurs a faible distorsion non-linéaire a base de transistors bipolaires à hétérojonction pour communications spatiales by : Mohammed Tsouli
Download or read book Conception, réalisation et caractérisation d'amplificateurs a faible distorsion non-linéaire a base de transistors bipolaires à hétérojonction pour communications spatiales written by Mohammed Tsouli and published by . This book was released on 1994 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS POUR COMMUNICATIONS SPATIALES. LES TRAVAUX DEBUTENT PAR L'ANALYSE DES BESOINS EN COMPOSANTS POUR LES COMMUNICATIONS SPATIALES. LA COMPARAISON, DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS AVEC CELLES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE SILICIUM ET DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP GAAS EST PRESENTEE. PAR LA SUITE, UN MODELE ELECTRIQUE NON LINEAIRE ET THERMOELECTRIQUE DU TBH EST ETABLI, EN UTILISANT LES METHODES CLASSIQUES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE. LES PROBLEMES DE STABILISATION DU TBH EN TEMPERATURE ONT ETE TRAITES ET LES VALEURS DES RESISTANCES DE STABILISATION ONT ETE OPTIMISEES, EN UTILISANT UNE ANALYSE TRIDIMENSIONNELLE COMPLETE, COUPLEE AVEC LE MODELE THERMOELECTRIQUE TENANT COMPTE DES PROPRIETES SPECIFIQUES DU TBH. UNE ETUDE DE STABILITE UTILISANT DES CIRCUITS DE CONTRE REACTION SANS PERTES A ETE MENEE. UNE CONTRE REACTION SERIE CAPACITIVE A PERMIS D'OBTENIR UNE STABILITE INCONDITIONNELLE, DANS TOUTE LA BANDE DE FREQUENCE, POUR UN TRANSISTOR DE MOYENNE PUISSANCE MONTE EN BASE COMMUNE. DE MEME, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE CONTRE REACTION PARALLELE UTILISANT UN QUADRIPOLE SANS PERTES, PERMETTANT DE STABILISER UN TRANSISTOR EN EMETTEUR COMMUN, TOUT EN AMELIORANT SON GAIN DANS LA BANDE D'UTILISATION. LA MODELISATION ET LE TRAVAIL D'OPTIMISATION SUR LE COMPOSANT ONT ETE CONCRETISES PAR LA CONCEPTION DE DEUX AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN BANDE C POUR ANTENNE ACTIVE: UN AMPLIFICATEUR HYBRIDE DE MOYENNE PUISSANCE ET UN AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE DE PUISSANCE A TROIS ETAGES. LE TRANSISTOR DE PUISSANCE DE L'AMPLIFICATEUR MONOLITHIQUE COMPORTE 128 DOIGTS D'EMETTEUR AVEC UNE LONGUEUR TOTALE D'EMETTEUR DE 2.56 MM. L'ESPACEMENT ENTRE LES DOIGTS D'EMETTEUR ET LA RESISTANCE DE STABILISATION SUR CHAQUE DOIGT ONT ETE OPTIMISES DANS LE BUT D'UNIFORMISER LA DISTRIBUTION DE LA TEMPERATURE
Book Synopsis CONCEPTION ET REALISATION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR RADIOCOMMUNICATIONS by : CHRISTOPHE.. PINATEL
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR RADIOCOMMUNICATIONS written by CHRISTOPHE.. PINATEL and published by . This book was released on 1996 with total page 288 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATION AVEC LES MOBILES FONT L'OBJET, DEPUIS QUELQUES ANNEES, DE TRAVAUX TRES IMPORTANTS. LEUR DEVELOPPEMENT NECESSITE DE RELEVER DE NOMBREUX DEFIS AUSSI BIEN ECONOMIQUES QUE TECHNIQUES. POUR ATTEINDRE UN DEVELOPPEMENT DES SERVICES MOBILES A GRANDE ECHELLE, IL FAUT QUE LES DIMENSIONS, LE POIDS, L'AUTONOMIE ET LE COUT DU TERMINAL SOIENT DES ELEMENTS ATTRACTIFS POUR L'UTILISATEUR. PARMI LES DIFFERENTS CIRCUITS INTERVENANT DANS LA CHAINE D'EMISSION-RECEPTION, LE CIRCUIT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE REVET UNE IMPORTANCE TOUTE PARTICULIERE QUANT A L'ABAISSEMENT DE LA CONSOMMATION DU COMBINE. EN EFFET, SON AUTONOMIE DEPEND DIRECTEMENT DU RENDEMENT AJOUTE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE. PARMI LES DIFFERENTS COMPOSANTS PERMETTANT DE REALISER CES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAAS/GAALAS APPARAIT COMME UN COMPOSANT DE CHOIX POUR ATTEINDRE SOUS DE FAIBLES TENSIONS D'ALIMENTATION (
