Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Composants Mos Pour Circuits Integres Haute Tension
Download Composants Mos Pour Circuits Integres Haute Tension full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Composants Mos Pour Circuits Integres Haute Tension ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION by : AZZOUZ.. NEZAR
Download or read book COMPOSANTS MOS POUR CIRCUITS INTEGRES HAUTE TENSION written by AZZOUZ.. NEZAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE DES SOLUTIONS PROMETTEUSES POUR LA REALISATION DES INTERRUPTEURS DANS LES CIRCUITS INTEGRES DE PUISSANCE EST LE TRANSISTOR LATERAL DOUBLE-DIFFUSE MOS (L.DMOS) UTILISANT LA TECHNIQUE RESURF. LES AVANTAGES DE CE DERNIER SONT: A) SA SIMPLICITE, B) SA TENUE EN TENSION, C) SON ISOLATION ET D) SA COMPTABILITE AVEC LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS BASSE TENSION (CMOS OU BIPOLAIRE OU ENCORE BICMOS). POUR QUE CELLE-CI SOIT EFFICACE IL EST NECESSAIRE DE COMPRENDRE INTUITIVEMENT LES MECANISMES DE CLAQUAGE DANS LE COMPOSANT DE PUISSANCE. LES REGLES DE CONCEPTION ET D'ISOLATION DE CES TRANSISTORS EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES GEOMETRIQUES (DISTANCE CANAL-DRAIN, EPAISSEUR DE LA COUCHE D'EPITAXIE ETC...) ET PHYSIQUES (VALEUR DU DOPAGE) ONT ETE ETUDIEES A L'AIDE D'APPROCHES ANALYTIQUES SIMPLIFIEES ET NUMERIQUES BIDIMENSIONNELLES. CES REGLES ONT ETE APPLIQUEES A LA REALISATION DE TRANSISTORS L.DMOS RESURF MOYENNE TENSION (400 VOLTS). AFIN DE VALIDER CES REGLES, DES DIODES ET DES TRANSISTORS RESURF ONT ETE REALISES ET ONT CONFIRME L'EXACTITUDE DES APPROCHES
Book Synopsis Components and Sub-Assemblies by : C.G. Wedgwood
Download or read book Components and Sub-Assemblies written by C.G. Wedgwood and published by Elsevier. This book was released on 2013-10-22 with total page 584 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Please note this is a Short Discount publication. Access both contact and company information on all 4950 European manufacturers, distributors and agents for 550 electronics components and sub–assembly product classifications throughout West and East Europe in one comprehensive Volume. Applications: • Sourcing of specific product types through local distributors or manufacturers • Location of new regional channels of distribution or identification of new European business partners • Competitor tracking • Sales lead generation Entries include: • Key names executives • Full address, telephone and fax details • Size indications including number of employees • Products • Manufacturers represented and agency status
Book Synopsis Reliability of Electronic Components by : Titu I. Bajenescu
Download or read book Reliability of Electronic Components written by Titu I. Bajenescu and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 547 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This application-oriented professional book explains why components fail, addressing the needs of engineers who apply reliability principles in design, manufacture, testing and field service. A detailed index, a glossary, acronym lists, reliability dictionaries and a rich specific bibliography complete the book.
Book Synopsis Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance by : Gaëtan Toulon
Download or read book Conception de transistors MOS haute tension en technologie CMOS 0,18 μm sur substrat "silicium sur isolant" (SOI) pour les nouvelles générations de circuits intégrés de puissance written by Gaëtan Toulon and published by . This book was released on 2010 with total page 147 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les circuits intégrés de puissance combinent dans une même puce des fonctions logiques digitales, obtenues par des circuits CMOS, associées à des interrupteurs de puissance de type transistors DMOS. La demande pour des applications de plus en plus complexes nécessite l'utilisation de lithographies plus fines pour augmenter la densité de composants CMOS. L'évolution des technologies CMOS oblige à développer des composants DMOS compatibles dans les circuits intégrés de puissance. Le travail de cette thèse se concentre sur la conception de transistors LDMOS haute tension (120 V) compatibles avec un procédé CMOS 0,18 μm sur substrat « silicium sur isolant » (SOI). Différentes architectures de transistors LDMOS à canal N et P ont été proposées et optimisées en termes de compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique » à partir de simulations TCAD à éléments finis. Les performances de ces structures ont été comparées en termes de facteur de mérite Ron×Qg qui est le produit entre charge de grille et résistance passante spécifique, mais aussi en termes d'aire de sécurité. Les meilleurs transistors STI-LDMOS et SJ-LDMOS (à canal N) et R-PLDMOS (à canal P) affichent des performances statiques et dynamiques comparables voire parfois supérieures à celles des composants de puissance de la littérature. Différentes mesures effectuées sur les transistors LDMOS réalisés par ATMEL et comparées aux simulations ont permis de valider les simulations effectuées dans cette thèse.
Book Synopsis High Voltage Integrated Circuits by : B. Jayant Baliga
Download or read book High Voltage Integrated Circuits written by B. Jayant Baliga and published by Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE). This book was released on 1988 with total page 384 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Very Good,No Highlights or Markup,all pages are intact.
Author :Rudy J. van de Plassche Publisher :Springer Science & Business Media ISBN 13 :1475723539 Total Pages :394 pages Book Rating :4.4/5 (757 download)
Book Synopsis Analog Circuit Design by : Rudy J. van de Plassche
Download or read book Analog Circuit Design written by Rudy J. van de Plassche and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-06-29 with total page 394 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The realization of signal sampling and quantization at high sample rates with low power dissipation is an important goal in many applications, includ ing portable video devices such as camcorders, personal communication devices such as wireless LAN transceivers, in the read channels of magnetic storage devices using digital data detection, and many others. This paper describes architecture and circuit approaches for the design of high-speed, low-power pipeline analog-to-digital converters in CMOS. Here the term high speed is taken to imply sampling rates above 1 Mhz. In the first section the dif ferent conversion techniques applicable in this range of sample rates is dis cussed. Following that the particular problems associated with power minimization in video-rate pipeline ADCs is discussed. These include optimi zation of capacitor sizes, design of low-voltage transmission gates, and opti mization of switched capacitor gain blocks and operational amplifiers for minimum power dissipation. As an example of the application of these tech niques, the design of a power-optimized lO-bit pipeline AID converter (ADC) that achieves =1. 67 mW per MS/s of sampling rate from 1 MS/s to 20 MS/s is described. 2. Techniques for CMOS Video-Rate AID Conversion Analog-to-digital conversion techniques can be categorized in many ways. One convenient means of comparing techniques is to examine the number of "analog clock cycles" required to produce one effective output sample of the signal being quantized.
Book Synopsis MOS Field-effect Transistors and Integrated Circuits by : Paul Richman
Download or read book MOS Field-effect Transistors and Integrated Circuits written by Paul Richman and published by Wiley-Interscience. This book was released on 1973 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Revue Roumaine de Physique written by and published by . This book was released on 1980 with total page 658 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Electronic Components and Applications by :
Download or read book Electronic Components and Applications written by and published by . This book was released on 1985 with total page 572 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffement by : Anna Canepari
Download or read book Macro-modélisation des structures MOS "haute tension" intégrées avec prise en compte de l'auto-échauffement written by Anna Canepari and published by . This book was released on 2006 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'industrie de la microélectronique est aujourd'hui une industrie prospère investie dans les secteurs économiques à bon potentiel de croissance (informatique, télécommunications...). Parmi tous les composants produits en microélectronique, les dispositifs MOS de puissance occupent une place fondamentale. Il s'agit de composants à semiconducteur utilisés principalement dans deux domaines. Ils servent pour contrôler le niveau de courant dans les moteurs électriques, les équipements électroniques et les voitures. D'autre part, ils régulent et stockent de la puissance dans les équipements électroniques portables. Depuis leur apparition dans les années 1970, les dispositifs MOS de puissance ont été intégrés avec des fonctions de plus en plus complexes. Cela a conduit au début des années 1990 à l'idée de la technologie "smart power". Cette technologie a été crée pour fournir l'interface entre le contrôle logique digital et la charge de puissance. Elle intègre les dispositifs de puissance avec des fonctions de contrôle, protection et logique intégrée. Le but est de produire des composants de puissance de plus en plus petits, à basse consommation et à bas coût. Ces dispositifs innovants, qui sont un sujet de recherche porteur dans l'industrie de la microélectronique, doivent être modélisé en SPICE. La modélisation est essentielle afin de pouvoir simuler le comportement des circuits intégrés avant de les dessiner et de les intégrer. Cette thèse a été réalisée au sein de l'équipe de modélisation des dispositifs MOS haute tension (MOS HV) de STMicroelectronics à Crolles. Cette équipe a pour mission de fournir des modèles SPICE pour les dispositifs HV aux concepteurs. Les modèles électriques doivent être capables de reproduire avec précision le comportement des dispositifs dans les régimes DC, AC et grand signal pour des températures comprises entre -40 °C et jusqu'à 200 °C pour certaines applications. Tous les dispositifs MOS HV dissipent une forte puissance. Si cette puissance ne peut être évacuée efficacement, une élévation de la température de fonctionnement du dispositif va se produire. Ce phénomène d'auto-échauffement est d'autant plus important que la puissance dissipée est élevée. Ce phénomène est par exemple bien connu dans les technologies MOS sur substrat SOI. Dans ce cas en effet l'oxyde enterré fonctionne comme un très bon isolant thermique. En ce qui concerne les MOS HV, des élévations de température de 100 °C sont courantes pour des applications de téléphonie. L'impact sur les caractéristiques éléctriques n'est donc pas négligeable. L'objectif de cette thèse est d'améliorer la prise en compte du phénomène d'auto-échauffement dans le modèles des MOS HV. Cela implique d'une part d'évaluer les méthodes de modélisation publiées dans la littérature et de proposer des améliorations. D'autre part, afin de déterminer le plus finement possible les paramètres relatifs à l'auto-échauffement du modèle, il est essentiel d'évaluer aussi les méthodes d'extraction de ces paramètres. Ces études supposent évidemment une bonne compréhension de la modélisation du MOS HV standard, c'est à dire sans prise en compte de l'auto-échauffement
Book Synopsis MOS Devices for Low-voltage and Low-energy Applications by : Yasuhisa Omura
Download or read book MOS Devices for Low-voltage and Low-energy Applications written by Yasuhisa Omura and published by . This book was released on 2017 with total page 465 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis International Aerospace Abstracts by :
Download or read book International Aerospace Abstracts written by and published by . This book was released on 1983 with total page 692 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Trade-marks Journal written by and published by . This book was released on 2000 with total page 910 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Characterization and Modeling of SOI RF Integrated Components by : Morin Dehan
Download or read book Characterization and Modeling of SOI RF Integrated Components written by Morin Dehan and published by Presses univ. de Louvain. This book was released on 2003 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The boom of mobile communications leads to an increasing request of low cost and low power mixed mode integrated circuits. Maturity of SOI technology, and recent progresses of MOSFET's microwave performances, explain the success of silicon as compared to III-V technologies for low-cost multigigahertz analog applications. The design of efficient circuits requires accurate, wide-band models for both active and passive elements. Within this frame, passive and active components fabricated in SOI technologies have been studied. Various topologies of integrated transmission lines, like Coplanar Waveguides or thin film microstrip lines, have been analyzed. Also, a new physical model of integrated inductors has been developed. This model, based on a coupled line analysis of square spiral inductors, is scalable and independent of the technology used. Inductors with various spacing between strips, conductor widths, or number of turns can be simulated on different multi-layered substrates. Each layer that composes the substrate is defined using its electrical properties (permittivity, permeability, conductivity). The performances of integrated sub-micron MOSFETs are analyzed. New alternative structures of transistor (the Graded Channel MOSFET and the Dynamic Threshold MOSFET) are proposed to increase the performances of a CMOS technology for for analog, low power, low voltage, and microwave applications. They are studied from Low to High frequency. The graded channel MOSFET is an asymmetric doped channel MOSFET's which bring solutions for the problems of premature drain break-down, hot carrier effects, and threshold voltage (Vth) roll-off issues in deep submicrometer devices. The GCMOS processing is fully compatible with the conventional SOI MOSFET process flow, with no additional steps needed. The dynamic threshold voltage MOS is a MOS transistor for which the gate and the body channel are tied together. All DTMOS electrical properties can be deduced from standard MOS theory by introducing Vbs = Vgs. The main advantage of DTMOS over conventional MOS is its higher drive current at low bias conditions. To keep the body to source current as low as possible, the body bias voltage must be kept lower than 0.7 V. It seems obvious that the DTMOS transistor is an attractive component for low voltage applications.
Download or read book Annales des télécommunications written by and published by . This book was released on 2004-07 with total page 760 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Scientific and Technical Aerospace Reports by :
Download or read book Scientific and Technical Aerospace Reports written by and published by . This book was released on 1992 with total page 320 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Electronic Components & Applications by :
Download or read book Electronic Components & Applications written by and published by . This book was released on 1989 with total page 480 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
